JPS5831539A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
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- JPS5831539A JPS5831539A JP12967681A JP12967681A JPS5831539A JP S5831539 A JPS5831539 A JP S5831539A JP 12967681 A JP12967681 A JP 12967681A JP 12967681 A JP12967681 A JP 12967681A JP S5831539 A JPS5831539 A JP S5831539A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ＦＩＩＦｉ樹脂封止された混成集積回路の製造方法
Ｋかか！り、４ＩＫ鋏混成集積回路表面を流動性低粘度
合成樹脂で再現性よく被覆する方法に関するものである
。
Ｋかか！り、４ＩＫ鋏混成集積回路表面を流動性低粘度
合成樹脂で再現性よく被覆する方法に関するものである
。
混成集積回路は薄膜集積回路や厚膜集積回路で代表され
るようにガラス、アルミナセラミック等の絶縁基板上に
スパッタ法あるいはスクリーン印刷法によシ、導電体層
、抵抗体層、コンデンサ等の回路要素からなるパターン
を形成し、更にパターンの所要の位置に半導体素子を接
合したひとつの電気回路を構成し、最後に回路に充分な
耐候性と機械的強度をもたせる為に樹脂等で封止してい
るのが通例である。
るようにガラス、アルミナセラミック等の絶縁基板上に
スパッタ法あるいはスクリーン印刷法によシ、導電体層
、抵抗体層、コンデンサ等の回路要素からなるパターン
を形成し、更にパターンの所要の位置に半導体素子を接
合したひとつの電気回路を構成し、最後に回路に充分な
耐候性と機械的強度をもたせる為に樹脂等で封止してい
るのが通例である。
一般に混成集積回路の封止方法としては表面被覆法、ボ
ッティング法、キャスティング法、トランス７アーモー
ルド法等が用ｉられているが作業の簡便性と経済性の面
から最近では表面被覆法が多用されるようになりている
。
ッティング法、キャスティング法、トランス７アーモー
ルド法等が用ｉられているが作業の簡便性と経済性の面
から最近では表面被覆法が多用されるようになりている
。
この表面被覆法は回路領域上の機械的又は化学的保鏝を
向上させるために混成集積回路の回路表面だけに流動性
のあるシリコーン又はエポキシ樹□脂で被覆したもので
ある。一般にはこの方法は次の様にして行なわれる。即
ち、水平に置かれた混取集積回路の回路表面に流動性の
良好な合成樹脂を適量だけディスペンサー又は注射器等
を用いて点滴し、樹脂のもつ流動性を利用して外部リー
ドの接合部を含めて回路表面に隅々泡流し、回路表面上
に所定の厚さに樹脂を被覆する法である。この方法は表
面張力を利用したもので樹脂は回路の端面では適当な接
触角をもりて止まるが、外部リードの堆り出し側端面で
はこの効果は小さく、シばしば外部リードと回路面ラン
ドとの境界を通って滲み出ることが常であった。その為
、樹脂は回路ａ面に廻ｐ込んだり、外部リードに沿って
流れ出だりして外観上は勿論のこと電気的性能において
も支障をきたし、種々の修正を施す必要がちつた。従来
ではこの解決策として、（１）回路面に塗布する樹脂量
を極力減少して外部リード又娘す−ド儒端面への樹脂の
流れを少なくする、（２）樹脂に多量のチクソトロピー
材を添加して流れを押える等が検討されたが、逆に樹脂
が少ないと、耐候性が悪化したシ、リード又はリード側
端面への樹脂の流れは止められるが、回路全面に被膜を
形成するのに樹脂を人為的に伸ばす必要が生じたりして
、信頼性作業の面で不都合であった。
向上させるために混成集積回路の回路表面だけに流動性
のあるシリコーン又はエポキシ樹□脂で被覆したもので
ある。一般にはこの方法は次の様にして行なわれる。即
ち、水平に置かれた混取集積回路の回路表面に流動性の
良好な合成樹脂を適量だけディスペンサー又は注射器等
を用いて点滴し、樹脂のもつ流動性を利用して外部リー
ドの接合部を含めて回路表面に隅々泡流し、回路表面上
に所定の厚さに樹脂を被覆する法である。この方法は表
面張力を利用したもので樹脂は回路の端面では適当な接
触角をもりて止まるが、外部リードの堆り出し側端面で
はこの効果は小さく、シばしば外部リードと回路面ラン
ドとの境界を通って滲み出ることが常であった。その為
、樹脂は回路ａ面に廻ｐ込んだり、外部リードに沿って
流れ出だりして外観上は勿論のこと電気的性能において
も支障をきたし、種々の修正を施す必要がちつた。従来
ではこの解決策として、（１）回路面に塗布する樹脂量
を極力減少して外部リード又娘す−ド儒端面への樹脂の
流れを少なくする、（２）樹脂に多量のチクソトロピー
材を添加して流れを押える等が検討されたが、逆に樹脂
が少ないと、耐候性が悪化したシ、リード又はリード側
端面への樹脂の流れは止められるが、回路全面に被膜を
形成するのに樹脂を人為的に伸ばす必要が生じたりして
、信頼性作業の面で不都合であった。
本発明は上記問題点を解決することのできる混成集積回
路の製造方法を提供せんとするものである。即ち、混成
集積回路の回路素子面に樹脂を被覆する工程において、
少なくとも該回路の外部リード端子側を含む端面を加熱
し、該回路の端面以外の箇所を冷却する状態で該回録上
に該合成樹脂を滴下することを特徴とする製造方法であ
る。そして、加熱温度が４０℃乃至１５０ｔｌ：である
ことが好ましい。
路の製造方法を提供せんとするものである。即ち、混成
集積回路の回路素子面に樹脂を被覆する工程において、
少なくとも該回路の外部リード端子側を含む端面を加熱
し、該回路の端面以外の箇所を冷却する状態で該回録上
に該合成樹脂を滴下することを特徴とする製造方法であ
る。そして、加熱温度が４０℃乃至１５０ｔｌ：である
ことが好ましい。
以下に第１図を参照にして実施例により本発明の製造方
法を説明する。
法を説明する。
セラミック基板等の絶縁基板上に半導体素子の能動素子
及び厚膜又は薄膜で形成された受動素子が形成され、更
に該セラミック基板には二方向のみに外部リードとして
熱圧着法又は半田付けで取り付けられている。以上の方
法で混成集積回路素子ｌを形成した後まず、咳素子を第
１図の様にホットプレート３上に該素子の外部リード端
子２堰り出し側の端面が来る様に載せる。ホットプレー
トは温度が６０±５℃になる様にコントロールし又皺素
子を該ホットプレート上に載せた時読素子・の回路図の
傾きが水平か、少、なくとも±２ 以内に入る様にホッ
トプレートの傾き調節を行なう。
及び厚膜又は薄膜で形成された受動素子が形成され、更
に該セラミック基板には二方向のみに外部リードとして
熱圧着法又は半田付けで取り付けられている。以上の方
法で混成集積回路素子ｌを形成した後まず、咳素子を第
１図の様にホットプレート３上に該素子の外部リード端
子２堰り出し側の端面が来る様に載せる。ホットプレー
トは温度が６０±５℃になる様にコントロールし又皺素
子を該ホットプレート上に載せた時読素子・の回路図の
傾きが水平か、少、なくとも±２ 以内に入る様にホッ
トプレートの傾き調節を行なう。
次に＃素子の裏面側よシ該素子が整軸１７ない程度の冷
却用空気４を例えばＩ １７ｍ ｉ ｎ ｆ吹きつけ該
素子の端面部や温度が高く、該素子の中央部の潟塵゛が
低くなる様にする。
却用空気４を例えばＩ １７ｍ ｉ ｎ ｆ吹きつけ該
素子の端面部や温度が高く、該素子の中央部の潟塵゛が
低くなる様にする。
次に合成樹脂５としてＬＴＶシリコーン樹脂、（ＫＥ１
２１２ＡＢＣ）（信越７リコー／（株））をディスペン
サー６で適量だけ該素子の回路部に滴下する。諌樹脂が
該素子のり路面及び外部リードと該素子の接着部に行ｉ
ｔする迄、即ち滴下してから約１分間放置した彼、本乾
燥として１５０℃３０分間恒温槽で乾燥する。
２１２ＡＢＣ）（信越７リコー／（株））をディスペン
サー６で適量だけ該素子の回路部に滴下する。諌樹脂が
該素子のり路面及び外部リードと該素子の接着部に行ｉ
ｔする迄、即ち滴下してから約１分間放置した彼、本乾
燥として１５０℃３０分間恒温槽で乾燥する。
以上、本発明による製造方法によれば素子の回路面上に
情鮨な滴下すると樹脂は四方に流れ出し、外部リード端
子を含め素子回路の端が高くなる禄な温度分布になって
いる為、素子の基板端面で樹脂は完全に止まり、一方、
外部リード又は外部リードと該素子との接合部を通して
の樹脂の滲み出しもなくなった。これは樹脂の表面張力
とＬＴＶ樹脂の熱による粘度上昇における局所的な流動
性の低下を利用したものである。
情鮨な滴下すると樹脂は四方に流れ出し、外部リード端
子を含め素子回路の端が高くなる禄な温度分布になって
いる為、素子の基板端面で樹脂は完全に止まり、一方、
外部リード又は外部リードと該素子との接合部を通して
の樹脂の滲み出しもなくなった。これは樹脂の表面張力
とＬＴＶ樹脂の熱による粘度上昇における局所的な流動
性の低下を利用したものである。
以上の方法によれば外部リードに沿って樹脂が流れ出た
り従来、行なわれていた樹脂の流れ出しによる不要樹脂
の除去作業が皆無となった。更に、従来方法では樹脂の
流れ具合を制御する為に樹脂の塗布量と粘度値とを厳し
く賃理する必要があったが、本発明の方法によればそれ
がなくなり、作業の無人化が可能となり、作業性の面で
も極めて向上した。又更には従来に比べ被覆の膜厚が厚
く出来る為に耐湿性の面で４向上した。又本発明の方法
に記載されている樹脂はＫＥ１２１２ＡＨＣに限定され
るもので、なく、流動性低粘度なＬＴＶ型合型合側樹脂
ば同様に実現し得る。又本発明の方法に記載されている
加熱温度は６０±５℃に限定されるものではなく４０乃
至１５０℃ならば同様に実現し得る。
り従来、行なわれていた樹脂の流れ出しによる不要樹脂
の除去作業が皆無となった。更に、従来方法では樹脂の
流れ具合を制御する為に樹脂の塗布量と粘度値とを厳し
く賃理する必要があったが、本発明の方法によればそれ
がなくなり、作業の無人化が可能となり、作業性の面で
も極めて向上した。又更には従来に比べ被覆の膜厚が厚
く出来る為に耐湿性の面で４向上した。又本発明の方法
に記載されている樹脂はＫＥ１２１２ＡＨＣに限定され
るもので、なく、流動性低粘度なＬＴＶ型合型合側樹脂
ば同様に実現し得る。又本発明の方法に記載されている
加熱温度は６０±５℃に限定されるものではなく４０乃
至１５０℃ならば同様に実現し得る。
第１図は本発明にかかる混成集積回路の製造方法の実施
例を説明する為の縦断面図を示す。 淘、図において １は混成集積回路素子、２は外部リード端子、３はホッ
トプレート、４は冷却用空気、５は合成樹脂、６はディ
スペンサーである。
例を説明する為の縦断面図を示す。 淘、図において １は混成集積回路素子、２は外部リード端子、３はホッ
トプレート、４は冷却用空気、５は合成樹脂、６はディ
スペンサーである。
Claims (2)
- （１）素子回路表面が合成樹脂によって被覆される混成
集積回路の製造方法において、少なくとも該回路の外部
リード端子側を含む端面を加熱し、骸′回路の端面以外
の箇所を冷却する状態で該回路上に該合成樹脂を滴下す
ることを特徴とする混成集積回路の製造方法。 - （２） ｔｌｌＪＩＩ＆＠ｌ１ｔ４０ ℃乃至１５０
′ｃＫｆルコトを特徴とする特許請求の範囲（１）項
に記載の混成集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12967681A JPS5831539A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12967681A JPS5831539A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831539A true JPS5831539A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15015406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12967681A Pending JPS5831539A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831539A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202642A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | Nippon Denso Co Ltd | 混成集積回路装置の製造方法 |
| JPS63110759A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂絶縁形半導体装置 |
| JPH01132129A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路の製造方法 |
| EP0338199A2 (en) * | 1988-04-15 | 1989-10-25 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for encapsulation of an electronic device |
| US5130781A (en) * | 1988-04-15 | 1992-07-14 | Ibm Corporation | Dam for lead encapsulation |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP12967681A patent/JPS5831539A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202642A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | Nippon Denso Co Ltd | 混成集積回路装置の製造方法 |
| JPH0367337B2 (ja) * | 1983-05-02 | 1991-10-22 | Nippon Denso Co | |
| JPS63110759A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂絶縁形半導体装置 |
| JPH01132129A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路の製造方法 |
| EP0338199A2 (en) * | 1988-04-15 | 1989-10-25 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for encapsulation of an electronic device |
| US5130781A (en) * | 1988-04-15 | 1992-07-14 | Ibm Corporation | Dam for lead encapsulation |
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