JPS5831408Y2 - 半導体集積回路素子 - Google Patents
半導体集積回路素子Info
- Publication number
- JPS5831408Y2 JPS5831408Y2 JP1977167991U JP16799177U JPS5831408Y2 JP S5831408 Y2 JPS5831408 Y2 JP S5831408Y2 JP 1977167991 U JP1977167991 U JP 1977167991U JP 16799177 U JP16799177 U JP 16799177U JP S5831408 Y2 JPS5831408 Y2 JP S5831408Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- pad
- characteristic
- measuring
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体集積回路素子に関し、特にその基板上
の配線に接続される特性測定用パッドの改良に関するも
のである。
の配線に接続される特性測定用パッドの改良に関するも
のである。
第１図ａ従来の特性測定用パッドを示す説明図、第１図
すはその■−■線で切断した断面図である。
すはその■−■線で切断した断面図である。
図において１はシリコンゲート電界効果形半導体集積回
路素子２の酸化シリコン膜３上にアルミニウムを蒸着し
て形成され一辺が５０〜７０μｍの正方形の特性測定用
パッドであり、上記同様の方法で同時に形成されたアル
ミニウム配線４の中間部から出っ張るように形成される
。
路素子２の酸化シリコン膜３上にアルミニウムを蒸着し
て形成され一辺が５０〜７０μｍの正方形の特性測定用
パッドであり、上記同様の方法で同時に形成されたアル
ミニウム配線４の中間部から出っ張るように形成される
。
５は特性測定用パッド１上に当接された図示しない特性
測定装置の測定端子であり直径が２５μｍで長さが５ｃ
ｍの純金線である。
測定装置の測定端子であり直径が２５μｍで長さが５ｃ
ｍの純金線である。
上記のような特性測定用パッドを設けたシリコンゲート
電界効果形半導体集積回路素子２の不良原因解析等のた
めの特性測定を実施する場合にはまず一端が特性測定装
置に取付けられた測定端子４の他端を図示しないマイク
ロプローパと称される顕微鏡位置合せ装置に取付けこれ
により所望の特性測定用パッド１上に位置合せ装作の妨
げにならないようこれの斜方向から所定の荷重を加えな
から当接させて電気的特性を測定する。
電界効果形半導体集積回路素子２の不良原因解析等のた
めの特性測定を実施する場合にはまず一端が特性測定装
置に取付けられた測定端子４の他端を図示しないマイク
ロプローパと称される顕微鏡位置合せ装置に取付けこれ
により所望の特性測定用パッド１上に位置合せ装作の妨
げにならないようこれの斜方向から所定の荷重を加えな
から当接させて電気的特性を測定する。
このような従来のシリコアゲ−１〜電界効果形半導体集
積回路素子は、この回路解析等のための特性測定を実施
しようとする場合、上記のような細長い測定端子４を斜
上方から微小な特性測定用パッド１上に所定の荷重を加
えなから当接させなければならないのでしばしば横すべ
りを起し特性測定用パッド１からずり落ちたり、また例
え適当に当接されていても測定中に振動等があればこれ
によりずり落ちることが多く上記特性測定作業の能率を
著しく低下させる原因になっていた。
積回路素子は、この回路解析等のための特性測定を実施
しようとする場合、上記のような細長い測定端子４を斜
上方から微小な特性測定用パッド１上に所定の荷重を加
えなから当接させなければならないのでしばしば横すべ
りを起し特性測定用パッド１からずり落ちたり、また例
え適当に当接されていても測定中に振動等があればこれ
によりずり落ちることが多く上記特性測定作業の能率を
著しく低下させる原因になっていた。
この考案は上記のような問題を取除くためになされたも
のであり、回路解析等の測定作業も能率よ〈実施するこ
とができる特性測定用パッドを備えた半導体集積回路素
子を提案するものである。
のであり、回路解析等の測定作業も能率よ〈実施するこ
とができる特性測定用パッドを備えた半導体集積回路素
子を提案するものである。
第２図ａはこの考案の一実施例を示す説明図、第２図す
はそのＩＩ −ＩＩ線で切断した断面図である。
はそのＩＩ −ＩＩ線で切断した断面図である。
１０はシリコンゲート電界効果形半導体集積回路素子２
の酸化シリコン膜３上に一辺が５０〜７０μｍの正方形
のパッドとこの周面上（ごこれに沿って形成された厚さ
が１０μｍで高さが３μ以上の壁部６からなる特性測定
用パッドである。
の酸化シリコン膜３上に一辺が５０〜７０μｍの正方形
のパッドとこの周面上（ごこれに沿って形成された厚さ
が１０μｍで高さが３μ以上の壁部６からなる特性測定
用パッドである。
この特性測定用パッド１０の製造方法は予め酸化シリコ
ン膜３上にシリコンゲート電解効果形半導体集積回路素
子２の図示しないゲート酸化シリコン膜および多結晶シ
リコンゲート電極を形成する際同時に酸化シリコン膜６
ａおよびこの上に多結晶シリコン膜６ｂを積層しておき
、この上を覆うようにアルミニウムを蒸着して形成され
る。
ン膜３上にシリコンゲート電解効果形半導体集積回路素
子２の図示しないゲート酸化シリコン膜および多結晶シ
リコンゲート電極を形成する際同時に酸化シリコン膜６
ａおよびこの上に多結晶シリコン膜６ｂを積層しておき
、この上を覆うようにアルミニウムを蒸着して形成され
る。
このような特性測定用パッド１０を有するシリコンゲー
ト電界効果形半導体集積回路素子は上記のように特性測
定用パッド１０の周面にこれに沿って形成された壁部６
があるので、前述のような特性測定作業に於て測定端子
が特性測定パッドからずり落ちるという問題は発生せず
回路解析作業等の特性測定の能率が向上する。
ト電界効果形半導体集積回路素子は上記のように特性測
定用パッド１０の周面にこれに沿って形成された壁部６
があるので、前述のような特性測定作業に於て測定端子
が特性測定パッドからずり落ちるという問題は発生せず
回路解析作業等の特性測定の能率が向上する。
またこの壁部６は特別に作りつけるものではなく、上記
のようにゲート酸化シリコン膜および多結晶シリコンゲ
ート電極と同時に形成することができるので、製造工数
の上昇にはつながらない。
のようにゲート酸化シリコン膜および多結晶シリコンゲ
ート電極と同時に形成することができるので、製造工数
の上昇にはつながらない。
なおこの考案は、上記一実施例のみならずアルミニウム
ゲート形電界効果半導体集積回路素子やバイポーラ形半
導体集積回路装置等半導体集積回路素子全般に応用でき
ることはいうまでもない。
ゲート形電界効果半導体集積回路素子やバイポーラ形半
導体集積回路装置等半導体集積回路素子全般に応用でき
ることはいうまでもない。
上記説明のようにこの考案は半導体集積回路素子の測定
用パッド上に壁部を設けたものであり、半導体集積回路
素子の回路解析等の特性測定作業の工数を低減すること
ができるという優れた効果を有する。
用パッド上に壁部を設けたものであり、半導体集積回路
素子の回路解析等の特性測定作業の工数を低減すること
ができるという優れた効果を有する。
第１図は従来の特性測定用パッドを示す説明図、第２図
はこの考案の一実施例を示す説明図である。 図中同一符号は相当部分を示す。２・・・・・・シリコ
ンゲート電界効果形半導体集積回路素子、３・・・・・
・酸化シリコン膜、４・・・・・・アルミニウム配線、
１０・・・・・・特性測定用パッド、６・・・・・・壁
部。
はこの考案の一実施例を示す説明図である。 図中同一符号は相当部分を示す。２・・・・・・シリコ
ンゲート電界効果形半導体集積回路素子、３・・・・・
・酸化シリコン膜、４・・・・・・アルミニウム配線、
１０・・・・・・特性測定用パッド、６・・・・・・壁
部。
Claims (1)
- 素子の特性を測定するためのパッドを有する半導体集積
回路素子において前記パッド上に壁部を設けたことを特
徴とする半導体集積回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977167991U JPS5831408Y2 (ja) | 1977-12-13 | 1977-12-13 | 半導体集積回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977167991U JPS5831408Y2 (ja) | 1977-12-13 | 1977-12-13 | 半導体集積回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5492172U JPS5492172U (ja) | 1979-06-29 |
| JPS5831408Y2 true JPS5831408Y2 (ja) | 1983-07-12 |
Family
ID=29168705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977167991U Expired JPS5831408Y2 (ja) | 1977-12-13 | 1977-12-13 | 半導体集積回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831408Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501815A (ja) * | 1973-05-10 | 1975-01-09 | ||
| JPS5168774A (ja) * | 1974-12-11 | 1976-06-14 | Suwa Seikosha Kk | Handotaishusekikairosokuteiyojunantanshin |
-
1977
- 1977-12-13 JP JP1977167991U patent/JPS5831408Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501815A (ja) * | 1973-05-10 | 1975-01-09 | ||
| JPS5168774A (ja) * | 1974-12-11 | 1976-06-14 | Suwa Seikosha Kk | Handotaishusekikairosokuteiyojunantanshin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5492172U (ja) | 1979-06-29 |
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