JPS5826527A - 過電圧保護方法 - Google Patents
過電圧保護方法Info
- Publication number
- JPS5826527A JPS5826527A JP12347281A JP12347281A JPS5826527A JP S5826527 A JPS5826527 A JP S5826527A JP 12347281 A JP12347281 A JP 12347281A JP 12347281 A JP12347281 A JP 12347281A JP S5826527 A JPS5826527 A JP S5826527A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- resistance value
- ceramic
- overvoltage
- protecting against
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多孔質のセラ考ツタ部品を用いた過電圧保護方
法に関する。
法に関する。
従来の過電圧保護方法はたとえばバリスタなどの非直線
抵抗素子を用い一定電圧以上の過電圧が印加された場合
抵抗値が急激に減少して前記非直ａｍ抗禦子の両端電圧
を一定の電圧以下に抑えられることを利用した−のであ
る・ＬかＬｌがら一穀に非直線抵抗素子の＆障そ−ドは
鋏非ＩＩＩＩＩ抵抗素子のジローＦであるから該非１線
抵抗素子が故障すると大電流が流れるヒとに一＆〕魚険
性が太きく、かつｔた電源に対する影−としても好まし
いもので＆；ｔなかった。
抵抗素子を用い一定電圧以上の過電圧が印加された場合
抵抗値が急激に減少して前記非直ａｍ抗禦子の両端電圧
を一定の電圧以下に抑えられることを利用した−のであ
る・ＬかＬｌがら一穀に非直線抵抗素子の＆障そ−ドは
鋏非ＩＩＩＩＩ抵抗素子のジローＦであるから該非１線
抵抗素子が故障すると大電流が流れるヒとに一＆〕魚険
性が太きく、かつｔた電源に対する影−としても好まし
いもので＆；ｔなかった。
本ａｍは上記の点に鑑みてなされたもので過電圧が印加
されると抵抗値が急激に増加する多孔質のセラミツタ素
子を相＊ｌ１ｊＥ３ｏｓ凰Ｈ以上の春器内に密閉し７ｔ
−にラミフタ部品を利用して安全でしかも電源に対し悪
影響をおよ妊すことなく過電圧保護をはかルうる方法を
、Ｉ！供せんとするものである。
されると抵抗値が急激に増加する多孔質のセラミツタ素
子を相＊ｌ１ｊＥ３ｏｓ凰Ｈ以上の春器内に密閉し７ｔ
−にラミフタ部品を利用して安全でしかも電源に対し悪
影響をおよ妊すことなく過電圧保護をはかルうる方法を
、Ｉ！供せんとするものである。
以下不発頃の実施例につきｍ明する・たとえζＭｇＣｒ
ｍ０４−Ｔ１０ｓａ ＺｍＯ−Ｌｌｌ；ｍＶＯａ、
ＺｍＣｒｍＯａ−ＬｉＺａＶＯａなどのようなスピネ
ル化合物ｔたは賦スピネル化合物と金属酸化物との混合
物から亀る七ラミツタ焼結体に一対の電極を形成し多孔
質の七テミックｔｆ’ 磨それぞれ相対濃度９０≦翼Ｈ，フＯ％鼠Ｈ０ｓｏｇｘ
ｘｏ雰囲気に気密性容器に密部封入しこれらの書閾嵩子
からなるセラ考ツタ部品にそれぞ牝【九「 に丁Ｔ１ｎの抵抗を直列に＃Ｉ！続したものを３１１Ｉ
ｉ皐備Ｔる。つぎに第１図に示すようにセラミック部品
α）と１０ ［００抵抗伐）の両端に交流電圧を印加し
徐々に電源電圧を上昇させたときの１０１ｃｏの抵抗の
両端の電圧を測定Ｌ７ｔ。結果は電源電圧がある一定の
電圧に到達すると急激に抵抗値）両端の電圧が降下する
。すなわち相対一温度９０襲息■の雰囲気に密閉封入し
た素子から゛なるセラミック部品Ｕ）を接続し友ときは
電源電圧２０Ｖ付近で陶下し、相対法度フ０襲Ｒ五の雰
囲気に密閉封入した素子からなるセラミック部品Ｕ）を
接続したときは６０Ｖ付近で降下する・また相対温度５
０％ＲＨの雰−気にＷ銅封入した素子からなるセラミッ
ク部品（１）を接続したときは１８０Ｖ付近で降下する
。これはｊｌ！２１１に示すようにセラ之ツク嵩子の封
入雰圃気の相対湿度によって異なるが密閉封入した素子
からなるセラセック部品位）にある程度以上の電圧が印
加されると急激に抵抗値が増加するためである・該セラ
ミック部品（１）に−室以上の電圧が印加されると急激
に抵抗値が増加するのはつ「のよ５ｋｌＥ因によるもの
と思われるＯ−ｊ″なわち気密性容器内の相対ｍ度が３
０襲ＲＨ以上の場合に扛セラ文ツタ部品（１）に印加さ
れる電圧が一定の値を越すとジュール熱によって賦セラ
ミック部品Ｕ）に封入されている素子が発熱する。この
発熱によって素子に吸着していた水分を脱却させること
になルこの水分の脱却によって七ツ七ツタ部品α）の抵
抗値はちょうど乾燥雰囲気におかれたときと同じように
高抵抗値を示すようになる。これ以降素子は自からの発
熱によって水分な赦ｌｉｌしなくな）高抵抗値を持続す
ることになる。また気密性容器内の相対温度が３０％Ｒ
１１未満の場合にはセラミック部品ａ）に吸１１してい
る水分の量が少ないため腋竜ツ之ツタ部品α）に封入さ
れている素子の発熱による水分の脱却も少なく抵抗値線
＃１とんど変わらない。したがって気密性ｓｉｗ内の相
対湿度が３Ｏ−ＲＨ未満では抵抗値が急激に増加する現
龜がみもれず過電圧保護の効果を得られ亀い。
ｍ０４−Ｔ１０ｓａ ＺｍＯ−Ｌｌｌ；ｍＶＯａ、
ＺｍＣｒｍＯａ−ＬｉＺａＶＯａなどのようなスピネ
ル化合物ｔたは賦スピネル化合物と金属酸化物との混合
物から亀る七ラミツタ焼結体に一対の電極を形成し多孔
質の七テミックｔｆ’ 磨それぞれ相対濃度９０≦翼Ｈ，フＯ％鼠Ｈ０ｓｏｇｘ
ｘｏ雰囲気に気密性容器に密部封入しこれらの書閾嵩子
からなるセラ考ツタ部品にそれぞ牝【九「 に丁Ｔ１ｎの抵抗を直列に＃Ｉ！続したものを３１１Ｉ
ｉ皐備Ｔる。つぎに第１図に示すようにセラミック部品
α）と１０ ［００抵抗伐）の両端に交流電圧を印加し
徐々に電源電圧を上昇させたときの１０１ｃｏの抵抗の
両端の電圧を測定Ｌ７ｔ。結果は電源電圧がある一定の
電圧に到達すると急激に抵抗値）両端の電圧が降下する
。すなわち相対一温度９０襲息■の雰囲気に密閉封入し
た素子から゛なるセラミック部品Ｕ）を接続し友ときは
電源電圧２０Ｖ付近で陶下し、相対法度フ０襲Ｒ五の雰
囲気に密閉封入した素子からなるセラミック部品Ｕ）を
接続したときは６０Ｖ付近で降下する・また相対温度５
０％ＲＨの雰−気にＷ銅封入した素子からなるセラミッ
ク部品（１）を接続したときは１８０Ｖ付近で降下する
。これはｊｌ！２１１に示すようにセラ之ツク嵩子の封
入雰圃気の相対湿度によって異なるが密閉封入した素子
からなるセラセック部品位）にある程度以上の電圧が印
加されると急激に抵抗値が増加するためである・該セラ
ミック部品（１）に−室以上の電圧が印加されると急激
に抵抗値が増加するのはつ「のよ５ｋｌＥ因によるもの
と思われるＯ−ｊ″なわち気密性容器内の相対ｍ度が３
０襲ＲＨ以上の場合に扛セラ文ツタ部品（１）に印加さ
れる電圧が一定の値を越すとジュール熱によって賦セラ
ミック部品Ｕ）に封入されている素子が発熱する。この
発熱によって素子に吸着していた水分を脱却させること
になルこの水分の脱却によって七ツ七ツタ部品α）の抵
抗値はちょうど乾燥雰囲気におかれたときと同じように
高抵抗値を示すようになる。これ以降素子は自からの発
熱によって水分な赦ｌｉｌしなくな）高抵抗値を持続す
ることになる。また気密性容器内の相対温度が３０％Ｒ
１１未満の場合にはセラミック部品ａ）に吸１１してい
る水分の量が少ないため腋竜ツ之ツタ部品α）に封入さ
れている素子の発熱による水分の脱却も少なく抵抗値線
＃１とんど変わらない。したがって気密性ｓｉｗ内の相
対湿度が３Ｏ−ＲＨ未満では抵抗値が急激に増加する現
龜がみもれず過電圧保護の効果を得られ亀い。
このように本Ｊ！明の過電圧保護方法によれば多孔質の
セラセック素子を相対濃度３０％ＲＨ以上の気密性容器
に密閉封入してなるセラミック部品に過電圧が印加され
ると抵抗−が増加するため電源から大電流が流れるよう
なことはなく安全でしかも完全に過電圧保■を行うこと
ができる０また気密性容器内の相対温度を変えることに
よって保護電圧を任意辷設定できる利点がある。
セラセック素子を相対濃度３０％ＲＨ以上の気密性容器
に密閉封入してなるセラミック部品に過電圧が印加され
ると抵抗−が増加するため電源から大電流が流れるよう
なことはなく安全でしかも完全に過電圧保■を行うこと
ができる０また気密性容器内の相対温度を変えることに
よって保護電圧を任意辷設定できる利点がある。
第１図は本命−の一実厖例に係る過電圧保護方法を示す
回路図、第２−゛は容器内の相対温度を変えたセラミッ
ク部品の印加電圧に対応する抵抗値の蛮化を示す曲−図
である０ （１）−−−−−一一−−セラ之ツク部品伐）−４抗 特許出願人 マルコン電子株式金社 第１図
回路図、第２−゛は容器内の相対温度を変えたセラミッ
ク部品の印加電圧に対応する抵抗値の蛮化を示す曲−図
である０ （１）−−−−−一一−−セラ之ツク部品伐）−４抗 特許出願人 マルコン電子株式金社 第１図
Claims (1)
- セ？ミック焼結体に一対の電−を形成した多孔質のセラ
ミツタ素子を相対温度３０≦ＲＨ以上の気密性容器に密
閉封入してなるセラくツク部品と保■すべき素子を直列
に接続したと乏を特徴とする過電圧保護方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12347281A JPS5826527A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 過電圧保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12347281A JPS5826527A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 過電圧保護方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5826527A true JPS5826527A (ja) | 1983-02-17 |
Family
ID=14861466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12347281A Pending JPS5826527A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 過電圧保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826527A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181959A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Hitachi Ltd | 超音波装置における信号検出装置 |
| JPH03243879A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Japan Radio Co Ltd | 超音波探知用受信装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5343859A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-20 | Marukon Denshi Kk | Balanced lightning arrester and high frequency electronic device using same |
-
1981
- 1981-08-05 JP JP12347281A patent/JPS5826527A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5343859A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-20 | Marukon Denshi Kk | Balanced lightning arrester and high frequency electronic device using same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181959A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Hitachi Ltd | 超音波装置における信号検出装置 |
| JPH03243879A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Japan Radio Co Ltd | 超音波探知用受信装置 |
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