JPS58222571A - サイリスタ - Google Patents
サイリスタInfo
- Publication number
- JPS58222571A JPS58222571A JP10642782A JP10642782A JPS58222571A JP S58222571 A JPS58222571 A JP S58222571A JP 10642782 A JP10642782 A JP 10642782A JP 10642782 A JP10642782 A JP 10642782A JP S58222571 A JPS58222571 A JP S58222571A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- short
- layer
- emitter
- thyristor
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0839—Cathode regions of thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り
この発明はサイリスタに係り、特にその短絡エミッタの
配列の改良に関するものである。
配列の改良に関するものである。
外
従来から、サイリスタにおいて短絡エミッタ構ｖ
造はオフ電圧増率 ４１耐量を向上し、耐圧を安（１１
はｐ形エミッタ（ｐＢ）層、（２１はｎ形ベース（ｎＢ
）層、（３）はｐ形ペース（ｐＢ）層、（４）はｎ形エ
ミッタ（ｎ、）層、（６）はゲート電極、（６）はアノ
ード電極、（７）はカンード電極、（８）は短絡エミッ
タ部である。このサイリスクの動作は周知であるので説
明を省略する。
はｐ形エミッタ（ｐＢ）層、（２１はｎ形ベース（ｎＢ
）層、（３）はｐ形ペース（ｐＢ）層、（４）はｎ形エ
ミッタ（ｎ、）層、（６）はゲート電極、（６）はアノ
ード電極、（７）はカンード電極、（８）は短絡エミッ
タ部である。このサイリスクの動作は周知であるので説
明を省略する。
第２図は従来の短絡エミッタ構造のサイリスタにおける
短絡エミッタ部の配置を示す平面図で、第３図は第２図
の一点鎖線の円■で囲んだ部分のみを拡大して示す部分
拡大平面図である。第１図と同一符号は同等部分を示す
。（３ａ）はｎＢ＃（４）側の主面にｐＢ層（３）が所
要形状に露出したｐ形ゲート拡散層である。従来のサイ
リスタでは図示のように短絡エミッタ部（８）が均一密
度で分布されていた。そして、図示のｐ形ゲート拡散層
（３ａ）を含む部分の短絡エミッタ部（８）で囲まれる
面積をＳ。
短絡エミッタ部の配置を示す平面図で、第３図は第２図
の一点鎖線の円■で囲んだ部分のみを拡大して示す部分
拡大平面図である。第１図と同一符号は同等部分を示す
。（３ａ）はｎＢ＃（４）側の主面にｐＢ層（３）が所
要形状に露出したｐ形ゲート拡散層である。従来のサイ
リスタでは図示のように短絡エミッタ部（８）が均一密
度で分布されていた。そして、図示のｐ形ゲート拡散層
（３ａ）を含む部分の短絡エミッタ部（８）で囲まれる
面積をＳ。
その他の部分の短絡エミッタ部（８）で囲まれる面積を
Ｎとすると、Ｓ＞Ｎであるので、サイリスタがターンオ
フするときのオフ電圧上昇率に対応する変位電流の負担
は、第３図において、ｐ形ゲート拡散層（３ａ）に最も
近い短絡エミッタ部（８）の分担が他の部分の短絡エミ
ッタ部（８）のそれより大きい。
Ｎとすると、Ｓ＞Ｎであるので、サイリスタがターンオ
フするときのオフ電圧上昇率に対応する変位電流の負担
は、第３図において、ｐ形ゲート拡散層（３ａ）に最も
近い短絡エミッタ部（８）の分担が他の部分の短絡エミ
ッタ部（８）のそれより大きい。
従って、このサイリスタのｄｖ／ｌｄｔ耐量はｐ形ゲー
ト拡散層（３ａ）に最も近い短絡エミッタ部（８）の面
積によって決定される。
ト拡散層（３ａ）に最も近い短絡エミッタ部（８）の面
積によって決定される。
ところで、従来はサイリスタのｄｖ／ｄ、耐量を向上さ
せるために、全部の短絡エミッタ部（８）についてその
相互間隔（図示ｌ、 ）を小さくするか、または短絡エ
ミッタ部（８）の直径を大きくする手段がとられてきた
。しかし、短絡エミッタ部（８）の増大はサイリスタの
ノン電圧を増大させるなどの不都合が生じるという欠点
があった。
せるために、全部の短絡エミッタ部（８）についてその
相互間隔（図示ｌ、 ）を小さくするか、または短絡エ
ミッタ部（８）の直径を大きくする手段がとられてきた
。しかし、短絡エミッタ部（８）の増大はサイリスタの
ノン電圧を増大させるなどの不都合が生じるという欠点
があった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、ｐ
形ゲート拡散層に隣接した部分のみを短絡エミッタ部の
面積密度を大きくすることによって、オン電圧を高くせ
ずに ／ｄ を耐量の大きいサイリスタを得ることを目
的としている。
形ゲート拡散層に隣接した部分のみを短絡エミッタ部の
面積密度を大きくすることによって、オン電圧を高くせ
ずに ／ｄ を耐量の大きいサイリスタを得ることを目
的としている。
第４図はこの発明の一実施例における短絡エミッタ部の
配置を示す平面図、第５図は第４図の一点鎖線の円Ｖで
囲んだ部分のみを拡大して示す部分拡大平面図で、第１
図〜第３図と同等部分は同一符号で示す。この実施例で
はｐ形ゲート拡散層（３ａ）に最も近い短絡エミッタ部
（８）のピッチ（図示１２）をその他の部分の短絡エミ
ッタ部（８）の相互間隔ｌ、の％にしているので、上述
のｐ形ゲート拡散層（３ａ）に最も近い短絡エミッタ部
（８）の前述のオフ電圧上昇率に対する変位電流の負担
は第２図、第３図に示した従来例のそれに比して％とな
υ、それに応じて ／ｄ を耐量が上昇でき、その他の
部分の短絡エミッタ部（８）の面積密度は従来と同様で
あるのでサイリスタのオン電圧は略同−の低い値に保持
できる。
配置を示す平面図、第５図は第４図の一点鎖線の円Ｖで
囲んだ部分のみを拡大して示す部分拡大平面図で、第１
図〜第３図と同等部分は同一符号で示す。この実施例で
はｐ形ゲート拡散層（３ａ）に最も近い短絡エミッタ部
（８）のピッチ（図示１２）をその他の部分の短絡エミ
ッタ部（８）の相互間隔ｌ、の％にしているので、上述
のｐ形ゲート拡散層（３ａ）に最も近い短絡エミッタ部
（８）の前述のオフ電圧上昇率に対する変位電流の負担
は第２図、第３図に示した従来例のそれに比して％とな
υ、それに応じて ／ｄ を耐量が上昇でき、その他の
部分の短絡エミッタ部（８）の面積密度は従来と同様で
あるのでサイリスタのオン電圧は略同−の低い値に保持
できる。
なお、この実施例ではｐ形ゲート拡散層（３ａ）に最も
近い短絡エミッタ部（８）のピッチを小さくしたが、ヒ
ツチは従来のままとして、この部分の短絡エミッタ部（
８）のみをその直径を大きくして面積密度を大きくする
ようにしてもよい。また、必要ならはピッチの縮小と直
径の拡大とを共用することもできる。
近い短絡エミッタ部（８）のピッチを小さくしたが、ヒ
ツチは従来のままとして、この部分の短絡エミッタ部（
８）のみをその直径を大きくして面積密度を大きくする
ようにしてもよい。また、必要ならはピッチの縮小と直
径の拡大とを共用することもできる。
以上のように、この発明になるサイリスタではｐ形ゲー
ト拡散層に隣接する部分のみの短絡エミッタ部の面積密
度を大きくしたので、オン電圧を実質的に増大すること
なくｄｖ／ｅＬ、耐量を向上させることができる。
ト拡散層に隣接する部分のみの短絡エミッタ部の面積密
度を大きくしたので、オン電圧を実質的に増大すること
なくｄｖ／ｅＬ、耐量を向上させることができる。
第１図は短絡エミッタ構造のサイリスタの模式断面図、
第２図は従来の短絡エミッタ構造のサイリスタにおける
短絡エミッタ部の配置を示す平面図、第３図は第２図の
ｍ部近傍のみを拡大して示す部分拡大平面図、第４図は
この発明の一実施例における短絡エミッタ部の配置を示
す平面図、第５図は第４図の７部近傍のみを拡大して示
す部分拡大平面図である。 図において、（１）はｐ形エミッタｆｆｉ、ｉ２）はｎ
形ベース層、（３）はｐ形ベーヌ層、（３ａ）はｐ形ゲ
ート拡散層、（４）はｎ形エミッタ層、（８）は短絡エ
ミッタ部である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図 第２図 ■ 第３図 Ｏｏ Ｏ 第４図 第５図 ０Ｑ
第２図は従来の短絡エミッタ構造のサイリスタにおける
短絡エミッタ部の配置を示す平面図、第３図は第２図の
ｍ部近傍のみを拡大して示す部分拡大平面図、第４図は
この発明の一実施例における短絡エミッタ部の配置を示
す平面図、第５図は第４図の７部近傍のみを拡大して示
す部分拡大平面図である。 図において、（１）はｐ形エミッタｆｆｉ、ｉ２）はｎ
形ベース層、（３）はｐ形ベーヌ層、（３ａ）はｐ形ゲ
ート拡散層、（４）はｎ形エミッタ層、（８）は短絡エ
ミッタ部である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図 第２図 ■ 第３図 Ｏｏ Ｏ 第４図 第５図 ０Ｑ
Claims (1)
- ＋１ｉ ｐ形エミッタ層とｎ形ベース層と７ｐ形ベ一
ス層とｎ形エミッタ層とが順次接するように形成された
４層構造を有し上記ｎ形エミッタ層側の主面に上記ｐ形
成−ス層が所要形状で露出してｐ形ゲート拡散層を形成
するとともに、上記ｎ形エミッタ層領域内に多数側設け
られ上記ｎ形エミッタ層を貫通ずる短絡エミッタ部を有
するものにお密度を上記ｎ形エミッタ層の他の部分にお
ける上記短絡エミッタ部の面積密度より大きくなるよう
にしたことを特徴とするサイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10642782A JPS58222571A (ja) | 1982-06-19 | 1982-06-19 | サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10642782A JPS58222571A (ja) | 1982-06-19 | 1982-06-19 | サイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222571A true JPS58222571A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14433355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10642782A Pending JPS58222571A (ja) | 1982-06-19 | 1982-06-19 | サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222571A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102947939A (zh) * | 2010-06-21 | 2013-02-27 | Abb技术有限公司 | 具有局部发射极短路点的改进模式的相位控制晶闸管 |
| WO2016193078A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | Abb Schweiz Ag | Thyristor with improved plasma spreading |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027993A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-22 | ||
| JPS51136290A (en) * | 1975-05-21 | 1976-11-25 | Hitachi Ltd | Short emitter type thyristor |
| JPS53116082A (en) * | 1977-03-21 | 1978-10-11 | Westinghouse Electric Corp | Thyristor |
-
1982
- 1982-06-19 JP JP10642782A patent/JPS58222571A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027993A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-22 | ||
| JPS51136290A (en) * | 1975-05-21 | 1976-11-25 | Hitachi Ltd | Short emitter type thyristor |
| JPS53116082A (en) * | 1977-03-21 | 1978-10-11 | Westinghouse Electric Corp | Thyristor |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102947939A (zh) * | 2010-06-21 | 2013-02-27 | Abb技术有限公司 | 具有局部发射极短路点的改进模式的相位控制晶闸管 |
| KR20130026479A (ko) * | 2010-06-21 | 2013-03-13 | 에이비비 테크놀로지 아게 | 국부적 에미터 쇼트 도트들의 개선된 패턴을 갖는 위상 제어 사이리스터 |
| US20130105857A1 (en) * | 2010-06-21 | 2013-05-02 | Abb Technology Ag | Phase control thyristor with improved pattern of local emitter shorts dots |
| US9142656B2 (en) * | 2010-06-21 | 2015-09-22 | Abb Technology Ag | Phase control thyristor with improved pattern of local emitter shorts dots |
| DE112011102082B4 (de) | 2010-06-21 | 2022-05-05 | Abb Power Grids Switzerland Ag | Phasensteuerungsthyristor mit verbessertem Muster von lokalen Emitterkurzschlusspunkten |
| WO2016193078A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | Abb Schweiz Ag | Thyristor with improved plasma spreading |
| US10170557B2 (en) | 2015-05-29 | 2019-01-01 | Abb Schweiz Ag | Thyristor with improved plasma spreading |
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