KR840005931A - 게이트 턴 오프다이리스터(gate turn-off dhyristort) - Google Patents

게이트 턴 오프다이리스터(gate turn-off dhyristort) Download PDF

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KR840005931A
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Abstract

내용 없음

Description

게이트턴 오프다이리스터(GATETURN-OFF DHYRISTORT)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 저저항 매입층형의 4PNPN반도체층에서 되는 종래의 원판게이트 턴 다이리스타의 단면도
제3A도는 제1도의 게이트턴 오프다이리스터가 온(ON)되었을때의 전압파형을 표시한 도면 제3B도는 제1도의 게이트턴 오프다이리스터가 오프되였을 때의 전류파형을 표시한 도면
제4도는 본 발명의 저저항 매입층형의 4PNPN 반도체층에서된 원판형 게이트턴 오프다이리스터의 실시예의 상면도

Claims (12)

  1. 양극부를 형성하는 제1P-형층 제1N-형층 제2P-형층 음극부 제1게이트부 제2게이트부를 형성하는 제2N형층을 포함하는 교호에 다른 4개의 PNPN 반도체층을 가진 반도체 소자에서되고 또한 주다이리스터부와 보조다리리스터부에서 형성되는 게이트턴 오프 다이리스터에 있어서 보조다이리스터부의 불순물농도가 주다이리스터부의 불순물농도보다 얇은 제2P-형층을 가지고 다이리스터의 턴온 시간과 턴 오비 시간을 같이 개량하는 것을 특징으로 하는것.
  2. 제1항의 게이트 턴 오프 다이리스터에 있어서 보조다이리스터부의 제2P-형층의 불순물농도가 ×1018~5×107atoms/Cm3의 범위에 있고 주다이리스터부의 제 2P-형층의 불순물농도가 1 ×107~1×1018atoms/Cm3의 범위에 있는 것을 특징으로 하는것
  3. 제 2P-형이 주다이리스터부와 보조다이리스터부에 있어서 최고 불순물농도의 저저항 P-형(P2++) 매입층을 가진것을 특징으로 하는 제1항의 게이트턴 오프 다이리스터
  4. 저저항 P-형(P2++) 매입층 멧슈구조에 있는것을 특징으로 하는 청구범위 제 3항의 게이트턴 오프디이리스터
  5. 해 저저항 P-형(P2++) 매입충동심동상에 배설되여 또한 반경방향으로 접속된 멧슈 구조인것을 특징으로 하는 범위 제4항의 게이트턴 오프 다이리스터
  6. 최고 불순물농도의 저저항 P-형(P2++) 매입층이 주다이리스터부와 보조다이리스터부에 따로따로로 형성되여져 있는 것을 특징으로 하는 범위 제3항의 게이트턴 오프 다이리스터
  7. 해 제 2P-형층이 4개의 다른 불순물농도를 가진 4개의 층 즉 음극, 제1게이트 제2게이트 전극 우 하(下)의 최저 불순물농도(Cp2-)층 (P2-) 최고불순물 몽도(Cp2++) 매입층(P2++)주다이리스터부의 제1N-형층 상(上)의 중간 고불순물농도 (Cp2`)층 (P2) 보조다이리스터부의 제1N형층상의 중간간 저하불순물농도(Cp2)에서 성형되는 것을 특징으로 하는 범위 제1항의 게이트턴 오프다이리스터
  8. 해 보조다이리스터부 다이리스터의 내측에 해 주다이리스터부가 그 보조다이리스터부의 외측에 배설되는 것을 특징으로하는 범위 제1항의 게이트턴 오프 다이리스터
  9. 해 보조다이리스터부가 다이리스터의 중심에서 제2P-형 층상에 형동된 제1게이트 전극부(G1)을 가진것을 특징으로하는 범위 제8항의 게이트턴 오프 다이리스터
  10. 그 주다이리스터부가 다이리스터의 제2P-형층상에 형성된 음극부(K)와 제2게이트 전극부(G2)와를 가지고 그 음극부와 그 제2게이트 전극부는 서로 에 동일원상에 배설되여 또한 그 제2게이트 전극부가 다이리스터의 최외측에 배설되여있는 것을 특징으로 하는 범위 제8항의 게이트턴 오프 다이리스터
  11. 그 주다이리스터부가 제2P-형층내에 형성되여 저음 극전극 K부로되는 중위 N-형(N2)층 제2P-형층내에 형성되여서 제2게이트 전극부 G2로 되는 외측환상 N-형(N4)층과 제2P-형층의 중간부에 형성된 최고농도 P-형(P2++)층에서된 것을 특징으로하는 범위 제10항의 게이트턴 오프 다이리스터
  12. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830003597A 1982-08-05 1983-08-01 게이트 턴 오프 다이리스터(gate turn-off thyristor) KR920002088B1 (ko)

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