JPS58222089A - 新規なβ−ラクタム化合物及びその製造法 - Google Patents

新規なβ−ラクタム化合物及びその製造法

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JPS58222089A
JPS58222089A JP57104586A JP10458682A JPS58222089A JP S58222089 A JPS58222089 A JP S58222089A JP 57104586 A JP57104586 A JP 57104586A JP 10458682 A JP10458682 A JP 10458682A JP S58222089 A JPS58222089 A JP S58222089A
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JP
Japan
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group
formula
general formula
water
protecting group
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Application number
JP57104586A
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English (en)
Inventor
Jun Sunakawa
洵 砂川
Haruki Matsumura
松村 春記
Masao Enomoto
榎本 正夫
Masuhiro Kato
益弘 加藤
Hidekuni Suzaki
洲崎 秀国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式[I) 〔式中、k工は2−ピリジル基、4−ピリジル基、低級
アルキル基、一般式 %式% (式中、R3は水素原子または通常のアミノ基の保護基
を示し、m及びnはそれぞれ0〜3を示す。) で表わされる置換基または一般式 %式% (式中、R,s  は前述と同じ意味を有し、lはθ〜
2を示す。) で表わされる置換基を示し、R2は水素原子または通常
のカルボキシル基の保護基を示す。〕で表わされるβ−
ラクタム化合物およびその製造方法に関するものである
ここで、一般式CI)で表わされる化合物の置換基に工
およびR2について詳細に説明する。
koにおける低級アルキル基としては、例えばメチル、
エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イ
ソブチルのようなC0〜C4の直鎖状あるいは分枝鎮状
の低級アルキル基を挙げることができる。
k工が前述の一般式 −(CH2)mC(a(3)2(CH2)nNI(R3
で表わされる置換基である場合の例として、たとえば −CH2C(CH,5)2NH1t3 −CH2C(CI(3)2CF12NHIL3−CI(
2082C(CI−1,)2(](2NHR3−CH2
CH2CH2C(CH3)2N)IR3〔式中、k3は
前述と同じ意味を有する。〕で表わされる置換基を、k
□が前述の一般式(ct−i2)、バL−R3で表わさ
れる置換基である場合の例としては、たとえば G R3,−cu20−JL3 〔式中、Ra4よ前述と同じ意味を有する。〕で表わさ
れる置換基を挙げることができる。
R3における通常のアミノ基の保護基としては、例えば
低級アルコキシカルボニル基、へロ’f/アルコキシー
カルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、トリア
ルキルシリル基、三級アルキル基、モノ、ジー、または
トリアリールメチル基などが挙げられるが、好適には低
級アルコキシカルボニル基、ハロゲノアルコキシカルボ
ニル基、アラルキルオキシカルボニル基である。ここで
、低級゛rルコキシカルボニル基としては、例えばte
rt−ブトキシカルボニル基を、ハロゲノアルコキシカ
ルボニル基としては、例えば2−ヨウ化エチルオキシカ
ルボニル基、2.2.2−トリクロロエ□チルオキシカ
ルボニル基を、アラルキルオキシカルボニル基としては
、例えば、ベンジルオキシカルボニル基、P−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル基 0−ニトロベンジルオキ
シカルボニル基などの、無置換もしくは置換されたベン
ジルオキシカルボニル基を、トリアルキルシリル基とし
ては、例えばtert−ブチルジメチルシリル基を、三
級アルキル基としては、例えば、tert−ブチル基な
どの炭素数4〜10の三級アルキル基を、モノ−、ジ、
またはトリアリールメチル基としては、例えばベンジル
基、P−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、ジ
(p−アニシル)メチル基などの、無置換もしくは置換
されたモンー、ジー、またはトリフェニルメチル基を挙
げることかできる。
R2における通常のカルボキシル基の保護基の例として
は、直鎖状もしくは分枝鎖状の低級アルキル基、ハロゲ
ノ低級アルキル基、低級アルコキシメチル基、低級脂肪
族アシルオキシメチル基、1−低級アルコキシカルボニ
ルオキシエチル基、アラルキル基、ベンズヒドリル基、
フタリジル基が挙げられる。ここで、直鎖状もしくは分
枝鎮状の低級アルキル基の例としてはメチル基、エチル
基、イソプロピル基、tert−ブチル基などを、ハロ
ゲノ低級アルキル基の例としては2−ヨウ化エチル基、
2,2.2−)リクロロエチル基などを、低級アルコキ
シメチル基の例としてはメトキシメチル基、エトキシメ
チル基、インブトキシメチル基などを、低級脂肪族アシ
ルオキシメチル基の例としては、アセトキシメチル基、
プロピオニルオキシメチル基、ブチリルオキシメチル基
、ピバロイルオキシメチル基などを、1−低級アルコキ
シカルボニルオキシエチル基の例としては、1−メトキ
シカルボニルオキシエチル基、1−エトキシカルボニル
オキシエチル基などを、アラルキル基の例としてはベン
ジル基、P−メトキシベンジル基、0−ニトロベンジル
基、P−ニトロベンジル基などの無置換もしくは置換さ
れたベンジル基などを挙げることができる。
前記一般式〔■〕1こおいてR2が水素原子であるカル
ボン酸化合物は、必要に応じて、薬理学上許容される塩
の形にすることができる。そのような塩としてはリチウ
ム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム
のような無機金属の塩あるいはアンモニウム、シクロヘ
キシルアンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム、ト
リエチルアンモニウムのようなアンモニウム塩類をあげ
ることができるが好適にはすl−IJウム塩およびカリ
ウム塩である。
本発明の一般式(I)で表わされるβ−ラクタム化合物
はカルバペネム誘導体に属し、その2位に各種の置換基
を有する新規な化合物であり、これらの化合物は優れた
抗菌活性あるいはβ−ラクタメースの阻害作用を有し、
医薬として有用な化合物である。
また、抗菌活性あるいはβ−ラクタメースの阻害作用を
有する有用な化合物の重要な中間体としても有用である
ことを見出し、本発明を完成した。
以下、本発明化合物の製造方法について詳細に述べる。
前記一般式(I)で表わされる化合物は一般式(nI) 〔式中、机は2−ピリジル基、4−ピリジル基、低級ア
ルキル基、一般式 %式% (式中、〆3は通常のアミ゛)基の保護基を示し、m及
びnは前述と同じ意味を有する。)で表わされる置換基
、または一般式 %式% (式中、R/6は前述と同じ意味を有し、lは0〜2を
示す。) で表わされる置換基を示し、R2は通常のカルボキシル
基の保護基を示す。〕 で表わされるβ−ラクタム化合物を、必要に応じて、カ
ルボキシル基の保護基4の除去反応およびアミノ基の保
護基i3の除去反応を適宜組み合わせた保護基除去反応
に付することによって得ることができる。
前記一般式(III)で表わされる化合物は、一般式〔
II〕 〔式中、k′2は前述と同じ意味を示1.、R,は置換
ベンゼンスルホニルオキシ基、低級アルキルスルホニル
オキシ基、ハロゲノ低級アルキルスルホニルオキシ基、
ジフェニルホスホリル基またはハロゲン原子を示す。〕 で表わされる化合物と、一般式 )( 、〔式中、楡は前述と同じ意味を有する。〕□ゎ8ゎ、
オフ。カッ2.□48□オ、゛′媒中、塩基の存在下で
反応せしめることにより製造することができる。
前記一般式(II)のR4について詳細に説明すると、
k4にかける置換ベンゼンスルホニルオキシ基としては
、例えばP−)ルエンスルホニルオキシ基、P−ニトロ
ベンゼンスルホニルオキシL P−ブロモベンゼンスル
ホニルオキシ基などを、低級アルキルスルホニルオキシ
基としては、例え、ばメタンスルホニルオキシ基などを
、ハロゲノ低級アルキルスルホニルオキシ基トシテハ、
例えばトリフルオロメタンスルホニルオキシ基などを、
ハロゲン原子としては、例えば塩素、臭素、ヨウ素など
を挙げることができるが、好適なものとしてP−)ルエ
ンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ジ
フェニルホスホリル基を挙げることができる。
本反応で用いられる不活性溶媒としてはジオキサン、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニ
トリル、ヘキサメチルホスホラミド等を挙げることがで
き、塩基と、しては炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム
、トリエチル゛エミン、ジイソプロピルエチルアミンを
挙げることができる。好適な反応温度は一40〜25℃
である。
なお反応終了後は通常の有機化学的手法により成績体を
とり出すことができる。
なお、前記一般式(I)で示される化合物は5位、6位
に不斉炭素を有しており、それにもとづく光学異性体が
存在するが、その中で好適には、5位の炭素原子がチェ
ナマイシン類と同一配位、すなわちに配位を有する化合
物を選択することができる。
前記一般式(If)で表わされる原料化合物は例えば以
下に示すルートで製造することができる。
(11(b)        (C) (flig) (bl              (’)〔式中、R
,はモノアリールメチル基あるいはジアリールメチル基
を示し、R6は低級アルキル基を示す。R2#よびR4
は前述と同じ意味を有する。〕 (1) 工 程: グリオキシル酸のエステル誘導体と一級アミン誘導体か
ら公知の方法により導びいたシッフ塩基(b)を3.3
−ジメチルアクリル酸りロライド陣)で不活性溶媒中、
塩基の存在下処理することによって、β−ラクタム化合
物(C)を製造することができる。不活性溶媒としては
各種の溶媒を用いることが可能であるが、好適には塩化
メチレン、クロロホルム等ハロゲン化炭化水素系溶媒、
ベンゼン、トルエン等芳香族炭化水素系溶媒、ジエチル
エーテル、ジオキサン、テトラハイドロフラン等エーテ
ル系溶媒、あるいはその混合溶媒をあげることができる
。塩基としては、好適には、トリエチルアミン、ピリジ
ン、ルチジン、1.5−ジアザビシクロ(5,4,0)
ウンデセン−5(DBU)等有WA!基をあげることが
できる。好適な反応温度としては、0〜100’Cであ
るということができる。
(2)工 程: β−ラクタム化合物(C)のエステル基を酸あるいはア
ルカリで加水分解することによってカルボン酸誘導体(
d)に導くことができる。エステル基のカルボン酸への
その他公知方法として各種の態様が知られているが、も
ちろんそれらの方法によっても本反応を達成することは
可能である。
(3)工 程: カルボン酸誘導体(d)を対応する酸クロライドに導き
、これをジアゾメタンと処理するArndt−Eist
ert反応に付することによりβ−ラクタム化合物+6
)に導くことができる。
(4)工 程: カルボン酸誘導体(e)を不活性溶媒中酢酸第二水銀つ
いで、水素化ホウ素ナトリウムで処理することによって
、ヒドロキシプロピル誘導体([)に導くことができる
。不活性溶媒としては各種溶媒を用いることができ、る
が、好適にはテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチ
ルエーテル、アセトニトリル、水、あるいはその混合溶
媒をあげることができる。酢酸第二水銀処理においては
、酸化剤の好適量としては、1〜2倍モルであり、その
好適温度としては0〜100℃ということができる。
次に還元工程は上記反応液に水素化ホウ素ナトリウムを
水酸化ナトリウム等の水酸化アルカリ金属の存在下、加
えることにより達成することができる。
還元剤の好適量としては一〜5倍モルということができ
、好適温度は一10℃〜40℃ということができる。ま
たアルカリ添加はアルカリ水溶液として、あるいは粉末
状にて加えることができ、好適添加量は!/2〜5倍モ
ルといえる。
(5)工 程: ヒドロキシプロピル誘導体(f)を不活性溶媒中1.1
′−カルボニルジイミダゾールと処理して活性化し一般
式(R′202ccH2ω2)2Mg(1式中、鴎は前
述と同じ意味を有する。)で表わされるマグネシウム塩
と反応せしめてβ−ケトエステル誘導体(g)に導くこ
とができる。不活性溶媒としては好適にはテトラヒドロ
フラン、ジメトキシエタン等をあげることができる。
好適な反応温度としては0〜50℃であるということが
できる。
(6)工 程: β−ケトエステル誘導体(g)を不活性溶媒中塩基存在
下P−カルボキシベンゼンスルホニルアジド、トルエン
スルホニルアジド、メタンスルホニルアジド等のアジド
誘導体と処理することによりジアゾエステル誘導体(h
lに導くことができる。。不活性溶媒としては好適には
アセトニトリル、塩化メチレン、テトラヒ・ドロフラン
等をあげることができ゛、塩基としては好適にはトリエ
チルアミン、ピリジン、ジエチルアミン等の有機塩基を
あげることができる。好適の反応温度としては0〜25
℃であるということができる。
(7)工 程ニ ジアゾエステル誘導体(h)をジメチルホルムアミド、
アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
タノール、水あるいはそれらの混合溶媒といった不活性
溶媒中θ〜60℃で2〜4倍モルのセリツク・アンモニ
ウムナイトレイ)(ceric ammonium n
1trate)で処理することによって、ジアゾニスデ
ル誘導体+i)に導びくことかできる。
(8)工 程ニ ジアゾエステル誘導体(i)をベンゼン、トルエン、テ
トラヒドロフラン等の不活性溶媒中触媒量のロジウムア
セテ−)(Rh(OCOCJ(、)2)存在下で反応せ
しめることにより化合物1)へ導くことができる。好適
の反応温度としては50〜110℃ということができる
(9)工 程: 化合物(j)を不活性溶媒中、塩基存在下、種々のアシ
ル化剤あ4いはハロゲン化剤と処理することにより得ら
れる。
アシル化剤としては無水P−トルエンスルホン酸、無水
P−ニトロフェニルスルホン酸、無水メタンスルホン酸
、無水トリフルオロメタンスルホン酸、ジフェニルクロ
ロホスフェ−)、)ルエンスルホニルクロライ)’、P
−プロモフェニルスルホニルクロライドヲ、マたハロゲ
ン化剤としては、オキザリルクロリド、トリフェニルホ
スフィンジクロリド、トリフェニルホスフィンジブロマ
イド等をあげることができるが、好適なものとしては無
水p−トルエンスルホン酸、無水メタンスルホン酸、ジ
フェニルクロロホスフェートヲ挙ケることができる。不
活性溶媒としては種々の溶媒が可能であるが好適なもの
として塩化メチレン、アセトニトリル、ジメチルホルム
アミドを挙げることができる。また塩基としては無機塩
基、有機塩基の各種塩基がら選択することができるが好
適なものとしてジイソプロピルエチルアミン、トリエチ
ルアミン、4−ジメチルアミノピリジン等の有機塩基を
あげることができる。冷却または加熱により反応を抑制
または促進することができるが好適な反応温度としては
一20〜40℃であるということができる。
なお、原料メルカプタン誘導体のうち一般(式中、礼及
びlは前述と同じ意味を有する。) で表わされる化合物は、たとえば、下記ルートで容易に
製造することができる。
〔式中、PNBはP−二トロベンジル基を、T、はP−)ルエンスルホニル基を、ACはアセチル基を示す。〕
本発明の前記一般式〇)で表わされる新規なβ−ラクタ
ム化合物は極めてすぐれた抗微生物作用を有し、あるい
はβ−ラクタマーゼ番こ対し強方なラクタマーゼ阻害作
用を有している。
従って一般式[1)の化合物は抗菌剤あるいはβ−ラク
タマーゼ阻害剤として極めて有用な化合物である。また
、抗菌活性を示す他の化合物の重要合成中間体である。
本発明化合物を細菌感染症を治療する抗菌剤として用い
るための投与形態としては、例えば錠剤、カプセル剤、
散剤、シロップ剤等による径口投与、あるいは静脈内注
射、筋肉内注射、直腸投与などによる非径口投与があげ
られる。投与量は症状、年令、体重、投与形態、投与回
数等によって異なるが、通常は成人に対し1日約200
〜3000を1回または数回に分けて投与する。必要に
応じて減量あるいは増量することができる。
次に実施例、参考例をあげて本発明をさらに具体的に説
明するが、本発明はもちろんこれら1こよって何ら限定
されるものではない。
実施例1 リP−二トロベンジル−5,6−)ランス−3−(ジフ
ェニルホスホリル)−8−(1−1:l’ロキシー1−
メチルエチル)−1−アザビシクロ(3,2,0)t\
ブドー2−エン−7−オン−2−カルボキシレート(a
oolnf)を乾燥7−1z1−=トリル(lt)i)
にとかし、窒素気流中、水冷下にジイソプロピルエチル
アミン(230’W)を滴下し、次いで1−(P−ニト
ロベンジルオキシカルボニル)−4−メルカプトピペリ
ジン :ztoJllF)の乾燥アセトニトリル(2−)溶液
を滴下後、冷蔵庫内にて一夜放置した。
反応液を酢酸エチルで希釈し水洗後、硫酸マグネシウム
で乾燥し溶媒留去した。油状の残渣を分取薄層クロマト
グラフィーにより精製し、p−ニトロベンジル−5,6
−トランス−3−(4−(1−p−ニトロベンジルオキ
シカルボニル)ピペリジニルチオ)−6−(1−ヒドロ
キシ−1−メチルエチル)−1−アザビシクロ[3,2
,0]ヘプト−2−エン17〜オン−2−カルボキシレ
ート(280”f)を得た。
IRmax(31):3470、17?5、1725。
1700、610、1520。
1440、1343、1210。
1130、1045、85O NMRδ(CDC13):i、aa(a)I、s 、1
.45(3B、i)。
2.90〜3.40(51(、m) 。
3.83〜4.40(4H,m) 。
5.22(2H,s)、5.37(2H,AB) 。
7.49(2H,d、J=8.5HQ 。
7.65(2H,d、J=8.5H2) j8.22(
4H,d、J=8.5Hす b) p−二トロベンジル−5,6−)ランス−3−(
4−(1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル)ピペ
リジニルチオ]−6−(1−ヒドロキシ−1−メチルエ
チル)−1−アザビシクロ(3,2,0)ヘプト−2−
エン−7−オン−2−カルホキシレー)(64”P)を
テトラヒドロフラン(44)に溶かし、更にエタノール
(1ml)、0.025M−リン酸緩衝液(PH6,8
)(5In1)を加え、5チパラジウムー炭素(140
’?)を用いて常圧水素下1時間攪拌した。反応終了後
触媒を沖過し、触媒を水洗後、r液、洗液を合わせ、2
〜8ydまで減圧下濃縮し、ポリマークロマトグラフィ
(CHP−20P)lて付し5%メタノール−水で溶出
するフラクシヨンを集め、凍結乾燥を行い、無色粉末状
の5.6−)ランス−3−(4−ピペリジニルチオ)−
6−(1−ヒドロキシ−1−メチルエチル)−1−アザ
ビシクロ〔3゜2.0〕ヘプト−2−エン−7−オン−
2−カルボン酸を得た。
IRKBr(cIVl) : 1760 、1580 
、1390ax 実施例2 リ P−ニトロベンジル−5,6−ドランスザビシクロ
[3,2,0)ヘプト−2−エン−7−オン−2−カル
ボキシレート (65〜)を乾燥アセトニトリル(2,5mj)にとか
し、窒素気流中、水冷下にジイソプロピルエチルアミン
(40”P)を滴下し、次いで2−(p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル)アミノ−2−メチルプロパンチオ
ール(aaq)の乾燥アセトニトリル(0,5rrJ)
溶液を滴下後、冷蔵庫内にて一夜放置した。
反応液を酢酸エチルで希釈し、水洗後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、溶媒留去した。
油状の残渣を分取薄層クロマトグラフィーにより精製し
、P−ニトロベンジル−5゜6−トランス−3−(2−
(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)アミノ−2−
メチルプロピルチオ]−6−(1−ヒドロキシ−1−メ
チルエチル)−1−アザビシクロ(3,2,0)ヘプト
−2−エン−7−オン−2−カルホキシレー)(43g
9)を得た。
IR””3 (crl) : 3430 、1768 
、1720 。
nl@x 1602 、1520 、1345 。
1277 、113O NMRJ(CDC1,) : 1.32(3H,s)、
1.41(9H,fi)#5、10(2H,s) 、5
.34(2H,An) 。
7.40(2H,dJ=8.5Hz) 。
7.59(2H,d、J=8.5Hす。
8.13(4H,dJ=8.5Hす b)  p−ニトロベンジル−5,6−)ランス−3−
[2−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)アミノ
−2−メチルプロピルチオ)−6−(1−ヒドロキシ−
1−メチルエチル)−1−アザビシクロ[3,2゜0]
ヘプト−2−エン−7−オン−2−カルホキシレ−)(
40m?)をテトラヒドロフラン(4−)にとかし次い
でエタノール(1−)、0.025 M−リン酸緩衝液
(pH6,8)(5mj)を加え、5チパラジウムー炭
素(120w9)を用いて常圧水素下、1時間攪拌した
。反応終了後、触媒を沖過し、触媒を水洗後、沖液、洗
液を合わせ2〜31nlまで減圧下濃縮し、ポリマー・
クロマトグラフ4 (CHP  20p)に付し10%
メタノール−水で溶出するフラクシヨンを集め、凍結乾
燥を行い、無色粉末状の5.6−4ランス−3−(2−
アミノ−2−メチルプロピルチオ)−6−(1−ヒドロ
キシ−1−メチルエチル)−1−アザビシクロ(3,2
゜0)ヘプト−2−二・ンー7−オン−2−カルボン酸
を得tこ。
実施例3 a)P−ニトロベンジル−5,6−トランス−3−(ジ
フェニルホスホリル)−〇−(1−ヒドロキシ−1−メ
チルエチル)−1−アザビシクロ(3,2,0)ヘプト
−2−エン−7−オン−2−カルボキシレート(45〜
)を乾燥アセトニトリル(2−)にとかし窒素気流中、
水冷下にジイソプロピルエチルアミン(30”?)を加
え、次に2−メルカプトピリジン(18”?)を加えて
、30分攪拌後、冷蔵庫内で一夜放置した。
反応液を酢酸エチルで希釈し、0.2N−塩酸、水で順
次洗浄じ、硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒留去した。油
状の残渣を分取薄層クロマトグラフィーにより精製し、
p −ニトロベンジル−5,6−)ランス−3−(2−
ピリジルチオ)−6−(1−とドロキシ−1−メチルエ
チル)−1−アザビシクロ(at2eo〕ヘプト−2−
エン−7−オン−2−カルホキシレー)(37jIv)
を得た。
IR”m(a ”) : 3430 、1770 、1
720 ””ax 1605 、1560 、1516 。
1340 .1323 .1272  。
1112 .1040 .845 忌根δ(CDC13) :  1.31(3H,l)、
1゜41(3H,8)12.90〜3.30(2H,m
) 。
4.0〜4.3(2H,m)。
5.41(2H,AB)。
7.67(2H,d、J=8.5Hz)。
8.22(2H,d、J=8.5Hz) 。
8.57(IH,m) b)  p−ニトロベンジル−5,6−)ランス−3−
(2−ピリジルチオ)−8−(1−ヒドロキシ−1−メ
チルエチル)−1−アザビシクロ(3,2,0)ヘプト
−2−エン−7−オン−2−カルボキシレート (32■)をテトラヒドロフラン(4rnl)にとかし
、更にエタノール(1m1)、0.025M−リン酸緩
衝液(pH6,8)(5,、/)を加え、5%パラジ・
ラム−炭素(65η)を用い、を合わせ、約2−まで減
圧下、濃縮し、ポリマークロマトグラフィー(CHP−
20P)に付し水で溶出フラクシ、ンを集め凍結乾燥を
行い、無色粉末状の5.6−)ランス−3−(2−ピリ
ジルチオ)−6−(1−ヒドロキシ−1−メチルエチル
)−1−アザビシクロ(s = 2 t o )ヘプト
−2−エン−7−オン−2−カルボン酸を得た。
IRKBr(cm”) : 1765 、1595 、
1390ax UVλH20:305 axnm 以下同様にして各々対応するメルカプタン誘導体とP−
ニトロベンジル−5,6−−1−アザビシクロ(3,2
,0)ヘプト−2−エン−7−オン−2−カルボキシレ
ートから以下の化合物を得た。
参考例1 (1) ジーP−アニシルメチルアミン(25F)とn−ブチル
グリオキシレート(18,27F )からトルエン共沸
脱水によりシッフ塩基を作りそのトルエン溶液(約15
001nl)に、トリエチルアミン(15,59F )
を加え、3,3−ジメチルアクリル酸クロリド(14,
639)をトルエン(74nl)に溶解した液を75℃
で約2時間かけて滴下し、そのまま3時間攪拌した。冷
却後、水洗、2N−塩酸洗い、重ソウ水洗い、水洗、芒
硝乾燥、濃縮後、シリカゲルクロマトにより1−(ジー
P−アニシルメチル)−3−(1−メチルエチニル) 
−4−n−ブチルカルボキシル−2−アゼチジノンを得
た。
IR”’−(m−1) : 1755 、1615 、
1515 。
3x 1465 、1240 、1103 。
1025 、82O NMia(cocl、):  o、5s(aH,br、
tJ=eHz)+1.72(3H,br、s) 1 3.78(6H,m)。
4.00(2H1t、JI==6Hす。
5.05(2H,m) 。
n−ブチルエステル誘導体(20F) をI N−Na
OH水溶液(46nl)−テトラヒドロフラン(500
rnt)−メタノール(720rnl)  lこ漕力)
し、4時間室温で攪拌した。2N−塩酸(25mj)も
どし、エーテル抽出、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去により
1−(ジーP−アニシルメチル)−3−(1−ifルエ
テニル)−4−カルボキシル−2−アゼチジノンを得た
1R黒01(♂1) : 174b、 1715 、1
610 。
1510 、1460 、1375 。
1240 、1175 、1030 。
98 NMRδ(CDC1s ) +、  l 、77 (3
H、b r 、s ) 。
3.75(6H,8) 、5.00(211,m)5.
3Q(it−i、br、fi) 。
8.6□(1i□、上10.。
(3) カルボン酸誘導体(5g)を乾燥ベンゼン一方、ジアゾ
メタン(15mM)  のエーテル溶液(120mZ)
にトリエチルアミン(2−)を加え、これに先の酸クロ
リドのエーテル溶液(30m/)を窒素気流中氷冷下に
滴下し、1時間攪拌後、IN−塩酸、水で順次洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒留去し、残渣をシリカ
ゲルクロマトグラフィーに付しジアゾケトン誘導体(4
,579)を得た。
ジアゾケトン誘導体(700〜)を乾燥塩化メチL/:
、/(30°′)6′とかしH,O(1rd )を加え
      7゜、・脱酸素をしながら、高圧水銀灯の
光を1時間照射後、アルカリ水で抽出した。水層を塩酸
(41) 酸性にもどし酢酸エチルで抽出。水洗、芒硝乾燥後、溶
媒留去により1−(ジーP−T=テ シルメチル) −’3−(1−メチルエチル)−4−カ
ルボキシメチル−2−アゼチジノンを得た。
■に01018(♂1) : 1730 、1718(
lh)、 1605 。
ax 1505 、1297 、1240 。
、’202・1168・1025 NMFLICC1025N:1.72(3H,11)。
2.46(2H,br、d、J=8H2) 。
3.74(6H1’)+ 4.77〜4.97(2H,m) 。
5.77(IH,br、5) (4) (42) 】−メチルエチニル誘導体(3,1N )をテトラヒド
ロフラン(18mj)に溶解し、水(18−)と酢酸第
二水銀C2,5F)を加え、30〜40℃で5時間攪拌
後、lN −NaOH水(15,7rnl)を0℃で加
え水素化ホウ素ナトリウム(0,3F)をIN−NaO
H水(4i)に溶解した液を滴下し、同温度で10〜2
0分間攪拌後、希塩酸で中和し、エーテル−塩化メチレ
ン(9:1)を加え、セライトσi遇した。
水層を再びエーテル抽出′、両エーテル層を合わせ重ソ
ウ水洗い、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去、シリカゲルクロ
マトにより、1−(ジーP−アニシルメチル)−3−(
1−ヒドロキシ−1−メチルエチル)−4−カルボキシ
メチル−2−アゼチジノンを得た。
IRCH””(ci1):1732、−1718(sl
k、)1605。
ax 1507 、1240 、1025 NhiRδ(CDC1、s):l、9(3H−)、l、
25(311、s )。
2.27〜2.57(2H,m) 。
(43) 2.97(111,bT、s) 。
3.78(6H,8)。
5.78(IH,br、5) (5) カルボキシメチル誘導体(1,4F )と1゜1′−カ
ルボニルジイミダゾール(61o〜)を無水テトラヒド
ロフラン(35m/)中、室温で9時間攪拌し、対応す
るイミダゾライドとスル。一方、マロン酸の七ノーP−
二トロベンジルエステル(1,62S’)トマクネシウ
ムエトキサイド(426■)を無水テトラヒドロフラン
(20mj)中、室温で3時間攪拌後、室温で溶媒留去
し、得られたマグネシウム塩を先のイミダゾライドのテ
トラヒドロフラン溶液に加え、室温で20時間攪拌した
。生じた白色沈澱を枦別し、炉液を酢酸エチルで希釈し
、0.5N−塩酸、水で順次洗浄後、芒硝乾燥し溶媒留
去した。油状の残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに
付し、1−(ジーP−アニシルメチル)−3−(1−ヒ
ドロキシ−1−メチルエチル)−4〔3−(p−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル)−2−オキソプロピル〕−
2−アゼチジノンを得た。
film  −1 1R(cR);3425、1730、1802。
ax 1502 、133B 、1240 。
6H2)I3−28(2H+s)。
3.79(6H,s)、5.17(2H,i)。
5.73(Ill、br、5) (6) ケトエステル誘導体(1,8P)、p−カルボキシベン
ゼンスルホニルアジド(840■)を乾燥アセトニトリ
ル(25mA)にとかし、窒素気流中、水冷下にトリエ
チルアミン(1,5mj)を滴下し、そのまま15分間
攪拌、酢酸エチルで希釈し、生じた沈澱を炉別し、炉液
を減圧下濃縮し、油状の残渣をシリカゲルクロマトグラ
フィーに付し、I−(ジーP−アニシルメチル)−3−
(1−ヒドロキシ−1−メチルエチル)−4−(3−(
p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2−オキソ−
3−ジアゾプロピル〕−2−アゼチジノンを得た。
IR”In(n 1) : 3450、.2140 、
1738(ah)1ax 1720 .1640 .1605  。
1507 .1342 .1243  。
1173 .1010 27Nδ(CD(J3) :  1.26(6H,1)
12.90〜3.20(3H,m) 3.80(6H,S)、5.30(2H,i)5.81
(IH,8) (7) N−(ジーP−アニシルメチル) 誘導体(5001W
)を10tsH20−アセトニトリル(20ynj)に
溶解し、セリツク・アンモニウムナイトレイト(cer
ic ammonium n1traie。
1.5 f )を水冷下一度に加え、激しく攪拌後更に
室温にて15〜20分間攪拌した。冷水を加え酢酸エチ
ル抽出、水洗、芒硝乾燥、油媒留去、シリカゲルクロマ
トにより3−(1−ヒドロキシ−1−メチルエチル)−
4−(3−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
2−オキソ−3−ジアゾプロピル〕−2−アゼチジノン
を得た。
IR”m(n 1)  : 3380 、2140 、
1750 。
ax 171B 、 1642 、151B 。
1372 、1340 、1290 。
1208 、1120 、1010 。
48 NMRδ(CDC#3 )   ” 1−30 (3H
t ’ ) * 1−37 (3H1” ) +2.8
8〜3.36(4H,m) 。
5.33(2H9s)I 6.16(IH,br、s)。
7゜49(2H,d、J−gHす。
8.21(2H,d、J=9Hす a)ジアゾエステル誘導体(230%’)を脱気した乾
燥ベンゼン(12yd)  にとかし、ロジウム(IF
)アセテ−)(0,5キ)を゛加え、約3分間窒素ガス
を吹込んだ後、20分間還流した。次に反応液を冷却し
、触媒をt別、ベンゼンで触媒を洗浄し炉液、洗液を減
圧下−amしてP−ニトロベンジル−a−<1−ヒドロ
キシ−1−メチルエチル)−1−アザビシクロ(3,2
,0)へブタン−3゜7−シオンー2−カルボキシレー
トを得た。
IR” 1m (a  ’)  二 3460  、 
1170  、 1740  。
112X 1605 .1518 .1340  。
05 NMRJ (CDC1a )  ; l 、 39 (
3H,s ) 、 l 、 45 (3H、a ) 。
1.88(IH,br、s)。
2.49(IH,dd、 J=18.51fld7゜5
Hz)、3゜24(1B、d、J=2Hz ) j4−
15 (I H,” + J−2and7.5Hz)、
4.77(IH,”) +5.30(2H,AB)。
7−53(2HedJ=8−0”) 。
8.25(2H,d、J=8.0Hz)b)上記で得ら
れたケトエステル誘導体を乾燥アセトニトリル(10y
d) iことかし水冷下、ジイソプロピルエチルアミン
(901”P)を加工、次にジフェニルクロロホスフェ
ート(180−)の乾燥アセトニトリル(4−)溶液を
滴下し1時間攪拌、酢酸エチルで希釈し、水洗、硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧上溶媒留去、残渣を分散薄層
クロマトグラフィーに付し、P−ニトロベンジル−5,
6−トランス−3−(ジフェニルホスホリル)−6−(
1−ヒドロキシ−1−メチルエチル)−1−アザビシク
ロ(3,2゜O)ヘプト−2−エン−7−オン−2−カ
ルボキシレートを得た。
film  −1 1Bmax(n  ) : 54so 、 1775 
、1730 。
1645 、1607 、1592 。
1525 、1495 、1348 。
1190 、970 、947 、85ONMRa (
CJ)CIIS ) : 1−31(3H* ’ ) 
−1−41(3H−’ ) +3.20(2H,dd、
J =7.5and2、QHz) 、3.25(IH,
d、J=2Hz)、4−12(IH@’J”’ 7.5Hす#5.31(2H,AB)。
7.55(28,d、J=8.5H2) 。
8.15(2H,d、J=8.5Hz)参考例2 1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−ヒ
ドロキシピペリジン10.54 f ft乾燥ピリジン
105 rnlに溶解させ、この溶液にp −トルエン
スルホニルクロライl’ 14.35 fを0℃で加え
、25℃で23時間攪拌し、反応液に水を加え、エーテ
ル−塩化メチレン(9:1)の溶媒で抽出、抽出液を飽
和食塩水、1N−塩酸水、飽和食塩水、飽和重曹水の順
に洗浄し、ボウ硝乾燥、溶媒留去し1−(p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)−4−(p−)ルエンスルホ
ニルオキシ)ピペリジンを得た。
IRN””(m 1) : 1702 、1512 、
1340 。
ax 1225 、1173 NMRδ(CDCn、) : 1.7B(4)1.’l
、J=6f(Z) 、2.47(3H,1) 。
3.13〜4.00(4H,m)、4.75(IH。
quintet)、5.22(2H,s)。
?、37(2H,d、J=8)1Z) 。
7.50(21(、d、J=9)11) 。
8.22(2B、d、J=9Hす 1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−(
P−)ルエンスルホニルオキシ)ピペリジン14.78
 Pをア七トン222−に溶解させこの溶液にヨウ化ナ
トリウム12.71 y−を加え23時間!流し、反応
液を沖過、汚液を溶媒留去し、残渣に酢酸エチルを加え
10%亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄
、ボウ硝乾燥、溶媒留去し、1−(p−ニトロベンジル
オキシカルボニル)−4−ヨードピペリジンを得た。
IRヱ01(♂1) : 16B5 、1512 、1
338 。
1265 、1225 。
NMR(CDC1,s) : 2.o2(4H,qtJ
−eHす。
3.56(4H#Q、J=6Hり 。
5.22(2H,s)、7.5O(2H,d、J=9H
す#8.l8(2H,(f#J=9H2)50%水素化
ナトリウム1.21Pの乾燥ジメチルホルムアミド23
.5nJのけんだく液に、窒素気流下、10℃でチオ酢
酸2゜372の乾燥ジメチルホルムアミド23゜5 m
lの溶液を加え、室温で20分間攪拌し、この溶液に1
−(P−ニトロベンジルオキシ力ルボニル)−4−ヨー
ドピペリジン9.34  fの乾燥ジメチルホルムアミ
ド47−の溶液を加え室温で20時間攪拌し、反応液に
水を加え酢酸エチル抽出、抽出液を10%亜硫酸水溶液
洗、水洗、ボウ硝乾燥、溶媒留去、残渣をエーテルより
結晶化させ1−(p−二トロベンジルオキシカルボニル
)−4−チオアセトキシ−ピペリジンを得た。
IR”11rl(cm ’) : 1710 、169
5 、1520 。
ax 1343 、1210 、1112 NMRa(CDcl、s) : 1.17〜2.20(
4H+m)。
2.33(3H,S) 1 2.90〜4.20(5H,m) 。
5.21(2H,m)。
7.47(2H,dtJ=9Hz) 18.17(2H
,d、J=9H2) (6) 1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−チ
オアセトキシピペリジン3.15 Fをメタノール12
6艷に溶解させ、アルゴン気流下、IN−水酸化ナトリ
ウム水溶液8,9 rnlを室温で加え、同温度で10
分間攪拌し、反応液に塩化メチレンを加え塩化メチレン
層を水洗、ボウ硝乾燥後、溶媒留去し、1−(p−二ト
ロベンジルオキシカルボニル)−4−メルカプトピペリ
ジンを得た。
参考例3 4−ピペリジンカルボン酸3.23 fを4N−水酸化
ナトリウム水溶液15.6−にとかしP−ニトロベンジ
ルクロロ$ −7’ −) 6.45fのジオキサン(
16nJ)溶液を10〜15℃で滴下、1.5時間攪拌
し、生じた結晶を集め、よく水洗し乾燥して、4−N−
P−ニトロベンジルオキシカルボニルピペリジンカルボ
ン酸を得た。  m、P、  123〜126℃4−N
−P−ニトロペンジルオキシカルボニルビベリジンカル
ボン酸6.16 F、)リエチルアミン2.43 9を
乾燥テトラヒドロフラン120−にとかし、水冷下にク
ロルギ酸エチル2.61を滴下し、30分攪拌後、沈澱
を戸別した。炉液に水冷下、水素化ホウ素ナトリウム1
.529の水溶液(5rnl)を滴下し、1時間攪拌。
水で希釈し、希塩酸で未反応の水素化ホウ素ナトリウム
を分解後、酢酸エチルで抽出。水洗、芒硝乾燥、溶媒留
去番こよりN−P−ニトロベンジルオキシカルボニル−
4−ヒドロキシメチルピペリジンを得た。
m−P、  67〜69°C IRNu”’ (Ca 1) : 1695(8h) 
、 1680 、152B 。
aX 240 (3) N −p−二トロベンジルオキシカルボニルー4−ヒド
ロキシメチルピペリジン20 fを乾燥ピリジン127
mjiことかし、水冷下にp −トルエンスルホニルク
ロリド25.89ヲ加L、そのまま−夜放置後氷水を加
え、エーテル−塩化メチレン抽出、水、希塩酸、重曹水
、水で順次洗浄し、芒硝乾燥後溶媒留去し、メタノール
から結晶化し、Np−ニトロベンジルオキシカルボニル
−4−P−)ルエンスルホニルオキシメチルピペリジン
を得た。
m、p、  96.5〜99℃ l1tNujol(、、”) : 1700 、181
0 、1595 。
naX 1518 、1342 、1172 (4) N−p、ニトロベンジルオキシカルボニル−4−p−1
−ルエンスルホニルオキシメチルビペリジン3.72 
 fを乾燥ジメチルホルムアミド10−にとかし、これ
を、チオ酢酸と水素化ナトリウムより得た、チオ酢酸ナ
トリウム1vの乾燥ジメチルホルムアミド溶液(10−
)に加え、室温で4時間攪拌後、水で希釈し、酢酸エチ
ル抽出、水洗、芒硝乾燥後、溶媒留去し、残渣をシリカ
ゲルクロマトにて精製し、N−p−二トロペンジルオキ
シカルボニル−4−アセチルチオメチルピペリジンを得
た。In、p、  81〜83℃ N −p−ニトロベンジルオキシカルボニル−4−メル
カプトメチルピペリジンは参考例2の(5)と同様の方
法により、N−P−−”−10ベンジルオキシカルボニ
ル−4−アセチルチオメチルピペリジンより得た。
参考例4 2.2−ジメチルグルタル酸無水物19.34ノ、P−
アニスアルコール22.08 f ヲ乾m ジオキサン
360−に溶かし、これにトリエチルアミン19゜39
 fを加えて80℃で3.5時間攪拌。溶媒留去後、残
渣に水を加え次に炭酸カリウムを加えてpH=9とし、
ベンゼンで洗浄後水層を希塩酸で酸性としベンゼン抽出
、水洗、芒硝乾燥後、溶媒留去し5爾ルボキシ4−メチ
ル−吉草酸P−メトキシベンジルエステルを得た。
IR”m(n−1) : 1720 、1690 、1
608 。
ax 1510 、1240 、1167 。
025 NMRδ(CDC13)  : 1.23(6H,s)
、3.76(3H,s)。
4.98(2H,8) 4−カルボキシ−4−メチル−吉草MP−メトキシベン
ジルエステル35.43 fの乾燥テトラヒドロフラン
(167mj)溶液にトリエチルアミン14.14 f
を加え、窒素気流下、2〜6℃でクロルギ酸エチル15
.23 ’Iの乾燥テトラヒドロフラン(50mj)溶
液を滴下、0℃で15分攪拌。反応液を綿栓沖過、炉液
をアジ化ナトリウム(7,40f )の水溶液67ni
/に激しく攪拌しながら2〜6℃で滴下、2℃で23分
攪拌、反応液の水層をベンゼン抽出し、有機層と合わせ
、水洗、芒硝乾燥後−夜室温放置・30°以下で20〜
30%まで濃縮し、更に80〜90℃で1時間攪拌、溶
媒留去。
残渣にP−ニトロベンジルアルコール23.32f1吃
燥ジオキサン22rntを加え、120〜130℃で7
時間攪拌、溶媒留去し4−メチル−4−P−ニトロベン
ジルオキシカルボニルアミノ吉草酸P−メトキシベンジ
ルエステルを得た。
IR01CN3(C為−1) : 1725 、161
0 、1515 。
ax 1342 、1244 、1118 。
10B0 、1030 、82O NMR(cl)C63)   : t、29(aH,s
)、a、77(aH,a)+4.98(2H,す+ 5
−06 (2H、a )(3) 4−メチル−4−p−ニトロベンジルオキシカルボニル
アミノ−吉草酸P−メトキシベンジルエステル25f、
アニソール25F4こトリクロロ酢酸125−を加え、
室温で15分攪拌、トリクロロ酢酸を40℃以下で留去
し、残渣にエーテルを加え、炭酸ナトリウム水溶液で抽
出、水層をエーテル洗浄し、希塩酸により酸性とし、ベ
ンゼン抽出、水洗、芒硝乾燥後、溶媒留去した。残渣を
エーテル−インプロピルエーテル混合液より、結晶化さ
せ、4−メチル−4−P−ニトロベンジルオキシカルボ
ニルアミノ吉草酸を得た。
m、P、  108〜112℃ IR”” (n ”) : 1715 、1606 、
1520 。
ax 1350 、1260 、1218 。
1085 、845 41 1 4−メチル−4−P−ニトロベンジルオキシカルボニル
アミノ吉草酸14.0 9を乾燥テトラヒドロフラン2
80−にとかし、トリエチルアミン5.25 Fを加え
、水冷下、クロルギ酸エチル5.64 Fを滴下し、そ
のまま30分攪拌、生じたトリエチルアミン塩酸塩を綿
栓濾過し、ろ液を再度氷冷し、水素化ホウ素ナトリウム
5νの水溶液(90mj)を加え1.5時間攪拌、減圧
下約120 mlまで濃縮し塩化メチレン抽出。希塩酸
、水で洗浄し芒硝乾燥後、溶媒留去し、残渣をシリカゲ
ルクロマトにて精製して、4−メチル−4−(p−ニト
ロベンジルオキシカルボニル)アミノ−ペンタノールを
得た。
IR””(n−−1) : 1710 、1607 、
1515 。
ax 1343 、1280 、1213 。
086 NMILaCCDCls)  : 1.32(6H,s
)、5.09(2H,5)4−メチル−4−(P−ニト
ロベンジルオキシカルボニル)アミノ−ペンタノールl
。63Vを乾燥ピリジン17−にとかし、水冷下にP−
)ルエンスルホニルクロリド2.8fを加え冷蔵庫にて
一夜放置、エーテルと水で希釈し、希塩酸、重曹水、水
で順次洗浄し、芒硝乾燥後、溶媒留去し、5−P−トル
エンスルホニルオキシ−2−メチル−2−(P−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル)アミノ−ペン−タンを得た
I、4A:m (n−1) : 1725 、1605
 、1520 。
1343 、1258 、1173 。
・   1092 、958 、915NMRδ(CD
C13)  : 1.25(8H,1)、2.42(3
H,3)。
5.08(2H,8) (6) チオ安息香酸890■を乾燥ジメチルホルムアミド8−
にとかし、水冷下に水素化ナトリウム(50チ)、22
0 Jvを加え、10分間攪拌し、次に5−P−)ルエ
ンスルホニルオキシー2−メチル−2−(p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)アミノ−ペンタン1.64 
fの乾燥ジメチルホルムアミド(8d)溶液を滴下し、
25分攪拌後、酢酸エチルで希釈し、希塩酸、水で順次
洗浄後、芒硝乾燥、溶媒留去し、残渣をシリカゲルクロ
マトにより精製し、5−ベンゾイルチオ−2−メチル−
2−(P−ニトロペンジルオキシカルボニル)アミノ−
ペンタンを得た。
[目m IRmax(CI&  )  :  1723  、1
658  、 1606  。
1515  、 1343  、 1252  。
1206 .1080 .91O NMRδ(CDC#a)  :  1−30(6Hts
)、s、oe(2H,5)(7) 4−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)アミノ−
4−メチル−ペンタンチオールは参考例2−161と同
様の方法により5−ベンゾイルチオ−2−メチル−2−
(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)アミノペンタ
ンより得た。
IR”’m(n 1) : 1715 、1605 、
1515 。
ax 1342 、1250 、1208 。
08O NMRδ(CDCら)  : 1.32(6H,s)、
2.52(2H,q、 、r=6.5Hz) 。
5.15(2H,8) 参考例5 (1) 3−カルボキシ−イソ吉草酸より参考例6− fi+と
同様にして、3−カルボキシ−イン吉草1−p−メトキ
シベンジルエステルと3−P−メトキシベンジルオキシ
カルボニルイソ吉草酸の混合物を得tコ。
IRcncβδ(♂1) : 1720 、 ’161
0 、1240 。
ax 17O NMRδ(CDCn、s)  : 1.29(6H,I
)、2.62(2H,i)。
3.78(3H,i)、5.05(2H,bs)上記混
合物は、参考例5−12)の化合物へ誘導するまで混合
物のまま反応を行ない、参考例5−(2)の化合物を得
る際に分離精製を行なった。
(2)上記参考例5−111で得たカルボン酸混合物よ
り、参考例4−+21と同様の方法によって次の化合物
を得た。
2−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)アミノメ
チル−イソ酪酸 m、P、  118〜120℃ IRNuj0’(n 1) : 1732 、1690
 、1604 。
ax 1514 、1161 (3)  上記参考例5−+21で得たカルボン酸より
、参考例4− (41、+51および(6)と同様の方
法によって次の化合、物を得た。
3−アセチルチオ−2,2−ジメチル−3−(P−ニト
ロベンジルオキシカルボニル)アミノ−プロパン IR”rn(n 1) : ’1720 、1680 
、1600 。
ax 1528  、 1340  、 1120  。
950 、845 NMRδ(CI)C4)  ” 0−95(6”t’)
+2−37(3H1’)。
5.22(2H,5) (4)  上記参考例5−f31で得たチオアセテート
体より、参考例2−+61と同様の方法によって次の化
合物を得た。
3−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)アミノ−
2,2−ジメチルプロパンチオール IR”” (n 1) : 1710 、1608 、
1520 。
ax 1343 .1237 参考例6 (1) 3.3−ジメチルグルタル酸6.42の乾燥ジメチルホ
ルムアミド(100mZ)の溶液に窒素気流下、30〜
40℃で水素化す) IJウム(50%)1.922を
4回にわけて加え、そのまま30分攪拌、次にP−メト
キシベンジルクロリド6.28 Pの乾燥ジメチルホル
ムアミド溶液(20mj)を加え、60〜70℃で10
時間、攪拌した。反応液を飽和食塩水と酢酸エチルで希
釈し、酢酸エチル層を炭酸カリウム水溶液で抽出し、水
層を水冷下濃塩酸で酸性とし、ベンゼン抽出した。水洗
、芒硝乾燥後、溶媒留去し3,3−ジメチルグルタル酸
モノ−P−メトキシベンジルエステルを得た。
■RC1″1ON3(♂1) : 1715 、161
2 、1510 。
ax 1240 、1170 、1010 37Nδ(CDC63)  :  1.13(6H,s
)、3.80(3H,l)。
5.04(2H,I) ゴ1ン (2)  上記参考例6−+1)で得たカルボン酸より
、参考例4−(21と同様の方法によって次の化合物を
得た。
3−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)アミノメ
チル−イソ吉草酸 m−P、   142〜145℃ IR二’!”(n 1) : 1705 * 1602
 、1523 。
1343 、1275 (3)  上記参考例6−i21で得たカルボン酸より
、参考例4− +41. (51および(6)と同様の
方法により次の化合物を得た。
4−ベンゾイルチオ−2,2−ジメチル−1−(p−ニ
トロベンジルオキシカルボニル)−アミノブタン nI、 p 、   69〜70 ℃ IR諏”(n 1) : 1702 、1650 、1
550 。
1520 、1252 、 1210 (4)上記参考例6−+31で得たチオベンゾエート体
より、参考例2−161と同様の方法によって次の化合
物を得た。
4−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)アミノ−
3,3−ジメチルブタンチオール IR””1(n 1) : 1710 、1608 、
1520 。
ax 1350  、 1250  、 1088蓼考例7 (1) 50チ水索化ナトリウム4.80 Fを乾燥石油エーテ
ルでよく洗浄した後、乾燥ジメチルホルムアミド50i
を加え、窒素気流中、β−クロロビバル酸13.669
の乾燥ジメチルホルムアミド(60rnl)溶液を室温
で滴下、30分攪拌。これにトリメチルクロロシラン1
0.852の乾燥ジメチルホルムアミド(i (7)溶
液を一5°〜−3℃で滴下、そのまま1時間攪拌した。
これにチオ安息香酸13.89と50チ水素化ナトリウ
ム4.80  fより調製したチオ安息香酸ナトリウム
の乾燥ジメチルホルムアミド溶液70 mlを、−5〜
−8℃で滴下し、さらにヨウ化ナトリウム15.09を
加え、室温で3日間攪拌さらに40℃で7時間攪拌後、
反応液に氷水を加え、酢酸エチル抽出した。水洗、芒硝
乾燥、溶媒留去し、残渣をイソプロピルエーテル−石油
エーテルより再結晶し、β−ベンゾイルチオピバル酸を
得た。
IR” m(n  ’)  二 1703  、 16
63  、 1472  。
kX 1448 、1208 、1175 。
05 NMRδ(CI)C4a ) :l 、 35 ((3
H、s ) 、 3.39 (2)1 、 s )(2
) り2−(P−ニトロベンジルオキシカルボニルアミノ)
−2−メチル−1−ベンゾイルチオプロパンは、参考例
4−121と同様の方法によりβ−ペンゾイルチオピバ
ル酸から得た。  m、p、 87.5〜89℃IR”
m(n 1) : 1720 、1660 、1602
 。
aX 1518 、1208 、1080 b)2−(P−ニトロベンジルオキシカルボニル)アミ
ノ−2−メチル−プロパンチオールは上記りのチオベン
ゾエートから参考例2−+61と同様の方法により得た
IR”In(az 1) : 1718 、1600 
、1518 。
ax 1343 、1242

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  一般式 〔式中、kよ は2−ピリジル基、4−ピリジル基、低
    級アルキル基、一般式 %式% (式中、R3は水素原子または通常のアミ7基の保護基
    を示し、m及びnはそれぞれθ〜3を示す。) で表わされる置換基または一般式 (式中、R3は前述と同じ意味を有し、lは0〜2を示
    す。) で表わされる置換基を、R2は水素原子または通常のカ
    ルボキシル基の保護基を示す。〕で表わされるβ〜・ラ
    クタム化合物およびその薬理学−E許容される塩。 に)一般式 〔式中、梅 は通常のカルボキシル基の保護基を示し、
    R4は置換ベンゼンスルホニルオキシ基、低級アルキル
    スルホニルオキシ基、ハロゲノ低級アルキルスルホニル
    オキシ基、ジフェニルホスホリル基またはハロゲン原子
    を示す。〕 で表わされる化−合物と一般式 〔式中、〆、は2−ピリジル基、4−ピリジル基、低級
    アルキル基、一般式 −(CI(2)nIC(CI(、)2(0(2)nNH
    k3(式中、R′3は通常のアミノ基の保護基を示し、
    m、nは各々O〜3を示す。)で表わされる置換基また
    は一般式 %式%) (式中、lは0〜2を示し、鳴 は前述と同じ意味を有
    する。) で表わされる置換基を示す。〕 で表わされるメルカプタン誘導体と反応せしめ、一般式 〔式中、if、  、 k′2 は前述と同じ意味を有
    する。〕 で表わされるβ−ラクタ″云化合物を製造し、次いで必
    要に応じて得られた化合物をカルボキシル基の保護基R
    % の除去反応並びにアミノ基の保護基に′3 の除去
    反応を適合組合せて付することを特徴とする一般式 C式中、Rエ は2−ピリジル基、4−ピリジル基、低
    級アルキル基、一般式 %式% (式中、k、は水素原子または通常のアミノ基の保護基
    を示し、m及びnはそれぞれO〜3を示す。) で表わされる置換基または一般式 %式%) (式中、R2s  は前述と同じ意味を有し、lはO〜
    2を示す。) で表わされる置換基を、R2は水素原子ま     、
    1.・たは通常のカルボキシル基の保護基を示す。〕で
    表わされるβ−ラクタム化化合物上びその薬理学上許容
    される塩の製造方法。
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JPS5916892A (ja) * 1982-07-19 1984-01-28 Sankyo Co Ltd カルバペネム−3−カルボン酸誘導体およびその製法
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