JPS58220290A - 磁気バブル素子 - Google Patents

磁気バブル素子

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Publication number
JPS58220290A
JPS58220290A JP57102060A JP10206082A JPS58220290A JP S58220290 A JPS58220290 A JP S58220290A JP 57102060 A JP57102060 A JP 57102060A JP 10206082 A JP10206082 A JP 10206082A JP S58220290 A JPS58220290 A JP S58220290A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
transfer path
magnetic bubble
soft magnetic
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57102060A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Suzuki
良 鈴木
Ken Sugita
杉田　愃
Teruaki Takeuchi
輝明 竹内
「こ」玉　直樹
Naoki Kodama
Masatoshi Takeshita
正敏 竹下
Hiroshi Umezaki
梅崎　宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57102060A priority Critical patent/JPS58220290A/ja
Priority to US06/505,379 priority patent/US4578775A/en
Publication of JPS58220290A publication Critical patent/JPS58220290A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G—PHYSICS
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    • G11C—STATIC STORES
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    • G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
    • G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
    • G11C19/0891—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders using hybrid structure, e.g. ion doped layers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル素子に関し、詳しくはイオン打込み
によって形成された転送路と軟磁性体膜からなる転送路
をそなえた複合型磁気バブル素子に関する。
上記複合型磁気バブル素子におけるイオン打込み型転送
路と磁性体転送路との接続部の一例を第１図に示す。
第１図は、イオン打込み転送路２から軟磁性体転送路１
への接続部を示している。イオン打込み転送路２から軟
磁性体転送路１への接続では、軟磁性体転送路１の磁気
バブル駆動力が十分に強いことが要求される。一般に駆
動力を高めるには、転送路を大きくするか、あるいは、
磁気バブルを保持する磁性体４と転送路を形成する軟磁
性体１との間隙りを小さくする（第２図）。転送路を大
きくすることは空間的制約にょシ困難であシ、一般的に
間隙りを小さくする。ところが、素子全体を考慮すると
間隙りを任意に小さくすることはできない。例えば、軟
磁性体転送路がコンダクタを横切る部分では、第２図に
示すように、コンダクタ５上の軟磁性体１には段差が形
成され、その部分に不必要な色種が発生する。その部分
の磁気バブル転送特性が悪くなる。したがって、この軟
磁性体１の段差はできるだけ小さい方が望しい。そのた
めには一般に絶縁層３を高分子樹脂で作シ、その厚さを
厚くする。第３図に絶縁層３の厚さと磁気バブル転送の
バイアス磁界マージンの関係を示す。第３図曲線ａから
分かるように、絶縁層３の厚さが厚いほど、マージンは
良くなり、約０．４μｍ以上が望ましいことがわかる。
ところが、第１図に示した接続部のバイアス磁界マージ
ンは、第３図に破線すで示すように絶縁層３の厚さすな
わち第２図におけるＬが大きくなる程悪くなっている。
このように、磁気バブル素子全体においては相反する問
題があった。
本発明の目的は、上記問題を解決し、艮好な特性を示す
接続部と良好なマージンを持つ磁気バブル素子を提供す
ることである。
以下、本発明の詳細な説明する。
上記のように、軟磁性体転送路１と磁気バブルを保持す
る磁性体４との間隔りに対する要請は、接続部に対する
場合と他に対する場合で異なる。
そこで両者に対する要請ヲ満たすためには、それぞれに
対してＬｔ変えればよい。そこで本発明は、第４図に示
すように、接続部近傍の所望な領域だけ、絶縁層３を化
学エツチング等の手段により必内 要なだけエッチして、絶縁層３を部分的に薄くするもの
である。
実施例 第１図に示すような接続部に対して本発明を適用した例
を第５図に示す。磁気バブルを保持できる磁性ガーネッ
ト膜４に通常の方法によシイオン打込み転送路２を形成
する。次に、絶縁層３１を８１０１　ｆ　０．１μｌη
堆積して形成する。その上にＡｕを０．３５μｍ蒸着し
てコンダクタバタン５を形成する。その後、＾分子樹脂
全０．４μｍ塗布して絶縁層３を形成する。第１図に破
線で示す部分１１の高分子樹脂全除去する。この工程は
周知の方法によってもよいことはいうまでもないが、本
実施例では特殊な方法を用いた。すなわち、ホトレジス
トパタンする場合、意識的にホトレジストとホトマスク
の間に空隙を設け、転写バタンｗ＋４かした。こうする
ことにより、ホトレジストバタンのエツジは急峻でなく
なだらかなものとすることができる。この状態でイオン
ミリングによｐ高分子樹脂を所望な厚さエツチングする
。その結果１、　　　゛ 高分子樹脂層３の厚さを接続部でなだらかに変化させす
ることができた。こうすることによシ、この上に軟磁性
層１を積層しても、大きな段差が生ずることはなく、極
めて良好な結果が得られた。
本実施例では、コンダクタクロス部では段差が小さく、
接続部では軟磁性体バタンか磁気バブルガーネットに近
いので、素子全体として良好な特性を示す。
なお、本実施例において、エツチングを通常の方法で行
っても、また下部のＳ　ｔＯ，層を除去してもよいこと
は言うまでもない。また、ホトマスクとレジストの間に
空隙を設けて転写バタンをほかす場合、バタン精度は悪
くなるので転写バタンは出来るだけ大きい方がよい。し
たがって、高分子樹脂を残す必要がある所以外の部分を
出来るだけ大きくエツチングする方が望ましい。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば接続部
近傍の軟磁性体バタンと磁気バブルを保持する磁性体の
間隙を他とは独立に最適化し、軟磁性体の駆動力を十分
に強くする効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、イオン打込み転送路から軟磁性体転送路への
接続部を説明するための平面図、第２図は軟磁性体転送
路が導体を横切る部分の断面図、第３図はバイアス磁界
マージンを示す曲線図、第４図および第５図は本発明の
実施例を示す断面図である。 １・・・軟磁性体転送路、２・・・イオン打込み転送路
、３．３１・・・絶一層、４・・・磁性体、５・・・導
体層、￥　１　図 第　２　図 ！ χ３　図 Ｉｆ！、７珠ノ１ニジ厚ざ（メ・ン 第　≠　図 領　５　図 第１頁の続き ０発　明　者　竹下正敏 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発　明　者　梅崎宏 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. イオン打込みによって形成された磁気バブル転送路と軟
    磁性体膜によって形成された磁気バブル転送路とをそな
    え、上記二種類の転送路が接続する部分の近傍における
    上記′軟磁性体膜によって形成された転送路と磁気バブ
    ルを保持する磁性体の間隙が、他の部分における上記間
    隔より小さいことを特徴とする磁気バブル素子。
JP57102060A 1982-06-16 1982-06-16 磁気バブル素子 Pending JPS58220290A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57102060A JPS58220290A (ja) 1982-06-16 1982-06-16 磁気バブル素子
US06/505,379 US4578775A (en) 1982-06-16 1983-06-16 Magnetic bubble memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57102060A JPS58220290A (ja) 1982-06-16 1982-06-16 磁気バブル素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58220290A true JPS58220290A (ja) 1983-12-21

Family

ID=14317220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57102060A Pending JPS58220290A (ja) 1982-06-16 1982-06-16 磁気バブル素子

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US (1) US4578775A (ja)
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Also Published As

Publication number Publication date
US4578775A (en) 1986-03-25

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