JPS58216422A - 集積回路製造用マスク組の位置合せ方法及びそのマスク組 - Google Patents

集積回路製造用マスク組の位置合せ方法及びそのマスク組

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JPS58216422A
JPS58216422A JP58051712A JP5171283A JPS58216422A JP S58216422 A JPS58216422 A JP S58216422A JP 58051712 A JP58051712 A JP 58051712A JP 5171283 A JP5171283 A JP 5171283A JP S58216422 A JPS58216422 A JP S58216422A
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は集積回路製造、より詳細には集積回路に製造
するために用いられる複数のマスクｔ＠するマスク組及
びその位置合せの方法に関する。
現在、フォトリソグラフィック技術か半導体ウェファ上
に集積回路や回路のフィールドτ製造するために用いら
ハている。これらのウェファは２百以上のｉ固別のフィ
ールド７含むことかできる。
各フィールドの回路ケ形成する素子はフォト技術？用い
てマスクの一組又は−続きの使用により製造ネねる。各
マスクは回路又はフィールドの一部に形成するために使
用芒ノ１／−。マスクの適当な１重続的使用により回路
又（ｄフィールドが最終的に形成される。
例りば、バイポーラ・トランジスタケ製造するＬＪｊｌ
”、第１マスクがトランジスタのコレクタ領域７雨定す
るのに用いられ、第２マスクがベース飴威ケ画定するの
に用いられ、第５マスクがエミッタ領域４雨定するのに
用いられ、第４マスクがこハ、ら領域Ｌヶ覆うパッシベ
ーション（不動態）Ｍに接続孔７（−画定するのに用い
られ、そして第５マスクか種々の領域への接続配線ｒ画
定するのに用いられる。これらや１也のマスクがＦＥＴ
素子や口；抗などの他のＩＥ回路累子ケ製造するために
もｆｆｌいられる。
一組内のマスクの数が増加丁、２−１につ、！１で、又
このマスクイ、ＩＪによって製造される回路の密度か増
加するにつれて、各マスフケ前のマスク（１）１すＪｌ
ｌｌｌ／ｆ−よリウエファ内Ｃ′−製造旧また先の湘ｆ
Ｊこ一層１１確１〆（（位置合せγ−ｒることがメて変
型″皮Ｖこなってくる。現在、各マスクには２”つの対
称、ｆ分ｔｉｐ　Ｌ　７ｒ−アライメント領域が設けら
ねており、各領域け１又けそハＪ′Ｊ上のアライメント
・マーフケ含んでいる。ウエツブはマスク組の第１マス
クケ介して照射きれ、ウェファの表面上に第１マスクの
アライメント・マーフケ画定する。
マスクか、その上の各フィールドが独立に作られるいわ
ゆるステップアンドリピート技術により形成されるため
、−組内の各マスクの対応゛するフィールドは互いにわ
ずかに位置が不・■いとなる。
現在の技術に於ては、この位置不揃いは各マスクの回路
素子ケミ気菌条件から必要とされるよりも大きく形成す
ることで補償し７ている。マスク組の対応する各々のフ
ィールド・つ前述のような不揃いケできるだけ減少する
ことは、このことにより回路素子が小σくな！ｌｌそし
て一１路密度及び速ｊＷが増大し、コスト２減少゛する
ことができるため有益なことである。
この発明はこのようなマスク組の対応する各々のフィー
ルドの不揃いケでへるだけ減少すめことｒ目的としてい
る。μ下、この発明’、ｆ　！；３示の実１・（ξ例に
基づいて説明する。
第１図には、半導体集積回路の製造に使１ｉ１　：：　
、Ｊδ１１（型的なマスクか示σｆ１ている。マスクに
１１取扱わ′１１る半悸体ウェア１゛ｒの太き杯に実質
的に等しい大きさの円１１により画定σねるイメージ領
域ケ持った東方形ガラス板１０上に形成σ才する。ζｒ
）Ｊ：チ＋　ｔ’；−：ｒスフは、多数のイメージ・フ
ィールド１２ケ持つ。イメージ・フィールｒ”　１２　
ｉｄ’、マスフケ通して照射さねて半導体基板−ヒに被
漸芒れたホトレジスト層内に形成される４７−ジケ有す
る。
このイメージは、使用τ−１７１，るホトレジストメタ
イブに依りポジティブ又はネガティブ（１）どちらでも
あることができる。イメージ領域１１内にはイメー　ジ
・フィールド１２に加えて少なくとも２つのアライメン
ト・フィール：１３　ａ及び１５ｂかある。
このようなマスクに清適、イメー／・フィールドケチツ
ブの底端及び左端にχ；１して非常ｆｆｌ確にイＳ装置
づけるように設計づＪ’ｌたいわゆるステノブア７トリ
ビートカメラヶ使用してス１！−告−さ、（）５る。ｆ
ｌｌ　＞＋：のために板１０け縦横が２０．５２　ｃｍ
Ｘ　２０．５２　ｃｍ（８インチ×８インチ）であり、
各フィールドは真中にアライノ／１・・マークｒ有する
。このマークは理想的にはマスク上のインチ座標軸／バ
交差する箇所に置かｔ″ｌる。例えば、フィールド１３
ａの中心のアライメント・マークはＹ＝４．０００００
０（インチ、以下同じ）、Ｘ＝１．００００００；フィ
ールド１２ａのマークけＹ＝４．００００　Ｄ　０２ｘ
＝４ｏｎｏｏｎｏ；フィールド１３１）のマークはＹ＝
４．０００　ＤＯＯ，Ｘヒフ、　Ｏｌコ１１０００　；
フィールド１２ｂのマークはＹ＝２．００００００゜Ｘ
−ろｏｏｏｏｏｏ及びフィールド１２ｃのマークはＹ＝
３．００００００、Ｘ　＝　６．０１〕ＯＯＩ］　０に
あふように設誓十妊れる。しかし、ステップアンドリピ
ートカメラの機械的な不正確ａにより、これらのフィー
ルドの中心はその所望の位置から２０ミクロン又はそれ
以上あらゆる方向にずれる。したがって、この発明の目
的は特にマスクが組として使用烙ねる時に上述したフィ
ールドの位置の不正確さの影Ｍ勿最小にすることである
。
７ライメント・フィールド１３ａ及び１５））の茜、々
は少くとも１つのアライメント・マーク’に！し、終曲
、最終組の各ン一りに対しては少くとも１つのマーフケ
有する。これらのマークは多くの形ｒ取ることができる
。第、２１ン１にけ卯１のマスクのアライメント・フィ
ールド１５　ａ　六ひ１３ｂの各々に用いられるような
アライノ゛／１・・７−り１４ａ及び１４ｂの１つの組
か示−ｇｔ＋でいる。アライメント・マーク１４ａｆｄ
フイールド１３ａにあり、マーク１４ｂリフイ〜ルＭ　
１５　ｂＫある。各マークは他のマークの鏡像であり、
いくつかの東ね合せらねた太き芒の異なるギリシア十字
形１５．１６及び１７ケ有し、腕には等間隔に並べらね
た多数の平行なバー１ＥＮｒ！１−る。
第ろ図ＶＣは、第１図の第１のマスクに位置合せされる
第２のマスク（′し１褥琶”ず）のアライメノトフィー
ルド１５ａ及び１３ｂｉ／（そわぞれ設＆ａｔつｉする
一組のアライメント・マーク１９’　ａ　／＞Ｉひ１９
　　　　　　．１ｂが示σわでいる。ζ′７ｊらメハー
γライメノト・マーク１９　及び１９ｈは大略り字形の
緋２０の連（ｉｐ？持っている。適正な位置合せとずね
の修正及び差動重ね合せを可能にする鳥卵２のマスクの
アライメント・マーク１９ａ及び１９ｂけ、第１のマス
クのマーク１４ａ及び１４ｂの間隔とけ異なりこれより
も大きい又は小格いｒＩ−＋１隔の周期性ケ持っている
。第２のマークの組１９ａ及び１９ｂの緑２０の間隔が
第１のマークの組１４ａ及び１４ｂのバー１８の間隔と
は、異なる上述のような周期性ケ持つことにより、副尺
（バーニヤ）か形成芒れる。
従来においては、このようなマークの異なる周期性か用
いられる時、このようなマークの組の真中にあるマ“−
りは零位Ｗｗ表し、従って、こわらの組が互いに正確に
位置合せされると組１９ａの中心のマーク２２ａ、２２
ｂ、２２ｃ、２２ｄが組１４ａのそれぞれのマーク２１
ａ、２１ｂ、２Ｉｃ、２１ｄの中心に位置する。
この発明では従来とけ異なり第２組のアライメント・マ
ーク１９ａ及び１９ｂか副尺として働き、マスク間の不
揃いｒ最小にするために副尺のどのマークが第１組１４
ａ及び１４）＋の相当するマークの中心に置かねるか孕
示すように取１ルわｉする。
１°シ１１えば第６図に示をれるように、右腕の第４番
目の副尺マーク２３ａ、Ｑび下腕の第６番目の副尺マー
ク２５ｂけ第１のマスクの相当す不マーク２４ａ及び２
４ｂの中心に来る。このことは以下の説明から明ら刃）
となるであろう。
この発明τ実行するためには各フィールドの実際の中心
位置及び各マスク上の全フィールドに対すん図心か決定
打れなけ几はならない。
こわ、勿行うために第１のマスク−Ｘ−Ｙ座標測定／−
ｆ　ム、例Ｌｕニコ／・コーホレ−７ヨノから２１のモ
テル名で売らねでいろ／ステム内に（改かれる。別の１
＋ｉ１様なＸ−Ｙ座標側ポジ；テムか、１９７８年１０
月１−５日カリフォルニア、サップ゛イエゴでのコグツ
ク・マイクロエレク１−ロニツク・セミナーの報告書の
１−１４ページのピー・エッチ・コフイによる論文ｒ　
Ｘ　−Ｙ　７１１１１定／スデムコに詳細に記載されて
いる。
第４図に水杯れるように第１のマスクろ８は則定ンステ
ムの台５９内に置かれる。このような測定システムは良
く知られており又商業的に入手可能であるので詳細は省
略丁／ｂ。
説明の便宜上、マスク５ＢＶＪわずかにずれて置かれ、
台３９に対して斜めになっている。従って、マスク３８
の左下の角４０は、角４０かきちんと合うべき台１９の
内角４１から離れて水石れている。
−１、マスク３８が台３９上に置かれると、アライメン
ト・フィールド４２のアライメント・マークの中心のＸ
及びＹ座標は正確に装置により測定式れ、そして装置の
零位置４１に関して即・ち装置座標ＸζＹ′として示づ
れる。同様に、他のアライメント・フィールド４３内の
アライメント・マークの中心もこの装置座標で測定式れ
る。
こ才１らの測定から、マスク６８の端と台３９の端との
間の角度θヶ決定することができる。一旦、この角度θ
が決定さねる七、２つのアライメント・フィールド４２
及び４３中心のＧ７−ｋかマスク座標により下に次の方
程式に従ってＸ及びＹと表芒ノするように語讐できる。
Ｘ−Ｘ＝Ｘ’ＣＯ８θ−Ｙ’ＳＩＮ。
Ｙ−Ｙ＝Ｙ’ＣＯ８θ＋Ｘ’ＳＩＮθ ここで、Ｘ及びＹけマスク座標、Ｘ′及びＹ′は装置座
標、Ｘ　及びＹ　け２つの座標系の変位で０　　　　　
　　　０ ある。
従って、アライメント・フィールド４２ルひ４ろの各々
の中ｒ１．Ｊ？はフィールドか設けられたマスクの角４
０に関係している。
一旦、フィールド４２及び４３のマスクＩツｕ　＋＝が
マスク零位置、即ちマスク６８の角４０に対して固定で
れると、マスクろ８上の他のフィールドの各々の中心も
マスク零位置に対して測定式れ確定埒れる。
アライメント・フィールドのマスク１坐標な［、フィー
ルド　　　　ＸＹ ４２　　　　１．００００１５　　　　ろ９９９９９ろ
４　ろ　　　　　　　　７．０００００５’　　　　　
　４．０００００４である。以下に、選ばれたフィール
ド４４から５４までの中心位置マスク座標が示されてい
る。
フィールド　　　　Ｘ　　　　　　　　Ｙ４４　　　６
９９９９９８　　　７、０１］　ＯＤ　Ｏ５４５２，０
００００２６，０００ｆＤＯ０４６ろ９９９９９７　　
　５．９９９９９９４７　　　　５．９９９９９７　　
５．９９９９９５４８　　　　２．０００００２　　４
．Ｏｆ’１００００４９　　　　３．９９９９９７　　
４．０００ＤＯ１５０５，９９９９９７３，９９９！２
９７５１　　　　２．００１］ＩＪＩ）９　　２．００
０００６５２　　　　３．９９９９９８　　２．Ｏｆ’
１ＯＤＤ３５ろ　　　　５．９９９９９Ｂ　　　　２．
０００１１０１５４　　　　４．０ＤＯ００６１，００
０００４全てのフィールドの中心位置がこのようにして
測定婆れることか理解嘔れる。こね、らの測定か完了す
ると、こｔ７らの測定値ケ相加甲均してこのデータの中
心点、即ち全ての４１１１定公ハた“フィールド［対し
ての′−Ｊ′際の図心かフック板σ）設菖１中心Ｃ（−
関連して削′Ｉ９さ）する。
この場合、測定式ねた全フィールドの図ノシ・かＸ＝４
．０［１０ｏＤ８及びＹｌ、００００Ｄ２、設旧上の中
心がＸ　＝　４．０００　Ｄ　ＯＤ及びＹ＝４．０ＤＯ
０００、、！−仮定ｆる。
一旦、こわらの値が決定さｔすると、設泪−ヒの中心の
位置Ｊから測定杯れた図心の位１ｒ・か引轡妊れ、必要
な補正テルタが次のように得ら）する。
ΔＸ二４．００００００−４．０ＤＯＤＤ８＝−０，０
Ｏｆ）［］０８ΔＹ　＝　４．０ｔｌｌＪｌ］ｎ１Ｊ−
４，０１〕００１］２＝−０，０００，０１１２このテ
ルタは今ＩＷ←１アライメント・フィールド４２及び４
ろの測定きねた値に加えし、わて側シ１ぴれた図心が設
訂！−にの中心・と−・致するように補止−Ｔる。
したがって、アライメント・フィー、−ルトの片櫻は次
の値に移る。
フィールド　　　　ＸＹ ４２　　　　１．０００００７　　　３．９９９９９１
４３　　　　６．９９９９９７　　４．０００００２同
様にして、マスク組の次の第２のマスクが測定さねて各
フィールドの実際の中心位置が再ひ決定さね、そしてマ
スク上の全フィールドに対する図心が決定される。
この第２のマスクもＸ−Ｙ座標測定システムに置かねる
。
第５図に示すように第２のマスク５８（げ測定システム
の台ろ９に置かれる。
説明の便宜上、マスク５８は図示するように台５９上に
適正に置かれており、従って、マスク板５８の左下角４
０け図示するように台ろ９の内角４１にきちんと合って
いる。
一旦、マスク５８が台ろ９上に置かれると、アラ・イメ
ント・フィールド５９のアライメント・マークの中心の
装置座標が正確に装置により装置の零位置４１に対して
測定芒れる。同様にして他のアライメント・フィールト
ロ０のアライメントマーりの中、シ・も装置座標で測定
訟ねる。マスク５８の時１七台ろ９σ号ｊＭの間の角に
１この場合は零である。従って、アライメント・フィー
ルドの各々の中ノーにフィールドか設けらＪｌでいるマ
スクの角４０に対してのみ関係しているのてＵなく、マ
スク零位置にも同様ＶＣ関係している。
アライメント・フィールドのマスクＩｇ１４４票（ｄフ
ィールド　　　　Ｘ　　　　　　　　　Ｙ５９　　　　
　１、００　ｔ）　Ｉ］　０４　　　　ろ９９９９９９
６０　　　　６．９９９９９７　　　４．０１１０００
２次に選ばれたフィールド６１から７１捷ての中心位置
のマスク座標が示ｉ　ｔｌ、でいる。
フィールＭ　　　　　Ｘ　　　　　　　　ｙ６１　　　
　４．０１１０００４　　７．０＜’］Ｄｉ１０７６２
　　　　２．０００００５　　６．００ＤＯ１’１４１ ６ろ　　　　　４０τｌ　Ｉ’ｌ　１１１１２　　　　
６．００１］　Ｕ　Ｄ　２６４　　　　６．０ＯＤ１１
０ろ　　６．００００＋１２６’５　　　　２．０００
＋］０６　　　３．９９９９９４　−６６　　　　　　
　４１コＯＯＩ〕　０　０　　　　　３．９９　９９９
　　Ｂ６７　　　　　５．９９９９９７　　　４．０Ｏ
ＯＴ１０２６Ｂ　　　　　　２．００００１１　　　２
．００００１Ｊ２６９　　　　　ろ９９９９９４　　　
１．９９９９９９７０　　　　５．９９９９９４　　２
．００旧１０５７１　　　　　３９９９９９４　　　０
９９９９９５全てのフィールドの中心位置かこのように
して測定さＪｌることが理解埒ねる。この測定が光子す
ると、こねらの測定値ケ相加平均してこのデータの中心
点即ち実際の測定芒れた全フィールトニ対する図心がマ
スク板の設計−ヒの中心に関連して言４算芒れる。
この場合、測定芒ねたフィールドの図心はＸ−４，００
００００、Ｙ＝４．ＯＤ　Ｏ００２と決定される。
設計上の中心はＸ＝４．０００［’ｌｌ］０．Ｙ＝４．
００ｏｏｏｏである。
再び必要な補正デルタが次のように計算づれろ。
ΔＸ’＝４．０　ＤＤＩＪｌｌｌ）−４ｒ）００１］１
１Ｄ＝Ｏ，０１１０ｔＪ１１１ＪΔＹ＝４．０［］０１
３（’Ｉｎ−４，０［＋０１’１０２＝−０，ＯＤ　ｌ
］　１］１］　２このデルタは今ＩＪＩアライメノト・
フィールド５９及び６０の！１ｌｌｌ　９値に加えられ
てこわらのアライメント・フィールドの測定値ケ移して
測ｆｆｉ’　＃　、ｌ−＋た図心が設計上の中心と一致
するようにする。
したがって、アライメント・フィールドの座標は次に移
る。
フィールド　　　　　Ｘ　　　　　　　　　Ｙ５９１．
０ｆＪＤＯ１）４ろ９９９覧２９７６０　　　　６．９
９９９９７　　　４．００１］０＋目〕したがって、マ
スク５８のアライメント・フィール）’４２））、び４
３の格子わた；坐標１直及びマスク５８のアライメント
・フィールド５９及０・６０の格子ノまた座標値ｒ（よ
り、このマスク組に対して１１：味の変位又Ｕ補正値が
次のように課η杯ね石。
Ｘ　　　−Ｘ　　　−ΔＸ ４２　　　５９　　　　５９ １．０［３００ｔ３７−１１３１３１］旧Ｊ４＝Ｄ、Ｏ
Ｄ［ｌ００３Ｙ　　　−Ｙ　　　＝ΔＹ ４２　　　５９　　　　５９ ３．９９９９９１−５．９９９９９７＝−［１，［］Ｉ
］０００６Ｘ　　　−Ｘ　　　　＝ΔＸ ４３　　　６０　　　　６０ ６．９９９９９７−６．９９９９９７＝［ｌＯ［Ｊｔ）
１１１］［ＩＹ　　　　−Ｙ　　　　＝ΔＹ ４５　　　６０　　　　６０ ４．０００００２−４．０ｆ）００００＝０．０ＤＯｏ
ｏ２次の工程はアライメント・マークの副尺に印？付け
てとの副尺が位置合せ沁ねるかｒ示す。このように印が
付けられた副尺は第６図に示すように第１のマスクのア
ライメント・マークに重ね合せられる。
第２のマスクのフィールド５９のアライメント・マーク
は第１マスクのアラ・ｆメント・マーク上に重ね合せら
かで処置芒ねたマーク２５ａが確実にアライメント・フ
ィールド４２のマークの４番目のマーク２４ａ上に荀慟
し、処置さＦたマーク２ジｂがアライメント・フィール
ド４２のマークる。
同様如して、フィールトロ０σ）マークはフィールド４
６のマーク−ヒに置かノする。この場合は、フィールト
ロ０のアライメント・マークの副尺７５けフィールド４
ろのアライノ／！・・マーク７７と位置１が合せら力、
同様に副尺７４けアライメント・マーク７日と位置か合
せらｉする。
このように副尺のマーフケ合せることにより、各マスク
組上のマスク・フィールドの全体の平均の誤差は零に近
づき、フィールド間の全体の位置の不揃いは最小にｔす
、最良の市ね合ぜか遅成できる０
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発すＪの一実施例のマスク組の１つのマス
フケ示す平ｉａｉ図、第２１％ｌはこの実株例の卯１の
マスクに設けらねた右側及び左、側のアライメント・マ
ーフケ示す平面図、カロ図はこの実施例の第２のマスク
に設けられた副尺ケ構成する右４１！１１及び左Ｉｌｌ
のアライメント・マーフケ示す平面１ツ１、第４図及び
妃５図は枦１及び第２のマスクの各フィールドのｆ〜″
ｒ弊葡測定する装置と各マスク欠示す平面図、１６図は
甲ろ図のアライメント・マーク？＋［２図のアライメン
ト・マークに位飴不揃いか最小になるように重ね合せた
状態ケ示す部分平面図である。 １ｏ−−・ガラス板、１２．１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ・
・・・イメージ・フィールド、１５ａ、１３ｂ・・・・
アライメント・フィールド、１４ａ、１４ｂ・・アライ
メント・マーク、１８・・・・）Ｃ−１１９ａ、１９ｂ
　　・・アライメント・マーク、２０・・・線、３８・
・・・第１のマスク、４２．４３　・　アライメント・
フィールド、４４〜５４・・・・イメージ・フィールド
、５Ｂ・・・第２のマスク、５９．６０・・・・アライ
メント・フィールド、６１〜７１・・・イメージ・フィ
ールド。 出願人　　　　インターナジョブフレ・ビジネス・マシ
ーンズ・コーポレーン復代理人　　弁理士　　合　　　
１）　　　　　潔タン ＦＩＧ、４ ＦＩＧ、３ −１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　「−一１　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　「−− 」　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　―］］］１ ．１

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　イメージが設けられた複数のイメージ・フィ
    ールドとアライメント・マークか設けられ７ｊ　Ｑ数の
    アライメント・フィールドとが同様な位置に対応して設
    けられた複数枚のマスクから成ムこれらマスフケ順次用
    いて半導体基板−Ｌにイノ−２２重ね合せて集積回路を
    製造するマスク組の連続するマスク相互間を位置合せす
    る方法に於て、第１のマスクの各イメージ・フィールド
    内の所定位置ｒ任意の座標系で測定し、 得られた測定値ケ相加平均して第１のマスクの図心２求
    め、 この図心に対するアライメント・マークの相対的位置孕
    求め、 第１のマスクの次に用いられる第２のマスクの各イメー
    ジ・フィールド内の前記所定位置に対応する位置ケ任意
    の座標系で測定し、 得Ｉ−１ねた測定値葡相加平均して第２のマスク。の図
    心ゲ求め、 この第２のマスクの図心ｒ（対１−る第２のマスクのア
    ライメント　マークの相対的位僅孕求め、第２のマスフ
    ケ、第２のマスクのアライメント・マークか第１のマス
    クの図心に対して第２のマスクの図心に対しての相対的
    位置と等しい相対的位置にあるように第１のマスクに対
    して位置合せすることケ特徴とするマスク組の位置合せ
    方法。
  2. （２）　　イメージか設けられた複数のイメージ・フィ
    ールドとアライメン！・・マークが設けられた複ｉ父の
    アライメント・フィールドとか同様な位す、に対ししし
    て設けらえした複数枚のマスクから成り、これらマスフ
    ケ順次用いて半導体基板上（【イメージヶ重ね合せて集
    積回路ケ製造するマスク糾の連続する２つのマスクに於
    て、 第１のマスクのアライメント・マークか、７ライメント
    ・フィールドの中心も７　漁から直交する２方向へ等間
    隔に配ちれた複数のバー勿耳し、第１のマスクの次に用
    いられる第２のマスクのアライメント・マークが、アラ
    イメント・フィールドの中心位置から前記直交する２方
    向へ前記バーの間隔とは異なる間隔で周期的に配さ１Ｔ
    ｆ−線ケＭし、　− こねら第１のマスクのアライメント・マークと第２のマ
    スクのアライメント・マークとにより副尺忙構成するこ
    とを特徴とする集積回路製造用マスク組。
JP58051712A 1982-06-07 1983-03-29 集積回路製造用マスク組の位置合せ方法及びそのマスク組 Granted JPS58216422A (ja)

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