TWI401529B - 光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法 - Google Patents

Description

光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認 方法

本發明係關於一種光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法。

在現有的液晶顯示面板製程中，通常在單一母板1上會設計有複數個製程區塊以製作為顯示基板，如圖1所示。不過在製作此些顯示基板的流程中(尤其是曝光製程)，為避免在製作鄰近的待製程區塊11(尚未進行曝光製程者)時彼此干擾，甚至是破壞已製程完畢的已製程區塊12(已完成曝光製程者)，在習知的技術中，曝光裝置中通常會在光罩(圖未顯示)與母板1之間設置有至少一個遮蔽件，使母板1在對目標製程區塊11a進行曝光製程時，可藉由遮蔽件與母板1之間的相對位置，將目標製程區塊11a露出，並有效地遮蔽母板1上欲保護的製程區塊(包括其他待製程區塊11及已製程區塊12)。

舉例來說，請參照圖2A至圖2C所示，其依序為習知母板在曝光裝置中進行曝光時的遮蔽件與母板之間的相對位置示意圖。其中，根據圖2A至圖2C所示，曝光裝置設置有二相對應的遮蔽件22、24。首先，在圖2A中所示的結構表示置放母板1於曝光裝置中，其中母板1上具有複數個已製程區塊12、複數個待製程區塊11及一目標製程區塊11a，此時由於尚未對目標製程區塊11a進行曝光 製程，因此遮蔽件22、24仍未移動。接續，當欲對母板1上的目標製程區塊11a進行曝光製程時，則二遮蔽件22、24分別移動至目標製程區塊11a的邊界，如圖2B中所示，以遮蔽鄰近於待製程區塊11周圍的已製程區塊12與待製程區塊11，並在遮蔽件22、24到達定位後，對此一目標製程區塊11a進行曝光製程。最後，當此一目標製程區塊11a完成曝光製程後，則遮蔽件22、24分別退回至原位，如圖2C所示。

不過，在習知技術中，遮蔽件的移動定位多半是以粗略的機械定位方式以達成，舉例來說，可能是藉由曝光裝置中附加的定位機構以確認遮蔽件的移動位置(或距離)；更甚者，部分的習知技術中是以目測的方式來確認遮蔽件的移動位置(或距離)。此些方式在過去母板內製程區塊密度較低的時候，確實可滿足製程誤差的要求，但在降低成本、提高產能的前提下，母板必須具有較高的製程區塊密集度，也因此相對地使得製程誤差的範圍隨之縮小，故如此粗糙的遮蔽件位置確認方式已經無法符合製程誤差的要求。

因此，如何提供一種光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法，實屬重要課題之一。

本發明之目的為提供一種光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法，其藉由對位標尺的設計 並搭配曝光製程以確認遮蔽件的位置。

本發明之目的為提供一種光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法，其利用對位標尺的設計，以增加自動確認遮蔽件位置的精準度。

為達上述目的，本發明揭露一種光罩上的對位標尺，其具有一基準線且包含一量測部與一刻號部。量測部位於基準線的第一側，且由複數個第一量測單元與複數個第二量測單元所構成；其中，各第一量測單元與各第二量測單元相鄰設置，且第一量測單元的長度大於第二量測單元的長度。刻號部則位於基準線的第二側，且由一第一刻號單元與複數個第二刻號單元所構成；其中，第一刻號單元設置於第二刻號單元之間，且第一刻號單元的長度大於第二刻號單元的長度。

為達上述目的，本發明同時揭露一種應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法包含以下步驟：首先，提供一基板於一曝光裝置，其中，此基板具有複數個區塊且彼此相鄰，曝光裝置具有一第一遮蔽件與一第二遮蔽件且彼此相對設置；接續，提供一光罩於基板上方，此光罩具有一對位標尺，其具有一基準線且包含一量測部與一刻號部，其中，量測部位於基準線的第一側，且由複數個第一量測單元與複數個第二量測單元所構成，各第一量測單元與各第二量測單元相鄰設置，且第一量測單元的長度大於第二量測單元的長度；刻號部則位於基準線的第二側，且由一第一刻號單元與複數個第二刻號單元所構成，第一刻號單元 設置於第二刻號單元之間，且第一刻號單元的長度大於第二刻號單元的長度；接續，移動第一遮蔽件與第二遮蔽件並使分別與光罩之部分重疊；接續，對基板進行第一次曝光以形成一第一圖樣於基板，且第一圖樣包含一第一遮蔽件的邊界位置、一第一圖樣的基準線及一第一圖樣的第一刻號單元；接續，完成第一次曝光後退回第一遮蔽件與第二遮蔽件；接續，以形成於基板上的第一圖樣為基準，再次提供光罩於基板上方；接續，移動第一遮蔽件與第二遮蔽件並使分別與光罩之部分重疊；接續，對基板進行第二次曝光；完成第二次曝光後退回第一遮蔽件與第二遮蔽件；接續，顯影基板以獲得一圖樣；最後，根據顯影出的圖樣以判斷第一遮蔽件與第二遮蔽件的對準狀態。

承上所述，依據本發明所揭露的一種光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法，其可將光罩上的對位標尺利用重複曝光(同時搭配移動、旋轉光罩)，俾使對位標尺上的的量測部、刻號部與遮蔽件共同在基板上形成一圖樣，藉以供自動或人工確認遮蔽件的對準狀態。與習知技術相較，本發明提供的一種光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法，不但能夠符合高集密度基板的製程誤差要求，更因為最終圖樣相當地清晰且具體，因此可避免誤判而導致製程良率降低，並且能夠同時應用在自動化判斷與人為判斷的確認流程中。

以下將參照相關圖式，說明本發明較佳實施例之一種光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法。

請參照圖3所示，其為本發明揭露的光罩上的對位標尺的一實施例。此對位標尺3具有基準線32且包含量測部34與刻號部36，其中，量測部34位於基準線32的第一側，刻號部36則是位於基準線32的第二側，且在本實施例中基準線32的第一側與第二側位於相對應的位置。

量測部34由複數個第一量測單元341與複數個第二量測單元342所構成，而各第一量測單元341與各第二量測單元342相鄰設置，以本實施例為例，第一量測單元341與第二量測單元342相隔設置並且彼此相連接為一體之結構。值得一提的是，第一量測單元341的長度L1大於第二量測單元342的長度L2，且在本實施例中，第一量測單元341的長度L1與第二量測單元342的長度L2的計算方式是以對位標尺3的基準線32為基準來量測。

刻號部36與量測部34相對設置但彼此相連為一體之結構，而刻號部36由一個第一刻號單元361與複數個第二刻號單元362所構成，根據本實施例可知，第一刻號單元361與第二刻號單元362的外觀均呈現條狀且彼此不相連接，且就整體的刻號部36結構來說，第一刻號單元361設置於第二刻號單元362之間，以本實施例為例，第二刻號單元362是以第一刻號單元361為中心等距地設置。另外，相似於上述第一量測單元341與第二量測單元342的 長度量測方式，在本實施例中仍以對位標尺3的基準線32為基準，則第一刻號單元361的長度L3大於第二刻號單元362的長度L4，且在本實施例中，是以所有的第二刻號單元362的長度L4均相等為例說明，但不以此為限。

其中，第一刻號單元361的長度L3為第二刻號單元362的長度L4的至少兩倍，舉例來說，當第一刻號單元361的長度L3為140單位長度時，則第二刻號單元362的長度L4最多不能大於70單位長度，其中，單位長度可為微米(μm)，但不以此為限。

另外，對位標尺3更包含至少一位置標示符號381，以提供更簡明的位置資訊，而位置標示符號381可相對設置於第一刻號單元361及/或第二刻號單元362的中央延伸位置。舉例來說，在本實施例中所揭露的位置標示符號381包含有數字與符號(例如：小數點)，且位置標示符號381是以第一刻號單元361為中心朝向兩側的第二刻號單元352依序設置，其中，位置標示符號381中的符號則是對準於與其對應的第一刻號單元361、第二刻號單元362的中央延伸位置，此種設計的優點在於可使對位標尺3的判讀更為容易並藉以降低誤判的機率。

除此之外，對位標尺5更包含至少一層別標示符號382，其可設置於對位標尺3的第一側或第二側，層別標示符號382的主要作用在於提供現行製程的資訊，舉例來說，當進行第一道製程時，則使用層別標示符號382為A以確認遮蔽件在第一道製程時的對準狀態(如本實施例所 示)，當進行第二道製程時，則使用層別標示符號382為B以確認遮蔽件在第二道製程時的對準狀態。

以下，則提出一種遮蔽件位置確認方法，其中，用以確認遮蔽件位置的對位標尺則如上述圖3所示。

請同時參照圖4與圖5A至圖5K所示，其中，圖4為本發明所揭露的一種應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法的流程圖，而圖5A至圖5K則分別為圖4中各個步驟所對應的結構示意圖。

首先，請一併參照圖4與圖5A所示，步驟S01表示提供基板4於曝光裝置(圖未顯示)。其中，此基板4具有複數區塊41a、41b、41c且此些區塊41a、41b、41c彼此緊密相鄰，而在曝光裝置中則具有第一遮蔽件52與第二遮蔽件54，且第一遮蔽件52與第二遮蔽件54彼此相對設置，以本實施例為例，第一遮蔽件52與第二遮蔽件54在尚未進行曝光製程時，分別設置在曝光裝置的X軸方向的兩側。

另外，在曝光裝置的Y軸方向上，亦相對應地設置有二個遮蔽件(圖未顯示)，由於其作動與X軸上的第一遮蔽件52與第二遮蔽件54相似，故參照以下所述之方法即可得知Y軸方向上的遮蔽件的作動。

接著，如圖4與圖5B所示，在步驟S02中則是提供光罩6於基板4的上方，此光罩6的左、右兩側分別設置有對位標尺3a與對位標尺3b，且根據本實施例所示，此二對位標尺3a與3b具有180度之反轉的配置方式成對地 呈現在光罩6上，且以設置於光罩6之邊緣為較佳的態樣，而對於對位標尺3a或對位標尺3b而言，其結構均如圖3所示。不過，對位標尺3a與3b除了可以成對的方式設置於光罩6之外，當然也可依據不同製程的設計與需求，以改變對位標尺3a與3b在光罩6上的數量與位置不過，在一光罩6上必須至少設置一個如圖3所示之對位標尺3的結構。

相同地，光罩6之上、下邊緣亦可設置成對之對位標尺(圖未顯示)，更詳細地說，對位標尺係同時設置在光罩6之上、下邊緣，且設置在上邊緣之對位標尺與下邊緣之對位標尺具有180度之反轉關係。因此，在進行Y方向位移時，也可以利用以下之步驟來進行Y軸方向上的遮蔽件的位置確認。

再，根據圖4的步驟S03以移動第一遮蔽件52與第二遮蔽件54，使第一遮蔽件52與第二遮蔽件54位於基板4與光罩6之間，其對應的結構如圖5C所示。更詳細來說，此時局部的第一遮蔽件52與第二遮蔽件54分別與其上方的光罩6以及其下方的基板4在垂直投影方向上呈現部分重疊的狀態，也就是說，光罩6上的對位標尺3a與對位標尺3b在垂直投影方向分別被第二遮蔽件54與第一遮蔽件52局部地遮蔽。

接續，再執行圖4中的步驟S04，即對基板4進行第一次曝光並在區塊41a的兩側形成第一圖樣10a與第一圖樣10b，如圖5D所示的結構。其中，由於光罩6上的對位 標尺3a與對位標尺3b在垂直投影方向分別被第二遮蔽件54與第一遮蔽件52局部地遮蔽，因此經過第一曝光後，形成在基板4兩側的第一圖樣10a、10b分別為由光罩6上對位標尺3a、3b的局部結構與局部的第二遮蔽件54、局部的第一遮蔽件52所共同構成的圖案。更詳細來說，由於區塊41a為位在基板4最邊緣的區塊，因此形成於區塊41a邊緣的第一圖樣10a在受到第一遮蔽件52的遮蔽後，僅形成局部地曝光於基板4上，但對於鄰近於第一圖樣10a的區域來說，因為在形成有第一圖樣10a的一側已無緊鄰的區塊，因此第一圖樣10a雖為不完整的圖樣，在實際的應用上並不會造成影響。不過，在與區塊41b相鄰的區塊41a區域上形成的第一圖樣10b，則完整地包含有第一遮蔽件的邊界位置101、第一圖樣的基準線102及第一圖樣的第一刻號單元103。

又，如圖4與圖5E所示，步驟S05表示在完成基板4的第一次曝光後，將第一遮蔽件52與第二遮蔽件54退回。

接著，在進行步驟S06時，則是將光罩6自區塊41a沿X方向位移並對準於下一區塊41b。值得注意的是，在位移光罩6前必須確認對位標尺3b所提供之第一圖樣10b中的基準線102對準於位移後光罩6上對位標尺3a的基準線32，同時，對位標尺3b所提供之第一圖樣10b中的第一刻號單元103對準於位移後光罩6上對位標尺3a的第一刻號單元361。

再，於圖4的步驟S07中，則是移動第一遮蔽件52 與第二遮蔽件54，並使分別與光罩6之部分重疊，如圖5G所示。相似於步驟S03，此時局部的第一遮蔽件52與局部的第二遮蔽件54分別與其上方的光罩6以及其下方的基板4在垂直投影方向上呈現重疊的狀態，也就是說，沿著X方向位移後的光罩6上的對位標尺3a與3b在垂直投影方向分別被第二遮蔽件54與第一遮蔽件52局部地遮蔽。

接續，根據圖4的步驟S08可知，其利用形成於光罩6上成對設置的對位標尺3a與3b以對基板4進行曝光以於基板4上形成圖樣20b與第一圖樣10c，更詳細地說，由於對位標尺3a與3b係分別設置在光罩6之左、右邊緣，且設置在左邊緣之對位標尺3a與右邊緣之對位標尺3b具有180度之反轉關係，因此，對基板4進行第二次曝光後以形成如圖5H所示的結構。其中，由於此時在基板4上形成的圖樣20b尚未經過顯影製程。值得一提的是，基板4在經過兩次曝光後所獲得的圖樣20b僅必須包含有彼此對稱(本實施例為上、下對稱)並重疊的對位標尺3的結構。

而在圖4的步驟S09中則表示基板4完成第二次曝光後，退回第一遮蔽件52與第二遮蔽件54，且此時的基板4上已具有尚未顯影的圖樣20b，如圖5I所示。

再，根據圖4的步驟S10以顯影基板4並獲得如圖5J所示的一圖樣20b’。其中，對於在第二次曝光後所形成的圖樣20b’而言，其是由形成在基板4上第一圖樣10b(即 為被第一遮蔽件52局部遮蔽的對位標尺3b)、光罩6上的局部對位標尺3a與局部的第二遮蔽件54重疊曝光後所共同構成的圖樣。是以，圖樣20b’同時包含有第一圖樣10b中的第一遮蔽件的邊界位置101與經過第二次曝光後所形成的第二遮蔽件的邊界位置201。更詳細來說，以圖樣20b’為例說明，因為進行第二次曝光時光罩6上的對位標尺3a相對應於第一圖樣10b而言，為彼此上、下倒置的態樣，換言之，進行第二次曝光時，光罩6上的對位標尺3a的第一側(也就是對位標尺3a中量測部34所在的該側)將重疊曝光於第一圖樣10b的第二側(也就是第一圖樣10b中刻號部36所在的該側)，而光罩6上的對位標以3a的第二側(也就是對位標尺3a中刻號部36所在的該側)則是重疊曝光於第一圖樣10b的第一側(也就是第一圖樣10b中量測部34所在的該側)。

最後，在圖4的步驟S11中則是根據圖5K所示的圖樣20b’以判斷第一遮蔽件52與第二遮蔽件54的對準狀態，其中，判斷的方式可藉由自動判斷或人為判斷以實現，且如圖5K所示，判斷的路徑為圖中粗體虛線所示，而就判斷的依據而言，則是根據圖樣20b’中的第一遮蔽件的邊界位置101與第二遮蔽件的邊界位置201以判斷第一遮蔽件52與第二遮蔽件54的對準狀態。

以本實施例為例，當判斷的方式為自動判斷時，則仍請參照圖5K所示，其中，自動化檢測裝置的檢測路徑如圖5K中粗體虛線所示，因此，在判斷第一遮蔽件52的對 準狀態時，是以第一圖樣的第一刻號單元103為起點朝向第一遮蔽件的邊界位置101來進行判斷，以確認第一遮蔽件52移動後的位置，相同地，對於第二遮蔽件54的對準狀態的判斷方式而言，亦是以第一圖樣的第一刻號單元103為起點朝向第二遮蔽件的邊界位置201來進行判斷。而當自動化檢測裝置在判斷第一遮蔽件52的對準狀態時，是藉由判斷形成在基板4上的圖樣20b’中第一遮蔽件的邊界位置101與其相鄰區域之間的灰階變化情形以實現，同理，當自動化檢測裝置在判斷第二遮蔽件54的對準狀態時，是藉由判斷形成在基板4上的圖樣20b’中第二遮蔽件的邊界位置201與其相鄰區域之間的灰階變化情形以實現，換言之，一旦自動化檢測裝置判斷出圖樣20b’中有某一區域的灰階與鄰近區域的灰階有顯著的差異時，則判定灰階變化的交界即為第一遮蔽件52(或第二遮蔽件54)的邊界位置101、201。

值得一提的是，當基板4進行第二次曝光並顯影後(如圖4的步驟S06至步驟S10)，由於光罩6的位移是以第一圖樣的第一圖樣的基準線102為基準，俾使位移後的光罩6上的對位標尺3a與已形成於基板4上的第一圖樣10b呈現上、下倒置的態樣，換言之，旋轉後的光罩6上的對位標尺3a中的量測部34將遮蔽於第一圖樣10b的刻號部36，同時旋轉後的光罩6上的對位標尺3a中的刻號部36則將遮蔽於第一圖樣10b的量測部34，基於此，對於如圖3所示的對位標尺3的設計來說，對位標尺3中的第二量 測單元342的長度L2將不會小於第一刻號單元361的長度L3，以避免重疊曝光後第一刻號單元361將突出於第二量測單元342而影響判斷的結果。

另外，形成最終可用以判斷遮蔽件是否對準的圖樣的方法，除了可藉由移動光罩的方式來達成外，更可藉由各種不同的方式以實現。舉例來說，可先利用光罩以在基板上形成一第一圖樣，再以一定角度(例如：180度)來旋轉光罩，並利用光罩上的對位標尺以對基板進行第二次的曝光，其中，值得注意的是，旋轉光罩時必須是以基板上的第一圖樣為基準，換言之，在旋轉光罩前必須確認第一圖樣中第一圖樣的基準線對準於旋轉後光罩上對位標尺的基準線，同時，第一圖樣中第一圖樣的第一刻號單元對準於旋轉後光罩上對位標尺的第一刻號單元，爾後，再對光罩進行180度的旋轉，俾使最終形成的圖樣可包含有彼此對稱(上、下對稱或左、右對稱)並重疊的對位標尺的結構。

是以，根據上述可知，在基板的單一區塊(例如：上述實施例中的區塊41a或41b或41c)中，沿著一方向軸上(例如：X方向軸、Y方向軸)通常形成有成對的圖樣，以用來確認該方向軸上的遮蔽件(例如：上述實施例中X方向軸上的第一遮蔽件52與第二遮蔽件54)的對準狀態。

而為了降低目視檢測或是自動化檢測的誤判率，第二量測單元342的長度L2與第二刻號單元362的長度L4的差值必須大於等於一限制值，舉例來說，當自動化檢測裝 置可判讀的最小規格為20微米時，則上述的限制值則設定為20微米，當然，此一限制值除了可根據自動化檢測裝置的規格限制而訂定外，亦可根據目視檢測所能辨識的最小長度以訂定。

綜上所述，本發明所揭露的一種光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法，其可將光罩上的對位標尺利用兩次不同方向的曝光(藉由旋轉光罩並曝光兩次以實現)，俾使對位標尺上的的量測部、刻號部與遮蔽件共同在基板上形成一圖樣，藉以供自動或人工確認遮蔽件的對準狀態。因此，與習知技術相較，本發明不但能夠符合高集密度基板的製程誤差要求，更因為最終圖樣相當地清晰且具體，因此可避免誤判而導致製程良率降低，並且能夠同時應用在自動化判斷與人為判斷的確認流程中。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

1‧‧‧母板

11‧‧‧待製程區塊

11a‧‧‧目標製程區塊

12‧‧‧已製程區塊

22、24‧‧‧遮蔽件

3、3a、3b‧‧‧對位標尺

32‧‧‧基準線

34‧‧‧量測部

341‧‧‧第一量測單元

342‧‧‧第二量測單元

36‧‧‧刻號部

361‧‧‧第一刻號單元

362‧‧‧第二刻號單元

381‧‧‧位置標示符號

382‧‧‧層別標示符號

4‧‧‧基板

41a、41b、41c‧‧‧區塊

52‧‧‧第一遮蔽件

54‧‧‧第二遮蔽件

6‧‧‧光罩

10a、10b、10c‧‧‧第一圖樣

101‧‧‧第一遮蔽件的邊界位置

102‧‧‧第一圖樣的基準線

103‧‧‧第一圖樣的第一刻號單

20b‧‧‧未顯影圖樣

20b’‧‧‧已顯影圖樣

201‧‧‧第二遮蔽件的邊界位置

L1‧‧‧第一量測單元的長度

L2‧‧‧第二量測單元的長度

L3‧‧‧第一刻號單元的長度

L4‧‧‧第二刻號單元的長度

X‧‧‧方向軸

Y‧‧‧方向軸

圖1為習知用以製作液晶顯示面板的母板結構示意圖；圖2A至圖2C依序為習知母板在曝光裝置中進行曝光時的遮蔽件與母板之間的相對位置示意圖；圖3為本發明揭露的光罩上的對位標尺的一實施例；圖4為本發明所揭露的一種應用對位標尺的遮蔽件位 置確認方法的流程圖；以及圖5A至圖5K分別為圖4中各個步驟所對應的結構示意圖。

3‧‧‧對位標尺

32‧‧‧基準線

34‧‧‧量測部

341‧‧‧第一量測單元

342‧‧‧第二量測單元

36‧‧‧刻號部

361‧‧‧第一刻號單元

362‧‧‧第二刻號單元

381‧‧‧位置標示符號

382‧‧‧層別標示符號

L1‧‧‧第一量測單元的長度

L2‧‧‧第二量測單元的長度

L3‧‧‧第一刻號單元的長度

L4‧‧‧第二刻號單元的長度

Claims (11)

1. 一種光罩上的對位標尺，具有一基準線，該對位標尺包含：一量測部，位於該基準線的第一側，該量測部由複數第一量測單元與複數第二量測單元構成，各第一量測單元與各第二量測單元相鄰設置且該第一量測單元的長度大於該第二量測單元的長度；以及一刻號部，位於該基準線的第二側，該刻號部由一第一刻號單元與複數第二刻號單元構成，該第一刻號單元設置於該些第二刻號單元之間，且該第一刻號單元的長度大於該些第二刻號單元的長度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之對位標尺，其更包含：至少一位置標示符號，位於該第二側且鄰設於該刻號部。
3. 如申請專利範圍第2項所述之對位標尺，其中該位置標示符號對應設置於該第一刻號單元或該第二刻號單元的中央延伸的位置。
4. 如申請專利範圍第1項所述之對位標尺，其更包含：至少一層別標示符號，位於該第一側或該第二側。
5. 如申請專利範圍第1項所述之對位標尺，其中該第二量測單元的長度不小於該第一刻號單元的長度。
6. 如申請專利範圍第1項所述之對位標尺，其中該第二量測單元的長度與該第二刻號單元的長度的差值大於等於20微米。
7. 一種利用如申請專利範圍第1項所述之光罩上的對位標尺的遮蔽件位置確認方法，包含以下步驟：提供一基板於一曝光裝置，該基板具有複數區塊且彼此相鄰，該曝光裝置具有一第一遮蔽件與一第二遮蔽件且彼此相對設置；提供一光罩於該基板上方，該光罩具有如申請專利範圍第1項所述之光罩上的對位標尺；移動該第一遮蔽件與該第二遮蔽件並使分別與該光罩之部分重疊；對該基板進行第一次曝光以形成一第一圖樣於該基板，且該第一圖樣包含一第一遮蔽件的邊界位置、一第一圖樣的基準線及一第一圖樣的第一刻號單元；完成第一次曝光後退回該第一遮蔽件與該第二遮蔽件；以形成於該基板上的該第一圖樣為基準，再次提供該光罩於該基板上方；移動該第一遮蔽件與該第二遮蔽件並使分別與該光罩之部分重疊；對該基板進行第二次曝光；完成第二次曝光後退回該第一遮蔽件與該第二遮蔽件；顯影該基板以獲得一圖樣；以及根據該圖樣以判斷該第一遮蔽件與該第二遮蔽件的對 準狀態。
8. 如申請專利範圍第7項所述之遮蔽件位置確認方法，其中再次提供該光罩於該基板上方的步驟中，是以該第一圖樣為基準移動或轉動該光罩。
9. 如申請專利範圍第7項所述之遮蔽件位置確認方法，其中該圖樣包含該第一圖樣中的該第一遮蔽件的邊界位置與一第二遮蔽件的邊界位置。
10. 如申請專利範圍第7項所述之遮蔽件位置確認方法，其中判斷該第一遮蔽件的對準狀態是藉由判斷該第一遮蔽件的邊界位置與其相鄰區域之間的灰階變化以實現，而判斷該第二遮蔽件的對準狀態是藉由判斷該第二遮蔽件的邊界位置與其相鄰區域之間的灰階變化以實現。
11. 如申請專利範圍第7項所述之遮蔽件位置確認方法，其中判斷該第一遮蔽件的對準狀態的方法是以該第一圖樣的第一刻號單元為起點朝向該第一遮蔽件的邊界位置來進行判斷，以確認該第一遮蔽件移動後的位置，而判斷該第二遮蔽件的對準狀態的方法是以該第一圖樣的第一刻號單元為起點朝向該第二遮蔽件的邊界位置來進行判斷，以確認該第二遮蔽件移動後的位置。