JPS58211317A - 磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPS58211317A JPS58211317A JP58084287A JP8428783A JPS58211317A JP S58211317 A JPS58211317 A JP S58211317A JP 58084287 A JP58084287 A JP 58084287A JP 8428783 A JP8428783 A JP 8428783A JP S58211317 A JPS58211317 A JP S58211317A
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- Japan
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- layer
- magnetic
- core
- sputtering
- magnetic head
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/235—Selection of material for gap filler
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
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- Y10T29/49039—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing with dual gap materials
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- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49055—Fabricating head structure or component thereof with bond/laminating preformed parts, at least two magnetic
- Y10T29/49057—Using glass bonding material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
成する区域における非磁性接着材料層とを有し、このコ
ア部品と非磁性材料層との間懇初裾に拡散障壁を設けた
磁気ヘッドに関Cるものである。ざらにそのような磁気
ヘッドを製造する方法に関するものである。
ア部品と非磁性材料層との間懇初裾に拡散障壁を設けた
磁気ヘッドに関Cるものである。ざらにそのような磁気
ヘッドを製造する方法に関するものである。
磁気ヘッドは、磁気情報を記録し、再生及び/又は消去
するのに役立つ。磁気ヘッドは、例えば、オーディオ情
報又はビデオ情報全記録及び/又は再生ずるためのテー
プレコーダーに用いられる。
するのに役立つ。磁気ヘッドは、例えば、オーディオ情
報又はビデオ情報全記録及び/又は再生ずるためのテー
プレコーダーに用いられる。
特に磁気ヘッドがビデオ情報を記録及び/又は再生ずる
ためのテープレコーダー(いわゆるビデオレコーダー)
に用いられる場合には、その磁気ヘッドを(単結晶)フ
ェライトから製造するのが曹血である。
ためのテープレコーダー(いわゆるビデオレコーダー)
に用いられる場合には、その磁気ヘッドを(単結晶)フ
ェライトから製造するのが曹血である。
ビデオレコーダー用磁気ヘッドの隙間は、低融点ガラス
のスパッターしたフィルムによって2個の( Jl’+
結晶)フェライトの部品を互いに接合すること(こよっ
て形成される。約700°Cにおける接着中にガラスが
フェライトを腐食しないようにするため、ガラスを透過
させず拡散障壁すなわちディフュージョンバリアとしは
しは称せられる層でフェライトを先ず被諏「る。英国特
d′r第1,317,634号明細書は、拡¥Ii障明
用材料として、非磁性金属、金属酸化物、硼化物、窒化
物、酸什珪素、及び室温で非磁性すなわち磁化しないフ
ェライトを(ノー案するけれども、スパッターしたS1
0□層がこれまでは実際に拡散障壁として用いられてき
た。ガラスがその接着工程の加熱相においてだんだん粘
稠でなくなる。ガラスが十分に高いτ黒度で加熱される
と、接着剤として働く。しかしながら、リ,えられたあ
る一定温度を越えるとSiO2層はこのガラスに溶解す
る。この結果、このガラスは一層粘四になるため接璃削
としてのガラスの価値が減少する。ヘッドの製造に際し
、良好な接着を得るには700+5°Cまでに加熱する
のを急速に(約10分間に)行なわなければならない。
のスパッターしたフィルムによって2個の( Jl’+
結晶)フェライトの部品を互いに接合すること(こよっ
て形成される。約700°Cにおける接着中にガラスが
フェライトを腐食しないようにするため、ガラスを透過
させず拡散障壁すなわちディフュージョンバリアとしは
しは称せられる層でフェライトを先ず被諏「る。英国特
d′r第1,317,634号明細書は、拡¥Ii障明
用材料として、非磁性金属、金属酸化物、硼化物、窒化
物、酸什珪素、及び室温で非磁性すなわち磁化しないフ
ェライトを(ノー案するけれども、スパッターしたS1
0□層がこれまでは実際に拡散障壁として用いられてき
た。ガラスがその接着工程の加熱相においてだんだん粘
稠でなくなる。ガラスが十分に高いτ黒度で加熱される
と、接着剤として働く。しかしながら、リ,えられたあ
る一定温度を越えるとSiO2層はこのガラスに溶解す
る。この結果、このガラスは一層粘四になるため接璃削
としてのガラスの価値が減少する。ヘッドの製造に際し
、良好な接着を得るには700+5°Cまでに加熱する
のを急速に(約10分間に)行なわなければならない。
15°Cのこの狭い公差を維持するのが内盤なことが見
出された。
出された。
それ故この探求は、より自由な温度調節を許(拡散障壁
を求めるものである。1. 0.技術からある一定の環
境でガラスを透過しないことが知られている特に窒化珪
素が、好適であろうと期待された。窒化珪素障壁(すな
わちバリア)とガラスで接着したフェライトヘッドは、
ドイツ特許公開第2、341,649号公報に提案され
ている。
を求めるものである。1. 0.技術からある一定の環
境でガラスを透過しないことが知られている特に窒化珪
素が、好適であろうと期待された。窒化珪素障壁(すな
わちバリア)とガラスで接着したフェライトヘッドは、
ドイツ特許公開第2、341,649号公報に提案され
ている。
しかしながら、基板としてフェライトをイfするSi8
N4の薄層が、接着工程の温度サイクルが終った後、損
傷されることが見出された。ガラスが、形成されたSi
.N,の薄層の割れ目を通して侵入し、81 aN 4
の下方を流れてフェライトを腐食する。
N4の薄層が、接着工程の温度サイクルが終った後、損
傷されることが見出された。ガラスが、形成されたSi
.N,の薄層の割れ目を通して侵入し、81 aN 4
の下方を流れてフェライトを腐食する。
818N,層に対するこの損傷は多分、Si8N,−フ
エライト界面つまり共通領域における高い弾性応力の結
果である。この応力は大部分、8土,N,の比較的低い
弾性に起因する。
エライト界面つまり共通領域における高い弾性応力の結
果である。この応力は大部分、8土,N,の比較的低い
弾性に起因する。
本発明の目的は、接着工程中の比較的自由な温度調節を
、接着工程中に生ずる温度不感性(つまり温度に影響を
受けないこと)と関連させた間1flNを形成する区域
における拡散障壁を有する冒頭の段落に記載した種類・
/)磁気ヘッドを提供することである。
、接着工程中に生ずる温度不感性(つまり温度に影響を
受けないこと)と関連させた間1flNを形成する区域
における拡散障壁を有する冒頭の段落に記載した種類・
/)磁気ヘッドを提供することである。
この目的のため本発明による磁気ヘッドは、各拡1枚障
壁を、非磁性接着層に防接する窒化珪素層と、さら(こ
酸化珪素層とから構成することを特徴とする。
壁を、非磁性接着層に防接する窒化珪素層と、さら(こ
酸化珪素層とから構成することを特徴とする。
間隙を形成する区域において一系統のSin2−Si3
N,−ガラス−Si8N4− Si02層を有するフェ
ライトヘッドにおいては、700°Cまで加熱し室温ま
で冷却した後もこの系統の層が全く損傷を受けないま\
であり、その結果一方ではこのガラスがフェライトと反
1iiLlする能力がなく能力ではこのSin2がこの
ガラスに溶解する能力がないことが見出された。従って
、前記系統の層は課せられた要求を満足させる。
N,−ガラス−Si8N4− Si02層を有するフェ
ライトヘッドにおいては、700°Cまで加熱し室温ま
で冷却した後もこの系統の層が全く損傷を受けないま\
であり、その結果一方ではこのガラスがフェライトと反
1iiLlする能力がなく能力ではこのSin2がこの
ガラスに溶解する能力がないことが見出された。従って
、前記系統の層は課せられた要求を満足させる。
酸化珪素−窒化珪素二重層の拡tI!!.障壁として良
好に作ノ11するため、j川原を形成する区域において
、コアjfls品を接着する際の温度制御が臨界的でな
い一方、それにも拘らず非磁性の間隙区域の正確に画成
された部分つまり割り1111が得られる。ずべてこれ
は、本発明によって著しく改良されたガラスで接着した
フェライトヘッドの製造の効率をもたらす。
好に作ノ11するため、j川原を形成する区域において
、コアjfls品を接着する際の温度制御が臨界的でな
い一方、それにも拘らず非磁性の間隙区域の正確に画成
された部分つまり割り1111が得られる。ずべてこれ
は、本発明によって著しく改良されたガラスで接着した
フェライトヘッドの製造の効率をもたらす。
本発明は父、上述の構造を有する磁気ヘッドを製造する
方法に関するものである。この方法は次の工程から成る
。rなわち、磁性材料の第1コア部品と第2コア部品と
を形成すること蓼前記のコア部品の各々の面が間隙を形
成する而として役立つように機械加工すること+間隙を
形成するl¥riの各々に接して抗拡散材料19すすな
わち拡散障壁材料層を設けること事抗拡散材料層の少な
くとも1個に接して接着材料層を設けること!設けられ
たこれらの接養材料層を間にして21固のコア部品を互
いに対向させて配置すること;さらに熱処理によって永
久的接合を形成すること;から代るものである。しかし
て、本発明方法は、抗拡散材料層が、所望のj9さを有
する5102層を、第1ターゲツトから、スパッタリン
グすることによって、次いで所望0厚さを有するS”2
8N4層を7バ7′リグすることによって設けられるこ
とを特徴とする。
方法に関するものである。この方法は次の工程から成る
。rなわち、磁性材料の第1コア部品と第2コア部品と
を形成すること蓼前記のコア部品の各々の面が間隙を形
成する而として役立つように機械加工すること+間隙を
形成するl¥riの各々に接して抗拡散材料19すすな
わち拡散障壁材料層を設けること事抗拡散材料層の少な
くとも1個に接して接着材料層を設けること!設けられ
たこれらの接養材料層を間にして21固のコア部品を互
いに対向させて配置すること;さらに熱処理によって永
久的接合を形成すること;から代るものである。しかし
て、本発明方法は、抗拡散材料層が、所望のj9さを有
する5102層を、第1ターゲツトから、スパッタリン
グすることによって、次いで所望0厚さを有するS”2
8N4層を7バ7′リグすることによって設けられるこ
とを特徴とする。
5i8N、層は、5i8N、ターゲットからスパンター
されるか、又はさらに容易には、窒素を含む気体雰囲気
で珪素ターゲットからスパンターされる。この後nの場
合には珪素ターゲットを5i(J2層をスパッターする
のにも文相いることができる。この目的のためには、酸
素を含む雰囲気でスパッタリングを実1商ずべきである
。所望の厚さを有する5io2層を設けた俵、雰囲気中
の酸素を窒素によって、スパッタリング中に徐々に置換
することによって、酸化珪素層を徐々に窒化珪素層に変
化させることかできる。
されるか、又はさらに容易には、窒素を含む気体雰囲気
で珪素ターゲットからスパンターされる。この後nの場
合には珪素ターゲットを5i(J2層をスパッターする
のにも文相いることができる。この目的のためには、酸
素を含む雰囲気でスパッタリングを実1商ずべきである
。所望の厚さを有する5io2層を設けた俵、雰囲気中
の酸素を窒素によって、スパッタリング中に徐々に置換
することによって、酸化珪素層を徐々に窒化珪素層に変
化させることかできる。
本発明の実施例をさらにd)を細に図面について説明す
る。
る。
第1図は昌発祠料ブロックを、第2図は機械加工したコ
ア部品を示し、第8a図及び第3b図は拡散障壁を形成
するためのもので、2個のコア部品上に設けられた層を
示す。第4a図及び第4b図は防府層を設けた後の@3
a図及び第3b図の〕γ部品を示す。第5図は圧力下で
互いに接着させた2個のコア部品の組立を示し、第6に
はテープ接触面を設けた後の第5図の組qを示し、第7
a図及び第7b図は最終の磁気ヘッドを示す。
ア部品を示し、第8a図及び第3b図は拡散障壁を形成
するためのもので、2個のコア部品上に設けられた層を
示す。第4a図及び第4b図は防府層を設けた後の@3
a図及び第3b図の〕γ部品を示す。第5図は圧力下で
互いに接着させた2個のコア部品の組立を示し、第6に
はテープ接触面を設けた後の第5図の組qを示し、第7
a図及び第7b図は最終の磁気ヘッドを示す。
多結晶(焼結された)又は、特に単結晶7丁ライト(第
1図)から作られた飼料ブロック1()は、通′窮の技
術によって第2図に示す形状を与えられる。第2図に示
すように、2個の溝14及Oζ16がこのブロックIO
に設けられ、表面18,20及び22がギャンプ境界面
として役立つようにみがかれる。
1図)から作られた飼料ブロック1()は、通′窮の技
術によって第2図に示す形状を与えられる。第2図に示
すように、2個の溝14及Oζ16がこのブロックIO
に設けられ、表面18,20及び22がギャンプ境界面
として役立つようにみがかれる。
既知の堆積法を用いること(こよって、第1層24 カ
コ7 r%晶10及び10′(第3a図、第3b図)の
表面18 、2 (1、22の上に、設けられる。これ
らの第1層24(ま、フェライト、この場合には酸化珪
素と全く反応しないか、又は精々極く僅かしか反1ij
i シない非(み性材料から性成される。これは、スパ
ッタリング法によって容易に設けることができ、それを
設けた「麦のその可成り高い弾性にもとづき、フェライ
トとの接触領域において比帽的低い弾性応力を示す。
コ7 r%晶10及び10′(第3a図、第3b図)の
表面18 、2 (1、22の上に、設けられる。これ
らの第1層24(ま、フェライト、この場合には酸化珪
素と全く反応しないか、又は精々極く僅かしか反1ij
i シない非(み性材料から性成される。これは、スパ
ッタリング法によって容易に設けることができ、それを
設けた「麦のその可成り高い弾性にもとづき、フェライ
トとの接触領域において比帽的低い弾性応力を示す。
5in2の薄層を設けるこれに代わる方法は、いわゆる
化学反応による蒸漕の方法である。この方法においては
、5iE−12と02との混合物が、約4・00 °C
の温度に保たれ、中にポールピースすなわち(勇片が存
在する炉に入れられる。
化学反応による蒸漕の方法である。この方法においては
、5iE−12と02との混合物が、約4・00 °C
の温度に保たれ、中にポールピースすなわち(勇片が存
在する炉に入れられる。
SiO2の均質層がコア部品上に形成されることが見出
された。
された。
第2層26を第17韓24・ヒに設ける。この第2層2
6は5i3N、から成る。これらの層24及び26に対
しては100人と10 +10人と90間の厚さが考え
られ、200人は特徴ある厚さである。
6は5i3N、から成る。これらの層24及び26に対
しては100人と10 +10人と90間の厚さが考え
られ、200人は特徴ある厚さである。
5io2層の81 s N 4層への化学組成の保々の
変化を達成するためにc−t、5102−ターゲットか
らの代わりに81−ターゲット(酸素中の)から5io
2をスパッタし、次いでスパッタリング中の雰I’ll
気を窒素によって徐々に置換え、その結果最後のスパッ
ターされた材料が5i8N、になる。
変化を達成するためにc−t、5102−ターゲットか
らの代わりに81−ターゲット(酸素中の)から5io
2をスパッタし、次いでスパッタリング中の雰I’ll
気を窒素によって徐々に置換え、その結果最後のスパッ
ターされた材料が5i8N、になる。
第17曽24といっしょに拡散1・・、テ壁(第4a図
、第4b図)を形成する第2層26上に接着層(第3層
)28が設けられる。これらの第3層(接渣層)28は
ガラスから成り、このガラスは12−2010のA1□
08.40=48JJtbJ:%のB20.及びさらに
1棟又は2種以上の酸化物BaO、OaO又はSrOの
分は前を含む。好適のガラスは、例えば、15モル%の
A1□08.60モル%のB2O3役び25モル%のB
aO又はSrOを含む。スパッタリングによってこのガ
ラスに一定のままである組成を設けることができ第1層
第2層24.26と同じスノぐツタリング装置にガラス
ターゲットからこのガラスを設けることができる。
、第4b図)を形成する第2層26上に接着層(第3層
)28が設けられる。これらの第3層(接渣層)28は
ガラスから成り、このガラスは12−2010のA1□
08.40=48JJtbJ:%のB20.及びさらに
1棟又は2種以上の酸化物BaO、OaO又はSrOの
分は前を含む。好適のガラスは、例えば、15モル%の
A1□08.60モル%のB2O3役び25モル%のB
aO又はSrOを含む。スパッタリングによってこのガ
ラスに一定のままである組成を設けることができ第1層
第2層24.26と同じスノぐツタリング装置にガラス
ターゲットからこのガラスを設けることができる。
これらの層24.26及び28のI’Hさの統計が、こ
の磁気ヘッドの最終的の間隙の長さを決定する。
の磁気ヘッドの最終的の間隙の長さを決定する。
次いでコア部品10 、1 (1’をこれらのガラス層
を用いて互いに位置づけしく第5図)、このガラス層を
軟化させるのに十分な高温(例えば、約650°C)に
おいて炉で加熱し、コア部品10.10’を20〜7
Q kg / cm2の圧力で互いに押圧する。冷却後
、コア部品10 、10’は堅く互いに連結され1次い
でさらに処理加工されて噺家形状の磁気ヘッドが得られ
る。例えば、間I餡の高さhを同時に調節し−て、テー
プ接触面29を有する第6図に示す構造が形成されるよ
うにこの組立を処理別」二する。
を用いて互いに位置づけしく第5図)、このガラス層を
軟化させるのに十分な高温(例えば、約650°C)に
おいて炉で加熱し、コア部品10.10’を20〜7
Q kg / cm2の圧力で互いに押圧する。冷却後
、コア部品10 、10’は堅く互いに連結され1次い
でさらに処理加工されて噺家形状の磁気ヘッドが得られ
る。例えば、間I餡の高さhを同時に調節し−て、テー
プ接触面29を有する第6図に示す構造が形成されるよ
うにこの組立を処理別」二する。
第7a図に示すように、この構造を再び個々の磁気コア
()3片30に分割してこれらに電気巻線31を設けた
後、磁気ヘッド32を形成する。
()3片30に分割してこれらに電気巻線31を設けた
後、磁気ヘッド32を形成する。
第7b図は、第7a図の磁気ヘッド32の間隙−を形成
する区域を拡大して、(フェライト)コア部品1 f+
と10’との間の間隙を形成する区域の得られる層構造
を示す。酸化珪素の層24と窒化珪素の層26とが、各
コア部品10 、10”の上に設けられる。この組立を
ガラス層28を経ていっしょに接合する。
する区域を拡大して、(フェライト)コア部品1 f+
と10’との間の間隙を形成する区域の得られる層構造
を示す。酸化珪素の層24と窒化珪素の層26とが、各
コア部品10 、10”の上に設けられる。この組立を
ガラス層28を経ていっしょに接合する。
以上要するに本発明においては、磁気ヘッド(32)は
、フェライトの磁気コア(30)と、この磁気コア(3
0)の間隙を形1茂する区域におけるガラスからIJ(
る接着材料層(28)とを有する。一方においてフェラ
イトが接着工程中にガラスによって腐食されず、かつ)
[11方において接着工程中の温度11+1節が余り臨
界的でないことを保証するため、接着材r1層(28)
と、コア1■り品(■0)及び(l O’)との間にそ
れぞれ二重の拡助障壁層を設け、これらの障壁を、接着
j〜=;、(28)の側面の窒化珪素層(26)と、コ
ア>gs品(10)及び(10’)の側面の酸化珪累層
(24)と(こよってそれぞれ形成する。
、フェライトの磁気コア(30)と、この磁気コア(3
0)の間隙を形1茂する区域におけるガラスからIJ(
る接着材料層(28)とを有する。一方においてフェラ
イトが接着工程中にガラスによって腐食されず、かつ)
[11方において接着工程中の温度11+1節が余り臨
界的でないことを保証するため、接着材r1層(28)
と、コア1■り品(■0)及び(l O’)との間にそ
れぞれ二重の拡助障壁層を設け、これらの障壁を、接着
j〜=;、(28)の側面の窒化珪素層(26)と、コ
ア>gs品(10)及び(10’)の側面の酸化珪累層
(24)と(こよってそれぞれ形成する。
第1図は出発材料のブロックを示し、第2図は機械加工
したコア部品を示し、 第3a図及び第8b図は、拡散障壁を形成するためのも
ので2個のコア部品−ヒに設けられた層を示し、 第4a図及び第4b図は、接着層を設けた後の第3a図
及び第3b図のコア部品を・1クシ、第5図は圧力の下
で生いに接着された2個のコア部品の組立を示し、 第6図はチー7接触面を設けた後の第5図の組立を示し
、さらに 第7aIA及び第7b図は最終の磁気へノドを示す。 10 、 ’10’・・・IA判ジブロックコア部品)
14.16・・・構 18.20.22・・・表
面24・・・第11曽 26・・・、′A2第2
層・・・接着層(第3in) 29・・テープ唆触面 30・・・個々の磁気フγ切
L31・・・′電気巻線 82・・・磁気ヘッド
。 θコ 第1頁の続き 0発 明 者 へエイスベルタス・デ・ライスオランダ
国5621ベーアー・アイ ンドーフエン・フルーネヴアウ ツウエツハ1
したコア部品を示し、 第3a図及び第8b図は、拡散障壁を形成するためのも
ので2個のコア部品−ヒに設けられた層を示し、 第4a図及び第4b図は、接着層を設けた後の第3a図
及び第3b図のコア部品を・1クシ、第5図は圧力の下
で生いに接着された2個のコア部品の組立を示し、 第6図はチー7接触面を設けた後の第5図の組立を示し
、さらに 第7aIA及び第7b図は最終の磁気へノドを示す。 10 、 ’10’・・・IA判ジブロックコア部品)
14.16・・・構 18.20.22・・・表
面24・・・第11曽 26・・・、′A2第2
層・・・接着層(第3in) 29・・テープ唆触面 30・・・個々の磁気フγ切
L31・・・′電気巻線 82・・・磁気ヘッド
。 θコ 第1頁の続き 0発 明 者 へエイスベルタス・デ・ライスオランダ
国5621ベーアー・アイ ンドーフエン・フルーネヴアウ ツウエツハ1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t 磁気コアと、この磁気コアの間隙を形成するIK域
における非磁性接着材料層とを有し、このコア部品と非
磁性材料層との間に拡散障壁を設けた磁気ヘッドにおい
て、 各拡散障壁を、非磁性接着層に隣接する窒化(圭素層と
、酸化珪素層とから構成することを特徴とする磁気ヘッ
ド。 ス 各拡@障囃が、酸化珪素、臀を窒化珪素層(こ徐々
に変える構造を有することを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の磁気ヘッド。 氏 磁性材料の第1コア部品及び第2コア部品を形成す
る工程と、該コア部品の各々の而が間隙を形成する而と
して役立つように機械加工する工程と、間隙を形成する
而の各々の上に接して抗拡散材料層を設ける工程と、該
抗拡散材料層の少なくとも1閘の上に接して接着材料層
を設ける工程と、設けられたこれらの接養材料層を間に
して2個のコア部品を互いに対向させて配置する工程と
、さらに熱処理によって永久的接合を形成する工程とか
ら成る磁気ヘッドの製造方法において、 抗拡赦材料層が、所望の厚さを有する5io2層を第1
ターゲツトからスパッタリングすることによって、次い
で所望の厚さをイf1−る518N4層をスパッタリン
グすることによって設けられることを特徴とする磁気ヘ
ッドの製造方法。 4 8i0.の層をSin!!ターゲットからスパッタ
ーすることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の方
法。 ’ S x aN 4の層を5i8N、ターゲットか
らスパンターすることを特徴とする特dT梢求の範囲第
3項記載の方法。 α 518N、の層を窒素を含む気体雰囲気中でSiタ
ーゲットからスパッターすることを特徴とする特FF請
求の範囲第3項記載の方法。 7、 酸素を含む気体9¥囲気でSiターゲットからS
iO2層をスパッターすることと、所望の厚さを有する
8102層を設けた後、前記の気体雰囲気中の酸素を、
スパッタリング中に窒素によって除々に置換しかつ所望
の厚さのSi3N4層が形成されるまで窒素を含む気体
雰囲気でスパッタリングを継続することとを特徴とする
特許d〜求の範囲第8項記載の方法。
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NL8202059 | 1982-05-19 |
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JP (1) | JPS58211317A (ja) |
AT (1) | ATE21293T1 (ja) |
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DE3621873A1 (de) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Grundig Emv | Verfahren zur herstellung eines magnetkopfes |
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JPH0258714A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Nippon Mining Co Ltd | 磁気ヘッド |
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1982
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1983
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- 1983-05-06 AT AT83200650T patent/ATE21293T1/de not_active IP Right Cessation
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- 1983-05-06 DE DE8383200650T patent/DE3365098D1/de not_active Expired
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-
1986
- 1986-04-07 US US06/849,239 patent/US4665612A/en not_active Expired - Fee Related
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EP0094708A1 (en) | 1983-11-23 |
NL8202059A (nl) | 1983-12-16 |
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DE3365098D1 (en) | 1986-09-11 |
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ATE21293T1 (de) | 1986-08-15 |
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