KR850001732Y1 - 자기 헤드 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

자기 헤드

제1도는 최초의 재질로서 사용된 한 토막의 훼라이트를 도시한 도면.

제2도는 기계 가공된 코어부분을 도시한 도면.

제3a도 및 제3b도는 갭을 형성시키기 위하여 2개의 코어부분상에 제공된 층을 도시한 도면.

제4a도 및 제4b도는 후면갭을 형성하기 위하여 제공된 층을 도시한 도면.

제5도는 서로 결합되어 있는 2개의 코어부분에 대한 조립체를 도시한 도면.

제6도는 작동면이 제공된 제5도의 조립체를 도시한 도면.

제7도는 최종 자기헤드를 도시한 도면.

본 고안은 자기코어의 갭 형성영역내에 비자화 재질층을 갖는 자기헤드에 관한 것이다.

자기 헤드는 자기정보를 기록하고 재생하며, 소거하는데 사용된다. 자기 헤드는 예를들어 음성정보 또는 영상정보를 기록하거나 재생하기 위한 테이프 레코더에 사용된다.

이러한 자기헤드는 영국특허 제1,317,634호의 명세서에 설명되어 있다. 공지된 자기 헤드에 있어서, 비자화재질층은 60중량 퍼센트의 산화납, 16중량 퍼센트의 산화규소, 14중량 퍼센트의 산화붕소 및 10중량 퍼센트의 산화아연으로 구성된 450내지 650℃의 연화점을 갖는 유리이다. 스퍼터링(sputtering)에 의하여 유리가 제공될 수 있다. 이러한 종래기술에 따르면 비자화재질, 산화금속, 붕화물 또는 실온에서 비자화 재질인 질화물, 산화실리콘 또는 훼라이트로 구성된 중간층이 비자화 재질층과 자화재질인 코어사이에 제공된다.

공지된 자기헤드에 사용된 유리는 유리를 스퍼터링 할 때 몇개의 조성물들이 다른 조성물보다도 갭형성 표면상에 보다 쉽게 용착되기 때문에 침적된 유리의 조성이 최초유리의 조성과 같지 않은 결점이 있다.

열처리를 하는 동 안중간유리층을 갖는 코어부분들은 미리 결정된 고정온도로 노내에서 가열되는데, 이 온도는 유리의 점착성이 유리가 접착물로 작용할 수 있는(낮은)값이다. 유리의 점착성이 조성물에 따라 좌우되기 때문에 분출된 유리의 조성물이 일정하지 않다면 제조하는 동안 심각한 문제들이 생긴다. 조성물에 따른 고정된 접착온도가 사용될 때 유리는 유동성이 매우 크게되고 코어부분 사이에서 눌려지는 경우가 발생하며, 접착물로 작용할 수 있을 정도로 충분히 연화되지 않을 것이다.

본 고안은 상기 언급된 결점을 갖지 않는 유리를 제공한다.

본 고안에 따라, 자기헤드는 비자화 재질층이 95내지 100중량 퍼센트의 유리와 0내지 50중량 퍼센트의 다른 조성물의 혼합물로 구성되며 상기 유리가 12내지 20중량 퍼센트의 산화알루미늄, 40내지 48중량 퍼센트의 산화붕소 및 35내지 45중량 퍼센트인 한개 이상의 산화물들인 산화바륨, 산화칼슘 또는 산화스트론륨으로 구성되는 것을 특징으로 한다.

상술된 바와같은 조성물을 갖는 유리는 스퍼터링에 의하여 최초재료로 사용된 유리의 조성물과 대응하는 조성물을 갖는 갭형성 표면상에 융착될 수 있다.

또한 본 고안에 따른 자기헤드는 유리가 16중량 퍼센트의 산화알루미늄, 44중량퍼센트의 산화붕소 및 40중량 퍼센트인 한개이상의 산화물들인 산화바륨, 산화칼륨 또는 산화스트론툼조성물을 갖는 것을 특징으로 한다. 유리가 40중량 퍼센트의 산화바룸을 포함할때 양호한 결과가 얻어진다. 또한, 실온에서 비자화재질인 비자화금속, 산화금속, 붕화물, 질화물, 산화실리콘 또는 훼라이트로된 중간층이 비자화재질층과 자화재질코어 사이에 제공된다.

자화재질로된 코어부분과 유리 사이에 중간층을 사용하는 것은 갭내에 유리에 의한 자화재질이 침입하므로써 갭이 넓어지는 결정을 완전하게 방지할 수 있기 때문이다.

이하 도면을 참조하여 본 고안은 더욱 상세히 설명하겠다.

다결정(소결)됨 또는 단결정 훼라이트로 제조될 수 있는 한 토막의 재질(10)(제1도)이 표준방법에 의하여 제2도에 도시된 형태로 기계가공된다. 제2도에 도시된 바와같이 2개의 홈(14),(16)이 재질(10)내에 제공되며, 표면(18)(20)(22)은 갭형성 표면들로 기여하도록 손질된다.

공지된 마스킹(masking) 및 용착방법에 의하여 표면(18)(22)상에 제1층(24)(26)이 각각 제공된다. 중심표면(20)을 마스킹하므로써 중심표면(20)에는 융착되지 않는다. 상기 제1층은 훼라이트를 침입하지 않거나 매우 작은 정도로 침입하는 비자화 재질을 포함해야만 한다. 이러한 관점에서 볼때, 상온에서 비자화재질인 특정질화물 및 붕화물(예를들어 질화붕소, 질화실리콘), 금속들(예를들어 크롬), 산화금속(예를들어 산화베릴륨, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 산화티탄, 산화질코나움, 산화주석 또는 산화탄탈륨), 산화실리콘 및 훼라이트등이 적합한 재질이며 이들 재료의 대부분은 스퍼터링 방법에 의하여 쉽게 용착될 수 있다.

산화주석은 예를들어 대략 500℃의 온도에서 염화주석으로부터 시작하는 분무방법에 의하여 융착될 수 있다는 것을 주지하라.

얇은 층의 산화실리콘을 융착시키는 좋은 방법은 소위 반응증기 응착 방법이다. 이러한 방법에 있어서 SiH₄와 O₂의 혼합물은 대략 400℃의 온도로 유지된 코어부분들이 있는 노내로 공급된다. 균일한 산화실리콘층이 코어부분들 상에 형성된다.

제2층(28)(30)이 제1층(24)(26)상에 각각 응착된다. 이들 제2층은 12내지 20중량 퍼센트의 산화알루미늄, 40내지 48중량 퍼센트의 산화붕소 및 35내지 45중량 퍼센트의 1개 또는 그 이상의 산화물들인 산화바륨, 산화칼슘 또는 산화스트론튬으로 구성된 유리로 구성된다. 적합한 유리는 16중량 퍼센트의 산화알루미늄, 44중량퍼센트의 산화붕소 및 40중량 퍼센트의 산화바륨으로 구성된다. 이들 유리는 스퍼터링에 의한 양적인 용착을 가능하게 한다.

층(24)(28)의 전체 두께는 갭길이를 결정한다. 제1 및 제2층은 상술된 바와같은 방법으로 제2코어 부분들 상에 제공된다. 이들 층은 제3a도의 대응하는 층들과 동일한 참조번호로 표시된다.

본 고안에 의한 헤드를 제조하는 과정(제4a도 및 제4b도)은 다음과 같다. 코어부분들상에 응착된 층들은 마스크로 덮여지며 갭을 형성하기 위한 층(21)의 노출된 표면(20)상에 용착된다. 이러한 목적상 비교적 큰 투과율(μ＞1)을 갖는 재질이 사용되므로 유용한 갭의 리럭턴스보다 매우 작은 리럭턴스를 갖는 후면갭이 형성된다.

그후에 코어부분을 유리층과 접촉시켜(제5도) 서로서로 결합되어 유리층을 연화시키는 충분히 높은 온도(예를들어 대략 650℃)로 오븐(oven)내에서 가열되며 코어부분들은 20내지 70kg/㎠의 압력으로 상호 눌려진다. 냉각시킨 후에 극들은 서로서로 단단히 결합되며 그후에 필요한 형태의 자기헤드를 얻기 위하여 기계로 가공된다. 조립체는 기계가공되고 다듬어져 제6도에 도시된 조립체가 얻어지며 자동가능한 면을 갖는다. 제7도에 도시된 바와같이 상기 조립체는 자기헤드를 구성하는 분리된 조각으로 잘라진다.

Claims (1)

1. 자기코어의 갭형성 영역내에 비자화 재질층을 갖는 자기헤드에 있어서, 비자화재질층이 95내지 10중량 퍼센트의 유리와 0내지 5중량 퍼센트의 또 다른 조성물의 혼합물로 구성되며, 유리가 12내지 20중량 퍼센트의 산화알루미늄, 40내지 48중량 퍼센트의 산화붕소 및 35내지 45중량 퍼센트인 한개 이상의 산화물들인 산화바륨, 산화칼슘 또는 산화스트론튬으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기헤드.