JPS582061Y2 - 温度検出機能を有する半導体集積回路 - Google Patents
温度検出機能を有する半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS582061Y2 JPS582061Y2 JP1980108695U JP10869580U JPS582061Y2 JP S582061 Y2 JPS582061 Y2 JP S582061Y2 JP 1980108695 U JP1980108695 U JP 1980108695U JP 10869580 U JP10869580 U JP 10869580U JP S582061 Y2 JPS582061 Y2 JP S582061Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor integrated
- integrated circuit
- temperature
- voltage
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、それ自体で温度検出機能を有するようにし
た半導体集積回路に関するものである。
た半導体集積回路に関するものである。
以下この考案を図面について説明する。
第１図はこの考案の一実施例を示す回路図で、１は電圧
安定化回路で、抵抗器２，３、ツケナーダイオード４，
５よりなる、６は差動増幅回路で、抵抗器７゜８．９，
１０、トランジスタ１１．１２よりなる。
安定化回路で、抵抗器２，３、ツケナーダイオード４，
５よりなる、６は差動増幅回路で、抵抗器７゜８．９，
１０、トランジスタ１１．１２よりなる。
１３は定電流回路で前記差動増幅回路の一部を構成する
とともに、抵抗器１４，１５，１６、トランジスタ１７
よりなる。
とともに、抵抗器１４，１５，１６、トランジスタ１７
よりなる。
１８はこの考案の要部である温度センサーで、上記差動
増幅回路６の入力部に接続されたダイオードで構成され
ている。
増幅回路６の入力部に接続されたダイオードで構成され
ている。
そして、これら電圧安定化回路１、差動増幅回路６、定
電流回路１３および温度センサー１８とが１個の半導体
集積回路（以下単にＩＣと称する）１９を形成している
。
電流回路１３および温度センサー１８とが１個の半導体
集積回路（以下単にＩＣと称する）１９を形成している
。
このＩＣ１９としてはモノリシックＩＣが適当で゛ある
。
。
さらにこのＩＣ１９からは端子２０，２１．２２，２３
．２４が引出されている。
．２４が引出されている。
２５は直流電源でＩＣ１９の端子２０．２１間に接続さ
れ、２６は温度設定用の可変抵抗器で同じ＜ＩＣ１９の
端７子２１．２４間に接続されている。
れ、２６は温度設定用の可変抵抗器で同じ＜ＩＣ１９の
端７子２１．２４間に接続されている。
なお、２７は端子を示す。
また可変抵抗器２６およびダイオード１８の接続位置は
上記図示の実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
上記図示の実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
つぎに第１図の作用について説明する。
１ まず、第１図におけるＩＣ１９を恒温槽に入れ、そ
のふん囲気温度に対する端子２２．２３間、すなわちト
ランジスタ１１．１２のコレクタ、コレクタ間ならびに
端子２１．２２間、すなわちトランジスタ１２のコレク
タとアース間の出力電圧を測定した結果、第２図が得ら
れた。
のふん囲気温度に対する端子２２．２３間、すなわちト
ランジスタ１１．１２のコレクタ、コレクタ間ならびに
端子２１．２２間、すなわちトランジスタ１２のコレク
タとアース間の出力電圧を測定した結果、第２図が得ら
れた。
第２図において、横軸はふん囲気温度、縦軸は出力電圧
をとったもので、破線は端子２１．２２の電圧Ｖ２−１
、実線は端子２２．２３間の電圧■２−３を示している
。
をとったもので、破線は端子２１．２２の電圧Ｖ２−１
、実線は端子２２．２３間の電圧■２−３を示している
。
させ、温度センサーとしてのダイオード１８は、ｐ−ｎ
接合１つ当り、約−２，３ｍＶ／’Ｋ（シリコンの場合
）、の温度係数を有するので、温度設定用可変抵抗器２
６を一定値に保持し、端子２４すなわち、トランジスタ
１１のベース電位を定めるとふん囲気温度の変化により
次の事柄が生じる。
接合１つ当り、約−２，３ｍＶ／’Ｋ（シリコンの場合
）、の温度係数を有するので、温度設定用可変抵抗器２
６を一定値に保持し、端子２４すなわち、トランジスタ
１１のベース電位を定めるとふん囲気温度の変化により
次の事柄が生じる。
すなわち、ふん囲気温度が上昇した場合、ダイオード１
８の端子間電圧が減少するので、端子２７の電位が低下
する。
８の端子間電圧が減少するので、端子２７の電位が低下
する。
するとトランジスタ１２のコレクタ電流Ｉ Ｃ１□が減
少し、トランジスタ１１のコレクタ電流ＩＣＩ□が増加
する。
少し、トランジスタ１１のコレクタ電流ＩＣＩ□が増加
する。
したがって、端子２２の電位が上昇し、端子２３の電位
が低下するので、電圧■２−３ならびにＶ２−１が増加
する。
が低下するので、電圧■２−３ならびにＶ２−１が増加
する。
逆にふん囲気温度が低下した場合は、端子２７の電位が
上昇し、トランジスタ１２のコレクタ電流Ｉ Ｃ１□が
増加し、トランジスタ１１のコレクタ電流Ｉ Ｃ１ｌが
減少するので、端子２２の電位が低下し端子２３の電位
が上昇するので電圧■２−３ならびに■２−１が低下す
る。
上昇し、トランジスタ１２のコレクタ電流Ｉ Ｃ１□が
増加し、トランジスタ１１のコレクタ電流Ｉ Ｃ１ｌが
減少するので、端子２２の電位が低下し端子２３の電位
が上昇するので電圧■２−３ならびに■２−１が低下す
る。
このようにして、温度設定用可変抵抗器２６の一定値に
対し、温度変化によって第２図イ９口の特性が得られる
。
対し、温度変化によって第２図イ９口の特性が得られる
。
次にふん囲気温度を一定すなわち、端子２７の電位を一
定にしておき温度設定用可変抵抗器２６の抵抗値Ｒ２６
を変化させた場合について述べる。
定にしておき温度設定用可変抵抗器２６の抵抗値Ｒ２６
を変化させた場合について述べる。
まず、抵抗値Ｒ２６が増加した場合、端子２４の電位が
上昇するのでトランジスタ１１のコレクタ電流ＩＣＩ□
が増加し、トランジスタ１２のコレクタ電流ＩＣＩ□が
減少し、電圧■２−３ならびにＶ２−１が増加する。
上昇するのでトランジスタ１１のコレクタ電流ＩＣＩ□
が増加し、トランジスタ１２のコレクタ電流ＩＣＩ□が
減少し、電圧■２−３ならびにＶ２−１が増加する。
逆に抵抗値Ｒ２６が減少した場合は、端子２４の電位が
低下し、トランジスタ１１のコレクタ電流Ｉｃ１、が減
少し、トランジスタ１２のコレクタ電流Ｉ Ｃ１２が増
加するので、電圧■２−３ならびに■２−１が低下する
。
低下し、トランジスタ１１のコレクタ電流Ｉｃ１、が減
少し、トランジスタ１２のコレクタ電流Ｉ Ｃ１２が増
加するので、電圧■２−３ならびに■２−１が低下する
。
上記の結果、可変抵抗器２６の抵抗値Ｒ２６の増加に際
しては、特性曲線は電圧■３−４の場合イ→ハに、電圧
ｖ３−２の場合イ′→ハ′に移動する。
しては、特性曲線は電圧■３−４の場合イ→ハに、電圧
ｖ３−２の場合イ′→ハ′に移動する。
また、抵抗値Ｒ２６の減少に際しては特性曲線は電圧■
２−３が１９口へ、電圧■２−０がイ′→口′に移動す
る。
２−３が１９口へ、電圧■２−０がイ′→口′に移動す
る。
かくして可変抵抗器２６により所要の温度設定を行なう
ことができる。
ことができる。
以上述べたように、この考案は温度センサーとしてダイ
オードを用い、この温度センサーと、その出力を増幅す
る増幅器と、上記ダイオードと増幅器に供給する電源を
定電圧化する電圧安定化回路とを一つのＩＣに形成した
ので、このＩＣ自体で外部から印加される電源電圧の変
動に対して何らの影響を受けず正確に温度検出を行なう
ことができる。
オードを用い、この温度センサーと、その出力を増幅す
る増幅器と、上記ダイオードと増幅器に供給する電源を
定電圧化する電圧安定化回路とを一つのＩＣに形成した
ので、このＩＣ自体で外部から印加される電源電圧の変
動に対して何らの影響を受けず正確に温度検出を行なう
ことができる。
したがって家庭用あるいは自動車等の空調機を始め、各
種の温度制御用として使用することができ、従来用いら
れているサーミスタと抵抗器、トランジスタとを組立て
・回路を構成したものの場合の欠点、すなわちサーミス
タρ抵抗値、Ｂ定数のバラツキ、さらに耐湿処理等の必
要などを解消できるばかりでなく、コストダウンおよび
小形化を格段と計ることができるなどの幾多の利点があ
る。
種の温度制御用として使用することができ、従来用いら
れているサーミスタと抵抗器、トランジスタとを組立て
・回路を構成したものの場合の欠点、すなわちサーミス
タρ抵抗値、Ｂ定数のバラツキ、さらに耐湿処理等の必
要などを解消できるばかりでなく、コストダウンおよび
小形化を格段と計ることができるなどの幾多の利点があ
る。
第１図はこの考案の一実施例を示す回路図、第２図は第
１図の特性図である。 図中、１は電圧安定化回路、６は差動増幅回路、１３は
定電流回路、１８は温度センサー、１９は半導体集積回
路、２６は温度設定用可変抵抗器、２５は直流電源であ
る。
１図の特性図である。 図中、１は電圧安定化回路、６は差動増幅回路、１３は
定電流回路、１８は温度センサー、１９は半導体集積回
路、２６は温度設定用可変抵抗器、２５は直流電源であ
る。
Claims (1)
- 温度センサーとしてのＰ−Ｎ接合ダイオードと、前記ダ
イオードの出力を増幅する増幅器と、前記ダイオードと
増幅器に供給する電源を定電圧化する電圧安定化回路と
を一つの半導体集積回路に形成し、この半導体集積回路
自体で温度検出を行ない得るようにしたことを特徴とす
る温度検出機能を有する半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980108695U JPS582061Y2 (ja) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | 温度検出機能を有する半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980108695U JPS582061Y2 (ja) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | 温度検出機能を有する半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5656672U JPS5656672U (ja) | 1981-05-16 |
| JPS582061Y2 true JPS582061Y2 (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=29341294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980108695U Expired JPS582061Y2 (ja) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | 温度検出機能を有する半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582061Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5040516A (ja) * | 1973-08-07 | 1975-04-14 |
-
1980
- 1980-07-31 JP JP1980108695U patent/JPS582061Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5040516A (ja) * | 1973-08-07 | 1975-04-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5656672U (ja) | 1981-05-16 |
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