JPS58206184A - 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58206184A JPS58206184A JP57089249A JP8924982A JPS58206184A JP S58206184 A JPS58206184 A JP S58206184A JP 57089249 A JP57089249 A JP 57089249A JP 8924982 A JP8924982 A JP 8924982A JP S58206184 A JPS58206184 A JP S58206184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- epitaxial growth
- type
- etching
- junction
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ヒデオディスク、オーディオディスク、レー
ザプリンタ等光情報処理装置用光源として用いられる半
導体レーザ装置の新規な素子構造及び製浩技術に関する
ものである。
ザプリンタ等光情報処理装置用光源として用いられる半
導体レーザ装置の新規な素子構造及び製浩技術に関する
ものである。
光情報処理装置用光源として要求される半導体レーザ装
置の特性としては、極力短波長の発振光であること、構
モードが安定であること、低閾値′電流を有すること、
長寿命であること等か挙けられる。これらの条件を満足
させた半導体レーザの一つとしてＶ−チへ、ンヤルド・
サブストレイト・インナー・ストライブ（ＶＳＩＳ）レ
ーザかある。
置の特性としては、極力短波長の発振光であること、構
モードが安定であること、低閾値′電流を有すること、
長寿命であること等か挙けられる。これらの条件を満足
させた半導体レーザの一つとしてＶ−チへ、ンヤルド・
サブストレイト・インナー・ストライブ（ＶＳＩＳ）レ
ーザかある。
この半導体レーザ素ｆ−の断面図を第１図に示す。
Ｐ形ＧａＡｓ７．（板１１にｎ形Ｇ ａ Ａ Ｓ ’＋
１３：流ブ０７キング層２、ｐ形Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓ クラッド層’８ 、 ＧａＡｌΔＳ活性層４、ｎ
形Ｇ２１ＡＩＡＳ クラッドＩ：・′Ｊ５、ｎ形Ｇ
ａ Ａ ｓキ）・ノブｌ：１６か順次積層され、ｎ側電
極７及びｎ側電極８か形成されている。またプロＩキン
グ層２の一部はＶ〜チャネル９とセ］・する゛山： １
Ｉｌｔ、 Ｊ！！ｉ路となる。この半導体レーザ素子で
は電流はＶ−チャネル９内のストライプ領域に集中して
流れ、■−チャネル９外での光はｎ形電流プロツキンク
層２に吸収される。従って、低閾値′電流及び安定横モ
ード発振か容易に得られる非常に優れた半導体レーザ装
置として利用することかできる。しかもこのレーザは素
子化工程でパターン合せ、Ｚｎ拡散等を含まず、合金電
極を形成するだけという大量生産に適した形態を而して
いる。このＶＳＩＳレーザを用いて、更１ｃ７４０ｎｍ
以上の短波長で発振するレーザを製作しようとする場合
、問題となるのは活性層４１Ｃかかる歪（ＩＩτ縮応力
）である。
１３：流ブ０７キング層２、ｐ形Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓ クラッド層’８ 、 ＧａＡｌΔＳ活性層４、ｎ
形Ｇ２１ＡＩＡＳ クラッドＩ：・′Ｊ５、ｎ形Ｇ
ａ Ａ ｓキ）・ノブｌ：１６か順次積層され、ｎ側電
極７及びｎ側電極８か形成されている。またプロＩキン
グ層２の一部はＶ〜チャネル９とセ］・する゛山： １
Ｉｌｔ、 Ｊ！！ｉ路となる。この半導体レーザ素子で
は電流はＶ−チャネル９内のストライプ領域に集中して
流れ、■−チャネル９外での光はｎ形電流プロツキンク
層２に吸収される。従って、低閾値′電流及び安定横モ
ード発振か容易に得られる非常に優れた半導体レーザ装
置として利用することかできる。しかもこのレーザは素
子化工程でパターン合せ、Ｚｎ拡散等を含まず、合金電
極を形成するだけという大量生産に適した形態を而して
いる。このＶＳＩＳレーザを用いて、更１ｃ７４０ｎｍ
以上の短波長で発振するレーザを製作しようとする場合
、問題となるのは活性層４１Ｃかかる歪（ＩＩτ縮応力
）である。
これはエピタキシャル成長層を支持している１ν４いＧ
ａＡｓ基板とＧａＡｌＡｓ 成長層の格子定数が８００
℃前後の成長温度では一致しているものの、熱膨張係数
が相違している為、室温では格子定数に差が出てくるこ
とに起因する。Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓの熱膨張係数は組
成によって変化し、一般に（６，８６−１，６６Ｘ）×
１０ ℃ で表わされる。ここてＸはＡｌＡｓモル比で
ある。１′Ａ１えは、Ｇ ；ｌ Ａ ｓのノ、（板（ｘ
＝ｏ）と、Ｇ ａ ａ、−ｔ Ａ Ｉ ｏ、３ Ａ Ｓ
の活性層（ｘ＝０．３）トテハ室７ｆｎ’ｔ テ格
ｒ一定数が約０．０６％程度相４する。従って、活性層
４には圧縮圧力が加わることになり、これがレーザ発振
中のレーザ素子内に欠陥を発生させ、寿命を短くしてい
る。この活性層４へ加わる歪を低減させてやれは素子寿
命は改善される筈である。
ａＡｓ基板とＧａＡｌＡｓ 成長層の格子定数が８００
℃前後の成長温度では一致しているものの、熱膨張係数
が相違している為、室温では格子定数に差が出てくるこ
とに起因する。Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓの熱膨張係数は組
成によって変化し、一般に（６，８６−１，６６Ｘ）×
１０ ℃ で表わされる。ここてＸはＡｌＡｓモル比で
ある。１′Ａ１えは、Ｇ ；ｌ Ａ ｓのノ、（板（ｘ
＝ｏ）と、Ｇ ａ ａ、−ｔ Ａ Ｉ ｏ、３ Ａ Ｓ
の活性層（ｘ＝０．３）トテハ室７ｆｎ’ｔ テ格
ｒ一定数が約０．０６％程度相４する。従って、活性層
４には圧縮圧力が加わることになり、これがレーザ発振
中のレーザ素子内に欠陥を発生させ、寿命を短くしてい
る。この活性層４へ加わる歪を低減させてやれは素子寿
命は改善される筈である。
本発明は」−述の問題点に鑑み適切なＡｌＡｓモル比を
有するキャップ八゛・１を１００μｍ程度に厚く成長さ
せた俊、歪を１透発するＧ ａ Ａ ｓ ７１％板をエ
ンチングにより除去し活ＶＩ：層にかかる歪を減少させ
た新規有用な半導体レーザ素子を提供することをＬｌ的
とするものである。
有するキャップ八゛・１を１００μｍ程度に厚く成長さ
せた俊、歪を１透発するＧ ａ Ａ ｓ ７１％板をエ
ンチングにより除去し活ＶＩ：層にかかる歪を減少させ
た新規有用な半導体レーザ素子を提供することをＬｌ的
とするものである。
以Ｆ、本発明を実旌例に従って図面を参照しな゛がら詳
説する。
説する。
第２図は本発明の１実施例を示すψＳＩＳ半導体レーサ
し−の要部構成図である。
し−の要部構成図である。
ｐ形ＧａＡｓ層２Ｉ上に正流集中のための逆導電型を有
するｎ形（ｓ ａ Ａ Ｓ ’上流フロノキンク１冑１
２゜ヘテロ接合で活性層を限定するためのｐ形ＧａＡＩ
ＡＳクラッド層１３、レーザ発振のためのＧ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓ活性層］４、ヘテロ接合を形成するｎ形Ｇ
ａ Ａ Ｉ Ａ Ｓクラッド層１５、オーミックコンタ
クトを得るためのｎ形ＧａＡｌＡｓ キャップ層１６
か順次Ｉイ１積されている。また駆動電流を活性層１４
へ付ｌｊ−するためｎ側電極１７、ｎ側電極１８及び■
−チャネル１９が形成されている。ｐ形ＧａＡｓ層２１
よりキャップ層１６迄の多層結晶は全てエピタキシャル
成長層で構成され、キャンプ層１６は層厚かＪ１常に厚
く設定されている。
するｎ形（ｓ ａ Ａ Ｓ ’上流フロノキンク１冑１
２゜ヘテロ接合で活性層を限定するためのｐ形ＧａＡＩ
ＡＳクラッド層１３、レーザ発振のためのＧ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓ活性層］４、ヘテロ接合を形成するｎ形Ｇ
ａ Ａ Ｉ Ａ Ｓクラッド層１５、オーミックコンタ
クトを得るためのｎ形ＧａＡｌＡｓ キャップ層１６
か順次Ｉイ１積されている。また駆動電流を活性層１４
へ付ｌｊ−するためｎ側電極１７、ｎ側電極１８及び■
−チャネル１９が形成されている。ｐ形ＧａＡｓ層２１
よりキャップ層１６迄の多層結晶は全てエピタキシャル
成長層で構成され、キャンプ層１６は層厚かＪ１常に厚
く設定されている。
次に第２図に示す半導体レーザ素子の製造方法について
第３図とともに説明する。
第３図とともに説明する。
第３図（八に示すように、ますＧａＡｓ１１１．′板１
１」−にエツチング停止層２０としてＧ ａ ｏ、５
Ａ ｌ ０．５ ’Ａ ８層を約Ｉμｍの厚さに成長さ
せ、史にｐ形ＧａＡｓ層２１、ブロッキング層１２をそ
れぞれ２．０ ｐ ｍ 。
１」−にエツチング停止層２０としてＧ ａ ｏ、５
Ａ ｌ ０．５ ’Ａ ８層を約Ｉμｍの厚さに成長さ
せ、史にｐ形ＧａＡｓ層２１、ブロッキング層１２をそ
れぞれ２．０ ｐ ｍ 。
０．６μｍの厚さに成長させた。ここで、Ｇ ａ Ａ
ｓ ７，１、板１１及びエツチング停止層２０は最終的
には除去してしまうのてノ９屯形はｐ形、ｎ形、アンド
ープを問わ４ｆいか、Ｇ ；＋ Ａ ｓ Ｊ４％板１１
は転位密ＩＷの低いことが望ましい。第３図（Ｂ）で示
すようンこ、ブロッキング層１２表面より＜Ｉ Ｉ Ｏ
＞方向１こストライプ状の溝を加工してｎ形Ｇ ａ Ａ
Ｓの電流ブロッキングｊ・β１１２を貫通するように
Ｖ形ｆｒネル１９を形成する。この■−チャネル１９が
電流通路となる。次に第３図（０で示すように、ｐ形Ｇ
ａｏ３Ａ１ｏ７Ａｓ クラッド層１３、ｐ形Ｇａ ｏ、
７ Ａｌｏ３Ａｓ 活性層１４、ｎ形Ｇａｏ、３ Ａ
ｌｏ７Ａｓ クランド層Ｉ５、及びｎ形Ｇａｏ８５Ａ
ｌｏ１５Ａｓ キャップ層１６をそれぞれ、０．１μ
ｍ、０．１メｔｍ 、 １．０μｍ、１００μｍの厚さ
にエピタキシャル成長させる。しかる後に、第３図（Ｉ
））に示すように、過酸化水素水とアンモニア水を５対
１（Ｈ２０□：ＮＩ（４０Ｈ−５：ｌ）の混合比とした
エツチング停止層よって、ＧａＡｓ１板１１を完全にエ
ツチング除去する。、、、、、このエツチング欣はＧａ
ＡｌＡｓ Ｉｐｉでは酸化摸を形成しそエツチングが停
止する性′６を有しているので、エツチングはＧ ａ
（１，５Ａ ｌ ８．５ Ａ Ｓ のエツチング停止
層２ｏて停止され、その直前のＧａＡｓ占（板１１をウ
ニー〕へ−全曲で完全Ｖこ除去することかできる。そし
て、第３図（Ｅｌに小すようにエツチング停止層２０は
）・ｌ師によって完全にエツチング除去する。その代、
１）形ＧａＡｓ層２＋１にはｐ側′市極１８としてＡｕ
−Ｚｎを、ｎ形ＧａＡｓ層”ｏ、ｌ５ＡＳ キャップ
）曽１６＋、にはｎ側電極１７としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ
を蒸着し、熱処理によって合金化する。このようにして
製作したＶＳＩＳレーザは６９０ ｎｍの短波長で室温
連続発振し、その時の閾値電流は７０ｍＡであ−）だ。
ｓ ７，１、板１１及びエツチング停止層２０は最終的
には除去してしまうのてノ９屯形はｐ形、ｎ形、アンド
ープを問わ４ｆいか、Ｇ ；＋ Ａ ｓ Ｊ４％板１１
は転位密ＩＷの低いことが望ましい。第３図（Ｂ）で示
すようンこ、ブロッキング層１２表面より＜Ｉ Ｉ Ｏ
＞方向１こストライプ状の溝を加工してｎ形Ｇ ａ Ａ
Ｓの電流ブロッキングｊ・β１１２を貫通するように
Ｖ形ｆｒネル１９を形成する。この■−チャネル１９が
電流通路となる。次に第３図（０で示すように、ｐ形Ｇ
ａｏ３Ａ１ｏ７Ａｓ クラッド層１３、ｐ形Ｇａ ｏ、
７ Ａｌｏ３Ａｓ 活性層１４、ｎ形Ｇａｏ、３ Ａ
ｌｏ７Ａｓ クランド層Ｉ５、及びｎ形Ｇａｏ８５Ａ
ｌｏ１５Ａｓ キャップ層１６をそれぞれ、０．１μ
ｍ、０．１メｔｍ 、 １．０μｍ、１００μｍの厚さ
にエピタキシャル成長させる。しかる後に、第３図（Ｉ
））に示すように、過酸化水素水とアンモニア水を５対
１（Ｈ２０□：ＮＩ（４０Ｈ−５：ｌ）の混合比とした
エツチング停止層よって、ＧａＡｓ１板１１を完全にエ
ツチング除去する。、、、、、このエツチング欣はＧａ
ＡｌＡｓ Ｉｐｉでは酸化摸を形成しそエツチングが停
止する性′６を有しているので、エツチングはＧ ａ
（１，５Ａ ｌ ８．５ Ａ Ｓ のエツチング停止
層２ｏて停止され、その直前のＧａＡｓ占（板１１をウ
ニー〕へ−全曲で完全Ｖこ除去することかできる。そし
て、第３図（Ｅｌに小すようにエツチング停止層２０は
）・ｌ師によって完全にエツチング除去する。その代、
１）形ＧａＡｓ層２＋１にはｐ側′市極１８としてＡｕ
−Ｚｎを、ｎ形ＧａＡｓ層”ｏ、ｌ５ＡＳ キャップ
）曽１６＋、にはｎ側電極１７としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ
を蒸着し、熱処理によって合金化する。このようにして
製作したＶＳＩＳレーザは６９０ ｎｍの短波長で室温
連続発振し、その時の閾値電流は７０ｍＡであ−）だ。
また、素子寿命も３ｍＷ出力で１０００時曲以１１ある
ことが確認された。
ことが確認された。
本発明がＶＳＩＳ半導体レーザ素子は活性層へかかる歪
の低減化がキャップ層１６の組成化ｖｃｉって図られて
いるので、７５０ ｎｍより短波長でも高信頼性の半導
体レーザ装置が得られる。しかも低閾値電流化、横モー
ド安定化も同時に図られているので光情報処理用光源と
して最適となる。
の低減化がキャップ層１６の組成化ｖｃｉって図られて
いるので、７５０ ｎｍより短波長でも高信頼性の半導
体レーザ装置が得られる。しかも低閾値電流化、横モー
ド安定化も同時に図られているので光情報処理用光源と
して最適となる。
本発明は、ＧａＡｓを成長用基板とするＧａＡ ＩＡｓ
系レーザのみでなく、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ等を成
長相ノ、（板として利用したＥ元系または四）！−系化
合物半冑体レし−へもノｌ＆月ｊできることは明らかで
ある。またこのｌ＋１４長川ノ、ｊ板を除ノモするので
はれずく、エツチングによりｐｌ ｐ ｍ程度に薄く成
形して１（１いることも用能であるか、この場合、一般
的に厚さ３５０／Ｌｍ程度もある１成長用紙板を均一に
エツチングして数μｍのＩ’７−さにすることは困難を
伴なう結果となる。従って−１，記実施例ではエツチン
グ停止層を予め成長させておき、基板を全て工７チング
除去する方法を月１いて本発明を説明している。
系レーザのみでなく、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ等を成
長相ノ、（板として利用したＥ元系または四）！−系化
合物半冑体レし−へもノｌ＆月ｊできることは明らかで
ある。またこのｌ＋１４長川ノ、ｊ板を除ノモするので
はれずく、エツチングによりｐｌ ｐ ｍ程度に薄く成
形して１（１いることも用能であるか、この場合、一般
的に厚さ３５０／Ｌｍ程度もある１成長用紙板を均一に
エツチングして数μｍのＩ’７−さにすることは困難を
伴なう結果となる。従って−１，記実施例ではエツチン
グ停止層を予め成長させておき、基板を全て工７チング
除去する方法を月１いて本発明を説明している。
第１図は従来のＶＳＩＳ半導体レーザしｒ−を示す断面
図である。 第２図は本発明の１実施例を示−？Ｊ−ＶＳＩＳ半導体
レーザ素子の要部構成図である。 第３図（Ａ）ＣＢ） （Ｃ）（Ｔ） （Ｅｌは第２図に
示す半導体レーザ素」−の製造上程説明図である。 ｌｌ・・・ＧａＡｓ１１（板、１２・・ｎ形Ｇ ；ｉ
Ａ ｓ ’ｔ１３：流ブロンキング層、１３・・ｌ）
杉Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ クラッド層、１−５４−
Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ｌ＋’１１＋１４長川ノ
１５ ・ ｎ形Ｇａ Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層、】６
・・・ｎ形Ｇ ；＋ Ａ Ｉ Ａ Ｓ キヤ・ンブ層
、２０−ＧａＡｌＡｓ エツチング停止１ ｊＨ’＋
７．２ ＋ ・＝ １） ＋＋と（ｉ ａ Ａ ｓ層。
図である。 第２図は本発明の１実施例を示−？Ｊ−ＶＳＩＳ半導体
レーザ素子の要部構成図である。 第３図（Ａ）ＣＢ） （Ｃ）（Ｔ） （Ｅｌは第２図に
示す半導体レーザ素」−の製造上程説明図である。 ｌｌ・・・ＧａＡｓ１１（板、１２・・ｎ形Ｇ ；ｉ
Ａ ｓ ’ｔ１３：流ブロンキング層、１３・・ｌ）
杉Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ クラッド層、１−５４−
Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ｌ＋’１１＋１４長川ノ
１５ ・ ｎ形Ｇａ Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層、】６
・・・ｎ形Ｇ ；＋ Ａ Ｉ Ａ Ｓ キヤ・ンブ層
、２０−ＧａＡｌＡｓ エツチング停止１ ｊＨ’＋
７．２ ＋ ・＝ １） ＋＋と（ｉ ａ Ａ ｓ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１のエピタキシャル成長層と該第１のエピタキシ
ャル成長層にｐ−ｎ償金を介して堆積された第２のエピ
タキシャル成長層から成る第１の結晶積層体と、該第１
の結晶積層体の前記第２のエピタキシャル成長層表向よ
り１１１ｊ記ｐ、−１１接合を切１４］ｉする深さくこ
形成された削１刻溝内及び「）１ｊ記ａ１２のエピタキ
シャル成長層」―にイ１積されかつレーザ発振出店１牛
層を包含する第２の結晶積層体と、該第２の結晶積層体
１こｌｉｔ積され前記活性層の歪を低減する組成比ｅこ
設定された三ノし本星１−１の化合物’ＶＪ！−ＩＩ体
から１戊る層Ｌｖの１ｖい支持成長層と、１）ＩＪ記化
第１エピタキシャル成長層に形成される・１目の上極及
び１）ｆ１記活性層を介して対向する表面に１１； ｊ
７される第２の１市極とを具６ｉｉ＋して成り、１）す
記１） −ｎ ｌに合の切断された領域に限定して辿市
ｔｒｒ１口或を１し１戊したことを特許とする半導体レ
ーザ素子。 ２ 基板」二に第１のエピタキシャルｌ＋ｌ長１曽と第
２のエピタキシャル成長層を重畳形成するとともに両成
長層の接合界面をｐ −ｎ 接合とするＩ’、＋’ｔ″
と、前記第２のエピタキシャル成長層表面より前記ｐ
−ｎ接合界面を切断する深さに蝕刻溝を形成する工程と
、該蝕刻溝及び前記第２のエピタキシャル成長層」二に
レーザ発振用活性層を含む結晶積層体を堆積する工程と
、該納品積層体上に前記活性層の歪を低減する組成比に
設定された三元系以」二の化合物半導体から成る支持ｌ
ｊｉ長層を１早く堆積する工程と、前記粘板をエツチン
グして前記第■のエピタキシャル成長層から除去した後
電極を形成する１−程と、を具（＋ｉｉｉ Ｌで成り、
前記ｐ７ｎ接合の切断された領域に限定して通電領域を
形成したことを特徴とする半導体しτザ素子の製造方法
。 ３ 基板と第１のエピタキシャル！成長層との界面にエ
ツチング停止層を介層し１、Ｊｌｊ；板のエンチングを
該エツチング停止層で停止することによりノ１（様を除
去したｆ友、エッチンク乞％１１−１曽谷・ｌ（；ｉ７
人−４る！）、Ｓ 、〆ｌＯ＋’ｉ求の軸回・Ａ５２項
記載の半導体レーザ素ｒ−の製造方ｌ去。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089249A JPS58206184A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
| DE8383303029T DE3377606D1 (en) | 1982-05-25 | 1983-05-25 | Semiconductor laser |
| EP83303029A EP0095895B1 (en) | 1982-05-25 | 1983-05-25 | Semiconductor laser |
| US06/498,041 US4592062A (en) | 1982-05-25 | 1983-05-25 | (VSIS) semiconductor laser with reduced compressive stress |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089249A JPS58206184A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206184A true JPS58206184A (ja) | 1983-12-01 |
| JPH0416033B2 JPH0416033B2 (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=13965479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57089249A Granted JPS58206184A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4592062A (ja) |
| EP (1) | EP0095895B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58206184A (ja) |
| DE (1) | DE3377606D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6031288A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-18 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS61284988A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS63258090A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH01220492A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP3510305B2 (ja) * | 1994-02-22 | 2004-03-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645093A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Sharp Corp | Manufacturing of semiconductor laser element |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP57089249A patent/JPS58206184A/ja active Granted
-
1983
- 1983-05-25 US US06/498,041 patent/US4592062A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-05-25 DE DE8383303029T patent/DE3377606D1/de not_active Expired
- 1983-05-25 EP EP83303029A patent/EP0095895B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645093A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Sharp Corp | Manufacturing of semiconductor laser element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0095895A3 (en) | 1985-05-15 |
| DE3377606D1 (en) | 1988-09-08 |
| EP0095895A2 (en) | 1983-12-07 |
| EP0095895B1 (en) | 1988-08-03 |
| JPH0416033B2 (ja) | 1992-03-19 |
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