JPS58202571A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58202571A JPS58202571A JP8601682A JP8601682A JPS58202571A JP S58202571 A JPS58202571 A JP S58202571A JP 8601682 A JP8601682 A JP 8601682A JP 8601682 A JP8601682 A JP 8601682A JP S58202571 A JPS58202571 A JP S58202571A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋ａｌ 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に耐酸化膜セ
ｌレフアライン方式の製造方法に関する。
ｌレフアライン方式の製造方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
半導体集積回路（ＩＣ）の高密度高集積化會図る手段と
して、窒化シリコン（８’ｓＮ＋）膜等の耐酸化膜マス
ク・パターンを半導体基体（半導体基板、半導体成長層
等）上に形成し、該耐酸化膜マスク・パターンに整合さ
せて素子間分離（Ｉｓｏ）領域ベース領域、コレクタ拳
コンダクト領域等を形成する耐酸化膜セルファライン方
式の製造方法がある。
して、窒化シリコン（８’ｓＮ＋）膜等の耐酸化膜マス
ク・パターンを半導体基体（半導体基板、半導体成長層
等）上に形成し、該耐酸化膜マスク・パターンに整合さ
せて素子間分離（Ｉｓｏ）領域ベース領域、コレクタ拳
コンダクト領域等を形成する耐酸化膜セルファライン方
式の製造方法がある。
該耐酸化膜セｌレフアライン方法によりバイポーラ型の
半導体装置を形成するに際して、以前はベース領域もＩ
ｓｏ領域やコレクタ・コンタクト領域と同様ガス拡散法
を用いて形成していた。
半導体装置を形成するに際して、以前はベース領域もＩ
ｓｏ領域やコレクタ・コンタクト領域と同様ガス拡散法
を用いて形成していた。
しかしこのガス拡散法は、拡散深さの制御が困難で、且
つ不純物表面濃度の基板内分布が大きいといｈ一般に知
られた欠点を有しているため、ベース領域が浅く形成さ
れる高集積度のＩＣ等に於ては、特性のばらつきが大き
くな夛、製造歩留まりが低下するという問題があった。
つ不純物表面濃度の基板内分布が大きいといｈ一般に知
られた欠点を有しているため、ベース領域が浅く形成さ
れる高集積度のＩＣ等に於ては、特性のばらつきが大き
くな夛、製造歩留まりが低下するという問題があった。
そこで近時該耐酸化膜セＩレフアライン方法に於て、ベ
ース領域のみをイオン注入手段金量いて精度良く形成す
る方法が開発されてきている。
ース領域のみをイオン注入手段金量いて精度良く形成す
る方法が開発されてきている。
（Ｃ１従来技術と問題点
乃至に）の工程断面図に示すような方法によりＩｓ。
領域、コレクターコンタクト領域、ベース領域の形成が
なされる。
なされる。
即も第１図（イ）に示すように、例えばＰ型シリコン（
Ｓｌ）基板ｌ、Ｎ＋型埋没層２．Ｎ−型８１エビダキシ
ャｌし層３からなる被処理基板に於けるＮ−型Ｓ１エビ
タキシヤ・し層３階へｓｔ層との接着強度を維持するた
めの第１の熱酸化（ｓｉｏ、）膜４葡下部に有し、且つ
上部に高りん濃度の多結晶８１成るいはその熱酸化膜か
らなる不純物導入閉止膜５全土部に有する８ ｉ 、
Ｎ、耐酸化膜６からなり、ＩＳＯ領域整合窓７．コレク
タ・コンタクト領域整岑窓８．ベース領域整令息９が開
孔された耐酸化膜パダーン全形成した後、熱酸化を行っ
て前記整合窓７，８．９内に表出しているＮ−型ＳＩエ
ピタキシャル層３面に不純物導入阻止用の第２の熱酸化
（Ｓｉｎ２）膜１０ａ、１０ｂ、１０ｃ２形成する。
Ｓｌ）基板ｌ、Ｎ＋型埋没層２．Ｎ−型８１エビダキシ
ャｌし層３からなる被処理基板に於けるＮ−型Ｓ１エビ
タキシヤ・し層３階へｓｔ層との接着強度を維持するた
めの第１の熱酸化（ｓｉｏ、）膜４葡下部に有し、且つ
上部に高りん濃度の多結晶８１成るいはその熱酸化膜か
らなる不純物導入閉止膜５全土部に有する８ ｉ 、
Ｎ、耐酸化膜６からなり、ＩＳＯ領域整合窓７．コレク
タ・コンタクト領域整岑窓８．ベース領域整令息９が開
孔された耐酸化膜パダーン全形成した後、熱酸化を行っ
て前記整合窓７，８．９内に表出しているＮ−型ＳＩエ
ピタキシャル層３面に不純物導入阻止用の第２の熱酸化
（Ｓｉｎ２）膜１０ａ、１０ｂ、１０ｃ２形成する。
次いでＩｓｏ領域整合窓７内の第２の熱酸化膜１０ａ’
ｉ選択的に除去し硼素（Ｂｌのガス拡散金行つてＰ十型
Ｉｓｏ領域１１ｉ形成した後、コレクタ・コンタクト領
域整合窓８内の第２の熱酸化膜１０ｂを選択的に除去し
りん（乃のガス拡散全行ってＮ＋型コレクダΦコンタク
ト領域１２ｉ形成する。この状態を示したのが第１図（
ｒ：４である。なお図中１０’ａ。
ｉ選択的に除去し硼素（Ｂｌのガス拡散金行つてＰ十型
Ｉｓｏ領域１１ｉ形成した後、コレクタ・コンタクト領
域整合窓８内の第２の熱酸化膜１０ｂを選択的に除去し
りん（乃のガス拡散全行ってＮ＋型コレクダΦコンタク
ト領域１２ｉ形成する。この状態を示したのが第１図（
ｒ：４である。なお図中１０’ａ。
１０′ｂはガス拡散に際して新たに形成された第２′の
熱酸化（Ｓム０□）［である。
熱酸化（Ｓム０□）［である。
次いでぶつ酸（ＨＦ’）系の液で全面エツチング金貸っ
て、ベース整合窓９内の第２の熱酸化膜１０ｃを除去し
、ベース領域全形成しよろとするＮ−型Ｓｉ、エビダキ
シャル層３面？表出せしめた後、熱３− 酸化金行って核内の表出部上にイオン衝撃吸収用の８ｇ
３の熱酸化（ｓ ｒ ｏｘ）膜１３全形球する。そして
該基板面ｔベース整合窓９部全残してレジスト膜１４で
覆い、硼素イオン（Ｂ＋）ｔ−前記整合窓９を介して選
択的に注入する。この状態を示したＵ〕が第１図（）１
７、図に於て１５’はＢ＋注入領域を示す。なお前記第
３の熱酸化（ＳｉＯ□）膜１３はＩｓ。
て、ベース整合窓９内の第２の熱酸化膜１０ｃを除去し
、ベース領域全形成しよろとするＮ−型Ｓｉ、エビダキ
シャル層３面？表出せしめた後、熱３− 酸化金行って核内の表出部上にイオン衝撃吸収用の８ｇ
３の熱酸化（ｓ ｒ ｏｘ）膜１３全形球する。そして
該基板面ｔベース整合窓９部全残してレジスト膜１４で
覆い、硼素イオン（Ｂ＋）ｔ−前記整合窓９を介して選
択的に注入する。この状態を示したＵ〕が第１図（）１
７、図に於て１５’はＢ＋注入領域を示す。なお前記第
３の熱酸化（ＳｉＯ□）膜１３はＩｓ。
領域１１及びコレクターコンタクト領域１２の表出面上
にも形成される。
にも形成される。
次いでレジスト膜１４を除去した後、所足のアニール処
理を行って前記Ｂ＋注入領域１１ｉ活性化し、第１図に
）に示すようにＰ型ベース領域１５紮形成す６り 上記第１図（勾に示すようにＰ十型Ｉｓｏ領域１１゜Ｎ
＋型：２レクダ・コンダクト領域１２ 、Ｐ型ベース領
域１５の形成？終った後、従来方法に於ては工程断面図
第２図（イ）乃至（）１に示すよろな方法で下層絶縁膜
の形成がなされ、バイポーラ型半導体装置が提供されて
いた。
理を行って前記Ｂ＋注入領域１１ｉ活性化し、第１図に
）に示すようにＰ型ベース領域１５紮形成す６り 上記第１図（勾に示すようにＰ十型Ｉｓｏ領域１１゜Ｎ
＋型：２レクダ・コンダクト領域１２ 、Ｐ型ベース領
域１５の形成？終った後、従来方法に於ては工程断面図
第２図（イ）乃至（）１に示すよろな方法で下層絶縁膜
の形成がなされ、バイポーラ型半導体装置が提供されて
いた。
即ち、先づＨＦ系の液によるウエノトエッチン４−
グ手段によりＳ ｉ ３Ｎ、耐酸化膜６上の不純物導入
阻止膜５の残膜全、次いで熱りん酸（ＨｓＰＯ４）処理
によｆ）Ｓ’ｓＮ＊耐酸化膜６全、次いでＨＦ系σ〕液
によるウェットエツチング手段により、Ｓｉ３Ｎ。
阻止膜５の残膜全、次いで熱りん酸（ＨｓＰＯ４）処理
によｆ）Ｓ’ｓＮ＊耐酸化膜６全、次いでＨＦ系σ〕液
によるウェットエツチング手段により、Ｓｉ３Ｎ。
膜６接着用の第１の熱酸化（８ｉ０．）膜４及びイオン
衝撃吸収用の第３の熱酸化（Ｓｉｎり膜１３をそれぞれ
除去し、第２図（イ）に示すように、Ｓｉ面全面即ちＮ
型Ｓ１エビタキシヤｊし層３．Ｐ＋型ＩＳＯ領域１１．
Ｎ＋型コレクダ・コンタクト領域１２及びＰ型ベース領
域１５の上面？表出せしめる。
衝撃吸収用の第３の熱酸化（Ｓｉｎり膜１３をそれぞれ
除去し、第２図（イ）に示すように、Ｓｉ面全面即ちＮ
型Ｓ１エビタキシヤｊし層３．Ｐ＋型ＩＳＯ領域１１．
Ｎ＋型コレクダ・コンタクト領域１２及びＰ型ベース領
域１５の上面？表出せしめる。
次いで該基板面の再熱酸化全行い第２図ｔｏ＋に示すよ
うＫ、ＮｍＳｉエピタキシャル層（コレクタ領域）３．
Ｐ＋型ＩＳＯ領域１１．Ｎ＋型コレクタ・コンタクト領
域１２．Ｐ型ベース領域１・５の上面に１０００（＾〕
程度の厚さの第４の熱酸化（Ｓｉｎ２）膜ｔ６２形成し
、次いで第２図（／ｊに示すように、前記第４の熱酸化
（ｓ ｉｏ、）膜１６上に下層絶縁膜として例えば化学
気相成長（ｃｖｎ）ｓｉｏ、膜１７會形成していた。
うＫ、ＮｍＳｉエピタキシャル層（コレクタ領域）３．
Ｐ＋型ＩＳＯ領域１１．Ｎ＋型コレクタ・コンタクト領
域１２．Ｐ型ベース領域１・５の上面に１０００（＾〕
程度の厚さの第４の熱酸化（Ｓｉｎ２）膜ｔ６２形成し
、次いで第２図（／ｊに示すように、前記第４の熱酸化
（ｓ ｉｏ、）膜１６上に下層絶縁膜として例えば化学
気相成長（ｃｖｎ）ｓｉｏ、膜１７會形成していた。
なお前記各領域３，１１，１２．１５面にＣＶＩ）・Ｓ
ｉｎ！膜１７ＦＥに接触させると、その界面が不安定に
なり、コレクタ（ｑ−ベースｆＢｌ 間リーク、エミッ
タ（均一ベース（８間リーク、コレクタ（ｑ−基板間リ
ークが生ずる。
ｉｎ！膜１７ＦＥに接触させると、その界面が不安定に
なり、コレクタ（ｑ−ベースｆＢｌ 間リーク、エミッ
タ（均一ベース（８間リーク、コレクタ（ｑ−基板間リ
ークが生ずる。
そのため従来の方法に於ては、特に前述した再酸化工程
金膜け、Ｓｉ面に対して安定した接触面が得られる第４
の熱酸化（Ｓｉｎ、）膜１６を形成し、該第４の熱酸化
（Ｓｉｎ、）膜１６をＮ型３ｉエピタキシヤＩし層（コ
レクタ領域）３．Ｐ十型Ｉｓｏ領域１１、Ｎ十型コレク
ダーコンタクト領域１２．Ｐ型ベース領域１特■Ｄ＠Ｓ
ｉＯ！膜１７の間に介在せしめることにより素子特性の
安定化が図られていた。
金膜け、Ｓｉ面に対して安定した接触面が得られる第４
の熱酸化（Ｓｉｎ、）膜１６を形成し、該第４の熱酸化
（Ｓｉｎ、）膜１６をＮ型３ｉエピタキシヤＩし層（コ
レクタ領域）３．Ｐ十型Ｉｓｏ領域１１、Ｎ十型コレク
ダーコンタクト領域１２．Ｐ型ベース領域１特■Ｄ＠Ｓ
ｉＯ！膜１７の間に介在せしめることにより素子特性の
安定化が図られていた。
従って工程が複雑になり、製造手番も長くなっていた口
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は、ガス欲・散手段とイオン注入手段を併
用する耐酸化膜セｌレフアライン方式の半導体装置の製
造方法に於て、再酸化工程金省く方法全提供し、上記問
題点全除去することにある。
用する耐酸化膜セｌレフアライン方式の半導体装置の製
造方法に於て、再酸化工程金省く方法全提供し、上記問
題点全除去することにある。
［ｅ） 発明り］構成
即ち本発明は半導体装置の製造方法に於て、半導体基体
上に、下部に第１の熱酸化膜全通し且つ上部に不純物導
入阻止膜を有する耐酸化膜パターンを形成し、該耐酸化
膜パターン業マスクにして表出基体面に不純物導入阻止
用の第２の熱酸化膜を選択的に形成し、所望領域の第２
の熱酸化膜を選択的に除去し、該領域にガス拡散手段を
用いて不純物全選択的に導入した後、前記耐酸化膜パタ
ーンに画定された複数領域の半導体層面全表出せしめ、
該半導体層面にイオン衝撃吸収用の第３の熱酸化膜を形
成し、前記不純物導入領域以外の半導体基体面に前記耐
酸化膜に整合せしめ、且つ前記第３の熱酸化膜全通して
イオン注入手段により不純物を導入し、その後前記耐酸
化膜パダーンをその上部υ〕不純物導入阻止膜と共に除
去した後、前記第１の熱酸化膜と第３の熱酸化膜上に化
学気相成長膜からなる下層絶縁膜を形成する工程會有す
ることを特徴とする。
上に、下部に第１の熱酸化膜全通し且つ上部に不純物導
入阻止膜を有する耐酸化膜パターンを形成し、該耐酸化
膜パターン業マスクにして表出基体面に不純物導入阻止
用の第２の熱酸化膜を選択的に形成し、所望領域の第２
の熱酸化膜を選択的に除去し、該領域にガス拡散手段を
用いて不純物全選択的に導入した後、前記耐酸化膜パタ
ーンに画定された複数領域の半導体層面全表出せしめ、
該半導体層面にイオン衝撃吸収用の第３の熱酸化膜を形
成し、前記不純物導入領域以外の半導体基体面に前記耐
酸化膜に整合せしめ、且つ前記第３の熱酸化膜全通して
イオン注入手段により不純物を導入し、その後前記耐酸
化膜パダーンをその上部υ〕不純物導入阻止膜と共に除
去した後、前記第１の熱酸化膜と第３の熱酸化膜上に化
学気相成長膜からなる下層絶縁膜を形成する工程會有す
ることを特徴とする。
げ）発明の実施例
７−
以下本発明全−冥施例について、第１図（イ）乃至に）
及び第３図（イ）乃至（ト）に示す工程断面図全量いて
詳細に説明する。
及び第３図（イ）乃至（ト）に示す工程断面図全量いて
詳細に説明する。
本発明の方法により例えばＮＰＮ型のバイポーラ型半導
体装置を形成するに際しては、Ｐ型８ｉ基板１．Ｎ＋型
埋没層２．及びＮ−型ＳｉエピタキシャＩし層３からな
る被処理基板上に通常の熱酸化法で例えば厚さ１ｏｏｏ
［Ａ”ｌ程度の第１の熱酸化（８ｉ０ｔ）膜４全形成し
、次いで核基板上に通常のＣＶＤ法により厚さ２０００
〜３０００（Ａ：１程度の８ｉ３Ｎ、耐酸化膜６全形成
し、次いで該８ｉ３Ｎ。
体装置を形成するに際しては、Ｐ型８ｉ基板１．Ｎ＋型
埋没層２．及びＮ−型ＳｉエピタキシャＩし層３からな
る被処理基板上に通常の熱酸化法で例えば厚さ１ｏｏｏ
［Ａ”ｌ程度の第１の熱酸化（８ｉ０ｔ）膜４全形成し
、次いで核基板上に通常のＣＶＤ法により厚さ２０００
〜３０００（Ａ：１程度の８ｉ３Ｎ、耐酸化膜６全形成
し、次いで該８ｉ３Ｎ。
耐酸化膜６上に通常のＣＶ １）法により例えば厚さ３
０００〜３５００ ［Ａ）程度の高りん濃度多結晶Ｓｉ
からなる不純物導入阻止膜５を形成し、次いで通常のド
ライエツチング法によりこれらの膜のパターンニングを
行って第１図（イ）に示すよろに、該被処理基板のＮ−
型８ｉエピタキシヤｌし層３上に、下部に１０００ （
Ａ）程度のｔＪｌの熱酸化膜４を有Ｌ７、且つ上部に不
純物導入阻止膜５を有する８１３Ｎ４耐酸化膜６からな
り、ＩＳＯ領域整合窓７．コレク８− ダ・コンダクト領域整合窓８．及びベース領域整合窓９
を有するマスクーパダーン盆形成する。そして該パダー
ン？マスクにして選択熱酸化？行い、ＩＳＯ領域整合窓
７．コレクタ・コンタクト領域整合窓８．ベース領域整
合窓９日に表出する３ｉエピダキシヤ・し層３の上面に
例えば３０００（λ〕程度の厚嘔全有する不純物導入阻
止用の第２の熱酸化（Ｓｉｎ２）膜１０ａ、１０ｂ’、
１０ｃｉ形ａ−ｒる。
０００〜３５００ ［Ａ）程度の高りん濃度多結晶Ｓｉ
からなる不純物導入阻止膜５を形成し、次いで通常のド
ライエツチング法によりこれらの膜のパターンニングを
行って第１図（イ）に示すよろに、該被処理基板のＮ−
型８ｉエピタキシヤｌし層３上に、下部に１０００ （
Ａ）程度のｔＪｌの熱酸化膜４を有Ｌ７、且つ上部に不
純物導入阻止膜５を有する８１３Ｎ４耐酸化膜６からな
り、ＩＳＯ領域整合窓７．コレク８− ダ・コンダクト領域整合窓８．及びベース領域整合窓９
を有するマスクーパダーン盆形成する。そして該パダー
ン？マスクにして選択熱酸化？行い、ＩＳＯ領域整合窓
７．コレクタ・コンタクト領域整合窓８．ベース領域整
合窓９日に表出する３ｉエピダキシヤ・し層３の上面に
例えば３０００（λ〕程度の厚嘔全有する不純物導入阻
止用の第２の熱酸化（Ｓｉｎ２）膜１０ａ、１０ｂ’、
１０ｃｉ形ａ−ｒる。
次いで先ずＩｓａ領域整合窓７内の第２の熱酸化膜１０
ａ ｆ選択的に除去し、通常のガス拡散手段によりＩａ
ｏ領域整合窓７を介して３ｉ工ビダキシヤＩｌ／層３に
硼素（抽？導入し、次いでコレクタ・コンダクト領域整
合窓８内θ」第２θ〕熱酸化膜１０ｂ全選択的に除去し
、通常のガス拡散手段によりコレクタ・コンタクト領域
整合窓８？介してＳｉエピダキシャｌし層３にりんｆＰ
＋ｉ導入して、第１図（ロ）に示すようにＰ＋型ＩＳＯ
領域１１及びＮ十型コレクタψコンタクト領域１２全形
取する。なおこの際Ｉｓｏ領域１１及びコレクタ・コン
ダクト領域１２表出面上には新たに第２′の熱酸化（８
ｔ０２’） １０’ａ 。
ａ ｆ選択的に除去し、通常のガス拡散手段によりＩａ
ｏ領域整合窓７を介して３ｉ工ビダキシヤＩｌ／層３に
硼素（抽？導入し、次いでコレクタ・コンダクト領域整
合窓８内θ」第２θ〕熱酸化膜１０ｂ全選択的に除去し
、通常のガス拡散手段によりコレクタ・コンタクト領域
整合窓８？介してＳｉエピダキシャｌし層３にりんｆＰ
＋ｉ導入して、第１図（ロ）に示すようにＰ＋型ＩＳＯ
領域１１及びＮ十型コレクタψコンタクト領域１２全形
取する。なおこの際Ｉｓｏ領域１１及びコレクタ・コン
ダクト領域１２表出面上には新たに第２′の熱酸化（８
ｔ０２’） １０’ａ 。
１０’ｂがそれぞれ形成される。
次いで該基板面１ｆ（Ｆ’系の８ｉ０！工、チンダ液に
よりベース領域整合窓９内の第２の熱酸化（Ｓｉｎり膜
ｔＯＣが除去されるまで全面エツチングして、第３図（
イ）に示すよろに、ベース領域整合窓９内のＮ−型Ｓｔ
エピタキシャル層３面を表出せしめる。
よりベース領域整合窓９内の第２の熱酸化（Ｓｉｎり膜
ｔＯＣが除去されるまで全面エツチングして、第３図（
イ）に示すよろに、ベース領域整合窓９内のＮ−型Ｓｔ
エピタキシャル層３面を表出せしめる。
この際Ｉ８０領域領域窓７及びコレクタ・コンタクト領
域整合窓８内にはＰ十型Ｉｓｏ領域１１面及びＮ十Ｗコ
レクタ・コンタクト領域１２面がそれぞれ表出する。又
少なくともベース領域整合窓９周辺（’）８ｆａＮ４耐
ｇ１１化膜６上ＩＣ１ｊ２０００〜３０００（Ａ：］程
度の厚さのＳ ｉｏ、膜からなる不純物導入阻止膜５が
残留する。
域整合窓８内にはＰ十型Ｉｓｏ領域１１面及びＮ十Ｗコ
レクタ・コンタクト領域１２面がそれぞれ表出する。又
少なくともベース領域整合窓９周辺（’）８ｆａＮ４耐
ｇ１１化膜６上ＩＣ１ｊ２０００〜３０００（Ａ：］程
度の厚さのＳ ｉｏ、膜からなる不純物導入阻止膜５が
残留する。
次いで８ ｉ 、 Ｎ、耐酸化膜パターン６′ｆ：マス
クにして該基板面を選択的に熱酸化し、第３図（ＣＩＩ
に示すよろにベース領域整合窓９内に表出しているＳｔ
エビダキシャＩし層３面、ｒ ％ｓｏ領域整合窓７内に
表出しているＰ＋ｆｉＩｓｏ領域１１面、及びコレクタ
・コンダクト領域整合窓８内に表出しているＮ十型コレ
ク々−コンタクト領域１２ＷＩに耐酸化膜６下部の第１
の熱酸化（Ｓ ｉＯ，）膜４とほぼ等しい厚さ即ち１０
００（Ａ）程度の厚さの第３の熱酸化（８ｉ０．）膜１
３ｉ形成する。なＪベース領域整合窓９内の第３の熱酸
化膜１３はイオン衝撃吸収膜として機能する口 次いで該基板上にベース領域整合窓９都會表出するレジ
スト・マスク膜（図示せず）を形成し、ベース領域整合
窓９からイオン衝撃吸収用の第４の熱酸化（Ｓｉｎり膜
１３を通して硼素イオン（Ｉ３＋）を注入し、所定のア
ユ−ｌし処理全施して、第３図（）１に示すよろにＮ−
型ＳｉエピタキシャΦ層３の表面部にＰ型ベース領域１
５’（ｚ形成する。
クにして該基板面を選択的に熱酸化し、第３図（ＣＩＩ
に示すよろにベース領域整合窓９内に表出しているＳｔ
エビダキシャＩし層３面、ｒ ％ｓｏ領域整合窓７内に
表出しているＰ＋ｆｉＩｓｏ領域１１面、及びコレクタ
・コンダクト領域整合窓８内に表出しているＮ十型コレ
ク々−コンタクト領域１２ＷＩに耐酸化膜６下部の第１
の熱酸化（Ｓ ｉＯ，）膜４とほぼ等しい厚さ即ち１０
００（Ａ）程度の厚さの第３の熱酸化（８ｉ０．）膜１
３ｉ形成する。なＪベース領域整合窓９内の第３の熱酸
化膜１３はイオン衝撃吸収膜として機能する口 次いで該基板上にベース領域整合窓９都會表出するレジ
スト・マスク膜（図示せず）を形成し、ベース領域整合
窓９からイオン衝撃吸収用の第４の熱酸化（Ｓｉｎり膜
１３を通して硼素イオン（Ｉ３＋）を注入し、所定のア
ユ−ｌし処理全施して、第３図（）１に示すよろにＮ−
型ＳｉエピタキシャΦ層３の表面部にＰ型ベース領域１
５’（ｚ形成する。
次いで熱りん酸処理を行つ゛ｒｓ１３Ｎ、耐酸化膜６全
溶解除去すると同時に、該耐酸化膜６上の不純物導入阻
止膜５全リフト・オフして、第３図（に）に示すように
、耐酸化膜固着用の＠１の熱酸化（Ｓｉ〜膜４全表出、
さ、ぜる。ここで該基板面は、図のように目）００（Ａ
）程度の厚さ金有する前記第１の熱酸化（ｓｈｏ、）膜
４とイオン衝撃吸収用の第３の熱酸化（Ｓｉ０１）膜１
３に覆われた状態になり、従来１１一 方法に於ける再酸化工程後の表面構造と同様になる。
溶解除去すると同時に、該耐酸化膜６上の不純物導入阻
止膜５全リフト・オフして、第３図（に）に示すように
、耐酸化膜固着用の＠１の熱酸化（Ｓｉ〜膜４全表出、
さ、ぜる。ここで該基板面は、図のように目）００（Ａ
）程度の厚さ金有する前記第１の熱酸化（ｓｈｏ、）膜
４とイオン衝撃吸収用の第３の熱酸化（Ｓｉ０１）膜１
３に覆われた状態になり、従来１１一 方法に於ける再酸化工程後の表面構造と同様になる。
従って本発明の方法に於ては、次いで＠３図（羽に示す
よろに、該基板面の第１の熱酸化（Ｓｉｎｔ）膜４と第
３の熱酸化（８４０，）膜１３上に例えば３０００〜４
０００（Ａ）程度の厚さ？有する下層絶縁膜としての化
学気相成長膜例えばＣＶＤ・５ＩＯ２膜１７全形成する
。
よろに、該基板面の第１の熱酸化（Ｓｉｎｔ）膜４と第
３の熱酸化（８４０，）膜１３上に例えば３０００〜４
０００（Ａ）程度の厚さ？有する下層絶縁膜としての化
学気相成長膜例えばＣＶＤ・５ＩＯ２膜１７全形成する
。
以下従来と同様、通常フォト・リソグラフィ技術により
第３図（へ）に示すよろに、前記ＣＶＤ＊ＳｉＯ。
第３図（へ）に示すよろに、前記ＣＶＤ＊ＳｉＯ。
次いで該基板上に厚さ１０００（Ａ）程度の多結晶ＳＨ
層２１全形成し、次いで該多結晶Ｓｉ層２１上に拡散源
用のＰＳＧ層２２？堆積形成し、次いでベース電極窓１
９上のＰ ！’３ ＧＪｌｒ選択的に除去した後、エミ
ッタ電極窓１８及びコレクダ電極窓２０金介し多結晶Ｓ
ｔ層２１全通してＰ２Ｏ層からりんｆＰｌ 全固相−固
相惨拡散せしめてＮ十型エミッタ領域２３及びＮ＋士型
コレクタ・コンダクト１２− 領域２４全形成する。
層２１全形成し、次いで該多結晶Ｓｉ層２１上に拡散源
用のＰＳＧ層２２？堆積形成し、次いでベース電極窓１
９上のＰ ！’３ ＧＪｌｒ選択的に除去した後、エミ
ッタ電極窓１８及びコレクダ電極窓２０金介し多結晶Ｓ
ｔ層２１全通してＰ２Ｏ層からりんｆＰｌ 全固相−固
相惨拡散せしめてＮ十型エミッタ領域２３及びＮ＋士型
コレクタ・コンダクト１２− 領域２４全形成する。
そして前記ＰＳＧ層２２ｔ−除去した後、通常通り蒸着
成るいはスパッタリング法により該基板上に例えば７０
００〜５ｏｏｏ（λ〕程度の厚さのアルミニウム（Ａｔ
）層？形成し、通常υ】ドライエツチング法等金用いて
該ｈｔ層及び前記多結晶Ｓｉ層２１のパターンニングを
行って、第３図（）ｌに示すようにエミッタ配線２５．
ベース配置２６１：’う半導体装置が提供される。
成るいはスパッタリング法により該基板上に例えば７０
００〜５ｏｏｏ（λ〕程度の厚さのアルミニウム（Ａｔ
）層？形成し、通常υ】ドライエツチング法等金用いて
該ｈｔ層及び前記多結晶Ｓｉ層２１のパターンニングを
行って、第３図（）ｌに示すようにエミッタ配線２５．
ベース配置２６１：’う半導体装置が提供される。
ｆｇｌ 発明の詳細
な説明したように本発明０）方法に於ては、耐酸化膜マ
スクパダーンの下部に敷かれる熱酸化膜、及びイオン注
入に際して形成したイオン衝撃吸収用の熱酸化膜ｉ、Ｃ
ＶＤ下層絶縁膜の下敷き熱酸化膜として用いることによ
り、下層絶縁膜とシリコン層との接続面の安定化が図ら
れ６゜従って本発明に於ては、化学気相成長膜葎膜の下
敷き熱酸化膜盆形成するための再酸化工程が省略される
ので、バイポーラ型半導体装置の製造工程が簡略化され
、工程手番の短縮が１図れる。
スクパダーンの下部に敷かれる熱酸化膜、及びイオン注
入に際して形成したイオン衝撃吸収用の熱酸化膜ｉ、Ｃ
ＶＤ下層絶縁膜の下敷き熱酸化膜として用いることによ
り、下層絶縁膜とシリコン層との接続面の安定化が図ら
れ６゜従って本発明に於ては、化学気相成長膜葎膜の下
敷き熱酸化膜盆形成するための再酸化工程が省略される
ので、バイポーラ型半導体装置の製造工程が簡略化され
、工程手番の短縮が１図れる。
′Ｍ１図（イ）乃至に）は耐酸化膜セルファライン方式
の工程断面図、第２図（イ）乃至Ｇ／ｉは従来方法の工
程断面図で、第３図（イ）乃至（ト）は本発明の方法の
工程断面図である。 ６は耐酸化膜、７は素子間分離領域整合窓、８はコレク
タ・コンタクト領域整合窓、９はベース領域整合窓、ｌ
Ｏａ、１０ｂ、ＩＱｃは第２の熱酸化膜、Ｉ Ｏ’ａ
、 １０’ｂは第２′ノ熱酸化膜、１１はＰ＋型素子間
分離領域、１２はＮ十型コレクタ・コン＋ ダクト領域、１３は第３の熱酸化膜、１５はｐｌベース
領域、１７は化学気相成長二酸化シリコン膜全示すロ
−：、・１５− 緊１図 Ｐｚ 団 Ｐ ラ 目
の工程断面図、第２図（イ）乃至Ｇ／ｉは従来方法の工
程断面図で、第３図（イ）乃至（ト）は本発明の方法の
工程断面図である。 ６は耐酸化膜、７は素子間分離領域整合窓、８はコレク
タ・コンタクト領域整合窓、９はベース領域整合窓、ｌ
Ｏａ、１０ｂ、ＩＱｃは第２の熱酸化膜、Ｉ Ｏ’ａ
、 １０’ｂは第２′ノ熱酸化膜、１１はＰ＋型素子間
分離領域、１２はＮ十型コレクタ・コン＋ ダクト領域、１３は第３の熱酸化膜、１５はｐｌベース
領域、１７は化学気相成長二酸化シリコン膜全示すロ
−：、・１５− 緊１図 Ｐｚ 団 Ｐ ラ 目
Claims (1)
- 半導体基体上に１該半導体基体ＷＪヲ複数の表出領域に
画定し、下部に第１の熱酸化膜を有し且つ上部に不純物
導入阻止膜を有する耐酸化膜パターンを形成し、該耐酸
化膜パターンをマスクにして表出基体面に不純物導入阻
止用の第２の熱酸化膜を選択的に形成し、所望領域の第
２の熱酸化膜そ選択的に除去し、該領域にガス拡散手段
を用いて不純物を選択的に導入した後、前記耐酸化膜パ
ターンに画定された全領域の半導体層面を表出せしめ、
該半導体層面にイオン衝撃吸収用の第３の熱酸化膜を形
成し、前記不純物導入領域以外の半導体基体面に、前記
耐酸化膜に整合せしめ、且つ前記第３の熱酸化膜を通し
てイオン注入手段により不純物全導入し、その後前記耐
酸化膜パターンをその上部の不純物導入阻止膜と共に除
去した後、前記第１の熱酸化膜と第３の熱酸化膜上に化
学気相成長膜からなる下層絶縁膜を形成する工程を有す
ること全特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8601682A JPS58202571A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8601682A JPS58202571A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202571A true JPS58202571A (ja) | 1983-11-25 |
Family
ID=13874871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8601682A Pending JPS58202571A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202571A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119775A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP8601682A patent/JPS58202571A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119775A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0580818B2 (ja) * | 1983-12-02 | 1993-11-10 | Hitachi Ltd |
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