JPS58202525A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS58202525A
JPS58202525A JP57085937A JP8593782A JPS58202525A JP S58202525 A JPS58202525 A JP S58202525A JP 57085937 A JP57085937 A JP 57085937A JP 8593782 A JP8593782 A JP 8593782A JP S58202525 A JPS58202525 A JP S58202525A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置の製造方法に係り、特に配線部分
及び電極部分におけるオーミック接触の改良を考慮した
半導体装置の製造方法に関する。
発明の技術的背景及び問題点 従来より、半導体装置の電極及び配線に耐酸性及び耐熱
性に優れており、また自己整合法を適用し得るため、多
結晶シリコンが多く用いられて来たｏしかし、多結晶シ
リコンは比抵抗が高く素子の高速動作には不利であるこ
とが分かってきた。
一方、最近、金属硅化物を用いる方法も着目されている
が、金属硅化物では配線等に必要なオーミック接続がで
きない。このため、例えばリンをドーピングしたＭｏＳ
ｉ２膜を使用したり、ＭｏＳｉ２膜とＳｉ基板との界面
にイオン注入するなどの方法が採られている。これらの
方法は多結晶シリコンを用いた製造方法と類似しておら
ず既存の設備を利用できなかったり危険性が大きく、ま
たオーミック性が悪いなど欠点がある。
発明の目的 この発明は、以上の様な実情に基づいて成されたもので
あり、金属及び金属硅化物の電極又は配線を有し且つこ
れらの電極又は配線の基板とのオーミック性の良く、信
頼性の島い１だ高速動作の期待できる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
発明の概要 この目的を達成するため、この発明によれば、半導体基
板表面に絶縁膜を形成してその絶縁膜上及びその絶縁膜
を除去した部分に金属及び硅素を同時に蒸着させた配線
用及び電極用の膜を形成する工程と、この膜の表面から
前記半導体基板の界面に対して多量の不純物を導入する
工程とを素子の半導体領域を形成する工程に先立って実
行する様にする。
すなわち、この発明によれば、電極又は配線材料として
金属及び金属硅化物を用い表面からガス拡散又は固体拡
散により、半導体基板との界面て多数に不純物を膜厚に
関係ン＜ドープしオーミック性を持たせ、また下地物質
が絶縁物の場合には自己整合的に半導体領域側には不純
物がドープされないようにするものである。
発明の実施例 以下、添付図面に従ってこの発明の詳細な説明する０以
下に説明する実施例は、ｎチャネルＭＯ８−Ｆ’ＥＴの
製造にこの発明を適用した例を示すものであるが、この
発明はこの実施例に限定されるものではない。
先づ、第１図に示す様に、ｐ型のシリコン基板ｌを熱酸
化し約１０００Ａのシリコン酸化膜２を形成してバター
ニングする。この後、更に酸化し約１０ＯＡのゲート酸
化膜３を形成しく第２図）、壕だ電極部分のパターニン
グラスる。
次に、第３図に示す様に、シリコンＳｔとモリブデンＭ
ｏを同時に蒸着し約ｒｏｏｏＡのＭｏＳ　ｉ２膜≠を形
成する。ここで、表面からＰＯＣＩ　ｓの拡散ｊを／　
０００　’Ｃで１３分間行うことにより、ＭＯ８Ｉ２膜
弘の比抵抗が下がると同時に、シリコン基板／と膜部の
接している部分にだけ自己整合的にリンＰがシリコン基
板ｌにドープされオーミック接触の領域ｔが形成される
。
この後、バターニング工程を経てざＯｋｅＶでヒ素Ａｓ
のイオン注入を行いソース領域７Ｂ及びドレイン領域７
ｂを形成する。最後に、ＣＶＤ法による５ｔｏ２膜ｒを
形成しパンシベーシ■ン膜とする。
尚、相互接続配線並びに入出力配線は例えばアルミニウ
ム膜りをもって形成する。
尚、シリコン酸化膜λは絶縁を目的とするものであるか
ら他の材料を用いてよいのはもちろんのことである。
発明の効果 この発明によれば、以上の実施例の様に配線用及び電極
用の膜にＭｏＳ　１２を用いることにより、多結晶シリ
コンの配線及び電極に比べて比抵抗が小さく従って高速
動作が可能な半導体装置を提供することができる。また
、オーミック接触領域を形成したいシリコン基板部分に
自己整合的に且つ高濃度に不純物をドープすることがで
き、特にこのことにより高密度ＬＳＩの製造を可能とす
る。更に、例えばゲート電極部の部分にリンイオンＰ−
が含まれるため、これが絶縁膜λ等に含まれるゲッタと
なりゲート電極部分における安定性信頼性が得られ望ま
しい。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第μ図はこの発明の実施例に係る半導体装置
の製造方法を示す工程図であるＯｌ・・・半導体基板、
２，３・・・シリコン酸化膜、弘・・・ＭｏＳｉ２膜、
ｊ・・・拡散ガス、２・・・オーミック接触領域、７ｍ
、７ｂ・・・ソース及びドレイン領域、了・・・ＣｖＤ
シリコン酸化膜、り・・・アルミニウム膜。 出願人代理人　　猪　股　　　　清 手続補正書 昭和開用８月１１日 特許庁長官　　　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示 昭和５７年９・４′許願第８５９３７号２、発明の名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （３０７）東夏芝浦電気株式会社 」１ ７、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および「発明の詳細な説明
」の各欄 （１） ８、補正の内容 １、％、１！ｆ請求の範囲を下記文の通りに訂正する。 「特許請求の範囲 ■、半導体基板表面に絶縁膜を形成しその絶縁膜上及び
その絶縁膜を除去した部分に金属及び硅素を同時に蒸着
させた配線用及び電極用の膜を形成する工程と、この膜
の表面から前記半導体基板の界面に対して多量の不純物
を導入する工程とを素子の半導体領域を形成する工程に
先立って実行する様にして成る半導体装置の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記半
導体基板は単結晶シリコン基板であり、前記配線用及び
電極用の膜はシリサイドまたは金属であるようにして成
る半導体装置の製造方法。」 ２、明細８５頁２行「ンース領域」の前Ｋ「第４図に示
すように」を挿入する。 ３、同６頁２行「望ましい。」の前に「、特にトランジ
スタのしきい値耐圧が向上し」を挿入する。 （２）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｌ　半導体基板表面に絶縁膜を形成しその絶縁膜上及び
    その絶縁膜を除去した部分に金属及び硅素を同時に゛蒸
    着させた配線用及び電極用の膜を形成する工程と、この
    膜の表面から前記半導体基板の界面に対して多量の不純
    物を導入する工程とを素子の半導体領域を形成する工程
    に先立って実行する様にして成る半導体装置の製造方法
    。 λ特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記半導
    体基板は単結晶シリコン基板であシ、前記配線用及び電
    極用の膜はＭｏＳｉ２であるようにして成る半導体装置
    の製造方法。
JP57085937A 1982-05-21 1982-05-21 半導体装置の製造方法 Granted JPS58202525A (ja)

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EP0098941B1 (en) 1987-10-14
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