JPS58201743A - 1,9−ノナンジア−ルを製造する方法 - Google Patents
1,9−ノナンジア−ルを製造する方法Info
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- JPS58201743A JPS58201743A JP57085273A JP8527382A JPS58201743A JP S58201743 A JPS58201743 A JP S58201743A JP 57085273 A JP57085273 A JP 57085273A JP 8527382 A JP8527382 A JP 8527382A JP S58201743 A JPS58201743 A JP S58201743A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は1,9−ノナンジアールの新′規な製造法に関
するものであり、さらに詳しくは工業的実施に適した方
法によって7−オクテン−1−アールをヒドロホルミル
化し、反応混合液から効果的に1.9−ノナンシアー/
I/全分離取得することを骨子とする1、9−ノナンジ
アールの製造法に関するものである。
するものであり、さらに詳しくは工業的実施に適した方
法によって7−オクテン−1−アールをヒドロホルミル
化し、反応混合液から効果的に1.9−ノナンシアー/
I/全分離取得することを骨子とする1、9−ノナンジ
アールの製造法に関するものである。
1.9−ノナンジアールはアゼフィン酸、1.9−ノナ
ンジアミンなどをはじめとする種々の有用な物質の出発
原料として有用な化合物であるが、これまでその工業的
な製造法は全く知られていないのが実状である。アゼラ
イン酸エステ/l/’i水素化リチウムアルミニウムな
どで半還元することにより1,9−ノナンジアールを製
造することもできるが、半還元により1,9−ノナンシ
アーμを選択的に製造することは困難でありかつ原料お
よび還元剤が高価であることを考慮するとこの方法は工
業的には採用し難い。先に本発明者らはブタジェンと水
とをバッジラム錯体触媒の存在下に反応させることによ
って2,7−オクタノニン−1−オールを工業的に有利
に製造しうろこと(特開昭56−138129号公報参
照)、2.7−オクタノニン−1−オー/I/′fr:
銅系竺媒およびり゛ロム系触媒よりなる群より選ばれる
触媒の存在下に異性化すれば7−オクテン−1−アール
が高収率で得られること、を見い出また(特願昭56−
7.31.51 )。
ンジアミンなどをはじめとする種々の有用な物質の出発
原料として有用な化合物であるが、これまでその工業的
な製造法は全く知られていないのが実状である。アゼラ
イン酸エステ/l/’i水素化リチウムアルミニウムな
どで半還元することにより1,9−ノナンジアールを製
造することもできるが、半還元により1,9−ノナンシ
アーμを選択的に製造することは困難でありかつ原料お
よび還元剤が高価であることを考慮するとこの方法は工
業的には採用し難い。先に本発明者らはブタジェンと水
とをバッジラム錯体触媒の存在下に反応させることによ
って2,7−オクタノニン−1−オールを工業的に有利
に製造しうろこと(特開昭56−138129号公報参
照)、2.7−オクタノニン−1−オー/I/′fr:
銅系竺媒およびり゛ロム系触媒よりなる群より選ばれる
触媒の存在下に異性化すれば7−オクテン−1−アール
が高収率で得られること、を見い出また(特願昭56−
7.31.51 )。
かかる背景から、本発明者らは7−オクテン−1−ア一
〃を出発原料とする。各種の誘導体の合成法について鋭
意検討を5重ねてきた。その結果、この度、ロジウム錯
化合物および三置換ホスフィンを含む芳香族炭化水素溶
液中で7−オクテン−1−アー/1/ヲ水素と一酸化次
素との混合ガスによってヒドロホルミル化し、得られる
反応混合液に対して1,4−ブタンジオ−/L/または
1,6−ヘキサンジオールの水溶液を抽剤とする抽出操
作を施せば1.9−ノナンジアールは効果的に抽剤層中
に抽出分離されること、該抽出操作によってロジウム錯
化合物および三置換ホスフィンは実質的に油剤層中に溶
出しないことを見出し本発明を完成するに至った。本発
明の方法は出発原料がブタジェン、水およびオキソガス
であること、反応混合液から1.9−ノナンジアールと
触媒成分とを抽出という極めて簡単な操作によって分離
しうろこと、などの利点を備えている。
〃を出発原料とする。各種の誘導体の合成法について鋭
意検討を5重ねてきた。その結果、この度、ロジウム錯
化合物および三置換ホスフィンを含む芳香族炭化水素溶
液中で7−オクテン−1−アー/1/ヲ水素と一酸化次
素との混合ガスによってヒドロホルミル化し、得られる
反応混合液に対して1,4−ブタンジオ−/L/または
1,6−ヘキサンジオールの水溶液を抽剤とする抽出操
作を施せば1.9−ノナンジアールは効果的に抽剤層中
に抽出分離されること、該抽出操作によってロジウム錯
化合物および三置換ホスフィンは実質的に油剤層中に溶
出しないことを見出し本発明を完成するに至った。本発
明の方法は出発原料がブタジェン、水およびオキソガス
であること、反応混合液から1.9−ノナンジアールと
触媒成分とを抽出という極めて簡単な操作によって分離
しうろこと、などの利点を備えている。
本発明方法においてヒドロホルミル化反応溶媒として用
いられる芳香族炭化水素としてはベンゼン、トルエン、
キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ドデシルベン
ゼンなどの非置換またはアルキル基で置換され牟ベンゼ
ン類を具体的に挙げることができる。ロジウム錯化合物
としては、ヒドロホルミル化触媒能ヲ有する任意のロジ
ウム錯化合物あるいは反応系中においてか・かるロジウ
ム錯化合物を与える公知のロジウム化合物が使用できる
。その具体例としてRh4(CO)12、Rh6(CO
)16、Rh0A’(PPhs)s (Phはフェニル
基を表わす)、HRh(00)(PPhs )sなどを
挙げることができる。また別途に触媒調製槽を設け、そ
の中で公知の方法により調製したロジウム錯化合物を含
む反応液をそのまま触媒溶液として用いることもできる
。反応混合液中におけるロジウム錯化合物の濃度はロジ
ウム原子換算で0.05〜10ミリグラム原子/lの範
囲から選ぶのが望ましい。使用しうる三置換ホスフィン
としては数多くのものがあるが、トリフェニルホスフィ
ン、トリトリルホスフィン、トリナフチルホスフィン、
ジフェニルプロピルホスフィン、ジフェニルブチルホス
フィンなどをその好ましい例として挙げることができる
。これらの三置換ホスフィンは単独もしくは二種以上組
合せて用いることができる。一般にロジウム錯化合物に
よるヒドロ水反応ル化反応においてそうであるように、
本発明の方法においても三置換ホスフィンはロジウム錯
化合物に対して過剰に(通常10当量以上)用いられ、
これによりロジウム錯化合物の安定化と1,9−ノナン
シアーμへの選択率の向上がもたらされ、同時に抽出工
程における油剤層中へのロジウム錯化合物の溶出による
損失が抑えられる。通常、三置換ホスフィンはロジウム
錯化合物中のロジウム1原子あたり25〜500当量の
割合で用いられる。本発明者らの更に詳細な検討による
と、上記三置換ホスフィンと合せて1,4−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)ブタンをロジウム1原子あたり0.
6〜2当量添加すると三置換ホスフィンの三置換ホスフ
ィンオキシトへの酸素酸化が抑制され、ロジウム触媒の
触媒活性がさらに安定化する傾向があることがわかった
。1.4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンの添加
量が上記の範囲を逸脱する場合には添加効果が実質的に
現われないか、または触媒活性が著しく低下するので好
ましくない。
いられる芳香族炭化水素としてはベンゼン、トルエン、
キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ドデシルベン
ゼンなどの非置換またはアルキル基で置換され牟ベンゼ
ン類を具体的に挙げることができる。ロジウム錯化合物
としては、ヒドロホルミル化触媒能ヲ有する任意のロジ
ウム錯化合物あるいは反応系中においてか・かるロジウ
ム錯化合物を与える公知のロジウム化合物が使用できる
。その具体例としてRh4(CO)12、Rh6(CO
)16、Rh0A’(PPhs)s (Phはフェニル
基を表わす)、HRh(00)(PPhs )sなどを
挙げることができる。また別途に触媒調製槽を設け、そ
の中で公知の方法により調製したロジウム錯化合物を含
む反応液をそのまま触媒溶液として用いることもできる
。反応混合液中におけるロジウム錯化合物の濃度はロジ
ウム原子換算で0.05〜10ミリグラム原子/lの範
囲から選ぶのが望ましい。使用しうる三置換ホスフィン
としては数多くのものがあるが、トリフェニルホスフィ
ン、トリトリルホスフィン、トリナフチルホスフィン、
ジフェニルプロピルホスフィン、ジフェニルブチルホス
フィンなどをその好ましい例として挙げることができる
。これらの三置換ホスフィンは単独もしくは二種以上組
合せて用いることができる。一般にロジウム錯化合物に
よるヒドロ水反応ル化反応においてそうであるように、
本発明の方法においても三置換ホスフィンはロジウム錯
化合物に対して過剰に(通常10当量以上)用いられ、
これによりロジウム錯化合物の安定化と1,9−ノナン
シアーμへの選択率の向上がもたらされ、同時に抽出工
程における油剤層中へのロジウム錯化合物の溶出による
損失が抑えられる。通常、三置換ホスフィンはロジウム
錯化合物中のロジウム1原子あたり25〜500当量の
割合で用いられる。本発明者らの更に詳細な検討による
と、上記三置換ホスフィンと合せて1,4−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)ブタンをロジウム1原子あたり0.
6〜2当量添加すると三置換ホスフィンの三置換ホスフ
ィンオキシトへの酸素酸化が抑制され、ロジウム触媒の
触媒活性がさらに安定化する傾向があることがわかった
。1.4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンの添加
量が上記の範囲を逸脱する場合には添加効果が実質的に
現われないか、または触媒活性が著しく低下するので好
ましくない。
本発明にしたがう7−オクテン−1−7−μのヒドロホ
ルミル化度応は通常50〜120°Cの温度下で実施さ
れる。反応圧力は約0.5〜20絶対気圧、好ましくは
1〜10絶対気圧の範囲内から選ばれる。本発明者らの
検討によると、反応混合液中の一酸化戻素濃度がある程
度低い方が1,9−ノナンジアールの選択率が向上し、
副生成物である2−メチル−1,8−オクタンジアール
の選択率が低下する傾向が認められる。したがって、入
りガス中の水素/−酸化炭素のモル比は少なくとも1以
上で′あることが望ましい。反応の選択性および反応生
成物間の分離の容易さなどの要件を勘案すると、反応は
一酸化戻素の拡散または供給律速下もしくはそれに近い
条件下で行なうのが有利である。本ヒドロホルミル化反
応は攪拌型反応槽中または気泡塔型反応槽中で連続方式
またはバッチ方式で行なわれる。
ルミル化度応は通常50〜120°Cの温度下で実施さ
れる。反応圧力は約0.5〜20絶対気圧、好ましくは
1〜10絶対気圧の範囲内から選ばれる。本発明者らの
検討によると、反応混合液中の一酸化戻素濃度がある程
度低い方が1,9−ノナンジアールの選択率が向上し、
副生成物である2−メチル−1,8−オクタンジアール
の選択率が低下する傾向が認められる。したがって、入
りガス中の水素/−酸化炭素のモル比は少なくとも1以
上で′あることが望ましい。反応の選択性および反応生
成物間の分離の容易さなどの要件を勘案すると、反応は
一酸化戻素の拡散または供給律速下もしくはそれに近い
条件下で行なうのが有利である。本ヒドロホルミル化反
応は攪拌型反応槽中または気泡塔型反応槽中で連続方式
またはバッチ方式で行なわれる。
本発明方法において、ヒドロホルミル化反応混合液は1
,4−ブタンジオ−/I/lたは1,6−ヘキサンジオ
ールの水溶液を油剤とする抽出操作に付される。1.4
−ブタンジオール水溶液を抽剤として用いる場合には6
0〜90重量パーセントの濃度であることが好ましく、
1,6−ヘキサンジオ−〃水溶液を抽剤として用いる場
合には25〜85重量パーセントの濃度であることが好
ましい。ジオール水溶液の濃度が上記範囲を逸脱する場
合には、1゜9−ノナンジアールの抽出率が低下した夛
、触媒成分の抽剤層中への溶出量が増大したシ、また抽
残層(触媒溶液′)中へのジオールの移行量が多くなっ
たりするので、工業的に好ましくない。抽出温度として
は10〜60°Cの範囲内の温度が選ばれる。抽出操作
は通常、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス、
水素、任意の割合の水素/−酸化択素混合ガス、あるい
はこれらの混合ガスの算囲気下で行なわれる。抽出装置
としては、一般的に汎用な攪拌型抽出塔、RDO型抽出
塔、多孔板型抽出塔などが適用可能である。本抽出操作
によシ反応生成物(ジアール類)および未反応7−オク
テン−′1−アールの一部は抽剤層(下層)中に抽出分
離され、触媒成分を含む芳香族灰化水素溶液は抽残層(
上層)として分離される。抽残層は必要に応じて水洗し
たのち、その一部について公知の触媒賦活処理を施した
のち、7−オクテン−1−アールのヒドロホルミルy化
反応工程に循環され再使用される。抽剤層はこれに通常
の分留操作を施すことによらて原料、反応生成物および
抽剤のそれぞれに分離され、原料はヒドロホA/ミ〜化
反応工程に、抽剤は抽出工程に循環される。
,4−ブタンジオ−/I/lたは1,6−ヘキサンジオ
ールの水溶液を油剤とする抽出操作に付される。1.4
−ブタンジオール水溶液を抽剤として用いる場合には6
0〜90重量パーセントの濃度であることが好ましく、
1,6−ヘキサンジオ−〃水溶液を抽剤として用いる場
合には25〜85重量パーセントの濃度であることが好
ましい。ジオール水溶液の濃度が上記範囲を逸脱する場
合には、1゜9−ノナンジアールの抽出率が低下した夛
、触媒成分の抽剤層中への溶出量が増大したシ、また抽
残層(触媒溶液′)中へのジオールの移行量が多くなっ
たりするので、工業的に好ましくない。抽出温度として
は10〜60°Cの範囲内の温度が選ばれる。抽出操作
は通常、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス、
水素、任意の割合の水素/−酸化択素混合ガス、あるい
はこれらの混合ガスの算囲気下で行なわれる。抽出装置
としては、一般的に汎用な攪拌型抽出塔、RDO型抽出
塔、多孔板型抽出塔などが適用可能である。本抽出操作
によシ反応生成物(ジアール類)および未反応7−オク
テン−′1−アールの一部は抽剤層(下層)中に抽出分
離され、触媒成分を含む芳香族灰化水素溶液は抽残層(
上層)として分離される。抽残層は必要に応じて水洗し
たのち、その一部について公知の触媒賦活処理を施した
のち、7−オクテン−1−アールのヒドロホルミルy化
反応工程に循環され再使用される。抽剤層はこれに通常
の分留操作を施すことによらて原料、反応生成物および
抽剤のそれぞれに分離され、原料はヒドロホA/ミ〜化
反応工程に、抽剤は抽出工程に循環される。
以下実施例によって本発明を具体的に説明する。
実施例1
温度針、還流冷却器、液出入口、およびガス出入口(ガ
ス吹込み口および排出口)を備えた内容11のステンレ
ス製電磁攪拌式オートクレーブにHRh(00)(PP
hs)5; 0,50 ミリモルおよびPPh5;5
0ミリモ/L’を溶解したトルエン溶液500露If
。
ス吹込み口および排出口)を備えた内容11のステンレ
ス製電磁攪拌式オートクレーブにHRh(00)(PP
hs)5; 0,50 ミリモルおよびPPh5;5
0ミリモ/L’を溶解したトルエン溶液500露If
。
仕込み、系内全水素/−酸化炭素混合ガス(モル比;3
/1)で充分置換したのち、該混合ガスで2気圧(絶対
圧)にし、内温を95℃に保った。しかるのち、該混合
ガス’t 201/hrの速度で流通させつつ激しく攪
拌しなから7−オクテン−1−アール(純度;98%)
を定量ポンプによ91時間かけて659連続添加した。
/1)で充分置換したのち、該混合ガスで2気圧(絶対
圧)にし、内温を95℃に保った。しかるのち、該混合
ガス’t 201/hrの速度で流通させつつ激しく攪
拌しなから7−オクテン−1−アール(純度;98%)
を定量ポンプによ91時間かけて659連続添加した。
添加終了後、更に1時間攪拌を続けたのち反応を停止し
、オートクレーブを冷却した。反応混合液の一部をガス
クロマトグラフィーにより分析したところ、未反応の7
−オクテン−1−アールが5.821FM存しておシ(
7−オクテン−1−アールの変換率;94饅)、各反応
生成物の選択率は次の通りであった(いず(9) れも反応した7−オクテン−1−アールに対するモ/L
’哄)。
、オートクレーブを冷却した。反応混合液の一部をガス
クロマトグラフィーにより分析したところ、未反応の7
−オクテン−1−アールが5.821FM存しておシ(
7−オクテン−1−アールの変換率;94饅)、各反応
生成物の選択率は次の通りであった(いず(9) れも反応した7−オクテン−1−アールに対するモ/L
’哄)。
1.9−ノナンジアール 184j%2−メ
チ/l’ 1 + 8−オクタンシアー/ki 9
.0%6−オクテン−1−アール ; s、s%
その池・ ;2.9%次いで、
オートクレーブ内の反応混合液を予め系内金窒素ガス置
換された攪拌装置を備えた内容′21の三ツロフラスコ
に圧送し、1.6−ヘキサンジ □オー/I/を70重
量饅含む水溶液500s+tt−加え、窒素ガス雰囲気
下、30°C,6GOrpmの条件下で30分間抽出操
作を行なった。15分間静置し両層を分液した。上層(
抽残層)と下層(抽剤層)をガスクロマトグラフィーに
よって分析したところ、1.9−ノナンシアーμおよび
2−メチ/L’−1゜8−オクタンジアールの抽出率は
それぞれ90%および88%であ゛つた。抽残層門空気
に触れないようにオートクレーブに移し、上記(第1回
目の反応)と同一の反応条件および要領で7−オクテン
−1−アールのヒドロ水反応ル化反応を行なつ(10) た(第2回目の反応)。第2回目の反応での7−オクテ
ン−1−アールの変換率は93.6%であり、各反応生
成物の選択率は第1回目の反応結果と同一であることが
確められた。第1回目と同一の条件および操作により抽
出を行なった。抽残層を再びオートクレーブに仕込み、
第1回目と同一の条件下で7−オクテン−1−アールの
ヒドロホルミル化反応を繰シ返した(第3回目の反応)
。第5回目の反応における7−オクテン−1−アールの
変換率は93.3%であった。このようにして、合計3
回のヒドロホルミル化反応および抽出操作によって合計
的1.7219抽剤層を得た。この抽剤層について減圧
上分留を行なうことによって約185gの1,9−ノナ
ンシアーμと2−メチル−1゜8−オクタンシアーμの
混合物(モル比i 91,8/8.2)が得られた。
チ/l’ 1 + 8−オクタンシアー/ki 9
.0%6−オクテン−1−アール ; s、s%
その池・ ;2.9%次いで、
オートクレーブ内の反応混合液を予め系内金窒素ガス置
換された攪拌装置を備えた内容′21の三ツロフラスコ
に圧送し、1.6−ヘキサンジ □オー/I/を70重
量饅含む水溶液500s+tt−加え、窒素ガス雰囲気
下、30°C,6GOrpmの条件下で30分間抽出操
作を行なった。15分間静置し両層を分液した。上層(
抽残層)と下層(抽剤層)をガスクロマトグラフィーに
よって分析したところ、1.9−ノナンシアーμおよび
2−メチ/L’−1゜8−オクタンジアールの抽出率は
それぞれ90%および88%であ゛つた。抽残層門空気
に触れないようにオートクレーブに移し、上記(第1回
目の反応)と同一の反応条件および要領で7−オクテン
−1−アールのヒドロ水反応ル化反応を行なつ(10) た(第2回目の反応)。第2回目の反応での7−オクテ
ン−1−アールの変換率は93.6%であり、各反応生
成物の選択率は第1回目の反応結果と同一であることが
確められた。第1回目と同一の条件および操作により抽
出を行なった。抽残層を再びオートクレーブに仕込み、
第1回目と同一の条件下で7−オクテン−1−アールの
ヒドロホルミル化反応を繰シ返した(第3回目の反応)
。第5回目の反応における7−オクテン−1−アールの
変換率は93.3%であった。このようにして、合計3
回のヒドロホルミル化反応および抽出操作によって合計
的1.7219抽剤層を得た。この抽剤層について減圧
上分留を行なうことによって約185gの1,9−ノナ
ンシアーμと2−メチル−1゜8−オクタンシアーμの
混合物(モル比i 91,8/8.2)が得られた。
実施例2
実施例1全く同一の反応条件で7−オクテン−1−アー
ルのヒドホルミル化反応を行りったのち、抽剤として1
.4−ブタンジオールt75重11(11) %含む水溶液500g/を用いて実施例1と同様にして
抽出操作を行なった。分液後、抽出層および抽残層をガ
スクロマトグラフィーによシ分析したところ、生成した
1、9−ノナンジアールおよび2−メチA/−L8−オ
クタンジアールの抽出率はそれぞれ90%および85%
であることがわかった。
ルのヒドホルミル化反応を行りったのち、抽剤として1
.4−ブタンジオールt75重11(11) %含む水溶液500g/を用いて実施例1と同様にして
抽出操作を行なった。分液後、抽出層および抽残層をガ
スクロマトグラフィーによシ分析したところ、生成した
1、9−ノナンジアールおよび2−メチA/−L8−オ
クタンジアールの抽出率はそれぞれ90%および85%
であることがわかった。
実施例3
触媒としてRh4(COO2O320ミリモルおよびト
リトリルホスフィン100ミリモルおよび1.4−ビス
(ジフェニルホスフィノ)ブタン0.7ミリモ1vt−
用い、反応圧力を3気圧(絶対圧)にしたこと以外は実
施例1と同様にして7−オクテン−1−アールのヒドロ
ホル化度化反応ヲ行すった。反応後、1,6−ヘキサン
ジオ−/L/を50重量−含む水溶液5DOMlを用い
て水素/−酸化炭素混合ガス(モル比5/1)雰囲気下
、20°Cで2回抽出操作を繰り返した。この抽出操作
によシ生成した1、9−ノナンジアールおよび2−メチ
A’−1+ 8−オクタンジアールのそれぞれ85%お
よび84%が抽出層中に抽出分離された。このようにし
て7−オ(12) クテンー1−アールのヒドロホルミル化反応および抽出
を合計5回くり返した。各回の反応酸lIRを第1表に
示す。
リトリルホスフィン100ミリモルおよび1.4−ビス
(ジフェニルホスフィノ)ブタン0.7ミリモ1vt−
用い、反応圧力を3気圧(絶対圧)にしたこと以外は実
施例1と同様にして7−オクテン−1−アールのヒドロ
ホル化度化反応ヲ行すった。反応後、1,6−ヘキサン
ジオ−/L/を50重量−含む水溶液5DOMlを用い
て水素/−酸化炭素混合ガス(モル比5/1)雰囲気下
、20°Cで2回抽出操作を繰り返した。この抽出操作
によシ生成した1、9−ノナンジアールおよび2−メチ
A’−1+ 8−オクタンジアールのそれぞれ85%お
よび84%が抽出層中に抽出分離された。このようにし
て7−オ(12) クテンー1−アールのヒドロホルミル化反応および抽出
を合計5回くり返した。各回の反応酸lIRを第1表に
示す。
第 1 表
特許出願人 株式会社 り ラ し゛ 代
埋 人 弁理士 本 多 堅(13)
埋 人 弁理士 本 多 堅(13)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ロジウム錯化合物および三置換ホスフィンを含む芳
香族灰化水素溶液中で7−オクテン−1−アー/I/l
−水素と一酸化戻素との混合ガ′ スによってヒドロホ
ルミル化し、得られる反応混合液に対して1,4−ブタ
ンジオ−μまたは1,6−へキサンジオールの水溶液を
油剤とする抽出操作を施すととKよって1,9−ノナン
シアーIVf抽剤層に抽出分離し、触媒成分を含む抽残
層を7−オクテン−1−アールのヒドロホルミル化反応
工程に循環することを特徴とする1、9−ノナンシアー
A/’i製造する方法。 2、油剤が25〜85重量パーセントの1,6−ヘキサ
ンジオール水溶液である特許請求の範囲第1項記載の方
法。 3、抽剤が60〜90重量パーセントの1,4−ブタン
ジオール水溶液である特許請求の範囲第1項記載の方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57085273A JPS58201743A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 1,9−ノナンジア−ルを製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57085273A JPS58201743A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 1,9−ノナンジア−ルを製造する方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58201743A true JPS58201743A (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=13853948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57085273A Pending JPS58201743A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 1,9−ノナンジア−ルを製造する方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58201743A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60188341A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-09-25 | デグツサ・アクチエンゲゼルシヤフト | 1,4‐ブタンジアールの製法 |
US4742178A (en) * | 1986-11-10 | 1988-05-03 | Eastman Kodak Company | Low pressure hydroformylation of dienes |
JP2001011008A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-16 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | トリシクロデカンジカルバルデヒド及び/又はペンタシクロペンタデカンジカルバルデヒドの製造法 |
JP2001163824A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 反応生成液からのアルデヒドの回収法 |
JP4573003B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2010-11-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | トリシクロデカンジメタノール及び/又はペンタシクロペンタデカンジメタノールの製造法 |
-
1982
- 1982-05-19 JP JP57085273A patent/JPS58201743A/ja active Pending
Cited By (6)
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---|---|---|---|---|
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JP4573002B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2010-11-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | トリシクロデカンジカルバルデヒド及び/又はペンタシクロペンタデカンジカルバルデヒドの製造法 |
JP2001163824A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 反応生成液からのアルデヒドの回収法 |
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