JP2023521020A - 合成ガスサロゲートを用いたヒドロホルミル化触媒システム - Google Patents
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Abstract
一酸化炭素ガスを使用せずに、オレフィン基質からアルデヒドを生成するのに有用なヒドロホルミル化触媒システムおよび方法を本明細書に記載する。ヒドロホルミル化触媒システムは、ホスフィン系配位子と錯体を形成した第9族金属を含むヒドロホルミル化触媒錯体と、その場で一酸化炭素を形成する、ギ酸および無水物化合物を含む合成ガスサロゲートと、合成ガスサロゲートに由来し得るかまたは合成ガスサロゲートに由来しない水素と、を含む。方法は、ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下でオレフィン基質を合成ガスサロゲートと反応させるステップであって、合成ガスサロゲートがその場で一酸化炭素、および任意に水素を形成する、反応させるステップと、次いで、反応混合物からアルデヒド化合物を単離するステップと、を含む。【選択図】なし
Description
本発明は、オレフィンからのアルデヒドの調製に関し、より具体的には、第9族金属触媒の存在下で合成ガスサロゲートを用いてオレフィンからアルデヒドを調製することに関する。
カルボニル化とは、一般に、一酸化炭素(CO)の分子が基質に組み込まれることに密接に関連した反応群を指す。ヒドロホルミル化は、カルボニル化反応の一種であり、1938年にオットー・ローレン氏によって偶発的に発見された。末端オレフィンのヒドロホルミル化の従来の反応手順は、元素状水素(H2)と一酸化炭素(CO)との混合物(一般に合成ガスまたはシンガス(syngas)と呼ばれる)を、遷移金属(例えば、第7~10族)触媒の存在下に高圧で使用して、それによりアルデヒドを形成することを特徴とする。水素(「ヒドロ」)およびホルミル基(H-C=O)は、原子経済的な方法(スキーム1)でオレフィンに付加される。エチレンが基質として使用されない限り、反応は異性体生成物、n-アルデヒド(直鎖)、およびイソ-アルデヒド(分岐)の混合物に至り得る。ヒドロホルミル化の前に基質の二重結合異性化(多くの場合、触媒種に依存)が発生する可能性があるため、単一の末端オレフィンが反応に供された場合でも、異なる分岐アルデヒドも形成され得る。したがって、反応速度の他に、異性体の比率(位置選択性)が各ヒドロホルミル化の重要なパラメーターとなる。
伝統的に、産業用カルボニル化プロセスでは、毒性が高く可燃性であるガス状の一酸化炭素が使用されている。事実、これらの特性(毒性/可燃性)は、産業界および学界でのカルボニル化反応の幅広い使用を妨げている。したがって、気体のCOを使用せずにカルボニル化を実施することが非常に望ましい。
アルケンのカルボニル化反応における一酸化炭素(CO)サロゲート(代用物)は、過去30年間断続的に報告されてきた。合成ガスサロゲートは、二酸化炭素、メタノール、ホルムアルデヒド、ギ酸、ギ酸塩、ホルムアミド、およびバイオマスを含む(非特許文献1:Beller et al., Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 2-13 を参照)。しかしながら、これらの合成ガスサロゲートのいくつかは、別個の反応チャンバーもしくは転換触媒を必要とし、および/または、これらの合成ガスサロゲートを行使する触媒システムは、望ましくない直鎖/分岐選択性を生み出し、より高い触媒充填(catalyst loadings)を必要とするか、もしくは様々な官能基(例えば、アルコール、カルボン酸)を要することになる。
2当量のギ酸および1当量の無水酢酸を含む合成ガスサロゲートを使用したオレフィンのパラジウム触媒ヒドロホルミル化に関する最近の報告では、直鎖/分岐アルデヒドの混合物のみならず、対応するカルボン酸が生成された(非特許文献2:Ren et al. , J. Am. Chem. Soc. 2016, 138, 14864-14867.)。1,3‐ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン(dppp)配位子、およびジクロロエタン(DCE)溶媒中のヨウ化テトラブチルアンモニウム(TBAI)添加剤を採用する最適化された条件により、適度な収率および選択性で対応する直鎖状アルデヒドが得られた。潜在的に発がん性を有するジクロロエタンの使用に加えて、リサイクルされたパラジウム触媒を使用して後続のヒドロホルミル化を実施する試みは、収率および/または選択性を低下させるため、高い触媒充填(5mol% Pd)は工業規模では経済的に禁止されている。
上記を考慮して、オレフィンをヒドロホルミル化してアルデヒドを形成するための新しいヒドロホルミル化触媒システムおよび方法が必要とされている。
Beller et al., Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 2-13
Ren et al. , J. Am. Chem. Soc. 2016, 138, 14864-14867
本発明は、ガス状一酸化炭素源を使用せずに、代わりにギ酸および無水化合物を含む合成ガスサロゲート並びに水素を使用して、第9族金属を含むヒドロホルミル化触媒錯体の存在下で、オレフィン基質からアルデヒド化合物を合成することができるという認識を前提とする。水素は、合成ガスサロゲートに由来するか、または合成ガスサロゲートに由来しないかのいずれかである。
したがって、本発明の一実施形態によれば、オレフィン基質をアルデヒド化合物に転換するのに有用なヒドロホルミル化触媒システムが提供される。該ヒドロホルミル化触媒システムは、ホスフィン系配位子と錯体を形成した第9族金属を含むヒドロホルミル化触媒錯体と、ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下に一酸化炭素をその場(in situ)で形成する、ギ酸および無水物化合物を含む合成ガスサロゲートと、その場で合成ガスサロゲートに由来するかまたは合成ガスサロゲートに由来しないかのいずれかである水素と、を備える(またはほぼそれらからなる)。
本発明の別の実施形態によれば、アルデヒド化合物を調製する方法が提供される。ヒドロホルミル化触媒システム中でオレフィン基質を混合して反応混合物を形成するステップを含む方法であって、ここで、該ヒドロホルミル化触媒システムは、ヒドロホルミル化触媒錯体と、ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下に一酸化炭素をその場で形成する、ギ酸および無水物化合物を含む合成ガスサロゲートと、その場で合成ガスサロゲートに由来するかまたは合成ガスサロゲートに由来しないかのいずれかである水素と、を備える(または本質的にそれらからなる)。ヒドロホルミル化触媒錯体は、ホスフィン系配位子と錯体を形成した第9族金属を含む。第9族金属は、コバルト、ロジウム、およびイリジウムよりなる群から選択され、好ましくはロジウムである。方法は、反応混合物からアルデヒド化合物を単離して、アルデヒド生成物およびヒドロホルミル化触媒錯体を含むヒドロホルミル化触媒残渣(residue)を生じさせるステップをさらに含んでもよい。
本発明の目的および利点は、以下の詳細な説明および実施例に照らしてさらに理解されるであろう。
したがって、先行技術で生じる上記の問題に留意し、本発明の目的は、ヒドロホルミル化触媒錯体と合成ガスサロゲートとを含むヒドロホルミル化触媒システムであって、優れた触媒活性および安定性を特徴とし、また、アルデヒド生成物における直鎖分岐(l/b)選択性を制御できる、ヒドロホルミル化触媒システムを提供することである。それを使用するヒドロホルミル化プロセスを提供することもさらなる目的である。
上記に従って、本発明は、ヒドロホルミル化触媒システム、およびそれを使用してオレフィン基質からアルデヒドを生成するためのヒドロホルミル化プロセスに関する。より具体的には、ヒドロホルミル化触媒システムは、ホスフィン系配位子と錯体を形成した第9族金属を含むヒドロホルミル化触媒錯体と、ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下に一酸化炭素をその場で形成する、ギ酸および無水物化合物を含む合成ガスサロゲートと、その場で合成ガスサロゲートに由来するかまたは合成ガスサロゲートに由来しないかのいずれかである水素と、を備える。合成ガスサロゲートは、ガス状一酸化炭素をヒドロホルミル化触媒システムに供給する必要性を有さないが、水素ガスの随意的な添加を妨げるものではない。ヒドロホルミル化触媒錯体を含むヒドロホルミル化触媒システムを合成ガスサロゲートの存在下でオレフィン基質に適用すると、優れた触媒活性および安定性、並びに良好な直鎖/分岐(l/b)選択性を備えた所望のアルデヒド生成物が得られる。
本発明の実施形態によれば、ヒドロホルミル化触媒錯体は、コバルト、ロジウム、およびイリジウムよりなる群から選択される第9族遷移金属を含む。
一実施形態において、第9族遷移金属はコバルトを含む。許容可能なコバルト化合物の例示的な形態として、以下に限定されないが、ジコバルトオクタカルボニルCo2(CO)8、酸化コバルトCo2O3、炭酸コバルトCoCO3、カルボン酸コバルトCo(RCOO)2、Co2(CO)6(PnBu3)2、Co2(CO)6(P(OPh)3)2、またはそれらの組み合わせが挙げられ、より具体的にはCo2(CO)8が挙げられる。別の実施形態において、第9族遷移金属はイリジウムを含む。許容可能なイリジウム化合物の例示的な形態として、以下に限定されないが、Ir(acac)(COD)、HIr(CO)(PPh3)3、[Ir(COD)Cl]2、Ir(COD)2BF4およびIr2(CO)6(PPh3)2が挙げられ、特にIr(acac)(COD)が挙げられる。
さらに別の実施形態において、第9族遷移金属はロジウムを含む。許容可能なロジウム化合物の例示的な形態として、以下に限定されないが、カルボン酸のロジウム錯体またはロジウム塩、ロジウムカルボニル種、ハロゲン化ロジウム種、ロジウムアルコキシド種、および/またはロジウムオルガノホスフィン錯体が挙げられる。ロジウムカルボン酸塩の例としては、エチルヘキサン酸ロジウムが挙げられる。ロジウムカルボニル種のいくつかの例としては、ロジウム(アセチルアセトナト)ジカルボニル(Rh(acac)(CO)2)、Rh4(CO)12、およびRh6(CO)16が挙げられる。ハロゲン化ロジウム種の例としては、クロロ(1,5-シクロオクタジエン)ロジウム二量体[Rh(COD)Cl]2が挙げられる。ロジウムアルコキシド種の例としては、メトキシ(シクロオクタジエン)ロジウム二量体[(MeO)Rh(COD)]2が挙げられる。ロジウム有機ホスフィン錯体の例としては、トリス(トリフェニルホスフィン)ロジウムカルボニルヒドリド[RhH(CO)(PPh3)3](Ph=C6H5)が挙げられる。一実施形態において、適切なロジウム化合物は、Rh(acac)(CO)2、[Rh(COD)Cl]2、および[(MeO)Rh(COD)]2よりなる群から選択され、より具体的にはRh(acac)(CO)2である。一実施形態において、ヒドロホルミル化触媒は、Rh(acac)(CO)2、[Rh(COD)Cl]2、および[(MeO)Rh(COD)]2、Ir(acac)(COD)、およびCo2(CO)8よりなる群から選択され得る。
好ましくは、第9族金属の含有量は、オレフィン基質1モルに対して、0.00001~0.5モル(0.001モル%~50モル%)の範囲であり、より好ましくは0.0001~0.1(0.01モル%~10モル%)の範囲であり、またより好ましくは、オレフィン基質1モルに対して0.0005~0.01モル(0.05モル%~1モル%)の範囲である。例えば、オレフィン基質に対して、第9族金属のモルパーセントは、0.001モル%、0.005モル%、0.01モル%、0.05モル%、0.1モル%、0.5モル%、1モル%、5モル%、10モル%、50モル%、または100モル%、または前述のいずれか2つの間の範囲であり得る。
一実施形態において、第9族金属はコバルトを含む。好ましくは、コバルトの含有量は、オレフィン基質1モルに対して、0.00001~0.5モル(0.001モル%~50モル%)の範囲であり、より好ましくは、オレフィン基質1モルに対して、0.0005~0.05モル(0.05モル%~5モル%)の範囲である。別の実施形態において、第9族金属はイリジウムを含む。好ましくは、イリジウムの含有量は、オレフィン基質1モルに対して、0.00001~0.5モル(0.001モル%~50モル%)の範囲であり、より好ましくは、オレフィン基質1モルに対して、0.0005~0.01モル(0.05モル%~1モル%)の範囲である。好ましくは、別の実施形態において、第9族金属はロジウムを含む。好ましくは、ロジウムの含有量は、オレフィン基質1モルに対して、0.00001~0.5モル(0.001モル%~50モル%)の範囲であり、より好ましくは、オレフィン基質1モルに対して、0.0005~0.01モル(0.05モル%~1モル%)の範囲である。
本発明の実施形態によれば、ヒドロホルミル化触媒錯体は、第9族金属と錯体を形成するホスフィン系配位子を含む。一態様では、ホスフィン系配位子は、単座または二座、より具体的には単座であり得る。
一実施形態において、ホスフィン系配位子は、一般式(1)PR1R2R3の少なくとも1つの化合物であり、式中、R1、R2、およびR3は、1~20個の炭素原子を有する置換もしくは非置換アルキル基、炭素数5~20の置換もしくは非置換のシクロアルキル基もしくはシクロアルケニル基、炭素数6~36の置換もしくは非置換のアリール基、炭素数1~20の置換もしくは非置換のヘテロアルキル基、炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロ環基からそれぞれ独立して選択され、ヘテロアルキル基、ヘテロアリール基、およびヘテロ環基は、N、O、およびSよりなる群から選択される1つ以上の原子を含み、また、置換基は、R1、R2、R3が置換基で置換されている場合、ニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、または、炭素数1~4のアルキル基である。より具体的には、R1、R2、およびR3は、それぞれ独立して、6から36個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基から選択される。上記化学式1で表される単座ホスフィン配位子は、トリフェニルホスフィン(TPPもしくはPPh3)、トリ(m-トリル)ホスフィン(TMTP)、ジフェニル(p-トリル)ホスフィン(DPPTP)、トリス(2,6‐ジメトキシフェニル)ホスフィン(TDMPP)、トリス(4‐メトキシフェニル)ホスフィン(TMPP)、トリメシチルホスフィン(TMSTP)、トリス‐3,5‐キシリルホスフィン(TXP)、トリシクロヘキシルホスフィン(TCHP)、トリベンジルホスフィン(TBP)、ベンジルジフェニルホスフィン(BDPP)、およびジフェニル(2‐メトキシフェニル)ホスフィン(DPMPP)よりなる群から選択される1つ以上であることが好ましい。より具体的には、上記式1によって表される単座ホスフィン配位子は、トリフェニルホスフィン(TPPもしくはPPh3)である。
別の実施形態において、ホスフィン系配位子は、一般式(2)R1R2P-R4-PR5R6の少なくとも1つの化合物であり、式中、R4は2~20個の炭素原子を有する炭化水素基であり、R5およびR6はそれぞれ独立して上記のR1およびR2と同一に選択され、定義される。上記化学式2で表される二座ホスフィン配位子は、1,2-ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン(dppe)、1,2-ビス(ジメチルホスフィノ)エタン(dmpe)、1,3-ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン(dppp)、1,4-ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン(dppb)、1,5-ビス(ジフェニルホスフィノ)ペンタン(dpppe)、1,6-ビス(ジフェニルホスフィノ)ヘキサン(dpph)、2,2‘-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1’-ビナフチル(binap)、およびそれらの組み合わせよりなる群から選択される1つ以上であることが好ましい。より具体的には、上記化学式2で表される二座ホスフィン配位子は、1,2-ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン(dppe)である。
好ましくは、ヒドロホルミル化触媒システム中のホスフィン系配位子の含有量は、オレフィン基質の1モルに対して、0.001~10モルの範囲(すなわち、0.1モル%~1,000モル%)、例えば、0.01~5モル(すなわち、1mol%~500mol%)である。
あるいは、ホスフィン系配位子の含有量は、触媒系に存在する第9族金属のモルに対するモル当量として表すことができ、したがって、第9族金属の1モルに対して、1~500モル、例えば2~250、または10~150モルの範囲である。したがって、触媒錯体に存在する第9族金属に対して、ホスフィン系配位子のモル当量は、1、2、5、10、15、25、35、50、75、100、150、200、300、400、500、または上記のいずれか2つの間の範囲であり得る。第9族金属に対するホスフィン系配位子のモル比の非限定的な例としては、以下に限定されないが、1:1~500:1、1:1~300:1、1:1~200:1、1:1~150:1、1:1~100:1、1:1~75:1、または1:1~50:1が挙げられる。
ホスフィン系配位子は、対応するホスフィンオキシドへの酸化を受けやすいものであり得て、これは第9族金属系のヒドロホルミル化触媒には無効な配位子であると思われる。分子状酸素または過酸化物などの酸化剤は、ホスフィンをホスフィンオキシドに酸化するのに特に効果的である。したがって、ヒドロホルミル化反応系における系外からの酸素の存在を最小限にすることが好ましい。しかしながら、たとえヒドロホルミル化反応系が系外からの酸素を全く含まない場合でも、ホスフィン配位子の不活性ホスフィンオキシドへの酸化が観察された。特定の理論に拘束されるものではないが、おそらくホスフィン配位子は、二酸化炭素(CO2)から配位子の一酸化炭素(CO)への転換において酸素受容体としても機能し得ると考えられており、ここで、二酸化炭素(CO2)は、ギ酸(HCO2H)から二酸化炭素(CO2)および水素(H2)への第9族金属触媒による脱水素反応から生じる。
過酸化物は、1つ以上のヒドロホルミル化反応系成分(例えば、オレフィン基質または溶媒)中の不純物としてヒドロホルミル化反応系中に存在し得る。したがって、メタ重亜硫酸ナトリウム(Na2S2O5)の飽和水溶液などの酸化防止剤によるオレフィンおよび/または溶媒の前処理とそれに続く蒸留は、過酸化物不純物を実質的に低減または除去するのに有用であり得る。一実施形態において、オレフィン基質をメタ重亜硫酸ナトリウムの飽和水溶液で洗浄し、水層から分配し、任意に蒸留して微量の水を除去することができる。
それにも関わらず、ホスフィン配位子のその不活性なホスフィンオキシドへの転換は、反応の過程で適切なホスフィン配位子(同じまたは異なる)をさらに追加することによって相殺され得る。あるいは、ヒドロホルミル化触媒系中の多量のホスフィン系配位子で反応を開始して、十分な量のホスフィン系配位子がアルデヒドへのオレフィン転換の全過程を通じて存在することを確保し、それによって、望ましいレベルの触媒錯体活性および選択性を維持する。
好ましい実施形態において、ヒドロホルミル化触媒錯体は、ロジウムおよびホスフィン系配位子を含む。好ましくは、ロジウムは、Rh(acac)(CO)2、[Rh(COD)Cl]2、および[(MeO)Rh(COD)]2よりなる群から選択されるロジウム化合物、より具体的にはRh(acac)(CO)2として得られる。また、ホスフィン系配位子は、トリフェニルホスフィン(TPP)などの単座トリアリールホスフィン、または1,2-ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン(dppe)などの二座ジアリールアルキルホスフィンである。これに関連して、反応開始時の単座ホスフィン系配位子の合計含有量がロジウム1モルに対して10モル未満であり、その遅い酸化は、ホスフィン系配位子の追加によって相殺されず、転換および/または選択性の低下が観察された。したがって、一実施形態において、ロジウムに対する一座ホスフィン配位子の初期モル比は、少なくとも15:1、少なくとも20:1、少なくとも25:1、少なくとも30:1、少なくとも35:1、少なくとも40:1、少なくとも50:1、少なくとも75:1、少なくとも100:1、もしくは少なくとも200:1など少なくとも10:1であるか、または、前述のいずれか2つの間の範囲である。上記ホスフィン系配位子のロジウムに対する総モル比が500を超える場合、明らかな追加の利益なしにコストが増加する。
本発明の実施に採用されるヒドロホルミル化触媒錯体の調製に対して特別な準備は必要ないが、高い触媒活性のためには、第9族金属およびホスフィン系配位子成分のすべての操作を不活性雰囲気下、例えばN2、Arなどの下で行うことが好ましい。適切な第9族金属化合物およびホスフィン系配位子の所望の量が、適切な溶媒中で反応器に充填される。種々の触媒成分が反応器に充填される順序は重要ではない。したがって、第9族金属化合物を反応器に添加し、次いで、ホスフィン系配位子を添加することができる。または逆に、ホスフィン系配位子を反応器に添加し、次いで、第9族金属化合物を添加することができる。あるいは、予め形成された第9族金属-ホスフィン系配位子錯体を反応器に入れることができる。
本発明の実施形態はさらに、ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下に一酸化炭素をその場で形成するギ酸および無水物含む合成ガスサロゲートと、並びに、その場で合成ガスサロゲートから誘導されるかまたは合成ガスサロゲートから誘導されない水素と、を生じさせる。ギ酸および無水物は十分に純粋で、かつ、活性触媒種を害する可能性のあるいかなる不純物も含むべきではない。有利には、ギ酸および無水物は、使用前に蒸留してもよい。
ギ酸は吸湿性であるため、無水化合物の加水分解を避けるために、水分含有量を最小限にすべきである。例えば、ギ酸は、水分含有量が5重量%未満、例えば2重量%以下であることを特徴とし得る。
無水物は、一般式(3)(R7C=O)-O-(O=CR8)を有する化合物から選択され、式中、R7およびR8は、置換もしくは非置換アルキルまたは置換もしくは非置換アリールから独立して選択され、また、置換基は、ニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、または1~4個の炭素原子を有するアルキル基であり得る。対称無水物(R7およびR8は同じである)の非限定的な例としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸、無水ペンタン酸(吉草酸)、3-メチル酪酸(イソ吉草酸)無水物、および無水ヘキサン酸が挙げられる。一実施形態において、無水物は、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水イソ吉草酸、およびそれらの組み合わせよりなる群から選択される。好ましい実施形態において、無水物は無水酢酸を含む。
オレフィン基質に対して、反応混合物中のギ酸の量は、1~10当量の間、好ましくは1.1~3当量の間であり得、また、無水酢酸の量は、1~5当量の間、好ましくは1.1~1.5当量の間であり得る。一実施形態において、ギ酸と無水物とのモル比は、1:1~4:1、好ましくは1:1~5:2の範囲である。
特定の理論に束縛されるものではないが、ギ酸および無水物が反応して混合無水物を形成し、これがヒドロホルミル化反応条件下においてその場で分解して、ヒドロホルミル化反応に必要な一酸化炭素反応物およびカルボン酸を形成すると考えられる。無水物が無水酢酸である場合、混合無水物はギ酸無水酢酸である。その場で生成された一酸化炭素は、活性触媒錯体の第9族金属中心に結合し、最終的にオレフィン基質に組み込まれて、所望のアルデヒドを形成する。
ギ酸が、合成ガスサロゲート中で無水物に対して化学量論的に過剰に存在する場合(すなわち、無水物に対するギ酸のモル比が1より大きい場合)、ヒドロホルミル化反応に必要な水素(H2)反応物も、おそらく第9族触媒によるギ酸の脱水素反応から、二酸化炭素(CO2)とともにその場で生成される。化学量論的に過剰なギ酸が、オレフィン基質に対して少なくとも等モルである場合(例えば、オレフィン基質に対して、ギ酸2当量および無水物1当量)、水素の別個の供給は、オレフィン基質の完全またはほぼ完全な転換を達成するために必要ではないはずである。しかしながら、ギ酸の量が、必須となる水素(H2)反応物を生成するのに不十分である場合、水素圧が反応容器に供給されるべきである。一酸化炭素を生成する前の過度な水素圧(例えば、>100bar(>102 kgf/cm2))は、水素化の副反応経路を増加させ得る。一実施形態において、合成ガスサロゲート中の無水物に対するギ酸のモル比は1以下であり、したがって水素ガス圧が反応容器に印加される。したがって、反応容器には、20bar(20.39 kgf/cm2)、15bar(15.3 kgf/cm2)、10bar(10.2 kgf/cm2)、4bar(4.079 kgf/cm2)、または1bar(1.02 kgf/cm2)など、25bar(25.49 kgf/cm2)以下までの水素圧を充填(charged)することができる。例えば、一実施形態において、ギ酸および無水物のそれぞれが、ヒドロホルミル化触媒系中に、オレフィン基質に対して1.1当量で存在し、また、水素ガスの外部供給(例えば、1~20bar(1.02~20.39 kgf/cm2)の範囲、好ましくは4~10bar(4.079~10.2 kgf/cm2)の範囲)が、加熱前に密閉された反応容器に適用される。
上記ヒドロホルミル化プロセスにおいて、上記オレフィン基質は、モノ置換またはジ置換オレフィン基質であることが好ましい。一実施形態において、オレフィン基質は、一置換オレフィン基質(すなわち、アルファオレフィン)である。一実施形態において、オレフィン基質は二置換オレフィン基質である。別の実施形態において、オレフィン基質は、下記式(4)によって表され、
式中、R9、R10、およびR11は、それぞれ独立して、水素、炭素数1~20の置換もしくは非置換のアルキル基;炭素数1~20の置換もしくは無置換のアルケニル基(ここで、アルキル置換基またはアルケニル置換基は、フッ化物(F)、塩化物(Cl)、臭化物(Br)、トリフルオロメチル基(CF3)よりなる群から選択される);および炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基(ここで、アリール基のアリール置換基は、ニトロ(NO2)、フッ化物(F)、塩化物(Cl)、臭化物(Br)、メチル基、エチル基、プロピル基、およびブチル基よりなる群から選択され得、また、R9、R10、およびR11の少なくとも1つは水素である)よりなる群から選択される。別の実施形態において、R9、R10、またはR11の少なくとも1つは水素ではない。別の実施形態において、R11は水素であり、R9およびR10は水素ではない。さらに別の実施形態において、R10およびR11は水素であり、R9は水素ではない。さらに別の実施形態において、R9またはR10は水素であり、R11は水素ではない。
式中、R9、R10、およびR11は、それぞれ独立して、水素、炭素数1~20の置換もしくは非置換のアルキル基;炭素数1~20の置換もしくは無置換のアルケニル基(ここで、アルキル置換基またはアルケニル置換基は、フッ化物(F)、塩化物(Cl)、臭化物(Br)、トリフルオロメチル基(CF3)よりなる群から選択される);および炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基(ここで、アリール基のアリール置換基は、ニトロ(NO2)、フッ化物(F)、塩化物(Cl)、臭化物(Br)、メチル基、エチル基、プロピル基、およびブチル基よりなる群から選択され得、また、R9、R10、およびR11の少なくとも1つは水素である)よりなる群から選択される。別の実施形態において、R9、R10、またはR11の少なくとも1つは水素ではない。別の実施形態において、R11は水素であり、R9およびR10は水素ではない。さらに別の実施形態において、R10およびR11は水素であり、R9は水素ではない。さらに別の実施形態において、R9またはR10は水素であり、R11は水素ではない。
適切なオレフィン基質の非限定的な例としては、1,4-ジメチル-4-ビニル-シクロヘキセン、シクロヘキセン、1-ヘキセン、シス-ヘキサ-3-エン酸エチル、3,3-ジメチル-1-ブテン、7-オクテナール、10-ウンデセン酸メチル、4-tert-ブチルスチレン、5,7-ジメチル-オクタ-1,6-ジエン、およびリモネンよりなる群から選択される1つ以上の化合物が挙げられる。一実施形態において、オレフィン基質は、1,4-ジメチル-4-ビニル-シクロヘキセン、シクロヘキセン、シス-ヘキサ-3-エン酸エチル、3,3-ジメチル-1-ブテン、7-オクテナール、10-ウンデセン酸メチル、5,7-ジメチル-オクト-1,6-ジエン、およびリモネンよりなる群から選択される。
上記のヒドロホルミル化プロセスでは、反応混合物は、該反応混合物中のオレフィン基質の濃度が、約1M~約4Mの範囲など、約0.1モル(M)を超えるように、そのまま(すなわち、溶媒なしで)または有機溶媒の存在下で実行され得る。適切な有機溶媒の例としては、以下に限定されないが、テトラヒドロフラン、2-メチルテトラヒドロフラン、アニソール、ジメトキシエタン、および/もしくはジオキサンなどのエーテル類;プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、ペンチルアルデヒド、および/もしくはバレルアルデヒドなどのアルデヒド類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフェノン、シクロヘキサノンなどのケトン類;ベンゼン、トルエン、および/もしくはキシレンなどの芳香族;酢酸などのカルボン酸;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトイミド、n-メチル-2-ピロリドンなどのアミド類;オルトジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族;塩化メチレンなどのハロゲン化パラフィン;および/または、シクロヘキサンおよび/もしくはヘプタンなどのパラフィン炭化水素が挙げられる。好ましくは、溶媒は、2-メチルテトラヒドロフラン(2-MeTHF)などのエーテルを含む。
ヒドロホルミル化プロセスにおいて、好ましい反応温度および反応圧力は、当技術分野で知られているものを含み得る。例えば、本ヒドロホルミル化プロセスは、好ましくは約20℃~200℃、より好ましくは約50℃~150℃、最も好ましくは約60℃~130℃の範囲の反応温度で密閉容器内において実施することができる。ヒドロホルミル化触媒システムが合成ガスサロゲートに由来しない水素ガスをさらに含む場合、反応混合物を所望の反応温度に加熱する前に、容器に所望の圧力まで水素ガスを充填してもよい。例えば、反応容器への水素ガス充填は、ほぼ大気圧から100bar(102 kgf/cm2)未満、好ましくは1bar~25bar(1.02 kgf/cm2~25.49 kgf/cm2)の間の範囲であり得る。所望の圧力を維持するために、水素ガスを反応の過程で供給することができる。
上記のヒドロホルミル化反応を実施するために、所望の量のヒドロホルミル化触媒システム成分(すなわち、第9族金属化合物、ホスフィン系配位子、オレフィン基質、無水物化合物、ギ酸、並びに随意的な水素ガスおよび/または有機溶媒)を密閉可能な反応容器(例えば、オートクレーブ)に導入し、続いて密閉し、攪拌(agitated)し、加熱してヒドロホルミル化反応を実施する。合成ガスサロゲートからCOおよび随意的なH2の生成を開始するのに十分な温度に加熱すると、ヒドロホルミル化反応システム内の圧力が最初に上昇し、次いで、反応ガス(CO/H2)が所望のアルデヒド化合物を形成するオレフィン基質と反応するにつれて、システム圧力が低下する。
本発明の一態様によれば、ヒドロホルミル化触媒錯体はリサイクル可能であり、複数回のバッチ操作を通して満足のいく転換(conversion)および選択性(selectivity)を維持する。これらの特性は、ヒドロホルミル化反応の過程でホスフィン配位子と第9族金属との適切な比率が維持されることから生じる。ホスフィン配位子の不活性なホスフィンオキシドへの遅い転換は、反応の過程で適切なホスフィン配位子(同じかもしくは異なる)をさらに追加するか、または実質的に過剰なホスフィン配位子で反応を開始することによって相殺され得る。一実施形態において、ホスフィン系配位子と第9族金属とのモル比は、2:1、5:1、10:1、20:1以上、40:1以上、50:1以上、または100:1以上など、少なくとも1:1である。一実施形態において、第9族金属はロジウムであり、ホスフィン系配位子とロジウムとのモル比は2:1~20:1の範囲である。
一実施形態において、反応終了時にヒドロホルミル化反応混合物中に残っているホスフィン配位子の量が定量化される。定量化は、適切なスタンダードを用いて、様々な分析技術(例えば、GC、HPLC、NMRなど)によって達成され得る。リサイクルされたヒドロホルミル化触媒混合物中に十分な量のホスフィン配位子が存在することを確実にするために、触媒からアルデヒド生成物を単離する前に、ホスフィンオキシドへの転換により失われたホスフィン配位子の量を反応混合物に添加してもよい。
例えば、一実施形態において、所望の量のホスフィン配位子を反応終了混合物に添加し、次いで反応混合物を蒸留して、溶媒、出発オレフィン基質(存在する場合)、アルデヒド生成物、および/または不純物を回収する。例えば、溶媒は、第1の温度/圧力条件で蒸留し、続いて第2の温度/圧力条件でアルデヒド生成物を回収することによって回収してもよい。溶媒/アルデヒドの回収後に残る蒸留残渣は、次いで、別のバッチヒドロホルミル化操作のために、オレフィン基質、ギ酸、無水化合物、並びに任意で溶媒および/または水素ガスの第2のバッチと混合され得る。
有利には、本明細書に記載のヒドロホルミル化触媒システムおよび方法は、芳香分子など、それ自体が有用な化合物であり得る、1つ以上の価値あるアルデヒド化合物の製造に適用してもよい。一実施形態によれば、アルデヒドを含む生成物が提供され、ここで該アルデヒドは、本明細書に記載のヒドロホルミル化触媒システムを使用したオレフィンのヒドロホルミル化によって形成され、ここで、該オレフィンは、1,4-ジメチル-4-ビニル-シクロヘキセン、シクロヘキセン、1-ヘキセン、シス-ヘキサ-3-エノ酸エチル、3,3-ジメチル-1-ブテン、7-オクテナール、10-ウンデセン酸メチル、5,7-ジメチル-オクタ-1,6-ジエン、4-tert-ブチル-スチレン、およびリモネンよりなる群から選択され、また、該アルデヒドは、それぞれ、3-(1,4-ジメチル-3-シクロヘキセン-1-イル)プロピオンアルデヒド、シクロヘキサンカルバルデヒド、3-ホルミルヘキサン酸エチルおよび/または4-ホルミルヘキサン酸エチル、4,4-ジメチルバレルアルデヒド、アゼラアルデヒド、11-ホルミルウンデカン酸メチル、6,8-ジメチル-7-ノネナール、3-[p-(tert-ブチル)フェニル]プロピオンアルデヒド、並びにp-menth-1-ene-9-カルバルデヒドよりなる群から選択される。
本明細書に記載のヒドロホルミル化触媒システムおよび方法に由来するアルデヒドは、医薬品、フレーバー、または芳香剤などの他の価値ある分子の製造のための有用な化学中間体でもあり得る。例えば、Jaunky氏らによる特許文献1(WO2006077305)に記載されている香料化合物6,8-ジメチル-ノン-7-エナールは、ヒドロホルミル化触媒システムを使用した5,7-ジメチル-オクタ-1,6-ジエンのヒドロホルミル化によって良好な収率で調製された。また、本発明の実施形態によるDMVCHのヒドロホルミル化は、アルデヒド3-(1,4-ジメチル-3-シクロヘキセン-1-イル)プロピオンアルデヒドを提供し、それは、さらに、Aalderht Johannes de Jong氏の特許文献2(GB1471856A)に記載されているとおり、6-(1,4-ジメチルシクロヘキサ-1-エン-4-イル)ヘキサ-3-エン-2-オン、(2,5-ジメチルビシクロ[3,3,1]ノン-2-エン-8-イル)アセトン、6-(1,4-ジメチルシクロヘキサ-1-エン-4-イル)ヘキサ-4-エン-2-オン、または(2,6-ジメチルビシクロ-[3,3,1]ノン-2-エン-8-イル)アセトンなどの様々な香料化学物質に転換できる。本発明の別の実施形態によれば、オレフィン基質5,7-ジメチル-オクタ-1,6-ジエンをヒドロホルミル化触媒錯体および合成ガスサロゲートで処理することを含む、6,8-ジメチル-ノン-7-エナールを調製するための方法が提供される。
したがって、本発明の一実施形態によれば、オレフィン基質をアルデヒド化合物に転換するのに有用なヒドロホルミル化触媒システムが提供され、該システムは、ホスフィン系配位子と錯体を形成した第9族金属を含むヒドロホルミル化触媒錯体であって、該第9族金属は、コバルト、ロジウム、およびイリジウムよりなる群から選択され、好ましくはロジウムである、ヒドロホルミル化触媒錯体と、該ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下に一酸化炭素、および任意で水素をその場で形成する、ギ酸および無水物化合物を含む合成ガスサロゲートと、を備える。
別の実施形態において、第9族金属がロジウムを含む、上記の触媒システムである。別の実施形態において、上記のいずれかのシステムに記載の触媒システムであって、第9族金属が、Rh(acac)(CO)2、[Rh(COD)Cl]2、および[(MeO)Rh(COD)]2よりなる群から選択されるロジウム化合物内で得られるロジウムを含む、触媒システムである。別の実施形態において、上記のいずれかのシステムに記載の触媒システムであって、ホスフィン系配位子が、単座ホスフィン配位子、二座ホスフィン配位子、またはそれらの組み合わせよりなる群から選択される、触媒システムである。別の実施形態において、上記のいずれかのシステムに記載の触媒システムであって、ホスフィン系配位子は、下記一般式(1)の少なくとも1つの化合物を含む単座ホスフィン配位子であり、
PR1R2R3 (1)
式中、R1、R2、およびR3は、1~20個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアルキル基、
炭素数5~20の置換もしくは非置換のシクロアルキル基もしくはシクロアルケニル基、
炭素数6~36の置換もしくは非置換のアリール基、
炭素数1~20の置換もしくは非置換のヘテロアルキル基、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロ環基、
からそれぞれ独立して選択され、
ヘテロアルキル基、ヘテロアリール基、およびヘテロ環基は、N、O、およびSよりなる群から選択される1つ以上の原子を含み、
置換基は、R1、R2、およびR3が置換基で置換されている場合、ニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、および、炭素数1~4のアルキル基よりなる群から選択される、
触媒システムである。
PR1R2R3 (1)
式中、R1、R2、およびR3は、1~20個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアルキル基、
炭素数5~20の置換もしくは非置換のシクロアルキル基もしくはシクロアルケニル基、
炭素数6~36の置換もしくは非置換のアリール基、
炭素数1~20の置換もしくは非置換のヘテロアルキル基、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロ環基、
からそれぞれ独立して選択され、
ヘテロアルキル基、ヘテロアリール基、およびヘテロ環基は、N、O、およびSよりなる群から選択される1つ以上の原子を含み、
置換基は、R1、R2、およびR3が置換基で置換されている場合、ニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、および、炭素数1~4のアルキル基よりなる群から選択される、
触媒システムである。
別の実施形態において、上記のいずれかのシステムに記載の触媒システムであって、ホスフィン系配位子は、下記一般式(2)の少なくとも1つの化合物を含む二座ホスフィン配位子であり、
R1R2P‐R4‐PR5R6 (2)
式中、R1、R2、R5およびR6は、1~20個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアルキル基、
炭素数5~20の置換もしくは非置換のシクロアルキル基もしくはシクロアルケニル基、
炭素数6~36の置換もしくは非置換のアリール基、
炭素数1~20の置換もしくは非置換のヘテロアルキル基、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロ環基、
からそれぞれ独立して選択され、
ヘテロアルキル基、ヘテロアリール基、およびヘテロ環基は、N、O、およびSよりなる群から選択される1つ以上の原子を含み、
置換基は、R1、R2、R4およびR6が置換基で置換されている場合、ニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、および、炭素数1~4のアルキル基よりなる群から選択され、かつ、R4は炭素数2~20の炭化水素基である、
触媒システムである。
R1R2P‐R4‐PR5R6 (2)
式中、R1、R2、R5およびR6は、1~20個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアルキル基、
炭素数5~20の置換もしくは非置換のシクロアルキル基もしくはシクロアルケニル基、
炭素数6~36の置換もしくは非置換のアリール基、
炭素数1~20の置換もしくは非置換のヘテロアルキル基、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロ環基、
からそれぞれ独立して選択され、
ヘテロアルキル基、ヘテロアリール基、およびヘテロ環基は、N、O、およびSよりなる群から選択される1つ以上の原子を含み、
置換基は、R1、R2、R4およびR6が置換基で置換されている場合、ニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、および、炭素数1~4のアルキル基よりなる群から選択され、かつ、R4は炭素数2~20の炭化水素基である、
触媒システムである。
別の実施形態において、上記の触媒システムであって、無水物化合物が下記一般式(3)を有する化合物を含み、
(R7C=O)-O-(O=CR8) (3)
式中、R7およびR8は置換もしくは非置換のアルキル、または置換もしくは非置換のアリールから独立して選択され、置換基はニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、または炭素数1~4のアルキル基であり得る、
触媒システムである。
(R7C=O)-O-(O=CR8) (3)
式中、R7およびR8は置換もしくは非置換のアルキル、または置換もしくは非置換のアリールから独立して選択され、置換基はニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、または炭素数1~4のアルキル基であり得る、
触媒システムである。
別の実施形態において、上記のいずれかのシステムに記載の触媒システムであって、ギ酸と無水物とのモル比は1:1~4:1の範囲である、触媒システムである。別の実施形態において、上記のいずれかのシステムに記載の触媒システムであって、合成ガスサロゲートに由来しない水素ガスをさらに含む、触媒システムである。
別の実施形態において、上記のいずれかのシステムに記載の触媒システムであって、第9族金属はロジウムを含み、また、ロジウムとホスフィン系配位子とのモル比は1:1~1:500の範囲である、触媒システムである。前述のヒドロホルミル化触媒システムの1つ以上は、オレフィン基質からアルデヒド化合物を調製する方法において有用である。
したがって、本発明のさらなる実施形態によれば、アルデヒド化合物を調製する方法が提供され、該方法は、ヒドロホルミル化触媒システム中でオレフィン基質を混合して反応混合物を形成するステップであって、該ヒドロホルミル化触媒システムは、ヒドロホルミル化触媒錯体および合成ガスサロゲートを含み、該ヒドロホルミル化触媒錯体は、ホスフィン系配位子と錯体を形成した第9族金属を含み、該合成ガスサロゲートは、ギ酸および無水化合物を含み、該第9族金属は、コバルト、ロジウム、およびイリジウムから選択され、好ましくはロジウムである、形成するステップと、反応混合物からアルデヒド化合物を単離して、アルデヒド生成物およびヒドロホルミル化触媒錯体を含むヒドロホルミル化触媒残渣を生じさせるステップと、を備える。
別の実施形態において、上記の方法であって、アルデヒド化合物を単離するステップは、反応混合物から該アルデヒド化合物を蒸留することを含み、また、アルデヒド生成物およびヒドロホルミル化触媒残渣を含む未蒸留画分を提供する、方法である。別の実施形態において、上記の方法のいずれかに記載の方法であって、第2のオレフィン基質をヒドロホルミル化触媒残渣および合成ガスサロゲートと混合して第2の反応混合物を形成するステップをさらに含む、方法である。別の実施形態において、上記の方法のいずれかに記載の方法であって、ホスフィン系配位子の一部が、その対応するホスフィンオキシドに転換され、該方法は、ある量のホスフィン系配位子を第2の反応混合物に添加して、該対応するホスフィンオキシドに転換された部分の少なくとも一部を相殺するステップをさらに含む、方法である。
さらに別の実施形態において、上記の方法のいずれかに記載の方法であって、ギ酸と無水物とのモル比は1:1~4:1の範囲である、方法である。さらに別の実施形態において、上記の方法のいずれかに記載の方法であって、合成ガスサロゲートに由来しない水素ガスを生じさせるステップをさらに含む、方法である。
上記の任意の実施形態に記載の触媒システムを使用した、本発明のさらに別の実施形態において、アルデヒド化合物を調製するための上記の方法のいずれかの中で、該方法は、本発明のヒドロホルミル化触媒システムをオレフィン基質と混合して、密閉反応容器内で反応混合物を形成するステップと、ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下で、オレフィン基質を一酸化炭素および水素と反応させるステップと、を含む。
本発明のさらに別の実施形態において、アルデヒド化合物を調製するための上記の方法のいずれかの中で、該方法は、反応混合物からアルデヒド化合物を単離して、アルデヒド生成物およびヒドロホルミル化触媒残渣を生じさせるステップを含む。本発明のさらに別の実施形態において、上記の方法のいずれかの中で、アルデヒド化合物を単離するステップは、アルデヒド化合物を上述の反応混合物(以下、「第1の反応混合物」と呼ぶ)から蒸留して、アルデヒド生成物およびヒドロホルミル化触媒残渣を含む未蒸留画分を生じさせるステップを含む。
本発明のさらに別の実施形態において、アルデヒド化合物を調製するための上記の方法のいずれかの中で、該方法は、ヒドロホルミル化触媒残渣を、追加量(additional quantities)の第2のオレフィン基質と、ギ酸および無水物化合物を含む合成ガスサロゲートと、並びに任意で水素ガスと、を組み合わせることによりリサイクルして、第2の反応混合物を形成するステップと、該第2のオレフィン基質を、該合成ガスサロゲートから生成された一酸化炭素、および該合成ガスサロゲートに由来するかまたは該合成ガスサロゲートに由来しない水素ガスと、ヒドロホルミル化触媒残渣の存在下で反応させて、該第2の反応混合物中にアルデヒド化合物を形成するステップと、を含む。
本発明のさらに別の実施形態において、アルデヒド化合物を調製するための上記の方法のいずれかの中で、ホスフィン系配位子の一部は、その対応するホスフィンオキシドに転換され、上記プロセスは、ホスフィン系配位子および/または該対応するホスフィンオキシドを定量するステップと、第1および/または第2の反応混合物からアルデヒド化合物を単離する前および/または後にホスフィン系配位子に対する第9族金属のモル比を決定するステップと、をさらに含む。
本発明のさらに別の実施形態において、アルデヒド化合物を調製するための上記の方法のいずれかの中で、該方法は、十分な量のホスフィン系配位子をヒドロホルミル化触媒システムに添加して、第1の反応混合物からアルデヒド化合物を単離する前および/または後に、ホスフィン系配位子に対する第9族金属のモル比を1:5~1:500の範囲に調整するステップをさらに含む。
上記の任意の実施形態に記載の触媒システムを使用した、本発明のさらに別の実施形態において、アルデヒド化合物またはその誘導体を含む芳香(fragrance)製品を調製するための上記の方法のいずれかの中で、その使用は、本発明のヒドロホルミル化触媒システムを密閉反応容器内でオレフィン基質と混合するステップと、ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下で、該オレフィン基質を、合成ガスサロゲートから生成された一酸化炭素、および合成ガスサロゲートに由来するかまたは合成ガスサロゲートに由来しない水素ガスと反応させて、アルデヒド化合物を形成するステップと、該アルデヒド化合物を単離するステップと、任意で該アルデヒド化合物をさらに反応させて、その誘導体を形成するステップと、並びに、単離されたアルデヒド化合物またはその誘導体を1つ以上の芳香性化合物と組み合わせて、芳香製品を得るステップと、を含む。
以下、本発明の実施形態を実施例に照らして詳細に説明する。しかし、本発明は、多くの異なる形態で実施することができ、本明細書に記載の実施例に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施例は、この開示が徹底的かつ完全であり、当業者に対して本発明の概念を完全に伝えるように提示される。
[実施例1]
ギ酸および無水物化合物を含む合成ガスサロゲートを使用して、1,4-ジメチル-4-ビニルシクロヘキセン(DMVCH)のヒドロホルミル化を達成するために、様々な反応条件を調査した。反応の詳細および結果の概要を表1に示す。触媒および配位子のモルパーセンテージ(mol%)、並びに反応物の当量(eq.またはequiv.)は、オレフィン基質のモルに基づいている。
ギ酸および無水物化合物を含む合成ガスサロゲートを使用して、1,4-ジメチル-4-ビニルシクロヘキセン(DMVCH)のヒドロホルミル化を達成するために、様々な反応条件を調査した。反応の詳細および結果の概要を表1に示す。触媒および配位子のモルパーセンテージ(mol%)、並びに反応物の当量(eq.またはequiv.)は、オレフィン基質のモルに基づいている。
比較例(エントリーa1)は、酢酸パラジウムを利用して、非特許文献2(Ren et al., J. Am. Chem. Soc. 2016, 138, 14864-14867)で報告された最適条件のもと、1,4-ジメチル-4-ビニルシクロヘキセン(DMVCH)のヒドロホルミル化を実施した(表1、エントリー15、例えば、5mol% Pd、ジクロロエタン溶媒、ヨウ化テトラブチルアンモニウム添加剤)。触媒充填を0.1mol%(DMVCH基質に対して)に減らすと、22時間後にほとんど転換されなかった(エントリーa2)。2つの異なるルテニウム化合物(エントリーbおよびcの比較例)でDMVCHのヒドロホルミル化を行う試みは、対応するアルデヒドのいずれも形成できなかった。
エントリーd~jでは、1,4-ジメチル-4-ビニルシクロヘキセン(DMVCH)のヒドロホルミル化について、様々なロジウム含有ヒドロホルミル化触媒錯体を調査した。エントリーg~jでは、ロジウムベースのヒドロホルミル化触媒システムで様々な無水物化合物を研究した。エントリーk~エントリーmでは、DMVCHのヒドロホルミル化について、イリジウムおよびコバルトベースのヒドロホルミル化触媒錯体を調査した。これらの実施例では、第9族金属化合物、ホスフィン系配位子、DMVCH、溶媒(2-MeTHF、1M DMVCH)、ギ酸、および無水化合物をオートクレーブに加え、オートクレーブを窒素でパージし、密閉し、次いで、高温に加熱しながら撹拌した。反応期間の終点で、反応混合物を冷却し、排気し、アリコートをGC-FID(HP-DB1(30m、0.25mm、0.25μm)、H2 1.4mL/min、50℃/minで50℃から250℃へ および250℃で10分間)によって分析した。転換率、選択性、および直鎖:分岐(l:b)比を、GC面積パーセント(GC%)によって決定した。全体として、第9族金属ベースのヒドロホルミル化触媒システムは転換率および選択性において許容可能であることが証明されたが、ルテニウムベースの触媒は所望のヒドロホルミル化を達成できなかった。
貴金属触媒のコストが高いため、様々なヒドロホルミル化触媒錯体のリサイクル性がさらに調査された(表2を参照)。最初の反応の終点で、溶媒、未反応の出発物質、および反応生成物を減圧下で蒸留して除去した。ヒドロホルミル化触媒残渣を含む未蒸留画分を、オートクレーブ内でDMVCH、溶媒(2‐MeTHF、1M DMVCH)、ギ酸(2.2当量)、および無水化合物(1.1当量)と合わせ、オートクレーブを窒素でパージし、密閉し、所望の反応温度まで加熱しながら撹拌した。反応期間の終点で、反応混合物を冷却し、排気し、アリコートをGCで分析した。リサイクルプロセスは、観察された酸化を相殺するためにホスフィン系配位子を追加して、または追加せずに、繰り返すことができる。
比較的高い充填(5mol%)で新鮮なパラジウム触媒を使用した比較実験では、最初の反応で良好な転換が得られたが、アルデヒド生成物の選択性は中程度(76%)であり、リサイクルされた触媒の収率はその後の反応で低下した。対照的に、リサイクルされたロジウム触媒は高い転換率(>90%)および選択性(94%)を維持した(表2を参照)。他の第9族金属(すなわち、イリジウムおよびコバルト)で実行された最適化されていない実験では、所望のアルデヒドに対する適度な選択性で良好な転換率が示された。しかし、これらのIrおよびCoの例では、優れた直鎖:分岐(l:b)選択性が達成された。
[実施例2]
600mLオートクレーブに、Rh(acac)(CO)2 (0.057g、0.220mmol)、トリフェニルホスフィン(5.78g、22.0mmol)、2-メチルテトラヒドロフラン(2‐MeTHF)(220ml)、ジメチルビニルシクロヘキセン(DMVCH、30g、220mmol)、ギ酸(18.58ml、484mmol)および無水酢酸(22.85ml、242mmol)を入れた。混合物を90℃で24時間加熱した。圧力は16bar(16.32 kgf/cm2)で最大に達し、最終的な圧力は12bar(12.24 kgf/cm2)であった。次いで、圧力を解放し、混合物を蒸留装置に移した。アリコートをGCで分析して、転換率、選択性(GC%)、およびホスフィン配位子の酸化の程度を確認した。蒸留を開始して、溶媒を回収し、また反応混合物からアルデヒドを単離した(表3参照)。
600mLオートクレーブに、Rh(acac)(CO)2 (0.057g、0.220mmol)、トリフェニルホスフィン(5.78g、22.0mmol)、2-メチルテトラヒドロフラン(2‐MeTHF)(220ml)、ジメチルビニルシクロヘキセン(DMVCH、30g、220mmol)、ギ酸(18.58ml、484mmol)および無水酢酸(22.85ml、242mmol)を入れた。混合物を90℃で24時間加熱した。圧力は16bar(16.32 kgf/cm2)で最大に達し、最終的な圧力は12bar(12.24 kgf/cm2)であった。次いで、圧力を解放し、混合物を蒸留装置に移した。アリコートをGCで分析して、転換率、選択性(GC%)、およびホスフィン配位子の酸化の程度を確認した。蒸留を開始して、溶媒を回収し、また反応混合物からアルデヒドを単離した(表3参照)。
[実施例3]
次いで、実施例2からの蒸留残渣を2-MeTHF(220ml)、ジメチルビニルシクロヘキセン(DMVCH、30g、220mmol)で希釈し、600mLオートクレーブに戻した。ギ酸(18.58ml、484mmol)および無水酢酸(22.85ml、242mmol)を加え、混合物を90℃で24時間加熱した。圧力は16bar(16.32 kgf/cm2)で最大に達し、最終的な圧力は12bar(12.24 kgf/cm2)であった。次いで、圧力を解放し、混合物を蒸留装置に移した。アリコートをGCで分析して、転換率、選択性(GC%)、およびホスフィン配位子の酸化の程度を確認した。トリフェニルホスフィン(2.022g、7.71mmol)を添加した。反応混合物からの溶媒の回収およびアルデヒドの単離を、減圧蒸留によって再び実施した(表4参照)。
次いで、実施例2からの蒸留残渣を2-MeTHF(220ml)、ジメチルビニルシクロヘキセン(DMVCH、30g、220mmol)で希釈し、600mLオートクレーブに戻した。ギ酸(18.58ml、484mmol)および無水酢酸(22.85ml、242mmol)を加え、混合物を90℃で24時間加熱した。圧力は16bar(16.32 kgf/cm2)で最大に達し、最終的な圧力は12bar(12.24 kgf/cm2)であった。次いで、圧力を解放し、混合物を蒸留装置に移した。アリコートをGCで分析して、転換率、選択性(GC%)、およびホスフィン配位子の酸化の程度を確認した。トリフェニルホスフィン(2.022g、7.71mmol)を添加した。反応混合物からの溶媒の回収およびアルデヒドの単離を、減圧蒸留によって再び実施した(表4参照)。
[実施例4]
次いで、実施例3からの蒸留残渣を2-MeTHF(220ml)、ジメチルビニルシクロヘキセン(DMVCH、30g、220mmol)で希釈し、600mLオートクレーブに戻した。ギ酸(18.58ml、484mmol)および無水酢酸(22.85ml、242mmol)を加え、混合物を90℃で24時間加熱した。圧力は16bar(16.32 kgf/cm2)で最大に達し、最終的な圧力は12bar(12.24 kgf/cm2)であった。次いで、圧力を解放し、混合物を蒸留装置に移した。アリコートをGCで分析して、アルデヒドに対する94%の選択性で94%の転換率を示した。
次いで、実施例3からの蒸留残渣を2-MeTHF(220ml)、ジメチルビニルシクロヘキセン(DMVCH、30g、220mmol)で希釈し、600mLオートクレーブに戻した。ギ酸(18.58ml、484mmol)および無水酢酸(22.85ml、242mmol)を加え、混合物を90℃で24時間加熱した。圧力は16bar(16.32 kgf/cm2)で最大に達し、最終的な圧力は12bar(12.24 kgf/cm2)であった。次いで、圧力を解放し、混合物を蒸留装置に移した。アリコートをGCで分析して、アルデヒドに対する94%の選択性で94%の転換率を示した。
ヒドロホルミル化触媒システムの一般的な適用性を実証するために、実施例2の条件を様々なオレフィン基質に適用した(実施例5~15、表5を参照)。転換率、選択性、および直鎖:分岐(l:b)比を、GC面積パーセントによって決定した。
一般的な最適化されていない条件下では、一置換アルファオレフィン基質について優れた転換率が観察され、二置換オレフィン(1,1-または1,2-置換)について中程度~良好な転換率が観察された。しかしながら、三置換オレフィン(比較例8)は、ほとんど反応性を示さなかった(<1%)。
[実施例16]合成ガスサロゲートおよび外部水素ガス
等モル量のギ酸および無水酢酸、並びに外部から供給される水素ガスを含む合成ガスサロゲートの利用性を、モデルオレフィン基質である1,4-ジメチル-4-ビニルシクロヘキセン(DMVCH)に対してスクリーニングし、対応するアルデヒドへの転換率および選択性、並びにホスフィン系配位子酸化の程度を評価した。ロジウム含有化合物(0.1mol% Rh)、単座ホスフィン系配位子(10mol%)、DMVCH(1当量)、溶媒(2‐MeTHF、1M DMVCH)、ギ酸(1.1当量)、および無水物(1.1当量)をオートクレーブに加え、オートクレーブを窒素でパージし、密閉し、排気し、外部水素(H2)ガス圧をシステムに供給した。反応期間の終点で、反応混合物を冷却し、排気し、アリコートをGC-FID(HP-DB1(30m、0.25mm、0.25μm)、H2 1.4mL/min、50℃/minで50℃から250℃へ および250℃で10分間)によって分析した。転換率、選択性、水素化生成物の量、およびホスフィン酸化の程度を、GC面積パーセントによって決定した。
等モル量のギ酸および無水酢酸、並びに外部から供給される水素ガスを含む合成ガスサロゲートの利用性を、モデルオレフィン基質である1,4-ジメチル-4-ビニルシクロヘキセン(DMVCH)に対してスクリーニングし、対応するアルデヒドへの転換率および選択性、並びにホスフィン系配位子酸化の程度を評価した。ロジウム含有化合物(0.1mol% Rh)、単座ホスフィン系配位子(10mol%)、DMVCH(1当量)、溶媒(2‐MeTHF、1M DMVCH)、ギ酸(1.1当量)、および無水物(1.1当量)をオートクレーブに加え、オートクレーブを窒素でパージし、密閉し、排気し、外部水素(H2)ガス圧をシステムに供給した。反応期間の終点で、反応混合物を冷却し、排気し、アリコートをGC-FID(HP-DB1(30m、0.25mm、0.25μm)、H2 1.4mL/min、50℃/minで50℃から250℃へ および250℃で10分間)によって分析した。転換率、選択性、水素化生成物の量、およびホスフィン酸化の程度を、GC面積パーセントによって決定した。
実施例16aおよび16bでは、90℃に加熱する前に、オートクレーブを外部適用水素ガスでそれぞれ4bar(4.079 kgf/cm2)および10bar(10.2 kgf/cm2)に加圧した。所望のアルデヒドへの優れた転換率および選択性が達成され、生成される水素化副生成物は最小限(<5%)であった。これらの条件下で、ホスフィン系配位子の酸化の程度は10%未満であった。
実施例16cでは、窒素パージ後にオートクレーブを密閉したが、加熱前に水素ガスを導入しなかった。圧力は90℃に加熱すると20bar(20.39 kgf/cm2)に上昇し、出発DMVCHの転換は観察されずに一定のままであった。観察された圧力上昇は、一部は熱膨張によるものだったが、一酸化炭素の生成によるものでもあった。90℃で15時間後、システム圧力が25bar(25.49 kgf/cm2)に上昇するまで外部水素ガスを適用し、次いで密閉システムをさらに5時間反応させた。5時間後、内圧は10bar(10.2 kgf/cm2)に低下し、63%の転換率が達成され、所望のアルデヒドの選択性は約90%であり、水素化生成物はわずか0.3%であった。これらの条件下で、ホスフィン系配位子の酸化の程度は10%未満であった。
本発明は、その1つ以上の実施形態の記載によって説明され、実施形態はかなり詳細に説明されたが、添付の特許請求の範囲をそのような詳細に制限または限定することを意図するものではない。追加の利点および改変は、当業者には容易に理解されるであろう。したがって、本発明は、そのより広い態様において、特定の詳細、代表的な生成物および方法、ならびに図示および説明された実例に限定されない。したがって、特許請求の範囲に包含される一般的な発明概念の範囲から逸脱することなく、そのような詳細から逸脱してもよい。
Claims (17)
- オレフィン基質をアルデヒド化合物に転換するのに有用なヒドロホルミル化触媒システムであって、
ホスフィン系配位子と錯体を形成した第9族金属を含むヒドロホルミル化触媒錯体であり、該第9族金属は、コバルト、ロジウム、およびイリジウムよりなる群から選択され、好ましくはロジウムである、ヒドロホルミル化触媒錯体と、
前記ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下に一酸化炭素、および随意的に水素をその場で形成する、ギ酸および無水物化合物を含む合成ガスサロゲートと、並びに随意的に、
水素ガスと、
を備えるか、本質的にそれらからなるか、または、それらからなるものであり、
前記合成ガスサロゲートが前記ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下にその場で水素を形成しない場合、該システムは水素ガスを含むと把握される、
触媒システム。 - 請求項1に記載の触媒システムにおいて、前記第9族金属はロジウムを含む、触媒システム。
- 請求項1または2に記載の触媒システムにおいて、前記第9族金属は、Rh(acac)(CO)2、[Rh(COD)Cl]2、および[(MeO)Rh(COD)]2よりなる群から選択されるロジウム化合物内で得られるロジウムを含む、触媒システム。
- 請求項1~3のいずれか一項に記載の触媒システムにおいて、前記ホスフィン系配位子は、単座ホスフィン配位子、二座ホスフィン配位子、またはそれらの組み合わせよりなる群から選択される、触媒システム。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の触媒システムにおいて、前記ホスフィン系配位子は、下記一般式(1)の少なくとも1つの化合物を含む単座ホスフィン配位子であり、
PR1R2R3 (1)
式中、R1、R2、およびR3は、1~20個の炭素原子を有する置換もしくは非置換アルキル基、
炭素数5~20の置換もしくは非置換のシクロアルキル基もしくはシクロアルケニル基、
炭素数6~36の置換もしくは非置換のアリール基、
炭素数1~20の置換もしくは非置換のヘテロアルキル基、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロ環基、
からそれぞれ独立して選択され、
ヘテロアルキル基、ヘテロアリール基、およびヘテロ環基は、N、O、およびSよりなる群から選択される1つ以上の原子を含み、
置換基は、R1、R2、およびR3が置換基で置換されている場合、ニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、および、炭素数1~4のアルキル基よりなる群から選択される、
触媒システム。 - 請求項1~5のいずれか一項に記載の触媒システムにおいて、前記ホスフィン系配位子は、下記一般式(2)の少なくとも1つの化合物を含む二座ホスフィン配位子であり、
R1R2P-R4-PR5R6 (2)
式中、R1、R2、R5およびR6は、1~20個の炭素原子を有する置換もしくは非置換アルキル基、
炭素数5~20の置換もしくは非置換のシクロアルキル基もしくはシクロアルケニル基、
炭素数6~36の置換もしくは非置換のアリール基、
炭素数1~20の置換もしくは非置換のヘテロアルキル基、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または、
炭素数4~36の置換もしくは非置換のヘテロ環基、
からそれぞれ独立して選択され、
ヘテロアルキル基、ヘテロアリール基、およびヘテロ環基は、N、O、およびSよりなる群から選択される1つ以上の原子を含み、
置換基は、R1、R2、R4およびR6が該置換基で置換されている場合、ニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、および、炭素数1~4のアルキル基よりなる群から選択され、かつ、R4は炭素数2~20の炭化水素基である、
触媒システム。 - 請求項1~6のいずれか一項に記載の触媒システムにおいて、前記無水物化合物が下記一般式(3)を有する化合物を含み、
(R7C=O)-O-(O=CR8) (3)
式中、R7およびR8は置換もしくは非置換のアルキル、または置換もしくは非置換のアリールから独立して選択され、置換基はニトロ(‐NO2)、フッ化物(‐F)、塩化物(‐Cl)、臭化物(‐Br)、または炭素数1~4のアルキル基であり得る、
触媒システム。 - 請求項1~7のいずれか一項に記載の触媒システムにおいて、ギ酸と無水物とのモル比は1:1~4:1の範囲である、触媒システム。
- 請求項1~8のいずれか一項に記載の触媒システムにおいて、前記合成ガスサロゲートに由来しない水素ガスをさらに含む、触媒システム。
- 請求項1~9のいずれか一項に記載の触媒システムにおいて、前記第9族金属はロジウムを含み、また、ロジウムとホスフィン系配位子とのモル比は1:1~1:500の範囲である、触媒システム。
- 請求項1~10のいずれか一項に記載の触媒システムを使用してアルデヒド化合物を調製するプロセスであって、
請求項1~10のいずれか一項に記載のヒドロホルミル化触媒システムをオレフィン基質と混合して、密閉反応容器内で反応混合物を形成するステップと、
ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下で、前記反応混合物中で、前記オレフィン基質を、合成ガスサロゲートから生成された一酸化炭素、および該合成ガスサロゲートに由来するかまたは該合成ガスサロゲートに由来しない水素ガスと反応させて、前記アルデヒド化合物を形成するステップと、
を含む、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスにおいて、前記反応混合物から前記アルデヒド化合物を単離して、アルデヒド生成物およびヒドロホルミル化触媒残渣を生じさせるステップをさらに含む、プロセス。
- 請求項12に記載のプロセスにおいて、前記アルデヒド化合物を単離するステップが、前記反応混合物から該アルデヒド化合物を蒸留して、前記アルデヒド生成物および、前記ヒドロホルミル化触媒残渣を含む未蒸留画分を生じさせるステップを含む、プロセス。
- 請求項12または13に記載のプロセスにおいて、前記反応混合物は第1の反応混合物であり、前記プロセスはさらに、
前記ヒドロホルミル化触媒残渣を、第2のオレフィン基質と、ギ酸および無水物化合物を含む前記合成ガスサロゲートと、並びに任意で水素ガスと、を組み合わせることによりリサイクルして、第2の反応混合物を形成するステップと、
前記第2の反応混合物中で、前記第2のオレフィン基質を、前記合成ガスサロゲートから生成された一酸化炭素、および該合成ガスサロゲートに由来するかまたは該合成ガスサロゲートに由来しない水素ガスと、前記ヒドロホルミル化触媒残渣の存在下で反応させて、該第2の反応混合物中に前記アルデヒド化合物を形成するステップと、
を含む、プロセス。 - 請求項12~14のいずれか一項に記載のプロセスにおいて、請求項12または13に記載の反応混合物は、第1の反応混合物であり、ホスフィン系配位子の一部は、その対応するホスフィンオキシドに転換され、該プロセスはさらに、該ホスフィン系配位子および/または該対応するホスフィンオキシドを定量するステップと、前記第1および/または前記第2の反応混合物から前記アルデヒド化合物を単離する前および/または後に該ホスフィン系配位子に対する前記第9族金属のモル比を決定するステップと、を含む、プロセス。
- 請求項12~15のいずれか一項に記載のプロセスにおいて、請求項12または13に記載の反応混合物は、第1の反応混合物であり、前記プロセスはさらに、十分な量の前記ホスフィン系配位子を前記ヒドロホルミル化触媒システムに添加して、前記第1の反応混合物から前記アルデヒド化合物を単離する前および/または後に、該ホスフィン系配位子に対する前記第9族金属のモル比を1:5~1:500の範囲に調整するステップを含む、プロセス。
- 請求項1~10のいずれか一項に記載の触媒システムを使用して得られたアルデヒド化合物を含む芳香製品を調製するプロセスであって、
請求項1~10のいずれか一項に記載のヒドロホルミル化触媒システムを密閉反応容器内でオレフィン基質と混合するステップと、
ヒドロホルミル化触媒錯体の存在下で、前記オレフィン基質を、合成ガスサロゲートから生成された一酸化炭素、および該合成ガスサロゲートに由来するかまたは該合成ガスサロゲートに由来しない水素ガスと反応させて、アルデヒド化合物を形成するステップと、
前記アルデヒド化合物を単離するステップと、任意で該アルデヒド化合物をさらに反応させて、その誘導体を形成するステップと、並びに、
単離された前記アルデヒド化合物または前記その誘導体を1つ以上の芳香性化合物と組み合わせて、前記芳香製品を得るステップと、
を含む、芳香製品を調製するプロセス。
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