JPS5818991A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5818991A JPS5818991A JP11813681A JP11813681A JPS5818991A JP S5818991 A JPS5818991 A JP S5818991A JP 11813681 A JP11813681 A JP 11813681A JP 11813681 A JP11813681 A JP 11813681A JP S5818991 A JPS5818991 A JP S5818991A
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- Japan
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
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- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導体体発光装Ｗｉｓｐよびその製造方法に係少
、特にテラスドッグストレート型レーザ及びその製造方
法に関する。
、特にテラスドッグストレート型レーザ及びその製造方
法に関する。
通常のテラストサブストレート履シーｆｌ下Ｔｓ屋レー
ザと称す）の構造ｔ−ｊｉＩ１図に示す、−中、ｌは！
１面に段差を有するａｍｏａムＳ基板、Ｓ＃ｉりｌｌＧ
ａＡｔＡｓからなるｓｌり２ラド層、８はｐまたはｎ
ＪＩ ＧａＡＡＡｓからなる活性層、４はＰ鳳ＧａＡｔ
Ａｓからなるｉｇｓり２ラド層、５は鵬Ｈａ畠人Ｓから
なるキャップ層、６は亜鉛（２ム）拡歓領戚、７及び８
は電極である・かかる従来のレーザ構造では、ｊｉｆｌ
上に形成された段差の形状を活性層の形状に影響させ、
その厚み及び形状ｔＲｆ！させている・ここで、上記活
ａ層の形状から発元ｉＩ域８での元閉じ込めが行なわれ
、横モードの安定した半導体レーザを得られる。
ザと称す）の構造ｔ−ｊｉＩ１図に示す、−中、ｌは！
１面に段差を有するａｍｏａムＳ基板、Ｓ＃ｉりｌｌＧ
ａＡｔＡｓからなるｓｌり２ラド層、８はｐまたはｎ
ＪＩ ＧａＡＡＡｓからなる活性層、４はＰ鳳ＧａＡｔ
Ａｓからなるｉｇｓり２ラド層、５は鵬Ｈａ畠人Ｓから
なるキャップ層、６は亜鉛（２ム）拡歓領戚、７及び８
は電極である・かかる従来のレーザ構造では、ｊｉｆｌ
上に形成された段差の形状を活性層の形状に影響させ、
その厚み及び形状ｔＲｆ！させている・ここで、上記活
ａ層の形状から発元ｉＩ域８での元閉じ込めが行なわれ
、横モードの安定した半導体レーザを得られる。
しかしながら、上記従来ＯＴａｇシーずに２匹ては、か
かる活性層を再現性＾〈成長させることより選択的に亜
鉛（Ｚｎ）’に拡散しているが、電極７から注入される
電流は、第３クラッド層中で広がり、確実な電流狭窄は
行なわれて−な−。
かる活性層を再現性＾〈成長させることより選択的に亜
鉛（Ｚｎ）’に拡散しているが、電極７から注入される
電流は、第３クラッド層中で広がり、確実な電流狭窄は
行なわれて−な−。
本発明は、上記従来のＴ８Ｗレーザの問題点を鑑み、再
現性良く、製造することが可能でＴｏす、また横モード
の安定した。ｔｇ狭窄手段を有する半導体レーザ及びそ
の製造方ｆ＆を提供することを目的としている。
現性良く、製造することが可能でＴｏす、また横モード
の安定した。ｔｇ狭窄手段を有する半導体レーザ及びそ
の製造方ｆ＆を提供することを目的としている。
上記本発明の目的は、表向に段差を有する半導体基板と
、この基板表面の下段領域、上段領域からなる平坦部上
に設けられた電ｔＩＬ組止層と、その上に表面が平坦と
なるように形成された第１クラッド層、及び活性層、第
２クラッド層とＳＳＳクラッド層を貫通しｍ紀基板の下
段領域上の活性層に至る！ｉｉ給拡歓憤域とを有する半
導体発光装置により達成される・ また、ここで電ｔｌＬ阻止層ｔＩｉｔＩ紀段差を有する
半導体基板の下段領域並びに上段領域からなる平坦部上
にのみ成長させる方法としては、逆メナ履に形成された
ｚｆ段差領域の一部ｔメルトバックすると同時に、よ紀
下段領域並びに上段領域上に電Ｒ阻止層を液相成長させ
るものである。
、この基板表面の下段領域、上段領域からなる平坦部上
に設けられた電ｔＩＬ組止層と、その上に表面が平坦と
なるように形成された第１クラッド層、及び活性層、第
２クラッド層とＳＳＳクラッド層を貫通しｍ紀基板の下
段領域上の活性層に至る！ｉｉ給拡歓憤域とを有する半
導体発光装置により達成される・ また、ここで電ｔｌＬ阻止層ｔＩｉｔＩ紀段差を有する
半導体基板の下段領域並びに上段領域からなる平坦部上
にのみ成長させる方法としては、逆メナ履に形成された
ｚｆ段差領域の一部ｔメルトバックすると同時に、よ紀
下段領域並びに上段領域上に電Ｒ阻止層を液相成長させ
るものである。
即ち、本発明による半導体シーずでは横方向の光閉じ込
めを、一方では亜鉛（Ｚｎ）拡散による屈折率の変化に
より、他方では１１１ｇ１ククツド層の厚みの変化に１
９行なうものである。また、同時に電流狭窄手段として
は、段差ｔ−有する基板の下段領域、差びによＲ領域よ
にのみ形成された電流阻止層及び第Ｓり２ラド層を貫通
し上記ＴＩＲＩＩ域上の活成上層に至る亜鉛鉱教領域に
１９行なう。ここで電ｔｊｔ＠止層εして１、−導電層
を有する半導体基板と反対導電ｍを有する″Ｐ４体層、
または高比抵抗の層が通用可能である。
めを、一方では亜鉛（Ｚｎ）拡散による屈折率の変化に
より、他方では１１１ｇ１ククツド層の厚みの変化に１
９行なうものである。また、同時に電流狭窄手段として
は、段差ｔ−有する基板の下段領域、差びによＲ領域よ
にのみ形成された電流阻止層及び第Ｓり２ラド層を貫通
し上記ＴＩＲＩＩ域上の活成上層に至る亜鉛鉱教領域に
１９行なう。ここで電ｔｊｔ＠止層εして１、−導電層
を有する半導体基板と反対導電ｍを有する″Ｐ４体層、
または高比抵抗の層が通用可能である。
以下、図面を参照して本発明の夾側例について説明する
。
。
第Ｓ図は本発明の一実膣例を示してかり１図中１１は表
面に設差ｔ−Ｗするｎ！１１ＧｉＡＩｊｉ板、１９はｐ
履Ｇａ（Ｈ，、）ＡＡｘＡ畠（０≦真＜１）からなる電
流阻止層ｓ ｌ ｌ ｒｉｍ ｍ Ｇａ（ｈ、、）ＡＬ
ｙＡｍ Ｐらなる嬉ｌクラＶド層、１８はｐｉたは■［
ＧＭ（１，、、ＡムＡｓＣｍ＜ｙ）からなる活性層、１
４はｐｍ！Ｇａ（ｘ−ｙ）Ａｚｙａ−からなる薦２り２
ラド層、１５はｎ鳳ＧｍＡｍからなるキャップ層である
。
面に設差ｔ−Ｗするｎ！１１ＧｉＡＩｊｉ板、１９はｐ
履Ｇａ（Ｈ，、）ＡＡｘＡ畠（０≦真＜１）からなる電
流阻止層ｓ ｌ ｌ ｒｉｍ ｍ Ｇａ（ｈ、、）ＡＬ
ｙＡｍ Ｐらなる嬉ｌクラＶド層、１８はｐｉたは■［
ＧＭ（１，、、ＡムＡｓＣｍ＜ｙ）からなる活性層、１
４はｐｍ！Ｇａ（ｘ−ｙ）Ａｚｙａ−からなる薦２り２
ラド層、１５はｎ鳳ＧｍＡｍからなるキャップ層である
。
ここで、レーダのｆＩ４４−ド安ｊｉ！化砿構は、ｍ紀
Ｊｉ板１１の下段領域に対応す４郡分では、′ｓ１り２
ラド層１１の厚さの違ｉから０元吸収の損失が大きくな
るため、下段領＠に対応する部分では、亜鉛鉱＃Ｌ懺域
の屈折率が小さくなるため形成されるＯ 従って藺紀基真１１の下段領域上の４１クラッド層１ｍ
の厚さは約＆１〔〆ｍ〕以下とし、藺紀亜蛤（Ｚａ ）
ｆｆｉ敢１［域は、設差領域からＪＩＭ−１０１ｐｉ
ａｚ）−九た下Ｒ１［成上に形成される。
Ｊｉ板１１の下段領域に対応す４郡分では、′ｓ１り２
ラド層１１の厚さの違ｉから０元吸収の損失が大きくな
るため、下段領＠に対応する部分では、亜鉛鉱＃Ｌ懺域
の屈折率が小さくなるため形成されるＯ 従って藺紀基真１１の下段領域上の４１クラッド層１ｍ
の厚さは約＆１〔〆ｍ〕以下とし、藺紀亜蛤（Ｚａ ）
ｆｆｉ敢１［域は、設差領域からＪＩＭ−１０１ｐｉ
ａｚ）−九た下Ｒ１［成上に形成される。
また、電訛狭窄砿ｍｔｉ、 ａ也１１の上戚懺域並−に
Ｆ段載成上にのみ形成され九電訛岨止層１９からなる・
即ら、上−電−１マより注入″：５ｆ′した電流は、を
給（Ｚａ）拡ａｍ域から活性層１１９１−て基板１１の
電Ｒ阻止層が形成されてぃなＶ％段差領域へのみ流れる
ものである。
Ｆ段載成上にのみ形成され九電訛岨止層１９からなる・
即ら、上−電−１マより注入″：５ｆ′した電流は、を
給（Ｚａ）拡ａｍ域から活性層１１９１−て基板１１の
電Ｒ阻止層が形成されてぃなＶ％段差領域へのみ流れる
ものである。
以下、ｕｓ図乃至菖７１！ｌａを参照して、本発明によ
る導体体シーザＯ製造方法を示す・ ７ａ畠図参照 （１００）ｒｌを主ｇとするｍ Ｊｌ［ＧａＡ ａ ｊ
ｉ ４１１１に、図中０で示される＜０１１ ＞方向の
逆メサ蓋のＪＲｌを形成する。かかる段差の形成は、通
常のエツチング工程の適用が可能であり、エツチング液
としては、例えばリン酸−ｙａａ化水素水番水Ｃ８：１
：１）を用いる。
る導体体シーザＯ製造方法を示す・ ７ａ畠図参照 （１００）ｒｌを主ｇとするｍ Ｊｌ［ＧａＡ ａ ｊ
ｉ ４１１１に、図中０で示される＜０１１ ＞方向の
逆メサ蓋のＪＲｌを形成する。かかる段差の形成は、通
常のエツチング工程の適用が可能であり、エツチング液
としては、例えばリン酸−ｙａａ化水素水番水Ｃ８：１
：１）を用いる。
第４図参照
上ｆｆ１ｎｌ［ＧａＡｓ基破ｌｌ上にｐ ｇ Ｇａ （
１−、）ＡＡｘ Ａ＠からなる電ａｍ止層１９をｏ、ｌ
−ｏ、ｓ〔ａｒｍＪｔｉｔｉ＆させる。ここで電ｔＩＬ
銀止層１９の形成は１ｍｌ！相成艮法によプ行なわれ、
逆メｔｌｉｏ段差領域ｊｌｌの一部は、メルトバックさ
れる・そのため電流阻止層” ９ ｕｓ ＪｉｌＥｌ
１の下段領域並びにょＩＲ領領土上のみ形成され１段差
領域上には形成されな匹。即ち、避メ？部のメルトバッ
クは非常に速−ので、過飽和度、冷却速度等の成ｊＩ条
件にほとんど左右されずに再ＩＡ性良く、この電流阻止
層は形成される。
１−、）ＡＡｘ Ａ＠からなる電ａｍ止層１９をｏ、ｌ
−ｏ、ｓ〔ａｒｍＪｔｉｔｉ＆させる。ここで電ｔＩＬ
銀止層１９の形成は１ｍｌ！相成艮法によプ行なわれ、
逆メｔｌｉｏ段差領域ｊｌｌの一部は、メルトバックさ
れる・そのため電流阻止層” ９ ｕｓ ＪｉｌＥｌ
１の下段領域並びにょＩＲ領領土上のみ形成され１段差
領域上には形成されな匹。即ち、避メ？部のメルトバッ
クは非常に速−ので、過飽和度、冷却速度等の成ｊＩ条
件にほとんど左右されずに再ＩＡ性良く、この電流阻止
層は形成される。
扇５図参照
上記電ｔＩｔ阻止層１９及びに電Ｒ阻止層の設けられて
いな＾基板の段差領域よＫ ａ １１ Ｇａ（１−７）
ｋｔ”ｊＭからなる１１ｇ１クラツド層１ｓｔ−液相エ
ビタキシャルＪ２１ｃ長床により形成する。この時、上
段領域では下段ｉａ域より一或兼速縦が遅く、かかる第
１クラッドｍ１ｓｏ表向を平坦になるように、また上段
領域上でその厚さが薄くな４ようにに長させることが町
自七である。
いな＾基板の段差領域よＫ ａ １１ Ｇａ（１−７）
ｋｔ”ｊＭからなる１１ｇ１クラツド層１ｓｔ−液相エ
ビタキシャルＪ２１ｃ長床により形成する。この時、上
段領域では下段ｉａ域より一或兼速縦が遅く、かかる第
１クラッドｍ１ｓｏ表向を平坦になるように、また上段
領域上でその厚さが薄くな４ようにに長させることが町
自七である。
なｐｌよ紀電訛岨止４１９ｆｇ成するＧａ（１−幻ＡＡ
ｘ人−、及び４１クラッド層１ 、ＩｔａｇするＧａ（
１−ｙ）ＡｔｙＡａのｘａｙｏｉＩＩ［、並びにそｎぞ
れの厚さは、よＪ６に領域での元畝収が可能であるよう
に通訳する。ここでは上記ｘ ｏｌ）７１ ｔ−０，８
％ ｙの値ｔｏ、ａ、ｉｉｇ−止／１１１９の厚さｋ
ａｌ （１”１ ）、ａｌｌクラッド層の厚″：５ｔ−
１上戚１Ａ域でα８〔μｍ〕、下戚懺域でＬ５（μｍ〕
とする。
ｘ人−、及び４１クラッド層１ 、ＩｔａｇするＧａ（
１−ｙ）ＡｔｙＡａのｘａｙｏｉＩＩ［、並びにそｎぞ
れの厚さは、よＪ６に領域での元畝収が可能であるよう
に通訳する。ここでは上記ｘ ｏｌ）７１ ｔ−０，８
％ ｙの値ｔｏ、ａ、ｉｉｇ−止／１１１９の厚さｋ
ａｌ （１”１ ）、ａｌｌクラッド層の厚″：５ｔ−
１上戚１Ａ域でα８〔μｍ〕、下戚懺域でＬ５（μｍ〕
とする。
第６図参照
次＾で、上記第１ ／ ９ Ｆド層１ｍ上にｐまたはｔ
ｓ ｍｌ Ｇａ（Ｈ，ｘ）ＡｔｘＡａからなる活性層１
５１（ｍａｙ）、ｐｍｌＧｍ（１，、）ＡＡｙＡａ カ
ラ１ｋｈｌＬ ｌり９ｙド層、ａ ｊ［ＧａＡａからな
るキャップ４１Ｂを順次液相エピタキシャル成長法によ
り形成する。従来のＴ８瓜レーザでは、劇中１活性層の
形状により横モードｔｆ＃性の安定化を図っていたため
、素子を再現性良く製造することが回線であったが、本
発明によれば他のへテロ接合層レーザと同様に平坦な活
性層を形成するため、その再現性に優れる。
ｓ ｍｌ Ｇａ（Ｈ，ｘ）ＡｔｘＡａからなる活性層１
５１（ｍａｙ）、ｐｍｌＧｍ（１，、）ＡＡｙＡａ カ
ラ１ｋｈｌＬ ｌり９ｙド層、ａ ｊ［ＧａＡａからな
るキャップ４１Ｂを順次液相エピタキシャル成長法によ
り形成する。従来のＴ８瓜レーザでは、劇中１活性層の
形状により横モードｔｆ＃性の安定化を図っていたため
、素子を再現性良く製造することが回線であったが、本
発明によれば他のへテロ接合層レーザと同様に平坦な活
性層を形成するため、その再現性に優れる。
第７１１１１１参照
次ｉで、素子ｊｉ！画より＃紀蕊板の下段領域上の活性
層に至る深さまで亜鉛拡散領域１６を形成する・ かかる１橿は、通常のｆＬ給（Ｚｎ ）拡散工程により
行なＶれるが、その位置の１＆定は前述の即く、発光部
の横方向への元４１Ｎを認止する１ＩｊｌＲにより定め
られる・例えば、前述の即く段差領域から８〜１０（＊
ｍ）Ｉｌｌれた下段領域上に形成されるが、ここで亜鉛
拡散領域１６は横モード安定化の機能と同時に電流注入
領域としての機能を有するものであり、その位置により
発光部領域の幅も設定される。
層に至る深さまで亜鉛拡散領域１６を形成する・ かかる１橿は、通常のｆＬ給（Ｚｎ ）拡散工程により
行なＶれるが、その位置の１＆定は前述の即く、発光部
の横方向への元４１Ｎを認止する１ＩｊｌＲにより定め
られる・例えば、前述の即く段差領域から８〜１０（＊
ｍ）Ｉｌｌれた下段領域上に形成されるが、ここで亜鉛
拡散領域１６は横モード安定化の機能と同時に電流注入
領域としての機能を有するものであり、その位置により
発光部領域の幅も設定される。
その債、上部電極としてＡｕＺｆｌ電礪１丁電工１丁極
としてＡｕ８ｎｌｌ礁１８をそれぞれ形成することによ
り ｓ 縛ｒｂ図に示した半導体レーザを完成する。
としてＡｕ８ｎｌｌ礁１８をそれぞれ形成することによ
り ｓ 縛ｒｂ図に示した半導体レーザを完成する。
以上、実施例からも明、確となったように、本発明によ
ルば横モードの安定、シ、かつ確実な電Ｒ狭窄手段を１
えた半導体レーザの形成が可能でＴｏる。
ルば横モードの安定、シ、かつ確実な電Ｒ狭窄手段を１
えた半導体レーザの形成が可能でＴｏる。
また、その活性層は平坦な表ｒｋｉｖｔ有する粛ｌクラ
ッド層上に形成されるため、装置自体の製造が容易てあ
り、再現性に優れている・ また、本Ａｉ明の適用は、土紀実施真には繊らルず、例
えば扇３図にお＾てｐ麿”（１−ｘ）ＡＡｘ人ｍ１４の
ＺＶりにｎ ＪｉＧａ（Ｈ，ｘ）Ａｊｘムｓ’ｉＨ用い
ることも可能である。ここでは活性層１８につ−てはｆ
ｉ麿の半導体ｍ１ｔｔ用し、キャップ層１５を設けずに
亜給拡赦ｉｌｉ域１６上にのみ電極１７倉取ｐ付ける・
従って、この亜鉛拡散領域１６は電流通路としての機能
を失うが、実施例における半導体レーダと同様の光閉じ
込め効果を有する。
ッド層上に形成されるため、装置自体の製造が容易てあ
り、再現性に優れている・ また、本Ａｉ明の適用は、土紀実施真には繊らルず、例
えば扇３図にお＾てｐ麿”（１−ｘ）ＡＡｘ人ｍ１４の
ＺＶりにｎ ＪｉＧａ（Ｈ，ｘ）Ａｊｘムｓ’ｉＨ用い
ることも可能である。ここでは活性層１８につ−てはｆ
ｉ麿の半導体ｍ１ｔｔ用し、キャップ層１５を設けずに
亜給拡赦ｉｌｉ域１６上にのみ電極１７倉取ｐ付ける・
従って、この亜鉛拡散領域１６は電流通路としての機能
を失うが、実施例における半導体レーダと同様の光閉じ
込め効果を有する。
更に、本発明による半導体レーザでは、通常の半導体レ
ーデと同様に滅相エピタキシャル法により製造されるも
のであるが、段差を有する基板上の所定領域上に電流阻
止層を設は友後、連続して第１クラッド層、活性層、粛
２クフッド（及びキャップ層）を連続して形成すること
も可能であり王権を簡易・なものとすることが可能であ
る。
ーデと同様に滅相エピタキシャル法により製造されるも
のであるが、段差を有する基板上の所定領域上に電流阻
止層を設は友後、連続して第１クラッド層、活性層、粛
２クフッド（及びキャップ層）を連続して形成すること
も可能であり王権を簡易・なものとすることが可能であ
る。
第１図は従来のテラストサブストレート蓋レーザを、ｓ
烏図は本発明による導体体シーザｔ、第１図乃至ｓ７図
は本発明による半導体レーザの顧造工ｍを表わしている
。 図中、１．１１は基板、Ｂｅ１ｌは第１り９ｙド層、８
＃１８は活性層、４・１４は第Ｓクラッド層、５゜１５
はキャップノー、 ６ 、ｌ ＩＩは亜鉛（Ｚｓ＋）拡
散懺ｊｌｔｌ！ｉｌ 岑３図
烏図は本発明による導体体シーザｔ、第１図乃至ｓ７図
は本発明による半導体レーザの顧造工ｍを表わしている
。 図中、１．１１は基板、Ｂｅ１ｌは第１り９ｙド層、８
＃１８は活性層、４・１４は第Ｓクラッド層、５゜１５
はキャップノー、 ６ 、ｌ ＩＩは亜鉛（Ｚｓ＋）拡
散懺ｊｌｔｌ！ｉｌ 岑３図
Claims (1)
- （１）下段領域、段差領域及び、上段領域からなる半導
体基板、該基板の下段領域及び、上段領域上に設けられ
た電ａ阻止層、該電ｆＩＬ阻止層及び基板の段差領域上
に形成された表面の平坦な第１クツツドｔｆｌ、＃第１
り２ラド層上の活性層及び第３クツツド層、献繭１り２
ラド層を貫通して＃記着板の下段領域上に対応する活性
層に至る亜鉛拡散領域とを有することを特徴とする半導
体発光装置・ １２） （Ｚｏｏ）＃Ｊｔ−主面とする半導体基板の
（０１１）方向に逆メナ履の段差を形成する工程、威基
板の平坦部よに電訛岨止層を形成すると同時に＃紀逆メ
ｔｍの段差像域の−Ｓをメルトバックする工程、次＾で
、表向の平ｍ１に第１り２ｙド層を形成する工程、威Ｉ
Ｘｌクツッド層上に活性層及び、萬Ｓクラッド層を形成
する工程、次いで、表向よりｍ紀ｊｌｉ４［の下擬領域
上に対応する活性層に至る深さまで亜鉛を拡歇する工程
とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法
・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11813681A JPS5818991A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11813681A JPS5818991A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818991A true JPS5818991A (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=14728938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11813681A Pending JPS5818991A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818991A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136986A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPH04131384A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 内面にＣｕ―Ｓｎ合金層を有する給水・給湯用銅管及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11813681A patent/JPS5818991A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136986A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPH04131384A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 内面にＣｕ―Ｓｎ合金層を有する給水・給湯用銅管及びその製造方法 |
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