JPS58187004A - 低消費電力水晶発振回路 - Google Patents
低消費電力水晶発振回路Info
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- JPS58187004A JPS58187004A JP6995482A JP6995482A JPS58187004A JP S58187004 A JPS58187004 A JP S58187004A JP 6995482 A JP6995482 A JP 6995482A JP 6995482 A JP6995482 A JP 6995482A JP S58187004 A JPS58187004 A JP S58187004A
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/028—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising piezoelectric resonators
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低消費電力水晶発振回路に関し、特にＱ −Ｍ
Ｏ８インバータを用いて２つの水晶振動子を同時に励振
することにより温度特性補償を計った低消費電力水晶発
振回路に関する。
Ｏ８インバータを用いて２つの水晶振動子を同時に励振
することにより温度特性補償を計った低消費電力水晶発
振回路に関する。
現在低消費電力用の発振回路には、交互にオン状態が続
いてもその期間ずつと電流が流れ続けない、インバータ
構成のＯ−ＭＯＥＩ工Ｃ回路が多く利用されている。水
晶時計用またはその他の水晶発掘回路にも、このＯ−Ｍ
ＯＳ −ＩＣ回路が多く使用されて層り、第１図はこう
したＯ −ＭＯＳ −ＩＣ回路構成の水晶発振回路の基
本回路である。同図においてＴ はＰ−チャンネルＭＯ
８ＦＥＴ 、 Ｔ、Ｕ Ｎ−チャンネルＭ０８ ＦＥＴ
で、これらを直列に接続してＣ−ＭＯθインバータを構
成している。ＧｐＦｉＰ−チャンネル ＭＯＳ ７ＥＴ
Ｔｐのゲート、Ｇ夏はＮ−チャンネルＭＯ８ＦＢ’ｒ
Ｔ、のゲート、Ｒは抵抗である。前記Ｃ−ＭＯＳイン
バータには並列に水晶振動子Ｑが接続されており、 Ｉ
Ｍ 、 Ｃｇは夫々所定の静電容量である。
いてもその期間ずつと電流が流れ続けない、インバータ
構成のＯ−ＭＯＥＩ工Ｃ回路が多く利用されている。水
晶時計用またはその他の水晶発掘回路にも、このＯ−Ｍ
ＯＳ −ＩＣ回路が多く使用されて層り、第１図はこう
したＯ −ＭＯＳ −ＩＣ回路構成の水晶発振回路の基
本回路である。同図においてＴ はＰ−チャンネルＭＯ
８ＦＥＴ 、 Ｔ、Ｕ Ｎ−チャンネルＭ０８ ＦＥＴ
で、これらを直列に接続してＣ−ＭＯθインバータを構
成している。ＧｐＦｉＰ−チャンネル ＭＯＳ ７ＥＴ
Ｔｐのゲート、Ｇ夏はＮ−チャンネルＭＯ８ＦＢ’ｒ
Ｔ、のゲート、Ｒは抵抗である。前記Ｃ−ＭＯＳイン
バータには並列に水晶振動子Ｑが接続されており、 Ｉ
Ｍ 、 Ｃｇは夫々所定の静電容量である。
この第１図に示される発振回路は、Ｐ−チャンネル及び
Ｎ−チャンネルＭＯ８７１１ｉＴ Ｔｐとτ夏のゲート
が共通に接続されたいわゆる共通ゲート構造であるため
、この発掘回路を動作させるためには、電源電圧＋ｖＤ
はＰ−チャンネルＭＯ８ＦＨ丁Ｔｐのしきい値電圧ｖｈ
ｐ、 Ｎ −チャ７ネｋＭＯＢ ＦＥＴ Ｔｌ （７）
シきい値電圧ｖｈ）ｌの和より大きくしなければならず
、消費電力の低減を計ることが困難であった。
Ｎ−チャンネルＭＯ８７１１ｉＴ Ｔｐとτ夏のゲート
が共通に接続されたいわゆる共通ゲート構造であるため
、この発掘回路を動作させるためには、電源電圧＋ｖＤ
はＰ−チャンネルＭＯ８ＦＨ丁Ｔｐのしきい値電圧ｖｈ
ｐ、 Ｎ −チャ７ネｋＭＯＢ ＦＥＴ Ｔｌ （７）
シきい値電圧ｖｈ）ｌの和より大きくしなければならず
、消費電力の低減を計ることが困難であった。
ごのため第２図に示される、いわゆる分離ゲート構造の
発振回路が提案されてい石。同図において第１図と同一
符号は同一物を示している。この杭２図の回路構成でｄ
Ｐ−チャンネルＭＯ日ＦＩＴ Ｔ。
発振回路が提案されてい石。同図において第１図と同一
符号は同一物を示している。この杭２図の回路構成でｄ
Ｐ−チャンネルＭＯ日ＦＩＴ Ｔ。
のゲートＧｐと接地間に高インピーダンスの抵抗Ｒ３が
接続ｃｔｈＮ−’ｔ’ｒ：ｙネルＭＯ８７ＢＴ Ｔｅｌ
のゲートＧｌと電源電圧＋ｖＤ′との間圧同様に高イン
ピーダンスの抵抗Ｒ，が接続されている。またＯｌ、Ｏ
ｓは直流分カット用のコンデンサである。この第２図に
示される発振回路を動作させるためには、電源電圧＋ｖ
Ｄ′は、前述したＰ−チャンネルＭ０８７ＦｉＴ Ｔｐ
のしきい値Ｖ■、Ｎ−チャンネルＭＯ日ＦＩＩＴ Ｔ翼
めしきいｆｔ１Ｖｈｙの各々より大きければよい。従っ
て、電源電圧＋ｖＤ′は第１図に示される発振回路の電
源電圧＋ｖｐの約半分でよく電流も減少し、消費電力も
大幅に減少する。しかし、発振回路部分の電圧が約半分
になっても、この発振回路の後段に接続される分周回路
等の回路部分の電源電圧も半分とならなければ、発振回
路部分の電池だけを別にしなければならないので、実用
化に際して開−があった。
接続ｃｔｈＮ−’ｔ’ｒ：ｙネルＭＯ８７ＢＴ Ｔｅｌ
のゲートＧｌと電源電圧＋ｖＤ′との間圧同様に高イン
ピーダンスの抵抗Ｒ，が接続されている。またＯｌ、Ｏ
ｓは直流分カット用のコンデンサである。この第２図に
示される発振回路を動作させるためには、電源電圧＋ｖ
Ｄ′は、前述したＰ−チャンネルＭ０８７ＦｉＴ Ｔｐ
のしきい値Ｖ■、Ｎ−チャンネルＭＯ日ＦＩＩＴ Ｔ翼
めしきいｆｔ１Ｖｈｙの各々より大きければよい。従っ
て、電源電圧＋ｖＤ′は第１図に示される発振回路の電
源電圧＋ｖｐの約半分でよく電流も減少し、消費電力も
大幅に減少する。しかし、発振回路部分の電圧が約半分
になっても、この発振回路の後段に接続される分周回路
等の回路部分の電源電圧も半分とならなければ、発振回
路部分の電池だけを別にしなければならないので、実用
化に際して開−があった。
更に他の提案として襖３図に示されるように、第２図の
発掘回路の温度特性の補償を計ったものもある。第２図
と同一符号は１ＩＩｊ−物を示している。
発掘回路の温度特性の補償を計ったものもある。第２図
と同一符号は１ＩＩｊ−物を示している。
この第３図の発振回路は、第２図の低電圧動作のＣ−Ｍ
ＯＳ回路の出力側に２個の水晶振動子Ｑ＋、Ｑｔを接続
して同時に励振する。この励振罠よって発生する水晶振
動子Ｑ１％ コンデンサＯｇ＋を含む共振回路の出力に
より、０−ＭＯＳインバータのＰチャンネルＭＯ８ＦＥ
Ｔ Ｔｐ のゲートを制卸すると共に、水晶振−動子Ｑ
２．コンデンサＯｇｔを含む共振回路の出力によｊ）、
０−ＭＯＳインバータのＮチャンネルＭＯＳ Ｆ’ＫＴ
ＴＭ のゲートを副針している。なおＲ１′。
ＯＳ回路の出力側に２個の水晶振動子Ｑ＋、Ｑｔを接続
して同時に励振する。この励振罠よって発生する水晶振
動子Ｑ１％ コンデンサＯｇ＋を含む共振回路の出力に
より、０−ＭＯＳインバータのＰチャンネルＭＯ８ＦＥ
Ｔ Ｔｐ のゲートを制卸すると共に、水晶振−動子Ｑ
２．コンデンサＯｇｔを含む共振回路の出力によｊ）、
０−ＭＯＳインバータのＮチャンネルＭＯＳ Ｆ’ＫＴ
ＴＭ のゲートを副針している。なおＲ１′。
Ｒ，Ｉ は抵抗である。この場合、水晶振動子Ｑ、Ｑ＊
の周波数ｆＩ＊’ｌが略同じ時、発振回路の発振周波数
は（ｆｍ”ｆｍ）／２となる。従って、水晶振動子Ｑｌ
ｅ−の温度特性がお互いに反対で補償し合うように選ん
で組合せると、温度特性の極めて良好な発掘器を得るこ
とができる。
の周波数ｆＩ＊’ｌが略同じ時、発振回路の発振周波数
は（ｆｍ”ｆｍ）／２となる。従って、水晶振動子Ｑｌ
ｅ−の温度特性がお互いに反対で補償し合うように選ん
で組合せると、温度特性の極めて良好な発掘器を得るこ
とができる。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、第雪図罠示
される発振回路の低電圧特性を一層改咎すふと共に、纂
３因に示される温度補償特性を備え、更に後段に接続さ
れる回路の制御に必要且つ充分な出力波形を有する低消
費電力水晶発振回路を提供することを目的とし、本発明
ではこの目的を達成するためにｓ ＣＭＯＳインバータ
を２個直列に接続して、少くとも一方のＣ−ＭＯＳイン
バータの出力で温度特性が互いに反対の２個の水晶振動
子を同時に励振して、一方の水晶振動子を通した発振出
力により前記○−ＭＯ日インバータを構成するＰ−チャ
ンネルＭＯＥＩ ＦＥＴの各ゲートを制御すると共に、
他方の水晶振動子を通した発振出力によね前記Ｃ−ＭＯ
Ｓインバータを構成するＮ−チャンネルＭＯ８ＦＫＴの
各ゲートを制御するようにしたことを特徴としている。
される発振回路の低電圧特性を一層改咎すふと共に、纂
３因に示される温度補償特性を備え、更に後段に接続さ
れる回路の制御に必要且つ充分な出力波形を有する低消
費電力水晶発振回路を提供することを目的とし、本発明
ではこの目的を達成するためにｓ ＣＭＯＳインバータ
を２個直列に接続して、少くとも一方のＣ−ＭＯＳイン
バータの出力で温度特性が互いに反対の２個の水晶振動
子を同時に励振して、一方の水晶振動子を通した発振出
力により前記○−ＭＯ日インバータを構成するＰ−チャ
ンネルＭＯＥＩ ＦＥＴの各ゲートを制御すると共に、
他方の水晶振動子を通した発振出力によね前記Ｃ−ＭＯ
Ｓインバータを構成するＮ−チャンネルＭＯ８ＦＫＴの
各ゲートを制御するようにしたことを特徴としている。
以下本発明の一実施例を添附された図面と共に説明する
。
。
第４図は杢発明に係る低消費電力水晶発振回路の一実施
例の回路図であり、第５図は第４図の各部の動作波形図
であり第４図において第３図と同一符号は同一物を示し
ている。
例の回路図であり、第５図は第４図の各部の動作波形図
であり第４図において第３図と同一符号は同一物を示し
ている。
第４図に示す発振回路では、Ｐ−チャンネルＭＯ８ＦＥ
Ｔ ＴｄｌとＮ−チャンネルＭＯ８ＦＮ！ＸＴ ＴＮＩ
からなるｗｔ電源側Ｏ−ＭＯＳインバータとＰ−チャン
ネルＭ○５ＦＫＴ ＴｐｌとＮ−チャンネＡ＝ＭＯ日Ｆ
ＫＴ ＴＮ、からなる接地側のＯ−ＭＯＳインバータを
直列に接続し、この接地側のＯ−ＭＯＳインバータの出
力端に並列に水晶振動子Ｑ＋、Ｑｔを接続して同時に励
振するように構成している。Ｃａ、は電源側Ｃ−ＭＯＳ
インノ（−タの静電容量、ｖ璽はその出力端の電圧、Ｃ
ｄＯは電源便と接地側のＯ−ＭＯＳインバータの接続点
（接合部）の静電容量、ＶｏＦｉその出力電圧であり次
段の回路の制御出力となる。またＣａ、は接地側Ｃ−Ｍ
ＯＳインバータの静電容量ｓｖｔはその出力端の電圧で
ある。また、静電容量Ｃ（１，、水晶振動子Ｑ＋＋静電
容ｔｃｇ＋からなる共振回路の出力により前記Ｃ−ＭＯ
ＳインバータのＰ−チャンネルＭＯ８ＦＥＴ ’１’ｐ
１゜ＴｐＩの各ゲー） Ｇｐｌ＋ ”Ｑ”を並列に制御
して発振回路を形成すると共に、静電容量Ｃａ、 、水
晶振動子Ｑｔ＋静電容量○ｇ、からなる共振回路の出力
により＃記Ｃ−ＭＯＥＩインバータのＮ−チャンネルＭ
Ｏ８Ｆｌｆｆｌ’ｒＴＮ、、 ＴＩ、の各ゲートＧ、、
、 Ｇｌｌ、を並列に制御して発振回路を形成してい
る。また、０−ＭＯＳインバータを織成する各ＭＯＲＩ
Ｆ］！！τのゲートには抵抗”１ｌｅＲ□；’ｎ’、
Ｒ□′によね所定の直流バイアス雷、圧が印加されるよ
うになっている。更に、４個のＭＯＳ ＦＦ１Ｔの各ゲ
ートには直流分をカットするための結合コンデンサＣ，
％Ｃ４が夫々接続されているが、実ｆｆｉ！ｙ−は２個
で十分である。
Ｔ ＴｄｌとＮ−チャンネルＭＯ８ＦＮ！ＸＴ ＴＮＩ
からなるｗｔ電源側Ｏ−ＭＯＳインバータとＰ−チャン
ネルＭ○５ＦＫＴ ＴｐｌとＮ−チャンネＡ＝ＭＯ日Ｆ
ＫＴ ＴＮ、からなる接地側のＯ−ＭＯＳインバータを
直列に接続し、この接地側のＯ−ＭＯＳインバータの出
力端に並列に水晶振動子Ｑ＋、Ｑｔを接続して同時に励
振するように構成している。Ｃａ、は電源側Ｃ−ＭＯＳ
インノ（−タの静電容量、ｖ璽はその出力端の電圧、Ｃ
ｄＯは電源便と接地側のＯ−ＭＯＳインバータの接続点
（接合部）の静電容量、ＶｏＦｉその出力電圧であり次
段の回路の制御出力となる。またＣａ、は接地側Ｃ−Ｍ
ＯＳインバータの静電容量ｓｖｔはその出力端の電圧で
ある。また、静電容量Ｃ（１，、水晶振動子Ｑ＋＋静電
容ｔｃｇ＋からなる共振回路の出力により前記Ｃ−ＭＯ
ＳインバータのＰ−チャンネルＭＯ８ＦＥＴ ’１’ｐ
１゜ＴｐＩの各ゲー） Ｇｐｌ＋ ”Ｑ”を並列に制御
して発振回路を形成すると共に、静電容量Ｃａ、 、水
晶振動子Ｑｔ＋静電容量○ｇ、からなる共振回路の出力
により＃記Ｃ−ＭＯＥＩインバータのＮ−チャンネルＭ
Ｏ８Ｆｌｆｆｌ’ｒＴＮ、、 ＴＩ、の各ゲートＧ、、
、 Ｇｌｌ、を並列に制御して発振回路を形成してい
る。また、０−ＭＯＳインバータを織成する各ＭＯＲＩ
Ｆ］！！τのゲートには抵抗”１ｌｅＲ□；’ｎ’、
Ｒ□′によね所定の直流バイアス雷、圧が印加されるよ
うになっている。更に、４個のＭＯＳ ＦＦ１Ｔの各ゲ
ートには直流分をカットするための結合コンデンサＣ，
％Ｃ４が夫々接続されているが、実ｆｆｉ！ｙ−は２個
で十分である。
発振の機構は、前述したように静電容量Ｃａ、 。
水晶振動子Ｑ１．静電容量ＯＲ＋で第１の共振回路を形
成し、静電容量Ｃａ、 、水晶振動子喝、静電容量０１
Ｚｔで第２の共振回路を形成、シている。従って、静電
容量Ｃａ、には、２つの振動子Ｑ＋、Ｑｖの共振電流が
流ねる。第４図中に示される■、Ｏは発振電圧の位相関
係を示したものである。
成し、静電容量Ｃａ、 、水晶振動子喝、静電容量０１
Ｚｔで第２の共振回路を形成、シている。従って、静電
容量Ｃａ、には、２つの振動子Ｑ＋、Ｑｖの共振電流が
流ねる。第４図中に示される■、Ｏは発振電圧の位相関
係を示したものである。
今、第５図の時刻１ ＝１ｏから１＝１．の期間におい
て、接地側のＯ−ＭＯＩＩ？インバータの出力電圧Ｖ。
て、接地側のＯ−ＭＯＩＩ？インバータの出力電圧Ｖ。
が■で高い状態にある時、第１．第２の共振回路の出力
Ｎ’ｇ＋ Ｉ ｖｇｌは低い位相Ｏの電圧になっている
。
Ｎ’ｇ＋ Ｉ ｖｇｌは低い位相Ｏの電圧になっている
。
従って、この１＝１６から１＝１．の期間Ｐ−チャンネ
ｋ ＭＯＳ ＦＥＴ ＴｐＩはＯＩＪ、Ｎ−チャンネル
ＭＯ８７ＩＴＴＮＩはＯＦＦになっているので、静電容
１１ｃａ、は電源電圧＋ｖＤで充電されＶ、幸ｖＤとな
る。またこの時Ｐ−チャンネルＭＯ８Ｆｌ！ｉＴ Ｔｐ
ｔ ＦｉＯＮ、 Ｎ−チャンネルＭＯ８ＦＩＴ Ｔ）１
１及びＴｉｔ、がｏｙｙであるため、Ｖ、中Ｖ、となっ
ている。水晶振動子Ｑ＋ 、 Ｑｔを含む共振回路の作
用で、電圧ｖｇ＋ ＊ ｖｇｔの位相がＯがら■に変る
時刻１＝１．に、Ｏ−ＭＯＳインバータのＯＮ、ＯＦＦ
状態が反転する。その結果、ＰチャンネルＭＯ８ＦＩＣ
ＴＴｐＩ ＦｉＯＦＦ 、 Ｎ−チャンネルＭＯ８７Ｉ
Ｔ ＴＨｌはＯＮ。
ｋ ＭＯＳ ＦＥＴ ＴｐＩはＯＩＪ、Ｎ−チャンネル
ＭＯ８７ＩＴＴＮＩはＯＦＦになっているので、静電容
１１ｃａ、は電源電圧＋ｖＤで充電されＶ、幸ｖＤとな
る。またこの時Ｐ−チャンネルＭＯ８Ｆｌ！ｉＴ Ｔｐ
ｔ ＦｉＯＮ、 Ｎ−チャンネルＭＯ８ＦＩＴ Ｔ）１
１及びＴｉｔ、がｏｙｙであるため、Ｖ、中Ｖ、となっ
ている。水晶振動子Ｑ＋ 、 Ｑｔを含む共振回路の作
用で、電圧ｖｇ＋ ＊ ｖｇｔの位相がＯがら■に変る
時刻１＝１．に、Ｏ−ＭＯＳインバータのＯＮ、ＯＦＦ
状態が反転する。その結果、ＰチャンネルＭＯ８ＦＩＣ
ＴＴｐＩ ＦｉＯＦＦ 、 Ｎ−チャンネルＭＯ８７Ｉ
Ｔ ＴＨｌはＯＮ。
Ｐ −＋ ヤｙネｋ ＭＯＳ ＦＥＴ ＴｐｌはＯＦＦ
となるためｖＩＪＦＶ６とな沙、静電容量Ｃａ、の電荷
が静電容量０（１゜に移る。また、Ｐ−チャンネルＭＯ
８７ＢＴ Ｔｐ、 Ｆｉ前述したようにｌ０ＦＦとなり
、Ｎ−チャンネルＭＯ８’Ｆ１ｃＴＴＮ、がＯＮとなる
ので、静電容量Ｃａ、の電荷は接地に逃げるのでＶ、＋
Ｏとなる。この状態が時刻ｔ＝ｔ、から時刻１ ＝１
．まで続舎、時刻１＝１．で再び時刻ｔ ＝ｔ（ｌの初
期状部、即ち第４図に示される位相状ｎ圧展る。
となるためｖＩＪＦＶ６とな沙、静電容量Ｃａ、の電荷
が静電容量０（１゜に移る。また、Ｐ−チャンネルＭＯ
８７ＢＴ Ｔｐ、 Ｆｉ前述したようにｌ０ＦＦとなり
、Ｎ−チャンネルＭＯ８’Ｆ１ｃＴＴＮ、がＯＮとなる
ので、静電容量Ｃａ、の電荷は接地に逃げるのでＶ、＋
Ｏとなる。この状態が時刻ｔ＝ｔ、から時刻１ ＝１
．まで続舎、時刻１＝１．で再び時刻ｔ ＝ｔ（ｌの初
期状部、即ち第４図に示される位相状ｎ圧展る。
各Ｃ！ −ＭＯＳインバータに負荷として接続される静
電容量をａａ、 ＝ ｃａ、とすることによって、出方
電圧Ｖ・を ４を中心圧変化させることが出来る。
電容量をａａ、 ＝ ｃａ、とすることによって、出方
電圧Ｖ・を ４を中心圧変化させることが出来る。
また、この時の変化の巾の大きさは、静電容量Ｃａ、。
Ｃａ、の大きさと、静電容量Ｃａｏの大きさに反比例す
ることＫなる。なお、共振回路を形成する静電容量０（
１，、及び静電容量Ｃ’ｇ＋＋Ｏｇｔの大きさによって
、制御出力電圧Ｖ、は変化する。次段の回路の制卸を良
好に行うためにこの発振回路からの制御電圧Ｖ、を大き
くする必要があるため、静電容量Ｃａ。
ることＫなる。なお、共振回路を形成する静電容量０（
１，、及び静電容量Ｃ’ｇ＋＋Ｏｇｔの大きさによって
、制御出力電圧Ｖ、は変化する。次段の回路の制卸を良
好に行うためにこの発振回路からの制御電圧Ｖ、を大き
くする必要があるため、静電容量Ｃａ。
に比較して静電容量Ｃｇ＋＋Ｃｇｇを小さく選んだ方が
発振しやすい。
発振しやすい。
また、第５図の波形図において、各出力波形を矩形波で
説明しであるが、０−ＭＯ８回路には内部抵抗があるの
で実際にはなまった波形となる。また、出力制御電圧ｖ
０の振巾の大きさは、次段を制御するのに必要にして充
分であるように各静電容量０（１６，Ｏｎｌ、 、 Ｏ
（１，の大きさを決めてやればよい。また電源側のＣ−
ＭＯＳインバータの出力回路に更に２個の水晶振動子を
並列に接続すれば、４個の水晶振動子で温度補償を行う
ことが可能となる。
説明しであるが、０−ＭＯ８回路には内部抵抗があるの
で実際にはなまった波形となる。また、出力制御電圧ｖ
０の振巾の大きさは、次段を制御するのに必要にして充
分であるように各静電容量０（１６，Ｏｎｌ、 、 Ｏ
（１，の大きさを決めてやればよい。また電源側のＣ−
ＭＯＳインバータの出力回路に更に２個の水晶振動子を
並列に接続すれば、４個の水晶振動子で温度補償を行う
ことが可能となる。
本発明の一実施例は上述したようであり、電源から流出
する電荷は、発振の１波毎に静電容量０１１１を出力電
ＦＥｖＩの変化分の電圧で充放電する量となるので、少
なくて済む。静電容量ｃａ、 、 ｃａｏ、 ｃａ、の
全てを等しくして第１図に示される静電容１ｃａと同じ
人命さにすれば、消費電力は約騒となる。
する電荷は、発振の１波毎に静電容量０１１１を出力電
ＦＥｖＩの変化分の電圧で充放電する量となるので、少
なくて済む。静電容量ｃａ、 、 ｃａｏ、 ｃａ、の
全てを等しくして第１図に示される静電容１ｃａと同じ
人命さにすれば、消費電力は約騒となる。
また本実施例の発振回路の発振周波数は、水晶撮動子Ｑ
＋、（ｂの周波数ｆ、とｆ、とした時］「勿発振するの
で、水晶振動子Ｑ＋、Ｑｔの温度特性を適当に選ぶこと
によシ、温度特性の補償もできる。
＋、（ｂの周波数ｆ、とｆ、とした時］「勿発振するの
で、水晶振動子Ｑ＋、Ｑｔの温度特性を適当に選ぶこと
によシ、温度特性の補償もできる。
以上説明して舎たように本発明に係る低消費電力水晶発
振器ｔ” ｓ Ｏ−ＭＯＳインバータを２個直列に接続
して、少くとも一方のＯ−ＭＯＳインバータの出力で温
度特性が互いに反対の２個の水晶振動子を同時に励振し
て、一方の水晶撮動子を通した発振出力により前記０−
ＭＯＳインバータを構成するＰ−チャンネルＭＯ８Ｆ
ＥＴの各ゲートを制卸すると共罠、他方の水晶撮動子を
通した発振出力により前記０− Ｍ Ｏ８インバータを
構成するＮ−チャンネルＭＯ８ＦＩＴの各ゲートを制御
するように構成したので、従来に比して大幅に消費電力
を低減でをると共罠、温度特性の補償も可能となり、更
に次段に接続される回路の制御に必要且つ充分な出力波
形が得られるという特長を有する。
振器ｔ” ｓ Ｏ−ＭＯＳインバータを２個直列に接続
して、少くとも一方のＯ−ＭＯＳインバータの出力で温
度特性が互いに反対の２個の水晶振動子を同時に励振し
て、一方の水晶撮動子を通した発振出力により前記０−
ＭＯＳインバータを構成するＰ−チャンネルＭＯ８Ｆ
ＥＴの各ゲートを制卸すると共罠、他方の水晶撮動子を
通した発振出力により前記０− Ｍ Ｏ８インバータを
構成するＮ−チャンネルＭＯ８ＦＩＴの各ゲートを制御
するように構成したので、従来に比して大幅に消費電力
を低減でをると共罠、温度特性の補償も可能となり、更
に次段に接続される回路の制御に必要且つ充分な出力波
形が得られるという特長を有する。
第１図は従来のＣ−ＭＯ８回路を利用した発振回路を示
す回路図、第２図は従来のＣ！ −ＭＯ８回路を利用し
た低電圧型発振回路を示す回路図、第３図は従来のＯ−
ＭＯ８回路を利用した温度補償機能を有する２水晶発振
回路を示す回路図、第４図は本発明に係る低消費電力水
晶発振回路の一実施例の回路図、第５図は第４図に示さ
れる発掘回路の各部の出力電圧を示す動作波形図である
。 Ｔｐ、、Ｔｐ、 ・Ｐ−チャンネルＭＯ８ＦＩＴ 、
ＴＭＩ 。 １、−Ｎ−チャンネルＭＯ日ＦＩＣＴ％ＧＰｚ ｅ Ｇ
ｐ！ Ｐ−チャンネルＭＯ８ＦＥＴ Ｔｐｌ 、 Ｔ
ｐ鵞のゲートｓ Ｇ Ｍ Ｉｅ ” ｗ・・Ｎ−チャン
ネルＭＯ８ＦＦｆＴ Ｔｌｌ、、ＴＮ、のゲート、Ｏ（
１，。 ａａａ 、○”ｔ ； （’ｇｌ ｅ Ｃｇｌ ・・・
静電容量、Ｑ ＋ ＊ Ｑ＊・・水晶振動子ｓｖｌ・・
・電源側Ｃ−ＭＯ８インバータの出力電圧、■、・接地
側０− ＭＯ８インバータの出力電圧、Ｖ・・・・制御
出力電圧。 第１図 １９ 第３図
す回路図、第２図は従来のＣ！ −ＭＯ８回路を利用し
た低電圧型発振回路を示す回路図、第３図は従来のＯ−
ＭＯ８回路を利用した温度補償機能を有する２水晶発振
回路を示す回路図、第４図は本発明に係る低消費電力水
晶発振回路の一実施例の回路図、第５図は第４図に示さ
れる発掘回路の各部の出力電圧を示す動作波形図である
。 Ｔｐ、、Ｔｐ、 ・Ｐ−チャンネルＭＯ８ＦＩＴ 、
ＴＭＩ 。 １、−Ｎ−チャンネルＭＯ日ＦＩＣＴ％ＧＰｚ ｅ Ｇ
ｐ！ Ｐ−チャンネルＭＯ８ＦＥＴ Ｔｐｌ 、 Ｔ
ｐ鵞のゲートｓ Ｇ Ｍ Ｉｅ ” ｗ・・Ｎ−チャン
ネルＭＯ８ＦＦｆＴ Ｔｌｌ、、ＴＮ、のゲート、Ｏ（
１，。 ａａａ 、○”ｔ ； （’ｇｌ ｅ Ｃｇｌ ・・・
静電容量、Ｑ ＋ ＊ Ｑ＊・・水晶振動子ｓｖｌ・・
・電源側Ｃ−ＭＯ８インバータの出力電圧、■、・接地
側０− ＭＯ８インバータの出力電圧、Ｖ・・・・制御
出力電圧。 第１図 １９ 第３図
Claims (1)
- （１１餓ｔ、第２のＯ−ＭＯｓインバータを２１１直列
に接続し、この第１．第２のＯ−ＭＯ８インバータの各
出力端及び第１．第２のＯ−ＭＯＢインバータの接続部
と接地間に負荷として静電容量を夫々接続し、第１．第
２のＯ−ＭＯ８インバータの少くとも一方の出力端に互
いに温度特性が補償し合う＠１．ＩＥ２の水晶振動子を
互いに並列に接続し、Ｍ＠ｔ、第２の水晶振動子を同時
に励振して第１．第２の共振回路を形成し、該第１の共
振回路の出力圧より前記＠１．颯２の・ Ｏ−Ｗｏｅイ
ンバータを構成するＰ−チャンネルＭＯ日ＦＦ１Ｔの各
ゲートを割引すると共に、前記第２の共振回路の出力に
よシ前記ｍｌ、第２のＣ−ＭＯＢインバータを構成する
Ｎ−チャンネルＭＯＥＩＦＦｌｉＴの各ゲートを制御す
るように構成したことを特徴とする低消費電力水晶発振
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6995482A JPS58187004A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 低消費電力水晶発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6995482A JPS58187004A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 低消費電力水晶発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58187004A true JPS58187004A (ja) | 1983-11-01 |
Family
ID=13417550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6995482A Pending JPS58187004A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 低消費電力水晶発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58187004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014161115A (ja) * | 2009-02-27 | 2014-09-04 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | 改善特性を有する共振装置 |
-
1982
- 1982-04-26 JP JP6995482A patent/JPS58187004A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014161115A (ja) * | 2009-02-27 | 2014-09-04 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | 改善特性を有する共振装置 |
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