JPS58180A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58180A JPS58180A JP9859881A JP9859881A JPS58180A JP S58180 A JPS58180 A JP S58180A JP 9859881 A JP9859881 A JP 9859881A JP 9859881 A JP9859881 A JP 9859881A JP S58180 A JPS58180 A JP S58180A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁ゲート形電界効果トランジヌタを基本要素
とした半導体鋏曾、轡に多結晶シリコンをゲート電極シ
よび配ｆｌｌｌＫＭいる高速半導体装量の製造方法ＫＷ
Ｒするものである。
とした半導体鋏曾、轡に多結晶シリコンをゲート電極シ
よび配ｆｌｌｌＫＭいる高速半導体装量の製造方法ＫＷ
Ｒするものである。
拡散深さの異なる２つの拡散領域かもなるソース−トレ
インヲ有スるシリコンゲー）ＭＯＥＴ）ランジスタの製
ｌ！ＩＫかいて、確立されている２つの拡散領域形成方
法では、Ｖシストや窒化シリコンなどをマスタとしてバ
ターニンダ俵イオン注入により第１の蒙い拡散領域をｇ
４威し、その後多結晶シリコンゲートｔマヌクにして、
自己整合的にイオン注入により蒙２の洩い鉱散蕾域を形
成する。
インヲ有スるシリコンゲー）ＭＯＥＴ）ランジスタの製
ｌ！ＩＫかいて、確立されている２つの拡散領域形成方
法では、Ｖシストや窒化シリコンなどをマスタとしてバ
ターニンダ俵イオン注入により第１の蒙い拡散領域をｇ
４威し、その後多結晶シリコンゲートｔマヌクにして、
自己整合的にイオン注入により蒙２の洩い鉱散蕾域を形
成する。
ｌ１１１と第２の拡散領域境界及びゲートと腑１む拡散
領域境界距離け７オトマスクの合わせで決會ゐためソー
スドレイン１１絨が広い面積を占有することになって高
密度集積化に制約をもたらす、この発明はかかる従来技
術の欠点をなくするため、ｌ１１０深い鉱散ＩＩ斌とゲ
ートとの距離がフォトマメタ合わせに依存せずしかも浅
い拡散によるソースとドレインのケｆｌ！は多結晶シリ
コンゲートに自己整合する。以下本発明を一面を参照し
て実施＠によｌ５ｔｉ明する。
領域境界距離け７オトマスクの合わせで決會ゐためソー
スドレイン１１絨が広い面積を占有することになって高
密度集積化に制約をもたらす、この発明はかかる従来技
術の欠点をなくするため、ｌ１１０深い鉱散ＩＩ斌とゲ
ートとの距離がフォトマメタ合わせに依存せずしかも浅
い拡散によるソースとドレインのケｆｌ！は多結晶シリ
コンゲートに自己整合する。以下本発明を一面を参照し
て実施＠によｌ５ｔｉ明する。
第１図〜蒙７図は本発明による鉱散渫さの異なる２つの
拡散・領域からなるソース・ドレインを有するＭＯ日ト
ランジスタの製造工程順図である。
拡散・領域からなるソース・ドレインを有するＭＯ日ト
ランジスタの製造工程順図である。
管ず、第１図に示すように通常のシリコンゲートプロセ
スでゲート酸化ｔを形成した螢、薄い窒化シリコン膜・
拡散されている多結晶シリプン層・厚い♀化シリコン膜
を３菫に形成する。ｍ２１１では反応性イオンエツチン
グにより厚い窒化シリコン膠と多結晶シリコン層がパタ
ーニングされる。
スでゲート酸化ｔを形成した螢、薄い窒化シリコン膜・
拡散されている多結晶シリプン層・厚い♀化シリコン膜
を３菫に形成する。ｍ２１１では反応性イオンエツチン
グにより厚い窒化シリコン膠と多結晶シリコン層がパタ
ーニングされる。
次に第５ｆｌｌｌＫ示すように多結晶シリコンの両すイ
ド（ＩＩＩ３！ｌＩ ７）を熱駿化する。シリコンで
露出しているのはこの部分だけで他は酸化されない。
ド（ＩＩＩ３！ｌＩ ７）を熱駿化する。シリコンで
露出しているのはこの部分だけで他は酸化されない。
この後イオン注入しアニールすることＫより深い拡散層
が形成される。こ０Ｉｌｌい拡散層はゲート多結晶シリ
コンの駿化領域Ｏ耀で決する０次に第４図に示すように
ゲート多結晶シリコン両サイドの酸化膜をエツチングす
る。そして第５閣においては窒化シリコン＊を除去した
時の工５Ｉｌｉ−図が示しである１次に＊ｌｓｍＫ示す
ようにゲート多結晶シリコンをマスクとして一己整合的
にイオンを注入、浅いソースドレイン１１絨を形成する
。
が形成される。こ０Ｉｌｌい拡散層はゲート多結晶シリ
コンの駿化領域Ｏ耀で決する０次に第４図に示すように
ゲート多結晶シリコン両サイドの酸化膜をエツチングす
る。そして第５閣においては窒化シリコン＊を除去した
時の工５Ｉｌｉ−図が示しである１次に＊ｌｓｍＫ示す
ようにゲート多結晶シリコンをマスクとして一己整合的
にイオンを注入、浅いソースドレイン１１絨を形成する
。
館７図は本尭明製造方機によるＭＯＳ）ラング２夕の完
成図である０本ｌｉ明によればゲートと深い拡散の距離
は多結晶シリコン両サイド酸化膜厚で決オリマヌク会わ
せＫよらない、管た洩い拡散はゲートに自己整合する。
成図である０本ｌｉ明によればゲートと深い拡散の距離
は多結晶シリコン両サイド酸化膜厚で決オリマヌク会わ
せＫよらない、管た洩い拡散はゲートに自己整合する。
さらに窒化シリコン膜を除去する書で全面が窒化シリコ
ン膜でおおわれているため反応性イオンエツチングのダ
メージを半導体基板が受けない、従って本発明による半
導体ＦＩＲ造方法によれば高密度集積化が可能な負特性
ＭＯ８トランジスタが得ることがで−る。
ン膜でおおわれているため反応性イオンエツチングのダ
メージを半導体基板が受けない、従って本発明による半
導体ＦＩＲ造方法によれば高密度集積化が可能な負特性
ＭＯ８トランジスタが得ることがで−る。
蒙１図乃至＃７ＩｌＩ＃ｉ本発明の説明図で製造方法を
ＴｓＩＩＫ示した断面図。 尚、図面に於いて １・・窒化シリコン膜 ２・・ｎ”４ｍ散多結晶シリコン ５・・熱９化駿化ＩＦ（窒化シリコンＩＩ）４・・選択
酸化膜 ５・・ゲート酸化膜 ６・・シリコン基板 ７・・酸化膜 ８・・イオン注入 ９・・ソース・ドレインのコンタクト領域１０・・イオ
ン注入 １１・・ソース・ドレインの薄いイオン注入領域１２・
・ＣＶＤ酸化膜 １５ ・・ Ａノ ↑あゐ。 以 上 出履人 ＃に式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
ＴｓＩＩＫ示した断面図。 尚、図面に於いて １・・窒化シリコン膜 ２・・ｎ”４ｍ散多結晶シリコン ５・・熱９化駿化ＩＦ（窒化シリコンＩＩ）４・・選択
酸化膜 ５・・ゲート酸化膜 ６・・シリコン基板 ７・・酸化膜 ８・・イオン注入 ９・・ソース・ドレインのコンタクト領域１０・・イオ
ン注入 １１・・ソース・ドレインの薄いイオン注入領域１２・
・ＣＶＤ酸化膜 １５ ・・ Ａノ ↑あゐ。 以 上 出履人 ＃に式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体基板上に多結晶シリコンをバターニングした
徒、多結晶シリコンの両サイドの入を酸化する工Ｓを含
むことを峙徽とする半導体ｌ１Ｋｔ。 製造方法。 ２）半導体基板上にゲート酸化Ｗ形威螢、全面に雛−窒
化シリコン膜を影戒する工程と、ゲート・配線用不純物
拡散多結晶シリコンをν成する工程と、鯖２窒化シリコ
ン膜を形成すゐ工程と、反応性イオンエツチングにより
ｉｌｌ！２Ｉｉ１１化シリ；ン膜と多結晶シリコンをバ
ターニングする工程と、そｔ３螢熱酸化する工程とを含
むことを特徴とする特許請求の範囲畝１項記載の半導体
装管の製造方法。 ３）拡散深さＯＪｌなる２つの拡散領域からなるソース
・ドレインを有するＭＯ８トランジヌタの製造方法にシ
いて、両管イドを酸化された多結晶シリコンをマスクに
してイオン注入するととＫよや第１の拡散層を形威すみ
１寝と、多結晶シリコンをマスクにしてイオン注入する
ととＫよ轢−化膜の除去されたＩＩ斌Ｋｌｌ’ｌの拡散
層を形成する１震とを含むことを特徴とす為半導体ｍｔ
ｃ＋１ｓ造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9859881A JPS58180A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9859881A JPS58180A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180A true JPS58180A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14224058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9859881A Pending JPS58180A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654236A (en) * | 1994-11-15 | 1997-08-05 | Nec Corporation | Method for manufacturing contact structure capable of avoiding short-circuit |
| GB2565486A (en) * | 2016-07-01 | 2019-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | Heat exchanger and refrigeration cycle apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5418683A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5418684A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9859881A patent/JPS58180A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5418683A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5418684A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654236A (en) * | 1994-11-15 | 1997-08-05 | Nec Corporation | Method for manufacturing contact structure capable of avoiding short-circuit |
| US5840621A (en) * | 1994-11-15 | 1998-11-24 | Nec Corporation | Method for manufacturing contact structure capable of avoiding short-circuit |
| GB2565486A (en) * | 2016-07-01 | 2019-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | Heat exchanger and refrigeration cycle apparatus |
| GB2565486B (en) * | 2016-07-01 | 2020-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | Heat exchanger and refrigeration cycle apparatus |
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