JPS5817674A - Ｍｏｓ型半導体装置 - Google Patents
Ｍｏｓ型半導体装置Info
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- JPS5817674A JPS5817674A JP11600981A JP11600981A JPS5817674A JP S5817674 A JPS5817674 A JP S5817674A JP 11600981 A JP11600981 A JP 11600981A JP 11600981 A JP11600981 A JP 11600981A JP S5817674 A JPS5817674 A JP S5817674A
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明＃ｉｇ （＊導体装置のゲーき電極配線材料に関
する。
する。
従来、半導体装置のゲート電極配線材料は、五１、Ｍｏ
、ムを等の金属やその合金の他多結晶日（等、論ずれ１
多結晶状態の材料が用−られて＾た。
、ムを等の金属やその合金の他多結晶日（等、論ずれ１
多結晶状態の材料が用−られて＾た。
しかし、上記多結晶状態のゲート電極配線でｉｊ。
エツチング時に結晶粒界のエツチング連間が速く。
幅の均一なゲート電極配線が困難であったシ汚染ｋｘ〉
半導体素子特性が便化する等の問題があった。
半導体素子特性が便化する等の問題があった。
本発明はかかる欠点をなくシ、エツチング幅の均一なゲ
ージ電極配線層をもつ？？Ｍ Ｏ日型半導体装置を製作
することを目的とする。
ージ電極配線層をもつ？？Ｍ Ｏ日型半導体装置を製作
することを目的とする。
上記目的を達成する霞めの本発明の基本的な構Ｗ、け、
半導体基板上に＃ｉ絶縁膜が形テされ、該絶縁膜および
絶縁膜に形放畜れた窓を介して電極が形放された半導体
装置において、上記電極まｔ＃ｉ電極の一部が亀結晶８
＜Ｋぶって形底された事を特徴とする。
半導体基板上に＃ｉ絶縁膜が形テされ、該絶縁膜および
絶縁膜に形放畜れた窓を介して電極が形放された半導体
装置において、上記電極まｔ＃ｉ電極の一部が亀結晶８
＜Ｋぶって形底された事を特徴とする。
８１１図は本発明の一実施例を示すＭＯＢ型半導体装置
の断面図であり、ＩＦｉ８（半導体基板、２はフィール
ド酸化＠、３Ｆ！ゲート酸化Ｉ１．４は単結晶Ｂｉｘシ
なるゲージ電極、５はソース拡散領域、６はドレイン拡
散憤域、７はソース拡散領械よシの単結晶ＢｉＫよる引
出し電極、８Ｆｉドレイン拡散領域よりの単結晶８４に
よる引出し電極である。
の断面図であり、ＩＦｉ８（半導体基板、２はフィール
ド酸化＠、３Ｆ！ゲート酸化Ｉ１．４は単結晶Ｂｉｘシ
なるゲージ電極、５はソース拡散領域、６はドレイン拡
散憤域、７はソース拡散領械よシの単結晶ＢｉＫよる引
出し電極、８Ｆｉドレイン拡散領域よりの単結晶８４に
よる引出し電極である。
単結晶８（電極はフィールド酸化膜２．ゲート絶縁＠４
および拡散層５および６の表面に設けられたコンタクＦ
穴等の表面ＫｃＶＤ法により多結晶８（ＩＩを形放後、
レーザー・アニール等により骸多結晶８ｉｌｌＩ［を単
結晶化し、ホ％ａエツチングにより電極配線をなしたも
のである。エツチングをＫＯ′Ｈの飽和水溶液で行なう
ことに工り、単結晶Ｓ（電極の表面が（１００）面であ
るのに対し。
および拡散層５および６の表面に設けられたコンタクＦ
穴等の表面ＫｃＶＤ法により多結晶８（ＩＩを形放後、
レーザー・アニール等により骸多結晶８ｉｌｌＩ［を単
結晶化し、ホ％ａエツチングにより電極配線をなしたも
のである。エツチングをＫＯ′Ｈの飽和水溶液で行なう
ことに工り、単結晶Ｓ（電極の表面が（１００）面であ
るのに対し。
側面け（１１１）面が露出して、エツチングが停止する
大め、約６０［という角Ｗをもりｔ状態で精ＷＸ＜電極
線巾が形匠される。
大め、約６０［という角Ｗをもりｔ状態で精ＷＸ＜電極
線巾が形匠される。
１に２図は本発明の他の５ｊ！施例であり、１１け離結
晶８（基板であ＃）１２は単結晶８シ基板１１の表面に
形厘され−ｆｔ阜結晶８ｉ基板になる対の導電量を有す
る不純物を拡散して形放した本結晶８イよりなるゲート
電極であシ、１３ｉｊフィールＶ酸化［，１４はゲート
酸化９．１５Ｆ！半導体膜基［，１６はソース拡散領域
、１７はト°レイン拡散領域から薄膜半導体によるＭＯ
Ｂ型半導体装置である。
晶８（基板であ＃）１２は単結晶８シ基板１１の表面に
形厘され−ｆｔ阜結晶８ｉ基板になる対の導電量を有す
る不純物を拡散して形放した本結晶８イよりなるゲート
電極であシ、１３ｉｊフィールＶ酸化［，１４はゲート
酸化９．１５Ｆ！半導体膜基［，１６はソース拡散領域
、１７はト°レイン拡散領域から薄膜半導体によるＭＯ
Ｂ型半導体装置である。
上記実施例に示す如く、ゲーき電極材料を単結晶８（に
することにより、ゲート電極材料が積置よ＜Ｗ４ｗｔで
きると共に、裏装置のゲート電極材料となり、ＭｏＢ型
半導体装置のしきい値電圧等の素子特性が安定なり、又
、多結晶Ｅ＋（ゲートの場合に間−となる結晶粒界のバ
ンド構造の乱れによる素子特性のバラツキ等の問題もな
くなるという効果がある。
することにより、ゲート電極材料が積置よ＜Ｗ４ｗｔで
きると共に、裏装置のゲート電極材料となり、ＭｏＢ型
半導体装置のしきい値電圧等の素子特性が安定なり、又
、多結晶Ｅ＋（ゲートの場合に間−となる結晶粒界のバ
ンド構造の乱れによる素子特性のバラツキ等の問題もな
くなるという効果がある。
箇１図は本発明によるＭＯＢ型半導体装置の一実施例を
承す断面図−，１１２図はその他の実施例を示す輩ＯＳ
ｇ半導体ａｔの断面図である。 １・−半導体基板 ２．１３・・フィールド絶縁膜 ３
．１４・ｅゲート絶縁膜 ４．１２・・単結晶ｓＢゲー
ト ５ｅ１６・・ソース拡散領域 ６．１７・・ドレイ
ｙ拡散領櫨 ７．８・−引出し電極１１・・単結晶８４
基板 １５・・半導体＊。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 最 上 務
承す断面図−，１１２図はその他の実施例を示す輩ＯＳ
ｇ半導体ａｔの断面図である。 １・−半導体基板 ２．１３・・フィールド絶縁膜 ３
．１４・ｅゲート絶縁膜 ４．１２・・単結晶ｓＢゲー
ト ５ｅ１６・・ソース拡散領域 ６．１７・・ドレイ
ｙ拡散領櫨 ７．８・−引出し電極１１・・単結晶８４
基板 １５・・半導体＊。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 最 上 務
Claims (1)
- 半導体基板上にはゲート絶縁膜が形「され、該絶縁膜上
にゲージ電極が形匠された半導体装置において、上記ゲ
ート電極が単結晶８４１１！ＩＣよって＊＊された事を
１＃家とするＭＯ８１１半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11600981A JPS5817674A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11600981A JPS5817674A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817674A true JPS5817674A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14676564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11600981A Pending JPS5817674A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817674A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244384A (ja) * | 1984-05-12 | 1985-12-04 | 劉 漢魂 | 全自動蒸餾飲水処理装置システム |
| CN109891553A (zh) * | 2016-11-15 | 2019-06-14 | 信越半导体株式会社 | 装置形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667923A (en) * | 1979-11-07 | 1981-06-08 | Toshiba Corp | Preparation method of semiconductor system |
| JPS5688354A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-17 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11600981A patent/JPS5817674A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667923A (en) * | 1979-11-07 | 1981-06-08 | Toshiba Corp | Preparation method of semiconductor system |
| JPS5688354A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-17 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244384A (ja) * | 1984-05-12 | 1985-12-04 | 劉 漢魂 | 全自動蒸餾飲水処理装置システム |
| CN109891553A (zh) * | 2016-11-15 | 2019-06-14 | 信越半导体株式会社 | 装置形成方法 |
| CN109891553B (zh) * | 2016-11-15 | 2023-02-21 | 信越半导体株式会社 | 装置形成方法 |
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