JPS58168225A - 半導体ウエハ固定用接着薄板 - Google Patents

半導体ウエハ固定用接着薄板

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Publication number
JPS58168225A
JPS58168225A JP57051525A JP5152582A JPS58168225A JP S58168225 A JPS58168225 A JP S58168225A JP 57051525 A JP57051525 A JP 57051525A JP 5152582 A JP5152582 A JP 5152582A JP S58168225 A JPS58168225 A JP S58168225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin plate
adhesive
molecular weight
wafer
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57051525A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Kurono
黒野 龍夫
Takemasa Uemura
植村 剛正
Eiji Shigemura
重村 栄二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP57051525A priority Critical patent/JPS58168225A/ja
Publication of JPS58168225A publication Critical patent/JPS58168225A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウェハ(以下ウエノ1という)を素子小
片に切断分離する際の該ウェハの固定に用いるウェハ1
庫用接着薄板に関するものである〇近時、印刷技術や不
純物の遥択鉱散技術の飛躍的な進歩と共に、ウェハの素
子の集積度が向上し、0.5W角以下の超LST用素子
が一発されて−る。
かかる素子紘非常に精密である丸めに、従来の如く、ウ
ェハの素子形状に沿って*a俸で傷を付け、その磯折り
曲げることによって素子小片に分割する手法で社、分割
精度が患<、°シかもかけたりするとい−)’に不部会
が生じる。
そのために、ウニ^の素子形状に沿って一転丸刃によっ
て基−目状に切断分離する手法が用−られゐようになっ
た。
仁の手法社、ウニ^を予め接着型薄板に仮着固定してお
自、ウェハを一転丸刃で素子形状に沿うて垂直に切断す
るものであるが、ヒの切断時丸刃轄纏圧綾着剤層或vh
eat基材のプラスチックフィルムの一部まで切り入れ
・られること韓層々で、むしろ完全切断と−う意味から
感圧接着剤層成−は基材の−S重で切り入れられるのを
常としている亀のである。
一方、丸刃を用−てウェハを切断する際、摩擦による発
熱を冷却する目的と、切断くずを除去する目的で、2k
lldm度の水圧が加えられた水で洗浄するために、こ
の水圧に耐えるだけの接着力が要求される。そこで近時
プラスチックフィルムの片面に5〜16声鋤のアクリル
系感圧接着剤層を設けた粘着フィルムがウェハ固定用の
薄板として用いられるようになった。
しかしながら、ウニへ切断後蝋、薄板を引龜伸ばして素
子間隔−を拡げ、さらに素子表面に付着して≠る感圧接
着剤や不純物を除責するために溶剤などによる洗浄及び
乾燥工程を経て、マウント工程に送り込まれるものであ
るが、この洗浄時溶剤にて感圧接着剤が**されて接着
力が極端に低下し、素子が離脱するという欠点を有する
ものであった。
本発明はかかる従来技袷の欠点を解決した新規なウェハ
固定用接着薄板を提供する4のであって、その要旨と、
するところは、半導体、ウェハを素子小片に切断分劇す
る際の鋏つニへ画定用の接着蓋薄板であって、該薄板を
構成する感圧接着剤層は、実質的に溶剤管用いな一重合
法にて重合した平均分子量が8部万以上の共重合物から
なる架*S+アクリル系接着剤組成物でIIIIILさ
hていることである。
本発明のウェハ固定用薄板によれば、ウェハ(素子小片
群)が接着される感圧接着剤層が、有機、溶剤を使用し
ないエマルジーン重合法或いは少量の溶剤を使用するこ
とのあるバルク重合法などの実質的に**を使用しな一
重合法にて重合され、しか1平均分子量が8部万以上の
共重合物からなる架−溜アクリル系接着剤組成物にて構
成されているので、耐溶鋼性にすぐれるため、溶剤に浸
漬しても **が少なく、ウニへの離脱がないと−う特
徴を有するものである。
本発明に用いられる!橋型アクリル系接着剤組成物は、
アクリル酸メチル、アクリル酸゛エチル。
アクリル酸プ千ル、アクリルra2−エチルへキシ  
・ルウアクリル酸デシルの如龜アクリル酸エステルと、
アクリル霞、メタクリル酸、無水!レイン酸。
イタコン酸、2−にドロキシエチルアクリレート。
8−ヒトpキシプ豐ビルアクリレ−)、N−N−1メチ
ルア之ノエチルアタリレート、アクリルアミド、グリシ
ジルアクリレート、N−メチロールメタクリルアミドの
如自官能基を有する重合性モノマーと、必要に応じてス
チレン、アクリロニトリル、酢酸ビニ、−ルウメタクリ
ル酸エステルの如自不飽和化合愉と管、溶剤を実−質的
に使用しない゛エマ。
ルジ習ン重合法、バルク重合法゛などの重合手段を用ψ
て、平均分子量が少なくと虻80万、好重しくti85
〜150万の範囲となるよ、うに、共重合し、これをポ
リイソシアネート化合物、メラミン化合物・の如自架橋
有機試薬を用いて架橋してなるものである。
前記において、共重合物の平均分子量が80万以下では
、素子小片を接着した薄板゛を溶剤′4洗浄工程に通す
と、短時間で感圧接着剤層が膨満・して接着力の低下を
また七、小片が離脱するので好ましくな―ものである。
       7−  ・このように重合し且つ架橋し
てなる架*iu了りリル系接着剤組成物社、薄板の基体
を構成するプラスチックフィルム又はシートの片面に5
〜80μ鶴の厚みでll1f&され、本発明のウニへv
I定用接着薄板とさ′れるものである。゛ 本発明の半導体ウェハ固定用接着薄板社以上のように、
実質的に溶剤を使用しない平均分子量が8部万以上の架
橋層アクリルj1%接着剤組成物を感圧接着剤層として
用いたから、ウェハを仮着して切断分−俵に引禽伸試し
たものを、溶剤洗浄工程に迩しても、素子小片の離脱が
ないという特徴を有す為−ものである。
以下本発明の実施例を示す。文中部とあるの蝶重量部を
意味す′る。
実施例i アクリル酸エチル゛So部、2−エチルヘキ゛ジルアタ
リレートSOS、ア”クリ゛a二)ジル15部、7#’
J#1l1511、d/リオキシエチレンアルキルフェ
ノールエーテル(乳化剤)3部、過硫酸アンモニウム0
.3部及びイオン交換水150部を用偽、音素雰囲気下
でその系を65℃に昇温して、エマルジ謬ン重合・を行
ψ、平均分子−量150万、ペース(II形分)40g
のx’vルジ、ン系了タリル共重合物を得る。
次に験共重合物を植析、水洗及び乾燥後、トルエンを加
えて、シルエン30悸溶液とし、1IIf#−液のII
M分100重量部に対して、架橋剤としてのボリイソシ
アネート化合物を2部配合し、これを厚さ50声魯のポ
リエチレンフィルム(塗布面にコロナ放電魁理を施した
もの)に、乾燥後の厚みが10声協となるように塗布し
、80℃で3分間乾燥シ、糊面にポリエステルフィルム
製セパレーターを仮着して、本発明のウェハ固定用接着
薄板を得た。
該薄板の特性を評価するために、該薄板のセパレーター
を剥離しつつ、ウェハを感圧接着剤層面に貼り付け、1
00℃で30秒間加熱して脱泡操作を行い、丸刃を用い
てウェハを切断し、これをトリクレン(液温30°C)
に10分間浸漬し、さらにアルコール(液温30℃)に
10分間浸漬して、素子表面を洗浄したところ、素子の
離脱は全くみられなかった。なお浸漬後のトリクレン中
における感圧接着剤の溶解量は0.2重量外であった。
実施例2 実施@lの配合組成に、さらにラウリルメルカプタン(
連鎖移動剤)を0.2部配合し、以下実施例1と同様に
エマルジーン系アクリル共重合物(平均分子量96万)
を得た。
このエマルシロン系アクリル共重合物を用いて、実施例
1と同様の操作によりウェハ固定用接着薄板を作り、特
性評価テストを行ったところ、トリクレン及びアルコー
ルの各れの浸漬後にお−ても素子の■嵐は全くみられな
かった。なおトリクレン中への感圧接着剤の溶解量は0
.1重量外であった。
参考例1 実施例2において、ラウリルメルカプタンの配置 金量
を0.5s配合し、平均分子量60万のエマルシロン系
アクリル共重合物を作り、同様に特性評価テストを行っ
たところ、トリクレン浸漬において0.01 %の素子
の離脱がみもれ、さらにアルコール浸漬において約31
≦の膳説がみもれた。なおトリクレン中への感圧接着剤
の溶解量は5.1重量外であった〇 参考112 アクリル酸エチル50部、2−エチルへキシルアクリレ
−) 50部、アクリロニトリル15部及びアクリルI
!5部からなる配合物をトルエン40襲濱液中で重合し
、平均分子量30万の共重合物溶液を得る。
この共重合物溶液の固形分100部に対して、ポリイソ
シアネート化合物を2部配合し、以下実施例1と同様り
ウェハ固定用接着薄板を作り、特性評価テストを行った
ところ、トリクレン浸漬において0.043%の離脱が
みられ、さらにアルコール浸漬において約86%の離脱
がみもれた。なおトリクレン中への感圧接着剤の溶解量
は18重量弧であった。
本発明の半導体ウェハm走用接着薄板は、上記実施例か
らも明らかな如く、溶剤洗浄しても素子小片の離脱がな
いことが明らかである。
特許出願人  日東電気工業株式金社 代表者 土方三部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 牛導体つニへを素子小片に切断分離する際の該ウニへ一
    定用の接着蓋薄板であって、該薄板を構成する感圧接着
    剤層は、実質的に溶剤を用−ない重金法にて重合した平
    均分子量が80万以上の共゛  重金物からなる架橋量
    アクリル系接着剤組成物で構成されていることを特徴と
    する半導体ウニへ固辿用接着薄板。
JP57051525A 1982-03-29 1982-03-29 半導体ウエハ固定用接着薄板 Pending JPS58168225A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5142734A (ja) * 1974-10-11 1976-04-12 Hitachi Chemical Co Ltd

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5142734A (ja) * 1974-10-11 1976-04-12 Hitachi Chemical Co Ltd

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