JPS58164282A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58164282A JPS58164282A JP4560982A JP4560982A JPS58164282A JP S58164282 A JPS58164282 A JP S58164282A JP 4560982 A JP4560982 A JP 4560982A JP 4560982 A JP4560982 A JP 4560982A JP S58164282 A JPS58164282 A JP S58164282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- light
- carrier confinement
- striped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は活性層の中央部で高光出−力の安定した基本横
モード発振をする高信頼度の半導体レーザ装置の製造方
法に関する。
モード発振をする高信頼度の半導体レーザ装置の製造方
法に関する。
光フアイバ通信、光ビデオディスク、光計測装置等に使
用される半導体レーザ装置は一般に次の方法で製造され
る。すなわち（１００）結晶面を有（するＮｇ半導体基
板上にＮ［光及びキャリア閉じ込め層と、Ｎ型またはＰ
ｇ活性層とＰＩＩＩ光及びキャリア閉じ込め層とＮ型中
９２１層とを液相エビタ牛シャル成長法を用いて連続的
に成長させた後、所定の幅を有してＮｇキャップ層を貫
き、上記Ｐ漏光及びキャリア閉じ込め層の一部に達する
深さのストライプ状のオーミック接触層を＜１１ ｏ）
結晶軸方向に設ける。
用される半導体レーザ装置は一般に次の方法で製造され
る。すなわち（１００）結晶面を有（するＮｇ半導体基
板上にＮ［光及びキャリア閉じ込め層と、Ｎ型またはＰ
ｇ活性層とＰＩＩＩ光及びキャリア閉じ込め層とＮ型中
９２１層とを液相エビタ牛シャル成長法を用いて連続的
に成長させた後、所定の幅を有してＮｇキャップ層を貫
き、上記Ｐ漏光及びキャリア閉じ込め層の一部に達する
深さのストライプ状のオーミック接触層を＜１１ ｏ）
結晶軸方向に設ける。
その後上記Ｎ型キャン１層表面と前記Ｎ型手導体晶板裏
面にそれぞれ電極を被着して半導体し−ザ装置を製造す
る。この方法で製造された半導体レーザ装置では、Ｎ＃
ＩｉまたはＰ型活性層の屈折率（ｎｌ ）とそれを挾む
Ｎ［及びＰ型の光及びキャリア閉じ込め層の屈折率（ｎ
（）との間にはｎＢ ） ｎｃの関係があるので、電極
より注入されたキャリアの再結合はＮ型またはＰ型活性
層内で生じ、活性層のエネルギーギャップに応じた光が
活性層内に閉じ込められる。この閉じ込められた光の活
性層に対して垂直方向（縦方向）の閉じ込め効果は上記
の屈折率差が大きい程著しくなるが、活性層に対して水
平方向（横方向）の閉じ込めはオーミック接触層から前
記Ｎ型半導体基板への注入キャリアの広がりが大きく効
果がないため、発振しきい電流値の増大や発振横モード
の変動を生じたり高光出力レーザ発振が困難となり長期
信頼性に欠ける等の欠点な有することになる。
面にそれぞれ電極を被着して半導体し−ザ装置を製造す
る。この方法で製造された半導体レーザ装置では、Ｎ＃
ＩｉまたはＰ型活性層の屈折率（ｎｌ ）とそれを挾む
Ｎ［及びＰ型の光及びキャリア閉じ込め層の屈折率（ｎ
（）との間にはｎＢ ） ｎｃの関係があるので、電極
より注入されたキャリアの再結合はＮ型またはＰ型活性
層内で生じ、活性層のエネルギーギャップに応じた光が
活性層内に閉じ込められる。この閉じ込められた光の活
性層に対して垂直方向（縦方向）の閉じ込め効果は上記
の屈折率差が大きい程著しくなるが、活性層に対して水
平方向（横方向）の閉じ込めはオーミック接触層から前
記Ｎ型半導体基板への注入キャリアの広がりが大きく効
果がないため、発振しきい電流値の増大や発振横モード
の変動を生じたり高光出力レーザ発振が困難となり長期
信頼性に欠ける等の欠点な有することになる。
これらの次点を改良した従来技術として、（ａ）一層以
上の半導体層基板にストライプ状の四部または凸部を設
け、−面をこれと接合し他面は別な半導体層と接合する
ダブルへテロ構造の三重層を設けて発振モードの安定化
を図る方法（特開１８５ ｓ −１１０４８９） 、ア
ルイハ（ｂ）半導体層基板の表面にストライプ状凹部を
形成し、液相エピタキシャル成長のときに活性領域とな
る層の上下にガイド層と光子閉じ込め層と【設けること
により高出力の基本横モードを得る方法（特開昭５５−
１２３１８９）、また（Ｃ）レーザ発振波長に対し半導
体レーザの中心部を導波構造にし他の領域を非導波構造
とすることにより半導体レーザの中心部で安定な基本モ
ード発振を得る方法（特開昭５５−１０８７９１）、さ
らに（ｄ） ＩｎＰ トＩｎ１−ｚ Ｇａｚ Ａｓ１−
ｙ Ｐｙ の縞状積層体を化学食刻により形成し、Ａ
ｓを含むＩｎの未飽和融液を用いてメルトバック処理後
エピタキシャル層で埋込み高性能の堀込み型半導体装置
とした方法（特開昭５５−１６２２８８）などがある。
上の半導体層基板にストライプ状の四部または凸部を設
け、−面をこれと接合し他面は別な半導体層と接合する
ダブルへテロ構造の三重層を設けて発振モードの安定化
を図る方法（特開１８５ ｓ −１１０４８９） 、ア
ルイハ（ｂ）半導体層基板の表面にストライプ状凹部を
形成し、液相エピタキシャル成長のときに活性領域とな
る層の上下にガイド層と光子閉じ込め層と【設けること
により高出力の基本横モードを得る方法（特開昭５５−
１２３１８９）、また（Ｃ）レーザ発振波長に対し半導
体レーザの中心部を導波構造にし他の領域を非導波構造
とすることにより半導体レーザの中心部で安定な基本モ
ード発振を得る方法（特開昭５５−１０８７９１）、さ
らに（ｄ） ＩｎＰ トＩｎ１−ｚ Ｇａｚ Ａｓ１−
ｙ Ｐｙ の縞状積層体を化学食刻により形成し、Ａ
ｓを含むＩｎの未飽和融液を用いてメルトバック処理後
エピタキシャル層で埋込み高性能の堀込み型半導体装置
とした方法（特開昭５５−１６２２８８）などがある。
上記（ａ）及び山）の従来例ではＮ型半導体 ゛基
板上に設けたＮｇ光及びキャリア閉じ込め層のストライ
プ状凹部とその周辺部で層厚が異るので実効的な屈折率
差が生じ、横方向の光の閉じ込めが行われる。しかしな
がらＮ型半導体基板のストライプ状凹部にＮｇ光及びキ
ャリア閉じ込め層【液相エピタキシャル成長させる際に
、該Ｎ型半導体基板表面のメルトバックが不可能である
ため、上記ストライプ状四部とＮ型光及びキャリア閉じ
込め層の界面に極めて多くの結晶欠陥を誘発させる。ま
たＮ型光及びキャリア閉じ込め層の結晶成長が上記スト
ライプ状四部の底面コーナ部分から始まるため、該スト
ライプ状四部の中央部に不純物原子あるいは格子欠陥の
集中による転位あるいは内部応力の発生源となる結晶境
界面【形成し、発振動作中に該ストライフ状日部中央部
分に、ストライプに沿ったく１１０〉ダークライン欠陥
といわれる欠陥領域を生じ極めて短時間で故障するとい
う信頼性上重大な欠点を有する。また上記（Ｃ）及び（
ｄ）の従来例では活性層の屈折率よりも小さな屈折率の
半導体結晶で活性層を囲むため、横方向の光及びキャリ
アの閉じ込めに対しては効果が太きいが、エツチング速
度が興なるＮｇまたはＰ型活性層とＰ！Ｍ光及びキャリ
ア閉じ込め層とＮｇ今ヤップ層との各層を同一の条件で
エツチングし上記活性層幅を精度良く制御することは技
術的に極めて困難で、安定した発振横モードを再現性よ
く実現することは不可能という欠点を有している。
板上に設けたＮｇ光及びキャリア閉じ込め層のストライ
プ状凹部とその周辺部で層厚が異るので実効的な屈折率
差が生じ、横方向の光の閉じ込めが行われる。しかしな
がらＮ型半導体基板のストライプ状凹部にＮｇ光及びキ
ャリア閉じ込め層【液相エピタキシャル成長させる際に
、該Ｎ型半導体基板表面のメルトバックが不可能である
ため、上記ストライプ状四部とＮ型光及びキャリア閉じ
込め層の界面に極めて多くの結晶欠陥を誘発させる。ま
たＮ型光及びキャリア閉じ込め層の結晶成長が上記スト
ライプ状四部の底面コーナ部分から始まるため、該スト
ライプ状四部の中央部に不純物原子あるいは格子欠陥の
集中による転位あるいは内部応力の発生源となる結晶境
界面【形成し、発振動作中に該ストライフ状日部中央部
分に、ストライプに沿ったく１１０〉ダークライン欠陥
といわれる欠陥領域を生じ極めて短時間で故障するとい
う信頼性上重大な欠点を有する。また上記（Ｃ）及び（
ｄ）の従来例では活性層の屈折率よりも小さな屈折率の
半導体結晶で活性層を囲むため、横方向の光及びキャリ
アの閉じ込めに対しては効果が太きいが、エツチング速
度が興なるＮｇまたはＰ型活性層とＰ！Ｍ光及びキャリ
ア閉じ込め層とＮｇ今ヤップ層との各層を同一の条件で
エツチングし上記活性層幅を精度良く制御することは技
術的に極めて困難で、安定した発振横モードを再現性よ
く実現することは不可能という欠点を有している。
本発明はこれらの欠点を除き、簡単な構造で高出力の安
定した基本横モード発振が長期間継続する半導体レーザ
装置を得るために、あらかじめＮＷ１半導体基板上に形
成したＮｇ光及びキャリア閉じ込め層のストライプ状凸
部の周囲を該Ｎ［半導体基板と同一の半導体結晶で埋め
（Ｎ［半導体基板のストライプ状凹溝を形成することを
特徴とする。
定した基本横モード発振が長期間継続する半導体レーザ
装置を得るために、あらかじめＮＷ１半導体基板上に形
成したＮｇ光及びキャリア閉じ込め層のストライプ状凸
部の周囲を該Ｎ［半導体基板と同一の半導体結晶で埋め
（Ｎ［半導体基板のストライプ状凹溝を形成することを
特徴とする。
すな９も本発明はＮ型半導体結晶を基板とした第１のＮ
Ｗｉ光およびキャリア閉じ込め層の表面に開孔をもつ酸
化膜を設け、化学エツチングにより上記第１ＯＮ［Ｊ光
及びキャリア閉じ込め層の鮨孔内に露出している部分を
除去して所定の輻【有するストライプ状の凸部を形成し
、上記酸化膜なマスクとしてストライプ周辺の凹部を前
記Ｎｍ半導体基板と同−Ｎ型半導体層で埋めた後、上記
酸化膜を取除き、ストライプ状の第１のＮ［光及びキャ
リア閉じ込め層を含む上記Ｎｉ！ｉｌ体層の表面【わず
かにメルトノ（ツクしながら第２のＮｌＩ光及び中ヤリ
ア閉じ込め層と、ＮｕｔたはＰＷｌ活性層と、Ｐ型光及
び中ヤリア閉じ込め層と、Ｎ型キャップ層とを連続して
液相エピタキシャル成長させ、前記ストライプ状の第１
のＮ型光及びキャリア閉じ込め層に対応して上記Ｎ型キ
ャップ層【貫きＰ型光及びキャリア閉じ込め層の一部に
達ｆる深さのオーミック接触層を設けた後、上記Ｎ型キ
ャップ層の表面と前記Ｎ型半導体基板の裏面とにそれぞ
れ電極を被着した半導体レーザ装置である。
Ｗｉ光およびキャリア閉じ込め層の表面に開孔をもつ酸
化膜を設け、化学エツチングにより上記第１ＯＮ［Ｊ光
及びキャリア閉じ込め層の鮨孔内に露出している部分を
除去して所定の輻【有するストライプ状の凸部を形成し
、上記酸化膜なマスクとしてストライプ周辺の凹部を前
記Ｎｍ半導体基板と同−Ｎ型半導体層で埋めた後、上記
酸化膜を取除き、ストライプ状の第１のＮ［光及びキャ
リア閉じ込め層を含む上記Ｎｉ！ｉｌ体層の表面【わず
かにメルトノ（ツクしながら第２のＮｌＩ光及び中ヤリ
ア閉じ込め層と、ＮｕｔたはＰＷｌ活性層と、Ｐ型光及
び中ヤリア閉じ込め層と、Ｎ型キャップ層とを連続して
液相エピタキシャル成長させ、前記ストライプ状の第１
のＮ型光及びキャリア閉じ込め層に対応して上記Ｎ型キ
ャップ層【貫きＰ型光及びキャリア閉じ込め層の一部に
達ｆる深さのオーミック接触層を設けた後、上記Ｎ型キ
ャップ層の表面と前記Ｎ型半導体基板の裏面とにそれぞ
れ電極を被着した半導体レーザ装置である。
次に本発明の実施例【図面とともに説明する。
第１図〜第４図は本発明による半導体レーザ装置の製造
工程を示す断面図である。第１図は（１００）結晶面を
有するＮ型ＧｍＡ＠半導体基板の表面に第１のＮ型Ｇａ
１−２ＡｌｚＡｓ光及び中ヤリア閉じ込め層２を液相エ
ビタ平シャル成長させた後、このｔＪＸｌのＮ ＭＩ
Ｇａ１−ＸＡＩＸＡＳ 光及び中ヤリア閉じ込め層２
の表面に開孔をもつＡＩ、０．等の酸化膜５を設けた状
態を示す図である。第２図は化学エツチングにより上記
開孔内に露出している第１のＮ Ｍ Ｇａ１−１Ａ１ｘ
Ａｓ 光及びキャリア閉じ込め層２とＮ型ＧａＡ１基
板１の一部を除去して所定のストライプ幅を有する凸Ｗ
６（チャネル）を形成した状１Ｉｒｒ：示す図である。
工程を示す断面図である。第１図は（１００）結晶面を
有するＮ型ＧｍＡ＠半導体基板の表面に第１のＮ型Ｇａ
１−２ＡｌｚＡｓ光及び中ヤリア閉じ込め層２を液相エ
ビタ平シャル成長させた後、このｔＪＸｌのＮ ＭＩ
Ｇａ１−ＸＡＩＸＡＳ 光及び中ヤリア閉じ込め層２
の表面に開孔をもつＡＩ、０．等の酸化膜５を設けた状
態を示す図である。第２図は化学エツチングにより上記
開孔内に露出している第１のＮ Ｍ Ｇａ１−１Ａ１ｘ
Ａｓ 光及びキャリア閉じ込め層２とＮ型ＧａＡ１基
板１の一部を除去して所定のストライプ幅を有する凸Ｗ
６（チャネル）を形成した状１Ｉｒｒ：示す図である。
第５図は上記の状態におけるＡＩ、０．等の酸化膜３を
マスクとして該ストライプ状凸部の周辺を取巻く凹部を
、Ｎ ａｌ！ ＧａＡ１半導体基板１と同一のキャリア
濃度及び移動度【有するＮ ５１０ａＡｓ埋込み層４で
埋めた状態を示す図である。第４図は本発明の半導体レ
ーザ装置の完成した状態を示す図である。第５図から第
４図に示すまでの工程としては、上記したＮ型ＧａＡｓ
埋込み層４が形成されたのち前記Ａｌｌ０．等の酸化
膜Ｓを取除き、上記ス）ライブ状第１のＮ型Ｇａ １
＋ ＸＡ Ｉ ＸＡｌ光及びキャリア閉じ込め層２ｆ：
含むＮ型ＱａＡｓ埋込み層４の表面をＡｓを含むＧａの
不飽和溶液でわずかにメルトバックしながら第２のＮ
Ｍ Ｇａ１−ｘＡＩｚＡｓ光及びキャリア閉じ込め層５
と、このＮ１１Ｇａ （１−ｚ ）ＡＩ ＸＡｌ光及び
キャリア閉じ込め層のＡｌ混晶比（Ｘ）よりも小さなＡ
ｔ混晶比（ｙ） を有するＮ型またはＰ型Ｇａ １−
ｙＡｌ ｙＡｓ活性層６と、ＰｇＧａ ＜ １− Ｘ
）ＡＩ ＸＡ’光及びキャリア閉じ込め層７と、ＧａＡ
ｓキャップ層８とを連続して液相エピタキシャル成長さ
せる。次に上記ストライプ状の第１ ｔｎ Ｎ ｌｌｌ
Ｇａ１−ＸＡＩＸＡＳ光及び中ヤリア閉じ込め層２に対
応して、Ｎ ＩＩ ＧａＡｓキャップ層を貫きＰ ＭＩ
ＧＪｌｌ−ｘＡｌｘＡ’光及びキャリア閉じ込め層７
の一部に達する深さのオーミック接触層ｓ＋ｔＺｎを拡
散して設けた後、上記Ｎ ｉｌｌ ＧａＡｓキャップ層
８の表面にＣｒ合金を用いた電極１０及び前記Ｎ型Ｇａ
Ａｓ半導体基板１のＪＩ！面にＱｅＮｉ合金を用いた電
極１１をそれぞれ真空蒸着法により被着して半導体レー
ザ装置を構成する。
マスクとして該ストライプ状凸部の周辺を取巻く凹部を
、Ｎ ａｌ！ ＧａＡ１半導体基板１と同一のキャリア
濃度及び移動度【有するＮ ５１０ａＡｓ埋込み層４で
埋めた状態を示す図である。第４図は本発明の半導体レ
ーザ装置の完成した状態を示す図である。第５図から第
４図に示すまでの工程としては、上記したＮ型ＧａＡｓ
埋込み層４が形成されたのち前記Ａｌｌ０．等の酸化
膜Ｓを取除き、上記ス）ライブ状第１のＮ型Ｇａ １
＋ ＸＡ Ｉ ＸＡｌ光及びキャリア閉じ込め層２ｆ：
含むＮ型ＱａＡｓ埋込み層４の表面をＡｓを含むＧａの
不飽和溶液でわずかにメルトバックしながら第２のＮ
Ｍ Ｇａ１−ｘＡＩｚＡｓ光及びキャリア閉じ込め層５
と、このＮ１１Ｇａ （１−ｚ ）ＡＩ ＸＡｌ光及び
キャリア閉じ込め層のＡｌ混晶比（Ｘ）よりも小さなＡ
ｔ混晶比（ｙ） を有するＮ型またはＰ型Ｇａ １−
ｙＡｌ ｙＡｓ活性層６と、ＰｇＧａ ＜ １− Ｘ
）ＡＩ ＸＡ’光及びキャリア閉じ込め層７と、ＧａＡ
ｓキャップ層８とを連続して液相エピタキシャル成長さ
せる。次に上記ストライプ状の第１ ｔｎ Ｎ ｌｌｌ
Ｇａ１−ＸＡＩＸＡＳ光及び中ヤリア閉じ込め層２に対
応して、Ｎ ＩＩ ＧａＡｓキャップ層を貫きＰ ＭＩ
ＧＪｌｌ−ｘＡｌｘＡ’光及びキャリア閉じ込め層７
の一部に達する深さのオーミック接触層ｓ＋ｔＺｎを拡
散して設けた後、上記Ｎ ｉｌｌ ＧａＡｓキャップ層
８の表面にＣｒ合金を用いた電極１０及び前記Ｎ型Ｇａ
Ａｓ半導体基板１のＪＩ！面にＱｅＮｉ合金を用いた電
極１１をそれぞれ真空蒸着法により被着して半導体レー
ザ装置を構成する。
本発明の半導体レーザ装置の発振動作原理は次のとおり
である０すなわち図における電極１０より電６１１を流
しキャリアを注入すると、Ｎ型またはＰ型のＧａ １
＋ ｙＡｌ ｙＡｌ活性層６のＡｌ混晶比（ｙ）はそれ
を挾む第２のＮ型Ｇａ１−ｘＡｌｚＡｓ光及びキャリア
閉じ込め層５並びにＰ型Ｇａ１−１ＡｌｚＡａ光及びキ
ャリア閉じ込め層７のＡ１混晶比（Ｘ）よりも小さいの
で、注入されたキャリアの再結合が主にＮｇまたはＰ型
Ｇａ１−ｙＡｌｙＡｓ活性層６内で生じ、屈折率が高い
該Ｎ型またはＰ型Ｇａ１−ｙＡｌ ｙＡｓ活性層６内で
発生した光の一部の縦方向（活性層６に対して当直方向
）の閉じ込めが行われる。一方、ストライプ状の第１の
ＮＭ Ｇａ １− ｚＡｌ ｘＡｓ光及びキャリア閉じ
込め層２並びに第２のＮ型Ｇｔ１−１Ａ１ｚＡｓ光及び
中ヤリア閉じ込め層５からなり上記Ｎ型またはＰ ｉｌ
［Ｑａｌ −ｙＡｌｙＡａ活性層６からしみ出した光を
閉じ込める役割をもつ光及びキャリア閉じ込め層の層厚
は前記ストライプ部分よりその周辺部が薄いため、前記
ストライプ周辺部においてしみ出した光はすべてＮ Ｉ
ｆ ＧａＡｓ埋込み層４に吸収される。従つて上記活性
層６の屈折率は前記ストライプ部分よりもその周辺部に
おける方が実効的に小さくなるため、横方向の光の閉じ
込めが行われる。
である０すなわち図における電極１０より電６１１を流
しキャリアを注入すると、Ｎ型またはＰ型のＧａ １
＋ ｙＡｌ ｙＡｌ活性層６のＡｌ混晶比（ｙ）はそれ
を挾む第２のＮ型Ｇａ１−ｘＡｌｚＡｓ光及びキャリア
閉じ込め層５並びにＰ型Ｇａ１−１ＡｌｚＡａ光及びキ
ャリア閉じ込め層７のＡ１混晶比（Ｘ）よりも小さいの
で、注入されたキャリアの再結合が主にＮｇまたはＰ型
Ｇａ１−ｙＡｌｙＡｓ活性層６内で生じ、屈折率が高い
該Ｎ型またはＰ型Ｇａ１−ｙＡｌ ｙＡｓ活性層６内で
発生した光の一部の縦方向（活性層６に対して当直方向
）の閉じ込めが行われる。一方、ストライプ状の第１の
ＮＭ Ｇａ １− ｚＡｌ ｘＡｓ光及びキャリア閉じ
込め層２並びに第２のＮ型Ｇｔ１−１Ａ１ｚＡｓ光及び
中ヤリア閉じ込め層５からなり上記Ｎ型またはＰ ｉｌ
［Ｑａｌ −ｙＡｌｙＡａ活性層６からしみ出した光を
閉じ込める役割をもつ光及びキャリア閉じ込め層の層厚
は前記ストライプ部分よりその周辺部が薄いため、前記
ストライプ周辺部においてしみ出した光はすべてＮ Ｉ
ｆ ＧａＡｓ埋込み層４に吸収される。従つて上記活性
層６の屈折率は前記ストライプ部分よりもその周辺部に
おける方が実効的に小さくなるため、横方向の光の閉じ
込めが行われる。
そして前記ストライプ状の第１のＮ型Ｇａ１−１Ａｌｚ
Ａ３光及びキャリア閉じ込め層２に対応した領域のＮｌ
！またはＰ 型Ｇａ１−ｙＡｌ ｙＡｓ活性層６内に閉
じ込められた光の増幅利得が内部損失よりも大きくなる
とレーザ光として外部に放出される。
Ａ３光及びキャリア閉じ込め層２に対応した領域のＮｌ
！またはＰ 型Ｇａ１−ｙＡｌ ｙＡｓ活性層６内に閉
じ込められた光の増幅利得が内部損失よりも大きくなる
とレーザ光として外部に放出される。
本発明による半導体レーザ装置は上記したように、Ｎ型
半導体基板のスジライブ状凹満を、該Ｎ型半導体基板上
にあらかじめ設けたストライプ状凸部（チャネル）の周
辺に上記Ｎ型半導体基板と同一の材料を埋込むことによ
り形成しているため、上記チャネル内における〈１１０
〉ダークツイン欠陥の発生要因となる不純物原子等の集
中による転位や内部応力が生じるのを避けることができ
る。また上記ストライプ状チャネルは主に半導体基板上
に設けた第１のＮ型Ｇａ １ ＋ ＸＡＩ ＸＡ１層の
一層だけｅ化学エツチングして作られるので、ストライ
プ幅の制御が容易でかつ再現性に富んでいる。従って本
発明はストライプ幅に対応した活性層内で安定した横モ
ードのレーザ光発振を長期間維持でき、しかも簡単な構
造で高信精度を有する半導体レーザ装置の製造方法を提
供するものである。
半導体基板のスジライブ状凹満を、該Ｎ型半導体基板上
にあらかじめ設けたストライプ状凸部（チャネル）の周
辺に上記Ｎ型半導体基板と同一の材料を埋込むことによ
り形成しているため、上記チャネル内における〈１１０
〉ダークツイン欠陥の発生要因となる不純物原子等の集
中による転位や内部応力が生じるのを避けることができ
る。また上記ストライプ状チャネルは主に半導体基板上
に設けた第１のＮ型Ｇａ １ ＋ ＸＡＩ ＸＡ１層の
一層だけｅ化学エツチングして作られるので、ストライ
プ幅の制御が容易でかつ再現性に富んでいる。従って本
発明はストライプ幅に対応した活性層内で安定した横モ
ードのレーザ光発振を長期間維持でき、しかも簡単な構
造で高信精度を有する半導体レーザ装置の製造方法を提
供するものである。
第１図、第２図、第５図、第４図はそれぞれ本発明によ
る半導体レーザ装置の製造工程を示す図である。 １・・・Ｎ型半導体基板、 ２・・・第１ＯＮＩＭ光及びキャリア閉じ込め層、３・
・・醗化膜、 ４・・・Ｎ型半導体埋込み層
、５・・・第２のＮ型光及びキャリア閉じ込め層、６・
・・Ｎ型またはＰ復活性層、 ７・・・Ｐ型光及びキャリア閉じ込め層、８・・・Ｎ型
キャップ層、 ９・・・オー電ツク接触層、１０及び
１１・・・電極。 代理人弁理士 薄 １）利 、中
る半導体レーザ装置の製造工程を示す図である。 １・・・Ｎ型半導体基板、 ２・・・第１ＯＮＩＭ光及びキャリア閉じ込め層、３・
・・醗化膜、 ４・・・Ｎ型半導体埋込み層
、５・・・第２のＮ型光及びキャリア閉じ込め層、６・
・・Ｎ型またはＰ復活性層、 ７・・・Ｐ型光及びキャリア閉じ込め層、８・・・Ｎ型
キャップ層、 ９・・・オー電ツク接触層、１０及び
１１・・・電極。 代理人弁理士 薄 １）利 、中
Claims (1)
- Ｎａ１ｌ半導体結晶を基板とした゛第１のＮｉ光及びキ
ャリア閉じ込め層の表面に開孔をもつ酸化膜を設け、上
記第１のＮ型光及びキャリア閉じ込め層の開孔内に露出
している部分をエツチングにより除去してストライプ状
凸部を形成し、前記酸化膜をマスクとしてストライプ状
凸部周辺の凹部に上記Ｎ型半導体基板と同一のＮ型半導
体層ｆ：Ｍ込んだ後、前記酸化膜を取除き、上記ストラ
イプ状の第１ＯＮ［光及びキャリア閉じ込め層およびそ
％ＩＩ辺のＮ型半導体層の上に第２のＮｍ光及びキャリ
ア閉じ込め層と、Ｎ型・またはＰ型の活性層と、Ｐ型光
及びキャリア閉じ込め層と、Ｎ型キャップ層とを順次形
成してストライプ状の第１のＮ型光及びキャリア閉じ込
め層に対応し、Ｎ型キャップ層を貫き、Ｐ型光及びキャ
リア閉じ込め層の一部に達する深さのオーミック接触層
を設けた後、上記Ｎ型キャップ層め表面とＮｉｌ半導体
基板の裏面にそれぞれ亀ＩＩｌを被着することを特徴と
する半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4560982A JPS58164282A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4560982A JPS58164282A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164282A true JPS58164282A (ja) | 1983-09-29 |
| JPS6258679B2 JPS6258679B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=12724102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4560982A Granted JPS58164282A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164282A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0735074U (ja) * | 1993-12-14 | 1995-06-27 | 株式会社スガタ | ポストカードホルダー |
| KR100457481B1 (ko) * | 1995-07-13 | 2005-06-10 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 데이타저장방법,데이타저장시스템,정보캐리어,데이타인출방법 |
-
1982
- 1982-03-24 JP JP4560982A patent/JPS58164282A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6258679B2 (ja) | 1987-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4868838A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0474877B2 (ja) | ||
| US4377865A (en) | Semiconductor laser | |
| JPS58164282A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| EP0124051B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JPS589592B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP3229085B2 (ja) | 半導体レーザ装置，及びその製造方法 | |
| JPS6362292A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPH037153B2 (ja) | ||
| JPS6361793B2 (ja) | ||
| JPH0680869B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS6318874B2 (ja) | ||
| JPS6297389A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5931083A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS60189986A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS63287079A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH02174287A (ja) | 半導体レーザー | |
| JPS62296582A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS59149078A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6354234B2 (ja) | ||
| JPH05129723A (ja) | 埋込ヘテロ構造半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS59197181A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6136718B2 (ja) | ||
| JPS6136719B2 (ja) | ||
| JPS6241436B2 (ja) |