JPS6297389A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6297389A JPS6297389A JP23693785A JP23693785A JPS6297389A JP S6297389 A JPS6297389 A JP S6297389A JP 23693785 A JP23693785 A JP 23693785A JP 23693785 A JP23693785 A JP 23693785A JP S6297389 A JPS6297389 A JP S6297389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- regions
- layer
- active layer
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光情報処理用半導体レーザに関するものである
。
。
（従来技術とその問題点）
光情報処理半導体レーザの中でも、ビデオディクスや光
ディクス上り読み取り用光源として使用する場合には、
雑音特性、特に戻り光に誘起される雑音の特性が問題と
なる。半導体レーザの戻り光誘起雑音を低減するために
、種々の方法が試みられているが、中でも出力コヒーレ
ンスの低減は特に有効である。
ディクス上り読み取り用光源として使用する場合には、
雑音特性、特に戻り光に誘起される雑音の特性が問題と
なる。半導体レーザの戻り光誘起雑音を低減するために
、種々の方法が試みられているが、中でも出力コヒーレ
ンスの低減は特に有効である。
この方法のひとつとして、高周波重畳による半導体レー
ザの低雑音化が、大石、茅根、中村、尾島により１９８
３年秋季応用物理学関係連合講演会予稿集１０２頁２６
ａ−Ｐ−６’高周波重畳による半導体レーザの低雑音化
と縦モード特性ＩＴＫ。
ザの低雑音化が、大石、茅根、中村、尾島により１９８
３年秋季応用物理学関係連合講演会予稿集１０２頁２６
ａ−Ｐ−６’高周波重畳による半導体レーザの低雑音化
と縦モード特性ＩＴＫ。
おいて提案され有効である事が示されている。しかしこ
の方法では高周波駆動回路の付加が必要であるばかりで
なく、外部機構へ高周波が漏れる等の弊害を伴なってい
る。
の方法では高周波駆動回路の付加が必要であるばかりで
なく、外部機構へ高周波が漏れる等の弊害を伴なってい
る。
これに対して自励撮動を生じさせ縦モードをマルチ化し
て低雑音化する方法が、鈴木、松本、山村、護送、栗原
により電子通信学会技術報告、光量子エレクトロニクス
ＯＱＥ ８４−５７，３９頁’ｌ５ＳＳレーザの雑音特
性と自己パルス変調の機構′において提案され試みられ
ている。しかしこの方法では、レーザ構造（層厚や溝幅
など）に対して自励振動の特性がきわめて敏感に依存し
、このため安定な自励振動を示すデバイスの収率は低く
なる欠点を有していた。
て低雑音化する方法が、鈴木、松本、山村、護送、栗原
により電子通信学会技術報告、光量子エレクトロニクス
ＯＱＥ ８４−５７，３９頁’ｌ５ＳＳレーザの雑音特
性と自己パルス変調の機構′において提案され試みられ
ている。しかしこの方法では、レーザ構造（層厚や溝幅
など）に対して自励振動の特性がきわめて敏感に依存し
、このため安定な自励振動を示すデバイスの収率は低く
なる欠点を有していた。
半導体レーザに自励振動を生じさせる方法としては、上
記のほか（共振器内に可飽和吸収体を導入する方法があ
る。しかし現状でけ可飽和吸収体の各櫨パラメータの大
きざと出現する現象（自励振動か双安定動作か）との間
の関係も充分間らかにされていない。
記のほか（共振器内に可飽和吸収体を導入する方法があ
る。しかし現状でけ可飽和吸収体の各櫨パラメータの大
きざと出現する現象（自励振動か双安定動作か）との間
の関係も充分間らかにされていない。
そこで、本発明の目的は、上記諸欠点を除去−安定な自
励振動を生じ低雑音特性を持つと共に基本横モード全部
を維持する制御性および再現性のすぐれた半導体レーザ
を提供することにある。
励振動を生じ低雑音特性を持つと共に基本横モード全部
を維持する制御性および再現性のすぐれた半導体レーザ
を提供することにある。
（問題点を解決するだめの手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段は
、活性層をこの活性層よりもバンドギャップの広い材質
からなるクラッド層で挾んだダブルヘテロ接合半導体結
晶をもつ多層構造の半導体レーザであって、前記活性層
にストライプ状にギヤリアを注入するストライブ状キャ
リア注入領域と、このキャリア注入領域を垂直方向に含
みかつこれよりも広い幅をもつ実効的な屈折率分布と、
前記キャリア注入領域下の前記活性層である活性領域か
ら横方向に拡散したキャリアを吸収する吸収領域とが設
けてあり、この吸収領域は、前記活性層のうち前記キャ
リア注入領域下の外側でかつ前記屈折率分布の領域下の
内側の領域の一部にあり、バンドギャップが前記活性領
域より小さくキャリアのライフタイムがその活性領域よ
りも短かいことを特徴とする。
、活性層をこの活性層よりもバンドギャップの広い材質
からなるクラッド層で挾んだダブルヘテロ接合半導体結
晶をもつ多層構造の半導体レーザであって、前記活性層
にストライプ状にギヤリアを注入するストライブ状キャ
リア注入領域と、このキャリア注入領域を垂直方向に含
みかつこれよりも広い幅をもつ実効的な屈折率分布と、
前記キャリア注入領域下の前記活性層である活性領域か
ら横方向に拡散したキャリアを吸収する吸収領域とが設
けてあり、この吸収領域は、前記活性層のうち前記キャ
リア注入領域下の外側でかつ前記屈折率分布の領域下の
内側の領域の一部にあり、バンドギャップが前記活性領
域より小さくキャリアのライフタイムがその活性領域よ
りも短かいことを特徴とする。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は共振器軸
に垂直な面におけるその実施例の断面図、第３図はこの
実施例の製造途中に形成される構造の側面図、第４図は
その実施例の製造の途中において第３図の構造にストラ
イプ状の電流注入口を設けＺｎを拡散し吸収領域を形成
した構造の断面図である。
に垂直な面におけるその実施例の断面図、第３図はこの
実施例の製造途中に形成される構造の側面図、第４図は
その実施例の製造の途中において第３図の構造にストラ
イプ状の電流注入口を設けＺｎを拡散し吸収領域を形成
した構造の断面図である。
この実施例の製造においては、第３図に示すように（１
００）面を平面とするｎ形ＧａＡｓ基板１０上にｎ形Ａ
ｌｏ、４ｓ ＧａｏＪｓ Ａｓ第１クラヅド層ｌ［を２
μｍ、ｎ形Ａ１６．Ｉ ＨＧａ ６Ｊ＠ Ａ Ｓ活性層
１２を０．１μｍ、ｐ−形Ａ！Ｊ６，４Ｇａ６．６ Ａ
ｓ＋第２り・ラッド層１３０．３μｍ、高濃度ｎ 形Ａ
ｌ、、 Ｇａ、） Ａｓ第１ブロックＩ−【４を０．３
ｐｍ 、高濃度ｎ 形Ｇａ Ａｓ 第２ブロック層１
５を１．０μｍ、ＭＯＣＶＤ 法で連続成長する。ＭＯ
ＣＶＤ法では薄膜成長が可能であり、かつ精密な膜厚制
御はを兼ね備えているので上記の如き層構造を制御よく
成長することができる。
００）面を平面とするｎ形ＧａＡｓ基板１０上にｎ形Ａ
ｌｏ、４ｓ ＧａｏＪｓ Ａｓ第１クラヅド層ｌ［を２
μｍ、ｎ形Ａ１６．Ｉ ＨＧａ ６Ｊ＠ Ａ Ｓ活性層
１２を０．１μｍ、ｐ−形Ａ！Ｊ６，４Ｇａ６．６ Ａ
ｓ＋第２り・ラッド層１３０．３μｍ、高濃度ｎ 形Ａ
ｌ、、 Ｇａ、） Ａｓ第１ブロックＩ−【４を０．３
ｐｍ 、高濃度ｎ 形Ｇａ Ａｓ 第２ブロック層１
５を１．０μｍ、ＭＯＣＶＤ 法で連続成長する。ＭＯ
ＣＶＤ法では薄膜成長が可能であり、かつ精密な膜厚制
御はを兼ね備えているので上記の如き層構造を制御よく
成長することができる。
次に５ｉＯ１膜で全体を被膜した後にフォトレジスト法
により共振器の長手方向に幅６μｍのストライプ状の窓
をあけＧａＡｓ第２ブロック層１５をエツチングして、
ＡＪｏ、ｙ Ｇａｏ−ｓ Ａｓ第１ブロック層１４の上
面を出す。更にフォトレジスト法をおこない上記の幅の
中心と一致させて幅２μｍの窓をフォトレジストにあけ
、このフォトレジストなマスクにしてＡＪｏｖ Ｇａｏ
、ｓ第１ブロック層Ｌ４にストライプ状の窓をあけｆ形
ｋ１６．４ Ｇａ０．６Ａｓ第２クラッド層１３０表面
を出す。次に上記Ｓｉｎ、膜を除去した後に再び５１ｏ
ｔ膜１６で全体を複膜した後、フォトレジスト法で上記
第１ブロック層１４にあけたストライプ状の窓の中心線
からそれぞれ１．５μｍはなして（間隔３μ口あけて）
平行に２本、幅ｔμｍの窓をあけてｚｎを拡散する（
Ｚｎ拡散領域１７．１８）。拡散領域のうち第１ブロッ
ク層１４の表面から拡散されたｚｎの拡散フロントは活
性層Ｉ２と第１クラッド層１１との境界かもしくはその
近傍の第１クラッド層１１内にくるように制御する（第
４図）。この時Ｚｎの拡散濃度を５ Ｘ Ｌ Ｏ”ｃｙ
ｔ−”にし活性層のｎ形濃度をｌ×ｔ ０ｔｙｃＩｒＬ
−ｓとしておけば活性層内ＫＺｎを拡散された２本の吸
収領域１９．２０は不純物補償されたｐ形になり、バン
ドギャップは縮小する。一方策１ブロック層１４のｎ形
濃度を８ＸＬＯｃａ以上にしておけばＺｎを拡散した領
域はｎ形のままでブロック効果を発揮することができる
（ｎ形ブロック領域２１．２２）。
により共振器の長手方向に幅６μｍのストライプ状の窓
をあけＧａＡｓ第２ブロック層１５をエツチングして、
ＡＪｏ、ｙ Ｇａｏ−ｓ Ａｓ第１ブロック層１４の上
面を出す。更にフォトレジスト法をおこない上記の幅の
中心と一致させて幅２μｍの窓をフォトレジストにあけ
、このフォトレジストなマスクにしてＡＪｏｖ Ｇａｏ
、ｓ第１ブロック層Ｌ４にストライプ状の窓をあけｆ形
ｋ１６．４ Ｇａ０．６Ａｓ第２クラッド層１３０表面
を出す。次に上記Ｓｉｎ、膜を除去した後に再び５１ｏ
ｔ膜１６で全体を複膜した後、フォトレジスト法で上記
第１ブロック層１４にあけたストライプ状の窓の中心線
からそれぞれ１．５μｍはなして（間隔３μ口あけて）
平行に２本、幅ｔμｍの窓をあけてｚｎを拡散する（
Ｚｎ拡散領域１７．１８）。拡散領域のうち第１ブロッ
ク層１４の表面から拡散されたｚｎの拡散フロントは活
性層Ｉ２と第１クラッド層１１との境界かもしくはその
近傍の第１クラッド層１１内にくるように制御する（第
４図）。この時Ｚｎの拡散濃度を５ Ｘ Ｌ Ｏ”ｃｙ
ｔ−”にし活性層のｎ形濃度をｌ×ｔ ０ｔｙｃＩｒＬ
−ｓとしておけば活性層内ＫＺｎを拡散された２本の吸
収領域１９．２０は不純物補償されたｐ形になり、バン
ドギャップは縮小する。一方策１ブロック層１４のｎ形
濃度を８ＸＬＯｃａ以上にしておけばＺｎを拡散した領
域はｎ形のままでブロック効果を発揮することができる
（ｎ形ブロック領域２１．２２）。
次にＳｉｎ、膜１６を除去した後に、ｐ形ＡＡ！ｑａｓ
Ｇａａ、ｓｔ Ａｓ第３クラッド層２３を２．０μｍ１
高濃度のｐ ｆｆ！／Ｇａ Ａｓキャンプ層２４をｔ、
ｏ μｍ連続成長する。この成長において従来から行わ
れている液相成長法においては、ストライプ状に表面が
出ているｐ−形Ａｌｏ、ａ Ｇａ、）、６ Ａｓ第２ク
ラッド層１３、ｎ形ｋｌ ｏ、ｙ Ｇａｏ、ｓ Ａｓ第
１ブロック層１４の上にはいかなる液相層も成長しない
が、ＭＯＣＶＤ法では容易に成長させることができる。
Ｇａａ、ｓｔ Ａｓ第３クラッド層２３を２．０μｍ１
高濃度のｐ ｆｆ！／Ｇａ Ａｓキャンプ層２４をｔ、
ｏ μｍ連続成長する。この成長において従来から行わ
れている液相成長法においては、ストライプ状に表面が
出ているｐ−形Ａｌｏ、ａ Ｇａ、）、６ Ａｓ第２ク
ラッド層１３、ｎ形ｋｌ ｏ、ｙ Ｇａｏ、ｓ Ａｓ第
１ブロック層１４の上にはいかなる液相層も成長しない
が、ＭＯＣＶＤ法では容易に成長させることができる。
特にこのＭＯＣＶＤ法において第３クラッド層２３を成
長する直前にＨＣｌ等のガスで成長する面の表面を微量
にガスエツチングをすると成長素子の再現性、信頼性を
一段と向上させることができる。
長する直前にＨＣｌ等のガスで成長する面の表面を微量
にガスエツチングをすると成長素子の再現性、信頼性を
一段と向上させることができる。
この後成長表面全面にｐ形オーミククコンタクト２５、
基板側にｎ形オーミックコンタクト２６をつけると本発
明の構造の半導体レーザを得る（第１図、第２図）。
基板側にｎ形オーミックコンタクト２６をつけると本発
明の構造の半導体レーザを得る（第１図、第２図）。
第１図実施例の構造において全面電極から注入された電
流は、キャップ層２４、第３クラッド層２３に全面に広
がって流れる。そして、第３クラッド層２３に隣接して
電気的極性の異なるｎ形Ｇａ Ａｓ第２ブロック層（５
、更にこれに隣接してｎ形ＡＪ、、 （）ａ４．！ Ａ
ｓ第１ブロック層１４があるか１ら、電流は第１および
第２のブロック層で阻止され、最終的にｎ形Ａｌｔｏ、
ｙ （）ａｏ、３ Ａｓ第１ブロック層１４にあけたス
トライプ状の窓からｐ形ＡＡ！ ０，４ｏａ、、 Ａｓ
第２クラッド層１３を通してｎ形ｋｌ ａｌ ５Ｇａ６
．■Ａｓ活性層１２に注入される。活性層１２に注入さ
れたキャリアは活性層水平横方向に拡散していき、利得
分布を形成しレーザ発振を開始する。このとき本実施例
の構造では第１ブロック層１４の下に位置しキャリアの
主な注入領域になる活性層のすぐ両端の領域にそれぞれ
吸収領域１９１２０を有しており、この領域は注入キャ
リアに対してシンクになる。その結果ストライプ状のキ
ャリア注入領域部分のみ利得が高くなりその外部は損失
領域となり急峻な利得分布が形成される。
流は、キャップ層２４、第３クラッド層２３に全面に広
がって流れる。そして、第３クラッド層２３に隣接して
電気的極性の異なるｎ形Ｇａ Ａｓ第２ブロック層（５
、更にこれに隣接してｎ形ＡＪ、、 （）ａ４．！ Ａ
ｓ第１ブロック層１４があるか１ら、電流は第１および
第２のブロック層で阻止され、最終的にｎ形Ａｌｔｏ、
ｙ （）ａｏ、３ Ａｓ第１ブロック層１４にあけたス
トライプ状の窓からｐ形ＡＡ！ ０，４ｏａ、、 Ａｓ
第２クラッド層１３を通してｎ形ｋｌ ａｌ ５Ｇａ６
．■Ａｓ活性層１２に注入される。活性層１２に注入さ
れたキャリアは活性層水平横方向に拡散していき、利得
分布を形成しレーザ発振を開始する。このとき本実施例
の構造では第１ブロック層１４の下に位置しキャリアの
主な注入領域になる活性層のすぐ両端の領域にそれぞれ
吸収領域１９１２０を有しており、この領域は注入キャ
リアに対してシンクになる。その結果ストライプ状のキ
ャリア注入領域部分のみ利得が高くなりその外部は損失
領域となり急峻な利得分布が形成される。
これに対して光は活性層からしみ出し垂直方向に広がる
。この時層厚の薄い第２クラッド層１３を介してｉｔブ
ロック層１４にしみ出した光は、第１ブロック層１４に
隣接して屈折率の高いＧａＡｓ第２ブロック層１５があ
るから、この層にひきこまれる。この層は光をひきこむ
ばかりでなく、レーザ発振光に対してバンドギャップが
狭く〜ｔｏｏｏ。
。この時層厚の薄い第２クラッド層１３を介してｉｔブ
ロック層１４にしみ出した光は、第１ブロック層１４に
隣接して屈折率の高いＧａＡｓ第２ブロック層１５があ
るから、この層にひきこまれる。この層は光をひきこむ
ばかりでなく、レーザ発振光に対してバンドギャップが
狭く〜ｔｏｏｏ。
儂 以上の光の吸収層になっている。従って光は第２ブ
ロック層にひきこまれそこで大きな吸収損失をうけるこ
とになる。その結果このＭ２ブロック層１５に６けた窓
にわたりて正の屈折率差ΔηＢが生じる。その値は本実
施例においてはΔηＢ＝５ＸｔＯになることが本発明者
の計算結果より明らかになった。本実施例では、この正
の屈折率ガイディングと上に述べた第２ブロック層１５
による光の急激な吸収との相乗効果により、安定な基本
横モード発振を維持し続けることができる。
ロック層にひきこまれそこで大きな吸収損失をうけるこ
とになる。その結果このＭ２ブロック層１５に６けた窓
にわたりて正の屈折率差ΔηＢが生じる。その値は本実
施例においてはΔηＢ＝５ＸｔＯになることが本発明者
の計算結果より明らかになった。本実施例では、この正
の屈折率ガイディングと上に述べた第２ブロック層１５
による光の急激な吸収との相乗効果により、安定な基本
横モード発振を維持し続けることができる。
本実施例の構造においては第１ブロック層１４にあけた
窓幅程度の利得領域に対し、光は第２ブロック層１５に
あけたそれより広い窓幅にわたって広がっている。従っ
て光は利得領域からその外側の吸収領域１９．２０まで
広がっている。この吸収領域ではバンドギャップが縮少
しているので５００〜６００ｃｍ 程度の光の吸収体
となると共に光の吸収にともなって光の吸収量も変化す
るので、この吸収領域は可飽和吸収体として作用しその
結果自励振動を生じる。
窓幅程度の利得領域に対し、光は第２ブロック層１５に
あけたそれより広い窓幅にわたって広がっている。従っ
て光は利得領域からその外側の吸収領域１９．２０まで
広がっている。この吸収領域ではバンドギャップが縮少
しているので５００〜６００ｃｍ 程度の光の吸収体
となると共に光の吸収にともなって光の吸収量も変化す
るので、この吸収領域は可飽和吸収体として作用しその
結果自励振動を生じる。
さらに本実施例の構造においては屈折率の大きざが比較
的小さいので注入キャリア密度分布の変動に伴なって基
本横モードの幅が大きく変動し、その収縮と拡大とが生
じ、その結果光の受ける吸収量が変化するので自励振動
が助長される。
的小さいので注入キャリア密度分布の変動に伴なって基
本横モードの幅が大きく変動し、その収縮と拡大とが生
じ、その結果光の受ける吸収量が変化するので自励振動
が助長される。
以上のすべての相乗効果の結果、本発明の構造では容易
に自動振動が生じ、ひいては軸モードが多モード化し軸
モードのコヒーレントが低減ｆるから、反射光に対する
雑音も色わめて低く低雑音特性が得られる。従って本発
明のレーザ素子は光読み取りに必要な低雑音レーザにな
る。
に自動振動が生じ、ひいては軸モードが多モード化し軸
モードのコヒーレントが低減ｆるから、反射光に対する
雑音も色わめて低く低雑音特性が得られる。従って本発
明のレーザ素子は光読み取りに必要な低雑音レーザにな
る。
（発明の効果）
以上に詳しく説明したように、本発明の半導体レーザは
、基本横モード発振を維持することができ、また自励振
動を生じその条件の許容範囲が広いので再現性よく得る
ことができ、さらに構造が比較的簡単であるので再現性
よく高歩留りにつくること、ができる等の利点を有する
。
、基本横モード発振を維持することができ、また自励振
動を生じその条件の許容範囲が広いので再現性よく得る
ことができ、さらに構造が比較的簡単であるので再現性
よく高歩留りにつくること、ができる等の利点を有する
。
なお、上記実施例ではｎ形ＧａＡｓ基板を用いたが、こ
の実施例とはｐｎを反転させた構造でも本発明は実現で
きる。また実施例はＡｌＧａＡｓ ／ ＧａＡｓダブル
ヘテロ接合結晶材料を用いた構造であったが、本発明は
その他の結晶材料例えばｌｍＧａＰ ／ ＡＪ ＩｍＰ
ＩｍＧａＡｌＩＰ ／ ｌｍＧａＰ ｐ ＩｍＧａ
ＡｓＰ ／ＩｍＰｐ ＡＪＧａＡｓＳｂ ／ ＧａＡｓ
Ｓｂ等にも適用することができる。
の実施例とはｐｎを反転させた構造でも本発明は実現で
きる。また実施例はＡｌＧａＡｓ ／ ＧａＡｓダブル
ヘテロ接合結晶材料を用いた構造であったが、本発明は
その他の結晶材料例えばｌｍＧａＰ ／ ＡＪ ＩｍＰ
ＩｍＧａＡｌＩＰ ／ ｌｍＧａＰ ｐ ＩｍＧａ
ＡｓＰ ／ＩｍＰｐ ＡＪＧａＡｓＳｂ ／ ＧａＡｓ
Ｓｂ等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は共振器軸
に垂直な面における第【一実施例の断面図、第３図はこ
の実施例の作製の過程において形成されたダブルヘテロ
接合結晶の側面図、第４図はこの実施例の作製の過程に
おいて上記ダブルヘテロ接合結晶にストライプ状の電流
注入口を設けた後Ｚｎを拡散し吸収領域を形成した構造
の断面図である。 ＋ Ｌ Ｏ”−ｎ形ＧａＡｓ基板、１１・・・ｎ形ｋｌＯ，
４ｓＣ）ａｏ、＠＠ Ａｓ第１クラッド層、ｌ ２ ”
−ｎ形Ａｌｏ、ｘｓ（）ａ６．８１ｔ Ａｓ活性層、ｌ
３−ｉ形ｋｌｏ、ａ Ｇａ０．、 Ａｓ第２クラッド
層、１４−・・高濃度ｎ形Ａｌｏ、、Ｇａｏ、ｓＡ８第
１ブロック層、１５・・・高濃度ｎ形ＧａＡａ第２プｔ
１７り層、ｌ ６・・・５ｉＣｈ膜、ｔ７ｔｔｓ・・・
Ｚｎ拡散領域、２１，２２・・・ｎ形ブロック領域、２
３−ｐ形ＡＡ！ｏ、ａｓ （）ａｏ、ｓＩ Ａｓ第３ク
ラッド層、２４・”ｐ形ＧａＡ３ キャップ層、２５・
・・ｐ形オーミックコンタクト、２６・・・ｎ形オーミ
ックコンタクト。
に垂直な面における第【一実施例の断面図、第３図はこ
の実施例の作製の過程において形成されたダブルヘテロ
接合結晶の側面図、第４図はこの実施例の作製の過程に
おいて上記ダブルヘテロ接合結晶にストライプ状の電流
注入口を設けた後Ｚｎを拡散し吸収領域を形成した構造
の断面図である。 ＋ Ｌ Ｏ”−ｎ形ＧａＡｓ基板、１１・・・ｎ形ｋｌＯ，
４ｓＣ）ａｏ、＠＠ Ａｓ第１クラッド層、ｌ ２ ”
−ｎ形Ａｌｏ、ｘｓ（）ａ６．８１ｔ Ａｓ活性層、ｌ
３−ｉ形ｋｌｏ、ａ Ｇａ０．、 Ａｓ第２クラッド
層、１４−・・高濃度ｎ形Ａｌｏ、、Ｇａｏ、ｓＡ８第
１ブロック層、１５・・・高濃度ｎ形ＧａＡａ第２プｔ
１７り層、ｌ ６・・・５ｉＣｈ膜、ｔ７ｔｔｓ・・・
Ｚｎ拡散領域、２１，２２・・・ｎ形ブロック領域、２
３−ｐ形ＡＡ！ｏ、ａｓ （）ａｏ、ｓＩ Ａｓ第３ク
ラッド層、２４・”ｐ形ＧａＡ３ キャップ層、２５・
・・ｐ形オーミックコンタクト、２６・・・ｎ形オーミ
ックコンタクト。
Claims (1)
- 活性層をこの活性層よりもバンドギャップの広い材質か
らなるクラッド層で挾んだダブルヘテロ接合半導体結晶
をもつ多層構造の半導体レーザにおいて、前記活性層に
ストライプ状にキャリアを注入するストライプ状キャリ
ア注入領域と、このキャリア注入領域を垂直方向に含み
かつこれより広い幅をもつ実効的な屈折率分布と、前記
キャリア注入領域下の前記活性層である活性領域から横
方向に拡散したキャリアを吸収する吸収領域とが設けて
あり、この吸収領域は、前記活性層のうち前記キャリア
注入領域下の外側でかつ前記屈折率分布の領域下の内側
の領域の一部にあり、バンドギャップが前記活性領域よ
り小さくキャリアのライフタイムがその活性領域よりも
短かいことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23693785A JPS6297389A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23693785A JPS6297389A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297389A true JPS6297389A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17007955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23693785A Pending JPS6297389A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996030977A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23693785A patent/JPS6297389A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996030977A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6072817A (en) * | 1995-03-31 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6081541A (en) * | 1995-03-31 | 2000-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6141364A (en) * | 1995-03-31 | 2000-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6297389A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS61164287A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5832794B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6362292A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPS6184891A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS6251281A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH09179080A (ja) | 光デバイス | |
| JPS6239088A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62165388A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62179191A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62133789A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6362391A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62165389A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS58164282A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS63248190A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6286783A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6360584A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6364385A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH01140691A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6390882A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS59197181A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62283690A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS60189986A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6112399B2 (ja) | ||
| JPH02213183A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 |