JPS58160107A - 単結晶の切断方法 - Google Patents
単結晶の切断方法Info
- Publication number
- JPS58160107A JPS58160107A JP4342182A JP4342182A JPS58160107A JP S58160107 A JPS58160107 A JP S58160107A JP 4342182 A JP4342182 A JP 4342182A JP 4342182 A JP4342182 A JP 4342182A JP S58160107 A JPS58160107 A JP S58160107A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- cutting
- reinforcing material
- cut
- blade
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単結晶の切断方法、特にはガリウム・ガーネッ
ト、１９−クムタンタレートなどの単結晶棒をクエへ−
に加工するための切断方法に関するものである。
ト、１９−クムタンタレートなどの単結晶棒をクエへ−
に加工するための切断方法に関するものである。
ガリウム・ガーネット、例えばガドリニウム・ガリウム
・ガーネットｃ以下ＧＧＧと略記する）、リチウムタン
タレート〇へ下ＬｉＴａ０．と略記する）などのような
単結晶棒の切断加工については、これらがＶ９コン単結
晶にくらべて硬く、かつもろいというから、すでに多槽
の方法が提案されている。すなわち、とのａａａ単結晶
棒の切断については、例えば円柱状の単結晶棒なその円
柱軸を一定の結晶方位で回転させつつ内刃式のダイヤモ
ンドカッターで切断するという方法が提案されている（
米国特許＠４，０８４，３５４号参照）が、この場合に
は切断された円板の周囲にチッピングが生じ易いという
不利がある。また、このＬ Ｉ Ｔ ａ Ｏｓ単結晶棒
の切断については、それがある結晶方位においてクラッ
クの発生が多いということから、その切断をＹ軸からあ
る整定範囲に傾けた方向から行なうという方法が特開昭
！＄３−６４６９１１゜特開昭５５−６１４１７、特開
１８５５−８６２１１などで提案されているが、これに
は切断すべき単結晶棒な特定の方向に取付ける必要があ
るため、その作業が複雑になるほか、特別の割出し装置
が必要になるという不利があり、これについてはさらに
その結晶表面を０．１〜０．５−の厚さにサンドペーパ
ーなどでみがち取っておく方法、結晶の一部をすり落し
ておく方法なども特開昭５３−６４７００、特開昭５３
−４５１８７として提搦されているが、これらも工程が
複雑になるという不利がある。
・ガーネットｃ以下ＧＧＧと略記する）、リチウムタン
タレート〇へ下ＬｉＴａ０．と略記する）などのような
単結晶棒の切断加工については、これらがＶ９コン単結
晶にくらべて硬く、かつもろいというから、すでに多槽
の方法が提案されている。すなわち、とのａａａ単結晶
棒の切断については、例えば円柱状の単結晶棒なその円
柱軸を一定の結晶方位で回転させつつ内刃式のダイヤモ
ンドカッターで切断するという方法が提案されている（
米国特許＠４，０８４，３５４号参照）が、この場合に
は切断された円板の周囲にチッピングが生じ易いという
不利がある。また、このＬ Ｉ Ｔ ａ Ｏｓ単結晶棒
の切断については、それがある結晶方位においてクラッ
クの発生が多いということから、その切断をＹ軸からあ
る整定範囲に傾けた方向から行なうという方法が特開昭
！＄３−６４６９１１゜特開昭５５−６１４１７、特開
１８５５−８６２１１などで提案されているが、これに
は切断すべき単結晶棒な特定の方向に取付ける必要があ
るため、その作業が複雑になるほか、特別の割出し装置
が必要になるという不利があり、これについてはさらに
その結晶表面を０．１〜０．５−の厚さにサンドペーパ
ーなどでみがち取っておく方法、結晶の一部をすり落し
ておく方法なども特開昭５３−６４７００、特開昭５３
−４５１８７として提搦されているが、これらも工程が
複雑になるという不利がある。
なお、これらの本性について本発明者らがこれを追試し
た結果では、これらの方法では完全にクラックの発生を
防ぐことができず、特に＜０１２＞方向などの特別の方
位に引上げた場合のＬ ｉ Ｔ ａ Ｏａ結晶ではその
効果がほとんど認められなかった。
た結果では、これらの方法では完全にクラックの発生を
防ぐことができず、特に＜０１２＞方向などの特別の方
位に引上げた場合のＬ ｉ Ｔ ａ Ｏａ結晶ではその
効果がほとんど認められなかった。
本発明はこれらの不利を解決した単結晶の切断方法に関
するものであり、これは単結晶の切断部位に結晶に沿っ
て補強材料を接着し、その切断をこの補強材料から開始
することを特徴とするものである。
するものであり、これは単結晶の切断部位に結晶に沿っ
て補強材料を接着し、その切断をこの補強材料から開始
することを特徴とするものである。
これを説明すると、本発明者らはＧＧＧ。
ＬｉＴａ０．などの単結晶棒の効果的切断方法について
種々検討の結果、目的とする単結晶の表面にアランダム
などのような研削砥石、グラファイトなどから加工され
た成形体を接１１８せたのち、この成形体上部からダイ
ヤモンドカッターな当てて、この単結晶を切断したとこ
ろ、これをクラックの発生なしに切断することができる
ことを見出し、これについてさらに検討を進めた結果、
これには単結晶棒の表面に適宜の硬度をもつ補強材料を
接着して、この補強材料部から切断Ｙ開始すればよいこ
とＩｉｋ＆６１して本発明を完成させた。
種々検討の結果、目的とする単結晶の表面にアランダム
などのような研削砥石、グラファイトなどから加工され
た成形体を接１１８せたのち、この成形体上部からダイ
ヤモンドカッターな当てて、この単結晶を切断したとこ
ろ、これをクラックの発生なしに切断することができる
ことを見出し、これについてさらに検討を進めた結果、
これには単結晶棒の表面に適宜の硬度をもつ補強材料を
接着して、この補強材料部から切断Ｙ開始すればよいこ
とＩｉｋ＆６１して本発明を完成させた。
本発明の方法における単結晶としてはペルヌイ法、チコ
コラルスキー法、浮遊帯域法などで作られる各種の単結
晶棒があげられ、これには前記したＧＧＧ、ＬｉＴａ０
． 、さらにはＬｉＮｂ０．などのような酸化物単結晶
のほか、半導体用の金属けい素早結晶、Ｇａ−Ｐ 、Ｇ
ａ−Ａｓなどのような化合物半導体単結晶などが例示さ
れるが、これらはいずれも本発明の方法によってクラッ
クの発生なしにウニへ−加工することができ、これによ
ればチッピングなどの発生も防止することができる。
コラルスキー法、浮遊帯域法などで作られる各種の単結
晶棒があげられ、これには前記したＧＧＧ、ＬｉＴａ０
． 、さらにはＬｉＮｂ０．などのような酸化物単結晶
のほか、半導体用の金属けい素早結晶、Ｇａ−Ｐ 、Ｇ
ａ−Ａｓなどのような化合物半導体単結晶などが例示さ
れるが、これらはいずれも本発明の方法によってクラッ
クの発生なしにウニへ−加工することができ、これによ
ればチッピングなどの発生も防止することができる。
本発明の方法に使用される補強材料としては、前記した
ように、切断しようとする単結晶の檜韻に応じて適宜の
材料ｔａ択することができるが一般的には同質の材料が
最も好ましい、すなわち、シリコｙ単結晶にはシリコン
、ＧＧＧについてはＧＧＧから切り出すことが望ましい
が、これらの材料が容易に入手し離いときには他の材料
から遥ぶとよい。その際の補強材料としては、それがあ
まり硬度の低いものではブレードを目づまりさせること
になるので、このものはある程度の強度と硬さをものも
のとすることがよく、シたがってこれにはアルミナ質、
カーボランダ五などのような研削効果をもつ焼結体、例
えばアランダム、フランダムなどの砥石やグラファイト
から加工された成形体などを用いることがよく、特にこ
のアルミナ質の砥石で作ったものはブレードのドレッシ
ング効果も拘持できるので好ましいものとされる。
ように、切断しようとする単結晶の檜韻に応じて適宜の
材料ｔａ択することができるが一般的には同質の材料が
最も好ましい、すなわち、シリコｙ単結晶にはシリコン
、ＧＧＧについてはＧＧＧから切り出すことが望ましい
が、これらの材料が容易に入手し離いときには他の材料
から遥ぶとよい。その際の補強材料としては、それがあ
まり硬度の低いものではブレードを目づまりさせること
になるので、このものはある程度の強度と硬さをものも
のとすることがよく、シたがってこれにはアルミナ質、
カーボランダ五などのような研削効果をもつ焼結体、例
えばアランダム、フランダムなどの砥石やグラファイト
から加工された成形体などを用いることがよく、特にこ
のアルミナ質の砥石で作ったものはブレードのドレッシ
ング効果も拘持できるので好ましいものとされる。
本発明方法の実施に当っては、目的とする単結晶棒に上
記した補強材料で作った成形品をエポキシ糸の接着剤な
どを用いて接着させたのち、これを公知の手法で支持台
な介して切断機械の固定治具に固定し、ついでダイヤモ
ンドカッターなどで、この補強材料と共に切断すればよ
い。
記した補強材料で作った成形品をエポキシ糸の接着剤な
どを用いて接着させたのち、これを公知の手法で支持台
な介して切断機械の固定治具に固定し、ついでダイヤモ
ンドカッターなどで、この補強材料と共に切断すればよ
い。
添付の図面はこの切断方法を図示したものであり、第１
図における単結晶棒ｌには方形の補強材料２が接着１１
１８で固着されており、これはまた接着剤８で支持台４
を介して固定治具すに固着されている。切断はこの補強
材料２の上部からブレード６を当て、これを図示の切断
方向に押し下げることによって行なわれるが、この場合
には補助材料２の存在によって単結晶棒切断時に単結晶
にクラックな発生させる原因となるブレードのフレが完
全に防止されるので、単結晶棒はクラックを発生するこ
となく切断することができ、また、そのウニ八−のチッ
ピングも防止されるという効果が与えられる。なおＩＫ
２図は単結晶棒曹の半径曲率に近い形状に成形した補強
材料２を接着剤畠で固着させたものを示したものであり
、この場合には接着剤８の使用量を少なくすることがで
きるので、接着剤８によるブレード６の目づまりが少な
（なるという好ましい効果が付加される。
図における単結晶棒ｌには方形の補強材料２が接着１１
１８で固着されており、これはまた接着剤８で支持台４
を介して固定治具すに固着されている。切断はこの補強
材料２の上部からブレード６を当て、これを図示の切断
方向に押し下げることによって行なわれるが、この場合
には補助材料２の存在によって単結晶棒切断時に単結晶
にクラックな発生させる原因となるブレードのフレが完
全に防止されるので、単結晶棒はクラックを発生するこ
となく切断することができ、また、そのウニ八−のチッ
ピングも防止されるという効果が与えられる。なおＩＫ
２図は単結晶棒曹の半径曲率に近い形状に成形した補強
材料２を接着剤畠で固着させたものを示したものであり
、この場合には接着剤８の使用量を少なくすることがで
きるので、接着剤８によるブレード６の目づまりが少な
（なるという好ましい効果が付加される。
つぎに本発明方法の実施例をあげる。
実施例 ｌ
＜１１１＞方向に引上げた直径１０３■、長さ１８０■
のＧＧＧ単結晶棒を接着剤で支持台を介して固定治具に
貼り付けたのち、内刃式ダイヤモンドスライサー付きの
ブレード切り込み位置の単結晶外側に、アランダム砥石
から切り出した巾２０―、厚さ３−の板を接着剤で接着
し、６−７分の切断速度でこの補強材料から切断を開始
し、単結晶の切断を行なったところ、ＧＧＧ単結晶に全
くクラックの発生させることなく、切断することができ
た。 ４・しか
し、比較のためにこの補強材料を使用せず、この引上げ
で得られたＧＧＧ単結晶を固定治具に貼りつけた〃けで
内刃式ダイヤモンドカッターで切断したところ、結晶に
クラックが発生し、得られたウニ八−もその周縁部にピ
ッチングを伴なうものであった。
のＧＧＧ単結晶棒を接着剤で支持台を介して固定治具に
貼り付けたのち、内刃式ダイヤモンドスライサー付きの
ブレード切り込み位置の単結晶外側に、アランダム砥石
から切り出した巾２０―、厚さ３−の板を接着剤で接着
し、６−７分の切断速度でこの補強材料から切断を開始
し、単結晶の切断を行なったところ、ＧＧＧ単結晶に全
くクラックの発生させることなく、切断することができ
た。 ４・しか
し、比較のためにこの補強材料を使用せず、この引上げ
で得られたＧＧＧ単結晶を固定治具に貼りつけた〃けで
内刃式ダイヤモンドカッターで切断したところ、結晶に
クラックが発生し、得られたウニ八−もその周縁部にピ
ッチングを伴なうものであった。
実施例 ２
Ｘ軸方向に引上げた直径６０■、長さ１２０−のＬ Ｉ
Ｔ ａ ’Ｏ’ｓ単結晶棒を接着剤で支持台を介して固
定治具に貼りつけたのち、内刃式ダイヤモンドスライサ
ー付きのブレード切り込み位置の単結晶外側に、この単
結晶の半径にほぼ近い曲率な持つ形状に成形した厚さ５
−１中３０−のグラファイト製板を接着し、この補強材
料部から切断速度５一／分の速さで切断を開始して結晶
棒を切断したところ、結晶棒は全くクラックを発生する
ことなく切断された。
Ｔ ａ ’Ｏ’ｓ単結晶棒を接着剤で支持台を介して固
定治具に貼りつけたのち、内刃式ダイヤモンドスライサ
ー付きのブレード切り込み位置の単結晶外側に、この単
結晶の半径にほぼ近い曲率な持つ形状に成形した厚さ５
−１中３０−のグラファイト製板を接着し、この補強材
料部から切断速度５一／分の速さで切断を開始して結晶
棒を切断したところ、結晶棒は全くクラックを発生する
ことなく切断された。
図はいずれも本発明方法な示す縦断面概Ｉｌ！図であり
、１１４１図は方形の補強材料、１８２図は単結晶棒の
半径にほぼ近い曲率なもつ補強材料を使用した場合を示
したものである。 ｌ・・・・単結晶棒、２・・・・補強材料、８・・・・
接着剤、 ４・・・・支持台、５・・・・固定治具、６
・・・・ブレード。 特許出願人 信越化学工業株式会社 第１図 第オ図 手続補正書 昭和５８年４月 益 日 特６，１庁！ｋＮ 若杉和夫 殿 １、’Ｊｉ−件の表示 昭和５７年特許願第４３４２１号 ２、発明の名称 単結晶の切断方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２０６） 信越化学工業株式会社４、代 理
人 住 所 〒１０３東京都中央区日本橋本町４丁目９番地
永井ビル〔電話東京（２７０） Ｏｓ ｓ ｓ、 ｏ
ｓ ５＊〕６、補１１亡のχ・ｊ象 ｌ）明細書第２頁１７行の［・・・・・・不利があり、
これ５二ついてはさらに」１に：［・・・・・・不利が
ある。また、さらに］と捕正する。 ２）明Ｓ齋第３目６行の［これらの不法」ｔ「これらの
方法」と補正する。 以上
、１１４１図は方形の補強材料、１８２図は単結晶棒の
半径にほぼ近い曲率なもつ補強材料を使用した場合を示
したものである。 ｌ・・・・単結晶棒、２・・・・補強材料、８・・・・
接着剤、 ４・・・・支持台、５・・・・固定治具、６
・・・・ブレード。 特許出願人 信越化学工業株式会社 第１図 第オ図 手続補正書 昭和５８年４月 益 日 特６，１庁！ｋＮ 若杉和夫 殿 １、’Ｊｉ−件の表示 昭和５７年特許願第４３４２１号 ２、発明の名称 単結晶の切断方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２０６） 信越化学工業株式会社４、代 理
人 住 所 〒１０３東京都中央区日本橋本町４丁目９番地
永井ビル〔電話東京（２７０） Ｏｓ ｓ ｓ、 ｏ
ｓ ５＊〕６、補１１亡のχ・ｊ象 ｌ）明細書第２頁１７行の［・・・・・・不利があり、
これ５二ついてはさらに」１に：［・・・・・・不利が
ある。また、さらに］と捕正する。 ２）明Ｓ齋第３目６行の［これらの不法」ｔ「これらの
方法」と補正する。 以上
Claims (1)
- 単結晶の切断部位に結晶に沿って補強材料を接着し、そ
の切断をこの補強材料から開始することを特徴とする単
結晶の切断方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342182A JPS58160107A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 単結晶の切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342182A JPS58160107A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 単結晶の切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58160107A true JPS58160107A (ja) | 1983-09-22 |
Family
ID=12663231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4342182A Pending JPS58160107A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 単結晶の切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58160107A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140198A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-02 | Hitachi Metals Ltd | Crystal working process |
| JPS5688879A (en) * | 1979-11-09 | 1981-07-18 | Carborundum Co | Molten aluminaazirconia abrasive |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP4342182A patent/JPS58160107A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140198A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-02 | Hitachi Metals Ltd | Crystal working process |
| JPS5688879A (en) * | 1979-11-09 | 1981-07-18 | Carborundum Co | Molten aluminaazirconia abrasive |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI249785B (en) | Method of chamfering semiconductor wafer | |
| US4084354A (en) | Process for slicing boules of single crystal material | |
| JPS6135330A (ja) | 超ミクロトーム用工具の加工方法 | |
| JP2011031386A (ja) | 電着式固定砥粒ワイヤーおよびこれを用いた結晶スライス方法 | |
| JP2019141974A (ja) | 両面ラップ盤とそれを用いた薄肉ファインセラミックスの研削方法 | |
| JPS6352972A (ja) | 切断砥石 | |
| JPS58160107A (ja) | 単結晶の切断方法 | |
| US4114226A (en) | Wear resistant alpha alumina article useful to clean magnetic tape and the process of producing said | |
| JP3112483B2 (ja) | 眼内レンズ支持部材のバリ取り加工方法 | |
| JP2514545B2 (ja) | 超砥粒砥石の再生方法 | |
| JP2003231061A (ja) | セグメント型砥石車 | |
| JP4955200B2 (ja) | 剥離可能なタンタル酸リチウム単結晶複合基板 | |
| JPH0912328A (ja) | ホイールカッター及びその製造方法 | |
| JP2002205255A (ja) | ワイヤソーによる切断方法およびそれに用いる切断装置 | |
| JPS6311273A (ja) | ラツピング加工方法 | |
| JPS58145408A (ja) | 単結晶の切断方法 | |
| JP2004181575A (ja) | レジノイド超砥粒ホイールの製造方法 | |
| JPS6427859A (en) | Method for grinding hard and brittle material | |
| JP7318216B2 (ja) | 結晶インゴットの固定方法、結晶インゴットの切断方法、及び、ワイヤーソー装置用台座 | |
| JPS62119006A (ja) | 単結晶の切断方法 | |
| JP2002111420A (ja) | 弾性表面波素子用ウエハ及びその作製方法 | |
| JPS61257772A (ja) | 砥石ツル−イング方法 | |
| JPH08309668A (ja) | 内周刃砥石の製造方法 | |
| JPH09309070A (ja) | 研削ホイール用ドレッシング材 | |
| JPS6211989B2 (ja) |