JPS58145408A - 単結晶の切断方法 - Google Patents
単結晶の切断方法Info
- Publication number
- JPS58145408A JPS58145408A JP2713282A JP2713282A JPS58145408A JP S58145408 A JPS58145408 A JP S58145408A JP 2713282 A JP2713282 A JP 2713282A JP 2713282 A JP2713282 A JP 2713282A JP S58145408 A JPS58145408 A JP S58145408A
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- Japan
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- single crystal
- cutting
- crystal
- cut
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単結晶の切断方法、特にはガドーニクム・ガラ
ラム・ガーネット、リチウムタンタレートなどの単結晶
棒なりエム−に加工するための切断方法に関するもので
ある。
ラム・ガーネット、リチウムタンタレートなどの単結晶
棒なりエム−に加工するための切断方法に関するもので
ある。
ガドリニウム・ガララム・ガーネット（以下ＧＧＧと略
記する）、リチウムタンタレート（以下ＬｉＴａ０．と
略記する）などの単結晶棒の切断加工については、これ
らがＶツコン単結晶に（らべて硬く、かつもろいという
ことからすでに各種の方法が提案されている。すなわち
、例えばこのＧＧＧ単結晶の切断についてはその円柱状
の単結晶をその円柱軸を一定の結晶万位で回転させつつ
内刃式のダイヤモンドカッターで切断するという方法が
提案されている（米■特許＄４．０８４．Ｓ８４号参照
）が、この場合には切断された円板の周縁にチッピング
が生じるという不利がある。また、このＬｉＴａ０．単
結晶の切断については、それがある結晶方位においてク
ラックの発止が多いことから、この切断をそのＹ釉から
ある特定範−に傾けた方向から行なうという方法が特開
昭５３−６４６９８、特開昭５！！−６１４１７、特開
昭５Ｓ−８１１１１などで提案されているが、これには
切断すべき結晶棒′を特定の方向に取付ける必要がある
ため作業が複雑になるほか、特別の割出し装置が必要に
なるという不利があり、これについてはさらにその結晶
表面を０．１〜０．５■の厚さにすｙドペーパーなどで
みがき取っておく方法、結晶の一部分をすり落しておく
方法も特開昭５３−６４７００．特開昭５３−４５１８
７ｊして提案されているが、これらも工程が複雑になる
という不利がある。
記する）、リチウムタンタレート（以下ＬｉＴａ０．と
略記する）などの単結晶棒の切断加工については、これ
らがＶツコン単結晶に（らべて硬く、かつもろいという
ことからすでに各種の方法が提案されている。すなわち
、例えばこのＧＧＧ単結晶の切断についてはその円柱状
の単結晶をその円柱軸を一定の結晶万位で回転させつつ
内刃式のダイヤモンドカッターで切断するという方法が
提案されている（米■特許＄４．０８４．Ｓ８４号参照
）が、この場合には切断された円板の周縁にチッピング
が生じるという不利がある。また、このＬｉＴａ０．単
結晶の切断については、それがある結晶方位においてク
ラックの発止が多いことから、この切断をそのＹ釉から
ある特定範−に傾けた方向から行なうという方法が特開
昭５３−６４６９８、特開昭５！！−６１４１７、特開
昭５Ｓ−８１１１１などで提案されているが、これには
切断すべき結晶棒′を特定の方向に取付ける必要がある
ため作業が複雑になるほか、特別の割出し装置が必要に
なるという不利があり、これについてはさらにその結晶
表面を０．１〜０．５■の厚さにすｙドペーパーなどで
みがき取っておく方法、結晶の一部分をすり落しておく
方法も特開昭５３−６４７００．特開昭５３−４５１８
７ｊして提案されているが、これらも工程が複雑になる
という不利がある。
本発明はこれらの不利を解決した単結晶の切断方法に関
するものであり、これは単結晶の表面を被覆し、これを
その被覆面から切断することを特徴とするものである。
するものであり、これは単結晶の表面を被覆し、これを
その被覆面から切断することを特徴とするものである。
これを説明すると、本発明者らはＧＧＧ。
Ｌ ｉ Ｔ ａ Ｏｓ などの単結晶の効果的切断方法
について種々検討の結果、目的とする単結晶棒の表面な
エポキシ樹脂で被覆したのち、切断したところ、クラッ
クの発生が防止されることを見出し、これについてさら
に検討を進めた結果、これには単結晶表面を適宜の硬さ
と接着性をもつ材料で被覆し、その表面に被覆層を設け
ればよいことを確認して本発明を完成させた。
について種々検討の結果、目的とする単結晶棒の表面な
エポキシ樹脂で被覆したのち、切断したところ、クラッ
クの発生が防止されることを見出し、これについてさら
に検討を進めた結果、これには単結晶表面を適宜の硬さ
と接着性をもつ材料で被覆し、その表面に被覆層を設け
ればよいことを確認して本発明を完成させた。
本発明の方法における単結晶としてはベルヌイ法、チ目
コラルスキー法、浮遊帯域法などで作られる各種の単結
晶があげられ、これには前記したＧ Ｇ Ｇ 、’ Ｌ
ｉ Ｔ ａ Ｏ、Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ＠などのような
酸化物単結晶のほか、半導体用の金属けい素、Ｇａ−Ｐ
。
コラルスキー法、浮遊帯域法などで作られる各種の単結
晶があげられ、これには前記したＧ Ｇ Ｇ 、’ Ｌ
ｉ Ｔ ａ Ｏ、Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ＠などのような
酸化物単結晶のほか、半導体用の金属けい素、Ｇａ−Ｐ
。
Ｇａ＊Ａｓなどの化合物半導体単結晶などが例示される
が、これらはいずれも本発明の方法によってクラック、
さらにはチッピングを発生することな（ウニへ−加工す
ることができる。
が、これらはいずれも本発明の方法によってクラック、
さらにはチッピングを発生することな（ウニへ−加工す
ることができる。
本発明の方法に使用される被覆材料としては、前記した
ようにこれが適度の、硬度と接着性をもつものでなけれ
ばならないということから、各種の熱硬化性樹脂、例え
ばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂など、あるいはこれ
らの樹脂に酸化アルミニウム、二酸化けい素の粉末など
を混合したものが例示されるが、これはまたアルミナ焼
結砥石などの薄片を各種の接着剤で鎗着するようにして
もよく、この場合にはドレッシング効果が付与されるの
で、切断用のカッターの１詰りか防止されるという副次
的効果が与えられる。
ようにこれが適度の、硬度と接着性をもつものでなけれ
ばならないということから、各種の熱硬化性樹脂、例え
ばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂など、あるいはこれ
らの樹脂に酸化アルミニウム、二酸化けい素の粉末など
を混合したものが例示されるが、これはまたアルミナ焼
結砥石などの薄片を各種の接着剤で鎗着するようにして
もよく、この場合にはドレッシング効果が付与されるの
で、切断用のカッターの１詰りか防止されるという副次
的効果が与えられる。
本発明方法の実施は目的とする単結晶棒に上記した被覆
剤を倫布し、必要に応じこれを加熱して単結晶棒の表面
に被覆層な形成させたのち、これをダイヤモンドカッタ
ーで切断すればよい。この場合の被覆の厚さは任意とさ
れるが、エポキシ樹脂あるいはこれに酸化アルミニウム
粉末な混合したものを使用する場合（；ホこの被覆の厚
ネを０．５〜３−の厚さとなるようにすればよく、これ
によれば目的とする単結晶を任意の方向からクラックな
どの発生なしに切断することができるほか、これによっ
て切り出されたクエハーなとの周縁部分でのチッピング
も防止することができるので、Ｇ Ｇ Ｇ、ＬｉＴａ０
． 、 ＬｉＮｂｏ、などを極めて効率よ（切断するこ
とができるという効果が与えられる。なお、この切断に
当っては、目的とする単結晶に前記した被覆加工を施し
たのち、これを公知の手法で支持台を介して切断機械の
固定治具に固定しておくことがよく、これによればより
容易に切断加工することができる。
剤を倫布し、必要に応じこれを加熱して単結晶棒の表面
に被覆層な形成させたのち、これをダイヤモンドカッタ
ーで切断すればよい。この場合の被覆の厚さは任意とさ
れるが、エポキシ樹脂あるいはこれに酸化アルミニウム
粉末な混合したものを使用する場合（；ホこの被覆の厚
ネを０．５〜３−の厚さとなるようにすればよく、これ
によれば目的とする単結晶を任意の方向からクラックな
どの発生なしに切断することができるほか、これによっ
て切り出されたクエハーなとの周縁部分でのチッピング
も防止することができるので、Ｇ Ｇ Ｇ、ＬｉＴａ０
． 、 ＬｉＮｂｏ、などを極めて効率よ（切断するこ
とができるという効果が与えられる。なお、この切断に
当っては、目的とする単結晶に前記した被覆加工を施し
たのち、これを公知の手法で支持台を介して切断機械の
固定治具に固定しておくことがよく、これによればより
容易に切断加工することができる。
つぎに本発明方法の実施例をあげる。
実施例１
＜１１１＞方向に引上げた直径１１００ａ、長さ１５Ｇ
鵬のＧＧＧ単結晶の表面にエボキＶ系接着剤２−ポンド
ｃ日化精工株式会社製、商品名）を塗布して、ここに厚
さｌ■の被覆を形成させたのち、内刃式ダイヤモンドカ
ッターで６１／分の速さで切断して厚さｌ−のウニ八−
としたところ、この単結晶にはクラックが全く発生せず
、このウニ八−にはチッピングも認められなかった。
鵬のＧＧＧ単結晶の表面にエボキＶ系接着剤２−ポンド
ｃ日化精工株式会社製、商品名）を塗布して、ここに厚
さｌ■の被覆を形成させたのち、内刃式ダイヤモンドカ
ッターで６１／分の速さで切断して厚さｌ−のウニ八−
としたところ、この単結晶にはクラックが全く発生せず
、このウニ八−にはチッピングも認められなかった。
しかし、比較のためにこの・被覆処理を全く行なわず、
引上げで得られたＧＧＧ単結晶をそのままの状態で内刃
式ダイヤモンドカッターの治具に固定して同様に切断し
たところ、結晶にクラックが発生し、得られたウニ八−
もその周縁部にチッピングを伴なうものであった。
引上げで得られたＧＧＧ単結晶をそのままの状態で内刃
式ダイヤモンドカッターの治具に固定して同様に切断し
たところ、結晶にクラックが発生し、得られたウニ八−
もその周縁部にチッピングを伴なうものであった。
実施例 ２
Ｘ軸方向に引上げた直径６０■、長さ８０■のＬ Ｉ
Ｔ ａ Ｏｓ単結晶の表面にエポキシ系接着剤２−ポン
ド（前出）を塗布してその表面に厚さ２−の被つニへ−
としたところ、この単結晶にはクラックが全く生ぜず、
得られたウニ八−にもチッピングはみとめられなかった
。
Ｔ ａ Ｏｓ単結晶の表面にエポキシ系接着剤２−ポン
ド（前出）を塗布してその表面に厚さ２−の被つニへ−
としたところ、この単結晶にはクラックが全く生ぜず、
得られたウニ八−にもチッピングはみとめられなかった
。
しかし、比較のためにこの被覆処理を行なわずに、引上
げで得られたＬ Ｉ Ｔ ａ Ｏｓ単結晶をそのままの
状態でダイヤモンドカッターの治具に固定して同様に切
断したところ、この場合には結晶にクラックが発圧し、
得られたウニ八−もその周縁部にチッピング部をもつも
のであった。
げで得られたＬ Ｉ Ｔ ａ Ｏｓ単結晶をそのままの
状態でダイヤモンドカッターの治具に固定して同様に切
断したところ、この場合には結晶にクラックが発圧し、
得られたウニ八−もその周縁部にチッピング部をもつも
のであった。
特許比−人 信越化学工業株式会社
代珊人弁珊士山本亮１．：ｊｉＨ
Claims (1)
- １、単結晶の表面を被覆し、ついでこれをその被覆面か
ら切断することを特徴とする単結晶の切断方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2713282A JPS58145408A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 単結晶の切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2713282A JPS58145408A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 単結晶の切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58145408A true JPS58145408A (ja) | 1983-08-30 |
| JPH0255938B2 JPH0255938B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=12212520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2713282A Granted JPS58145408A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 単結晶の切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58145408A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4989477A (ja) * | 1972-12-27 | 1974-08-27 | ||
| JPS5632369A (en) * | 1979-06-29 | 1981-04-01 | Minnesota Mining & Mfg | Manufacture of abrasive ore* abrasive ore* claddwork abrasive product* abrasive wheel and nonwoven abrasive product |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2713282A patent/JPS58145408A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4989477A (ja) * | 1972-12-27 | 1974-08-27 | ||
| JPS5632369A (en) * | 1979-06-29 | 1981-04-01 | Minnesota Mining & Mfg | Manufacture of abrasive ore* abrasive ore* claddwork abrasive product* abrasive wheel and nonwoven abrasive product |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0255938B2 (ja) | 1990-11-28 |
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