JPS58157795A - ゼロ価ニツケル錯体の調製法 - Google Patents
ゼロ価ニツケル錯体の調製法Info
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はゼロ仙1ニッケル錯体(zerovalent
nickel complexes)の連続的調製法を
指向するものであり、さらに特定的にいうと、弐N;(
t)4を有し9式中りが、+1機リンな含む配イJ子(
IilZand)である油体の埋絖的解1装法を指向す
るものである。
nickel complexes)の連続的調製法を
指向するものであり、さらに特定的にいうと、弐N;(
t)4を有し9式中りが、+1機リンな含む配イJ子(
IilZand)である油体の埋絖的解1装法を指向す
るものである。
細く粉砕されたニッケル粉末とある柚の配位子ケ有機″
ロゲン化物(organochloridite)とニ
トリル溶媒の存在下で反応させてゼロ1曲ニッケル触媒
を調製することについての一般的な化学は1975年9
月20に発行されたH、 Ii”、 5hook 77
:どの米し!81特許5,905.1 ’2 []に記
載されている。
ロゲン化物(organochloridite)とニ
トリル溶媒の存在下で反応させてゼロ1曲ニッケル触媒
を調製することについての一般的な化学は1975年9
月20に発行されたH、 Ii”、 5hook 77
:どの米し!81特許5,905.1 ’2 []に記
載されている。
本発明は前記特訂中にSL載された発明の改良である。
本発明は一般式N1(T、)4を有し9式中りが中性配
位子、 7+lJえば2式p(oAr)3であって式中
A、rが炭素数181161以下のアリール基であるも
のを廟する配位子であるセロ価ニッケル卸体を〕ル続的
に製造するための改良された方法であって、それは1ノ
のニッケル当り少くとも約800an2の表面種を(3
) 有する元素態ニッケルを2反応媒質中の液体の重量を基
準としてLを少くとも50市問[有]、4〜20個の炭
素原子を有する有機二) IJルを少くとも2車量係お
よび有機ハロゲン化物として少くともI D D pp
m CAを含むか丑たはそれらからなる反応媒′1中で
埋什的に接触させ、+の間反応l^1□ja′(”C)
を102−D、375x(Lの*鉱%)に寺しい最低温
度と58.3 +[J、 725 X (Lの車−一%
)に等しい最高1席度で限定情れる1lILλ囲内に保
持することおよび反応生成物を、未反応のニッケルかあ
りそれから分離した後回収することからなる。
位子、 7+lJえば2式p(oAr)3であって式中
A、rが炭素数181161以下のアリール基であるも
のを廟する配位子であるセロ価ニッケル卸体を〕ル続的
に製造するための改良された方法であって、それは1ノ
のニッケル当り少くとも約800an2の表面種を(3
) 有する元素態ニッケルを2反応媒質中の液体の重量を基
準としてLを少くとも50市問[有]、4〜20個の炭
素原子を有する有機二) IJルを少くとも2車量係お
よび有機ハロゲン化物として少くともI D D pp
m CAを含むか丑たはそれらからなる反応媒′1中で
埋什的に接触させ、+の間反応l^1□ja′(”C)
を102−D、375x(Lの*鉱%)に寺しい最低温
度と58.3 +[J、 725 X (Lの車−一%
)に等しい最高1席度で限定情れる1lILλ囲内に保
持することおよび反応生成物を、未反応のニッケルかあ
りそれから分離した後回収することからなる。
本発明の方法が適用される触媒は配位子りをもったニッ
ケルのゼロ価錯体であって、その配位子は式PZ、であ
って9式中ZがRもしくはOR,であり、Rが炭素原子
数18以下のアルキルもしくはアリール基である式によ
ってきらに限定される。
ケルのゼロ価錯体であって、その配位子は式PZ、であ
って9式中ZがRもしくはOR,であり、Rが炭素原子
数18以下のアルキルもしくはアリール基である式によ
ってきらに限定される。
こレラのアリール基を例示するとメトキシフェニル、ト
リル、キシリルおよびフェニルである。In−およびp
−ト’Jルおよびそれらの混合物は好適なアリール基
である。
リル、キシリルおよびフェニルである。In−およびp
−ト’Jルおよびそれらの混合物は好適なアリール基
である。
(4)
Ai前記のニッケル卸体は触媒として、しIJえは4〜
20個の炭素原子を治する任意の非共役エチレン性不庖
第1]有磯ニドIJルのシアン化水系化(11ydr。
20個の炭素原子を治する任意の非共役エチレン性不庖
第1]有磯ニドIJルのシアン化水系化(11ydr。
cydnatinn)において、2時にペンテンニトリ
ル。
ル。
例えばシス−およびトランス3−ペンテンニトリル(3
PN)、4−ペンテンニトリル(4PN)、ならびにそ
れらの混合物(3,4−PN’s)をシアン化水素化し
てアジポニトリル(AI)N)’lr[!造するときに
使i+1キれる。アジポニトリルは1次いで。
PN)、4−ペンテンニトリル(4PN)、ならびにそ
れらの混合物(3,4−PN’s)をシアン化水素化し
てアジポニトリル(AI)N)’lr[!造するときに
使i+1キれる。アジポニトリルは1次いで。
繊維、フィルムおよび成型品を作るのに有用で。
商業生産されるポリアミドであるポリヘキサメチレンア
ジパミドを製造するのに用いられる。
ジパミドを製造するのに用いられる。
これらのニッケル触媒を用いる工程は連続的に¥施され
るので、その触媒を連続的な方法で調製することが好ま
しい。若干の変化fz (variables)がその
触媒調製糸の生産性に著しい効果を及ぼし。
るので、その触媒を連続的な方法で調製することが好ま
しい。若干の変化fz (variables)がその
触媒調製糸の生産性に著しい効果を及ぼし。
受は入れ可能な生産性(以下許容生産性という)を実現
するために若干の自明でない未#(榮杆)が適用される
ように相互に作用させねばならぬことが発見された。生
産性に最も者しい効果を有する変化量は反応温度ならひ
に配位子および溶媒の濃度である。許容生産性を実現す
るためには、系に専入するニッケル粉末の表面種および
ハロゲン化物廓媒の濃度もまた制御しなければならない
。
するために若干の自明でない未#(榮杆)が適用される
ように相互に作用させねばならぬことが発見された。生
産性に最も者しい効果を有する変化量は反応温度ならひ
に配位子および溶媒の濃度である。許容生産性を実現す
るためには、系に専入するニッケル粉末の表面種および
ハロゲン化物廓媒の濃度もまた制御しなければならない
。
1時間当り2反応媒質1j当り0479ノ(1時間当り
反応媒質1ガロン当り4.0X10 ポンド)より低
い生産性では受は入れ不可能である。
反応媒質1ガロン当り4.0X10 ポンド)より低
い生産性では受は入れ不可能である。
存在する配位子が多過ぎ゛るかもしくは少なすきるとき
には生産性は急激に減少するから9反応中の配位子濃度
はある限度内に維持しなければならない。一般的につい
て、配位子は2反応媒質中のにニッケル粉末を除く)配
位子の重量を基準として少くとも50重肘係が存在して
いて2反応φ件における若干の変化が許容でき、その結
果許容生産性が維持されるようにしなければならない。
には生産性は急激に減少するから9反応中の配位子濃度
はある限度内に維持しなければならない。一般的につい
て、配位子は2反応媒質中のにニッケル粉末を除く)配
位子の重量を基準として少くとも50重肘係が存在して
いて2反応φ件における若干の変化が許容でき、その結
果許容生産性が維持されるようにしなければならない。
配位子の濃度が500車量係越えて増加すると、糸の生
産性は約88〜92重量係の配位子のところで最大にな
り、それ以上配位子濃度を増すと生産性は減少し始める
。配位子濃度が約98車t%に達すると、生産性はかろ
うじて受は入れ可能な程度になり、大さつげにいって5
0車1tl−係の呪位子が存在するときに実現される生
産性に+11当する。
産性は約88〜92重量係の配位子のところで最大にな
り、それ以上配位子濃度を増すと生産性は減少し始める
。配位子濃度が約98車t%に達すると、生産性はかろ
うじて受は入れ可能な程度になり、大さつげにいって5
0車1tl−係の呪位子が存在するときに実現される生
産性に+11当する。
配位子濃度約7D〜92車中二%において不発明の方法
を実施するのが好寸しい。
を実施するのが好寸しい。
本発明の方法においては温度は第二の主要な変化量であ
る。温度を上昇することによって加速することができる
多くの反応と異り2本つ6明の反応の生産性は、生産性
が最大になる1では温度上昇とともに急激にj・r/加
することが発見された。それ以上に幅IW全上昇させる
と生産性は急激に減少してし捷う。そのト、最高速m゛
が実現される温IWは。
る。温度を上昇することによって加速することができる
多くの反応と異り2本つ6明の反応の生産性は、生産性
が最大になる1では温度上昇とともに急激にj・r/加
することが発見された。それ以上に幅IW全上昇させる
と生産性は急激に減少してし捷う。そのト、最高速m゛
が実現される温IWは。
許容可能な反応速度を得るだめの最低および最高幅If
と同様に反応媒質中にイf在する配位子の濃度に依存す
ることが発見された。許容生唾性が得られる最低温度(
Tmin)は等式: Tm i n(−0) = 10
2−0、375 X (重用%L)により定義され、一
方許容生産性75: (4+られる最高幅朋(Tm、l
x)は等式:%式%) り定44される。与えらfした配位子隈J糺で最話の生
産性が実現される温度はi’m i nと゛”maxの
大体中間である。このようにして9反応妹質中の配位子
濃度に対応もしくは1へ存してIl+7を度を制σ」1
することによって、生産性を最高にすることができる1
、前記の考察により許容生産性を得るためには。
と同様に反応媒質中にイf在する配位子の濃度に依存す
ることが発見された。許容生唾性が得られる最低温度(
Tmin)は等式: Tm i n(−0) = 10
2−0、375 X (重用%L)により定義され、一
方許容生産性75: (4+られる最高幅朋(Tm、l
x)は等式:%式%) り定44される。与えらfした配位子隈J糺で最話の生
産性が実現される温度はi’m i nと゛”maxの
大体中間である。このようにして9反応妹質中の配位子
濃度に対応もしくは1へ存してIl+7を度を制σ」1
することによって、生産性を最高にすることができる1
、前記の考察により許容生産性を得るためには。
反応媒質中にニトリル溶媒が存在する必要が必る。
モノニトリル、例えば4〜20個の炭素原子を有する任
慧の非共役、エチレン性不飽和有磯ニトリル、待にろ−
PN、4−PNおよび3 、4− PN’sがニトリル
溶媒として使用できる。ジニトリル。
慧の非共役、エチレン性不飽和有磯ニトリル、待にろ−
PN、4−PNおよび3 、4− PN’sがニトリル
溶媒として使用できる。ジニトリル。
特に前記のモノニトリルのシアン化水素化生成物。
例えばアジポニトリル、メチルゲルタロニトリルおよび
エチルスクシノニトリルもまた有効な溶媒である。反応
媒質中の配位子の車量を基準として一般に6〜12市量
%、好ま[7くは8〜11重量係の二) IJルが使用
されるが、他の変化量がそれらの最高値もしくはその極
〈近い領に維持されるならば2車量%程度の少量でも用
い得る1、約20重量%をこえる醗媒?弗度は好ましく
ない。
エチルスクシノニトリルもまた有効な溶媒である。反応
媒質中の配位子の車量を基準として一般に6〜12市量
%、好ま[7くは8〜11重量係の二) IJルが使用
されるが、他の変化量がそれらの最高値もしくはその極
〈近い領に維持されるならば2車量%程度の少量でも用
い得る1、約20重量%をこえる醗媒?弗度は好ましく
ない。
許容生産性を得るためにはニッケルの反応のための触媒
がニトリル溶媒中に存在することも必要である。適当な
j畦媒としては式(R2O)述′yPX2であって2式
中1(′とR,“が炭素原子数18個以下のアルギルも
しくはアリール基で、この両者は同一かもしくはy4る
ものであり、Xと2は1〜2でありr Yfは0もし
くは1であり、かつX+ Yおよび2のオ目は6であ
り、そしてXが塩素基、臭素基およびヨウ素基から々る
群から選はれるハロゲン基である櫓4幾ハロゲン化!1
勿ンゲ含捷れる。ll1lI!媒は、その場所で(in
situ)、少くとも2個のaop帖合を有する適当な
配位子、Lを、開始剤としての適自身ハロゲン化物源9
例えばリンのハロゲン化物も1−〈ハアルキル要換妊れ
たハロゲン化m(例:CH5PC,/、2)とともに反
応きせることにより遂行もしくは調製することができる
。これらのハロゲン(lj物を生成するのに有用々他の
化合物は当業者にとって自明である。(反応中の液体の
重−を基準として)ハロゲン化物として少くとも約io
o。
がニトリル溶媒中に存在することも必要である。適当な
j畦媒としては式(R2O)述′yPX2であって2式
中1(′とR,“が炭素原子数18個以下のアルギルも
しくはアリール基で、この両者は同一かもしくはy4る
ものであり、Xと2は1〜2でありr Yfは0もし
くは1であり、かつX+ Yおよび2のオ目は6であ
り、そしてXが塩素基、臭素基およびヨウ素基から々る
群から選はれるハロゲン基である櫓4幾ハロゲン化!1
勿ンゲ含捷れる。ll1lI!媒は、その場所で(in
situ)、少くとも2個のaop帖合を有する適当な
配位子、Lを、開始剤としての適自身ハロゲン化物源9
例えばリンのハロゲン化物も1−〈ハアルキル要換妊れ
たハロゲン化m(例:CH5PC,/、2)とともに反
応きせることにより遂行もしくは調製することができる
。これらのハロゲン(lj物を生成するのに有用々他の
化合物は当業者にとって自明である。(反応中の液体の
重−を基準として)ハロゲン化物として少くとも約io
o。
fiしくは150−500 ppm C#が存在しなけ
れは不動では々い。30 rl ppm Ceより多く
を用いることはできるが、このような高レベルにょる利
益は疑わしい。
れは不動では々い。30 rl ppm Ceより多く
を用いることはできるが、このような高レベルにょる利
益は疑わしい。
ニッケル金属は2反応のための衣m1積が大きくなるよ
うに泊11<粉砕した形医で反圧、中ヘノ弊人−ずべき
であるか、初子寸法を小さくしすき゛て、未1y応のニ
ッケル?反応生成物から分A1[するのに困・〃tをき
たしてはいけ寿い。表面A″!¥はニッケル1y−当り
少くとも800.好壕しくは800〜2000(:ru
2とすべさである。適当なニック゛ルWとし7てはTn
ternational N1ce1社か市販している
“ケミカル グレードニッケルかある。ニッケルの吊は
その粒子寸法および表面積、すなわちそのニッケルの反
応性に依存するが、過剰のニッケルを用いることが好ま
しい。一般に4〜10倍過剰を用いうるが、この址より
多くをI[lいても少しの効果しか現れない。
うに泊11<粉砕した形医で反圧、中ヘノ弊人−ずべき
であるか、初子寸法を小さくしすき゛て、未1y応のニ
ッケル?反応生成物から分A1[するのに困・〃tをき
たしてはいけ寿い。表面A″!¥はニッケル1y−当り
少くとも800.好壕しくは800〜2000(:ru
2とすべさである。適当なニック゛ルWとし7てはTn
ternational N1ce1社か市販している
“ケミカル グレードニッケルかある。ニッケルの吊は
その粒子寸法および表面積、すなわちそのニッケルの反
応性に依存するが、過剰のニッケルを用いることが好ま
しい。一般に4〜10倍過剰を用いうるが、この址より
多くをI[lいても少しの効果しか現れない。
前記の教示にしたかつて調製した触媒は、6゜4− P
N’sのような不飽和モノニトリルの連緋的なシアン化
水素化に用いたとき、イケ1かK 部分的に減損するだ
けである。触媒はシアン化水素化反応生成物から、好芳
しくは抽出法2例えば1976年11月20日に発行さ
れた米国特許3,773,809に61載の方法で回収
し、消費された触媒を除去した債、この一部減損した触
媒を再び本発明の方法にしたがってニッケル粉末と反応
させる。再生された触媒は次いでシアン化水素化に決さ
れる。次の実施例は本発明を説明するためであって、そ
れを限定するだめのものではない。部および係は別記し
ない限り*量による。
N’sのような不飽和モノニトリルの連緋的なシアン化
水素化に用いたとき、イケ1かK 部分的に減損するだ
けである。触媒はシアン化水素化反応生成物から、好芳
しくは抽出法2例えば1976年11月20日に発行さ
れた米国特許3,773,809に61載の方法で回収
し、消費された触媒を除去した債、この一部減損した触
媒を再び本発明の方法にしたがってニッケル粉末と反応
させる。再生された触媒は次いでシアン化水素化に決さ
れる。次の実施例は本発明を説明するためであって、そ
れを限定するだめのものではない。部および係は別記し
ない限り*量による。
実施例■
本発明の方法を、@公的にg損したリサイクル触媒を受
入れながら連続的に操作する場合の条件を模擬するため
に、米国特、杵3,903,120の実施例I−Aの教
示にしたがって、ゼロ価ニッケル1モル当りm−(70
%)とp−(30%)−トリトリルホスファイトの混合
物(TTP)10.5モルの割合でTTP 濃度80%
t m−(70%)yp−(30%)−ジトリルホスフ
オロクロリダイトとして200 ppm CLおよび3
−PN#+媒18%を含む、リサイクル流分(stre
am)の近似組成物溶液を調製する。この溶液を攪拌中
の反応器内へ連続的に導入する。反応器の内容物を水蒸
気ジャケットを用いて表に示されている温度に維持し、
供給速度を調節してホールドアツプ(停滞)時間が10
時間になるようにする。ニッケル1ノ当り1600CI
rL2の表面積を有するニッケル粉末を加えて液体10
0y−当り6y−のNi粉末の濃度を維持する。ニッケ
ル粉末は、ニッケルカルボニル’r200℃で熱分解し
て生成した。この方法は高純度製品を生成するものであ
る。このようなニッケル粉末は曲標名lNC012,1
5を付けて市販されている。
入れながら連続的に操作する場合の条件を模擬するため
に、米国特、杵3,903,120の実施例I−Aの教
示にしたがって、ゼロ価ニッケル1モル当りm−(70
%)とp−(30%)−トリトリルホスファイトの混合
物(TTP)10.5モルの割合でTTP 濃度80%
t m−(70%)yp−(30%)−ジトリルホスフ
オロクロリダイトとして200 ppm CLおよび3
−PN#+媒18%を含む、リサイクル流分(stre
am)の近似組成物溶液を調製する。この溶液を攪拌中
の反応器内へ連続的に導入する。反応器の内容物を水蒸
気ジャケットを用いて表に示されている温度に維持し、
供給速度を調節してホールドアツプ(停滞)時間が10
時間になるようにする。ニッケル1ノ当り1600CI
rL2の表面積を有するニッケル粉末を加えて液体10
0y−当り6y−のNi粉末の濃度を維持する。ニッケ
ル粉末は、ニッケルカルボニル’r200℃で熱分解し
て生成した。この方法は高純度製品を生成するものであ
る。このようなニッケル粉末は曲標名lNC012,1
5を付けて市販されている。
液体生成物をニッケル粉末から遠心分離し、ニッケルの
固形物は反応器へ戻す。溶解性のゼロ価ニッケルの生成
速度は表中に記載されている。
固形物は反応器へ戻す。溶解性のゼロ価ニッケルの生成
速度は表中に記載されている。
実施例II〜■
反応温度を変えたことを除き実施例I金繰り返えす。そ
の結果は表中に報告されている。
の結果は表中に報告されている。
1 95 0.958 (8,0
)2 72 0.503 (4,
2)3 116 0.539 (4
,5)4 85 0.803 (
6,7)5 105 0.875
(7,3)実施例■ 反応器へのフィード中のT T P &N度を60重量
%とし、ペンテンニトリル溶媒の濃度を68重量%とし
たことを除き、実施例■を繰り返えす。生産性は0.6
47ノ/時間−7(3,4X10 ポンド/時間−ガ
ロン)である。
)2 72 0.503 (4,
2)3 116 0.539 (4
,5)4 85 0.803 (
6,7)5 105 0.875
(7,3)実施例■ 反応器へのフィード中のT T P &N度を60重量
%とし、ペンテンニトリル溶媒の濃度を68重量%とし
たことを除き、実施例■を繰り返えす。生産性は0.6
47ノ/時間−7(3,4X10 ポンド/時間−ガ
ロン)である。
実施例V’II
反応器へのフィード中の’I’ T P 71度を90
重量係、ベンテンニ) IJル溶媒の濃度を8.0 車
計%とじたことを除き、実施例■を灯り返えす。その生
産性け1.030JiI−7時間−7(3,6X10
ポンド/時間−ガロン)である。
重量係、ベンテンニ) IJル溶媒の濃度を8.0 車
計%とじたことを除き、実施例■を灯り返えす。その生
産性け1.030JiI−7時間−7(3,6X10
ポンド/時間−ガロン)である。
実施列前
反応器へのフィード中のTTP濃度を96重量係、ペン
テンニトリル溶媒の濃度を2重量%とじたことを除き、
実施例■を繰り返えす。その生産性は0.49Ly−/
時間−A(4,lX10 ポンド/時間−ガロン)で
ある。
テンニトリル溶媒の濃度を2重量%とじたことを除き、
実施例■を繰り返えす。その生産性は0.49Ly−/
時間−A(4,lX10 ポンド/時間−ガロン)で
ある。
実施例■
反応器へのフィード中のハロゲン化物濃度を100 p
pm CBとすることを除き、実施例Iを繰り返えす。
pm CBとすることを除き、実施例Iを繰り返えす。
その生産性は[J、793y−/時間−1(6,2X
10 ポンド/時間−ガロン)である。
10 ポンド/時間−ガロン)である。
比較例■
反応器へのフィード中のTTP濃度を98重量%、ペン
テンニトリル溶媒の濃度を0重量%とすることを除き、
実施例■を繰り返えす。その生産性は0.108ノ/時
間−7((J、9X10− ポンド/時間−ガロン)で
ある。
テンニトリル溶媒の濃度を0重量%とすることを除き、
実施例■を繰り返えす。その生産性は0.108ノ/時
間−7((J、9X10− ポンド/時間−ガロン)で
ある。
比較例■
反応器へのフィード中のハロゲン化物濃度を50 pp
m C,eとすることを除き実施例■を繰り返えす。そ
の生産性はu、156?/時間−7(l、3×10 ボ
ンド/時間−ガロン)である。
m C,eとすることを除き実施例■を繰り返えす。そ
の生産性はu、156?/時間−7(l、3×10 ボ
ンド/時間−ガロン)である。
比I数例ITJ
ニッケル粉末の表面積が20 cm2/ !fであるこ
とを除き実施例Iを繰り返えす。その生産性は0.41
9.i?/時間−、g (3,5ボンド/時間−ガロン
)である。
とを除き実施例Iを繰り返えす。その生産性は0.41
9.i?/時間−、g (3,5ボンド/時間−ガロン
)である。
特許出願人 イーアイ・デュ・ボン・ドウ・ヌムール
・アンド・カンパニー 代理人 弁理士 松 井 政 広(外1名)(15)
・アンド・カンパニー 代理人 弁理士 松 井 政 広(外1名)(15)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式N i (L ) 4を有し2式中りが弐P(
Z)、であって2式中ZがRもしくはORであり、Rが
炭素原子数18以下のアルキルもしくはアリール基であ
る中性の配位子であるゼロ価(zeroyalent)
ニッケル錯体を連続的に生成するための改良された方法
であって、ニッケル1y−当り少くとも約800鑞2の
表面積を有する元素態ニッケルを9反応媒質中の液体の
重量を基準として少くとも50重量係のり、少くとも2
重量係の4〜20個の炭素原子を有する有機ニトリルお
よび有機ハロゲン化物(organochloridi
te)として少くとも1100pp C,#を含む反
応媒質中で連続的に接触させ。 その間反応温度(°C)を102−0.375X(:i
量%L)に等しい最低温度および583+[1,725
×(1f量%I、)に等しい最高温度により限定される
卯、曲内に維持することからなる方法。 2、特許請求の範囲第1項記載の方法であって。 前記りの濃度が65〜90市量%の範囲内に昶持される
方法。 6 特許請求の靴囲第2項記載の方法であって。 前記有機ニトリルのa度が6〜12車′tjt%の祁囲
内に維持される方法。 4 特許請求の範囲第1,2もしくは6頃ij己俄の方
法であって、前記ニッケル粉末の表面積がニッケル1!
1−当り800〜2000cIIL2の範囲内Km持さ
れ、前記ハロゲン化物のmkWが1l50−300pp
CAの範囲内に維持されるものである方法。 5 特許請求の範囲第1項記載の方法であって。 前記りが弐P (OA r )−、であって2式中Ar
が炭素原子数18以下のアリール基である配位子である
方法。 6、特許請求の範囲第4項記載の方法であって。 前記りが弐P(OAr)sであって2式中Arが炭素原
子数18以下のアリール基である配位子である方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/351,421 US4416825A (en) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | Preparation of zerovalent nickel complexes |
US351421 | 1982-02-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58157795A true JPS58157795A (ja) | 1983-09-19 |
JPH0369915B2 JPH0369915B2 (ja) | 1991-11-05 |
Family
ID=23380859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58027103A Granted JPS58157795A (ja) | 1982-02-23 | 1983-02-22 | ゼロ価ニツケル錯体の調製法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4416825A (ja) |
JP (1) | JPS58157795A (ja) |
KR (1) | KR900003458B1 (ja) |
BE (1) | BE895990A (ja) |
CA (1) | CA1204119A (ja) |
DE (1) | DE3306311A1 (ja) |
FR (1) | FR2523974B1 (ja) |
GB (1) | GB2115421B (ja) |
IT (1) | IT1164587B (ja) |
LU (1) | LU84656A1 (ja) |
NL (1) | NL8300658A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013514258A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | インビスタ テクノロジーズ エス エイ アール エル | 塩基性炭酸ニッケルから生じさせたニッケル金属組成物およびニッケル錯体 |
JP2013536839A (ja) * | 2010-09-07 | 2013-09-26 | インヴィスタ テクノロジーズ エスアエルエル | ニッケル金属およびニッケル錯体を調製するためのニッケル組成物 |
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US4539302A (en) * | 1984-04-30 | 1985-09-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Recovery of zerovalent nickel complexes |
US6139445A (en) * | 1998-08-14 | 2000-10-31 | Frank D. Werner | Golf club face surface shape |
FR2850966B1 (fr) | 2003-02-10 | 2005-03-18 | Rhodia Polyamide Intermediates | Procede de fabrication de composes dinitriles |
FR2854892B1 (fr) | 2003-05-12 | 2005-06-24 | Rhodia Polyamide Intermediates | Procede de fabrication de dinitriles |
FR2854891B1 (fr) | 2003-05-12 | 2006-07-07 | Rhodia Polyamide Intermediates | Procede de preparation de dinitriles |
WO2007046799A1 (en) | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Invista Technologies S.A R.L. | Process of making 3-aminopentanenitrile |
EP2395010B1 (en) | 2006-03-17 | 2016-07-13 | Invista Technologies S.à.r.l. | Method for the purification of triorganophosphites by treatment with a basic additive |
US7880028B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-02-01 | Invista North America S.A R.L. | Process for making 3-pentenenitrile by hydrocyanation of butadiene |
US7919646B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-04-05 | Invista North America S.A R.L. | Hydrocyanation of 2-pentenenitrile |
US7709674B2 (en) | 2006-07-14 | 2010-05-04 | Invista North America S.A R.L | Hydrocyanation process with reduced yield losses |
CN101687658B (zh) | 2007-05-14 | 2013-07-24 | 因温斯特技术公司 | 高效反应器和方法 |
WO2008157218A1 (en) | 2007-06-13 | 2008-12-24 | Invista Technologies S.A.R.L. | Process for improving adiponitrile quality |
CN101910119B (zh) | 2008-01-15 | 2013-05-29 | 因温斯特技术公司 | 用于制备和精制3-戊烯腈,和用于精制2-甲基-3-丁烯腈的方法 |
CN101918356B (zh) | 2008-01-15 | 2013-09-25 | 因温斯特技术公司 | 戊烯腈的氢氰化 |
FR2926816B1 (fr) | 2008-01-25 | 2010-05-14 | Rhodia Operations | Procede de fabrication de composes comprenant des fonctions nitriles |
FR2932477B1 (fr) | 2008-06-17 | 2013-01-18 | Rhodia Operations | Procede de fabrication de composes nitriles a partir de composes a insaturation ethylenique |
CN102177122B (zh) | 2008-10-14 | 2013-12-11 | 因温斯特技术公司 | 用于制备2-仲烷基-4,5-二-(正烷基)苯酚的方法 |
FR2937321B1 (fr) | 2008-10-21 | 2010-10-22 | Rhodia Operations | Procede de fabrication de composes comprenant des fonctions nitriles |
FR2941455B1 (fr) | 2009-01-29 | 2011-02-11 | Rhodia Operations | Procede de fabrication de composes comprenant des fonctions nitriles |
WO2011017543A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Invista Technologies S.A. R.L. | Hydrogenation and esterification to form diesters |
WO2012005917A1 (en) | 2010-07-07 | 2012-01-12 | Invista Technologies S.A.R.L. | Process for making nitriles |
JP2014523481A (ja) | 2011-06-10 | 2014-09-11 | インヴィスタ テクノロジーズ エスアエルエル | 流動床反応器を含む焼成プロセス及び還元プロセス |
CN107020150B (zh) | 2011-06-10 | 2019-11-29 | 英威达纺织(英国)有限公司 | 镍金属配体催化剂形成上的改进 |
WO2013052610A1 (en) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Invista Technologies S.A R.L. | Process for making nitriles |
US9932298B2 (en) | 2012-12-07 | 2018-04-03 | Invista North America S.A R.L. | Process for producing pentenenitriles |
EP3593902A1 (en) | 2012-12-07 | 2020-01-15 | INVISTA Textiles (U.K.) Limited | Composition for improved nickel-ligand solubility |
EP3022172B1 (en) | 2013-07-17 | 2018-10-17 | INVISTA Textiles (U.K.) Limited | Separating a solvent from a nickel catalyst by distillation |
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BE606408A (ja) * | 1960-07-22 | |||
BE610876A (ja) * | 1960-12-05 | 1900-01-01 | ||
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-
1982
- 1982-02-23 US US06/351,421 patent/US4416825A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-02-21 FR FR8302766A patent/FR2523974B1/fr not_active Expired
- 1983-02-22 CA CA000422132A patent/CA1204119A/en not_active Expired
- 1983-02-22 IT IT47749/83A patent/IT1164587B/it active
- 1983-02-22 JP JP58027103A patent/JPS58157795A/ja active Granted
- 1983-02-22 GB GB08304943A patent/GB2115421B/en not_active Expired
- 1983-02-22 NL NL8300658A patent/NL8300658A/nl not_active Application Discontinuation
- 1983-02-23 DE DE19833306311 patent/DE3306311A1/de active Granted
- 1983-02-23 BE BE0/210183A patent/BE895990A/fr not_active IP Right Cessation
- 1983-02-23 KR KR1019830000734A patent/KR900003458B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1983-02-23 LU LU84656A patent/LU84656A1/fr unknown
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