JPH0813832B2 - 〔ヘキサキス（ペンテンニトリロ）ニツケル▲ＩＩ▼〕ビス−〔μ−（シアノ）ビス（トリフエニルボラン）（▲Ｉ▼）〕、その製法と使用 - Google Patents

〔ヘキサキス（ペンテンニトリロ）ニツケル▲ＩＩ▼〕ビス−〔μ−（シアノ）ビス（トリフエニルボラン）（▲Ｉ▼）〕、その製法と使用

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ある種の化学化合物、すなわち［ヘキサキ
ス（ペンテンニトリロ）ニッケルII］ビス−［μ−（シ
アノ）ビス（トリフェニルボラン）（Ｉ）］、に関する
ものである。ペンテンニトリルが３−ペンテンニトリル
である時には、該化合物は式 ［Ni(CH3CH＝CHCH2CN)6］ ［式中、 φはフェニル基である］ を有する。この化合物は、公知のニッケル化合物類とペ
ンテンニトリルとの反応により製造できる。該化合物
は、３もしくは４−ペンテンニトリルのヒドロシアノ化
によるアジポニトリルの製造において促進剤として有用
である。
コーン（Cone）の米国特許4,394,321は、以下でNCBC
と称されている化合物 Ni[NC(CH2)4CN]2[NCBφ3]2 を開示している。この化合物はペンテンニトリル中で反
応して本発明の化合物を製造できる。
先行技術においては、3,4−ペンテンニトリルからア
ジポニトリルへのヒドロシアノ化を促進するために種々
の有機ヨウ素化合物類が使用されてきている。例えばト
リアリールボランが使用されておりそして該トリアリー
ルボランが触媒残渣から回収されているシューク（Shoo
k）の米国特許4,082,811を参照のこと。本発明の化合物
は、シュークの特許中に教示されているアジポニトリル
の製造方法と同様な方法で使用できる。
本発明は、化学化合物である［ヘキサキス（ペンテン
ニトリロ）ニッケルII］ビス−［μ−（シアノ）ビス
（トリフェニルボラン）（Ｉ）］、該化合物の製造方
法、および３もしくは４−ペンテンニトリルをヒドロシ
アノ化させてアジポニトリルを製造する際の該化合物の
使用に関するものである。
本発明の化合物は、１個のカチオン Ni(CH3CH＝CHCH2CN)6 +2および２個のアニオン［φ3BCNB
φ3]-1からなっている。カチオンは完全な八面体対称性
を有する。アニオンは窒素原子に結合している２個のホ
ウ素原子および炭素原子中を通る三重の軸（three fold
axis）を有している。
本発明の化合物は、NCBCをペンテンニトリル中で約50
℃より高い温度に加熱することにより製造できる。反応
段階は以下の如くであると信じられている： （段階１） Ni(NC(CH2)4CN)2(NCBφ3)2＋4(CH3CH＝CHCH2CN)→Ni(CH
3CH＝CHCH2CN)4NC(CH2)4CN)2(NCBφ3)2＋2NC(CH2)CN （段階２） 2Ni(CH3CH＝CHCH2CN)4(NCBφ3)2→Ni(CH3CH＝CHCH2CN)6
（φ3BCNBφ3)2＋Ni(CN)2（固体） 本発明の化合物はまた、トリフェニールボランをNi(C
H3CH＝CHCH2CN)4(NCBφ3)2を含有しているペンテンニト
リルの溶液と反応させることによっても製造できる。下
記の実施例３はこの方法による製造を示している。この
方法で使用されるトリフェニルボランは、トリフェニル
ボランを促進剤として使用している3,4−ペンテンニト
リルのヒドロシアノ化から生じる触媒残渣中に含まれて
いるものであってもよい。トリフェニルボランが残渣中
でもはや促進剤として不活性な状態で存在していたとし
ても、該反応は進行する。
本発明の化合物はまた、トリフェニルボラン、シアン
化ナトリウム、ペンテンニトリル、およびニッケルジク
ロライドジメトキシエタンの反応によっても製造でき
る。下記の実施例４はこの製造方法を説明している。
本発明の化合物の製造方法は、大気圧においてそして
50〜200℃の間の温度において満足のいくように進行す
る。該化合物を生成するための反応成分類はほぼ化学量
論的量で存在しているが、反応を異なる比の成分類を用
いても、例えばペンテンニトリルを大過剰に存在させて
も、進行するであろう。
本発明の化合物は、第１図に示されている赤外線スペ
クトル並びに第２図および第３図に示されている単独結
晶Ｘ−線分析を有しており、ここで第２図はカチオンを
示し、そして第３図はアニオンを示している。
実施例１ NCBCからの製造 磁気攪拌器を含有しているガラス反応容器中で、4.25
gのNCBCを50mlのスラリーを与えるのに充分な３−ペン
テンニトリルと混合した。反応器を125℃の加熱浴中に
起き、そして反応を５分間進行させた後に、温度は120
℃に達した。反応器を加熱浴から除き、そして氷浴中に
置いて反応物を冷却した。内容物を次に約25℃に冷却し
た。内容物を過して黒色のニッケルに富んだ固体生成
物を除去し、そして明るい濃緑色の生成物溶液を単離し
た。溶液を冷蔵庫中に一夜置くと、固体が沈澱した。固
体の赤外線分析は、それらが本発明の化合物であること
を示した。
実施例２ 分析用の大結晶の製造 磁気攪拌器を含有しているガラス反応容器中で、2.12
5gのNCBCを50mlのスラリーを与えるのに充分な充分な３
−ペンテンニトリルを混合した。反応器を125℃の加熱
浴中に起き、そして反応を５分間進行させた後に、温度
は120℃に達した。反応器を加熱浴から除き、そして氷
浴中に置いて反応物を冷却した。内容物を25℃に冷却し
た。内容物を過して黒色のニッケルに富んだ固体を除
去すると、濃緑色の生成物溶液が得られた。２週間放置
した後に、大きな（〜1mm）の立方体結晶が生成し、そ
れは Ni(CH3CH＝CHCH2CN)6（φ3BNCBφ3)2に典型的な赤外線
スペクトルを与えた。
第２図および第３図に示されている如く、これらの結
晶をＸ−線回析により分析して化学構造を決定した。
実施例３ Ni(CH3-CH＝CHCH2CN)4(NCBφ3)2およびφ3Ｂからの製造 9gの３−ペンテンニトリル中に溶解されていう1gのNi
(CH3CH＝CH-CH2CN)4(NCBφ3)2を含有している溶液を製
造した。9.35gの３−ペンテンニトリル中に溶解されて
いる0.65gのφ3Ｂを含有している第二の溶液を製造し
た。それぞれ1gの溶液を一緒に混合すると、直ちに薄紫
色の固体が沈澱した。固体をシクロヘキサンで洗浄し、
そして乾燥した。固体の赤外線走査は、それが本発明の
化合物であることを示した。
実施例４ φ3Ｂ、NaCN、およびNiCl2・DMEからの直接合成 9.7gのφ3Ｂ、1.0gのNaCNおよび50gの３−ペンテンニ
トリルを反応させることにより、反応を実施した。この
混合物を攪拌しながら60℃に１時間加熱した。混合物を
次に過し、そして2.2gのNiCl2・DME（すなわちニッケ
ルジクロロジメトキシエタン）を液に加えた。生成し
た混合物を100℃に加熱し、そして直ちに過した。
液を放置して室温に冷却すると、固体生成物が沈澱し
た。固体生成物の赤外線分析はそれが本発明の生成物で
あることを示した。
実施例５ ヒドロシアノ化性能 4.40gのNi［パラ−亜燐酸トリル］4および3.75ccのパ
ラ−亜燐酸トリルを窒素雰囲気下で92ccの３−ペンテン
ニトリル中に溶解させることにより、触媒溶液を製造し
た。10ccのこの触媒溶液の部分標本に、１モルのNi［パ
ラ−亜燐酸トリル］4当たり0.5モルに相当する0.240gの
［ヘキサキス（ペンテンニトリロ）ニッケルII］ビス−
［μ−（シアノ）ビス（トリフェニルボラン）（Ｉ）］
を加えた。混合物を恒温調節された油浴中で希望する反
応温度に加熱した。液体シアン化水素中に０℃において
窒素気体を5cc/分の割合で通すことにより、シアン化水
素を反応混合物に加えた。アジポニトリルの製造が終わ
るまで反応を続けた。反応を40、51および80℃で行な
い、そしてそれらの結果を下表に示す。
上記の表において、アジポニトリルの収率％は下記の
反応式により定義されている： 収率％＝アジポニトリル×100/（アジポニトリル＋メチ
ルグルテロニトリル＋エチルサクシノニトリル＋２−ペ
ンテンニトリル） 比較用に、他の全ての条件は同じにして、１モルのNi
［パラ−亜燐酸トリル］4当たり１モルのφ3Ｂを使用し
てヒドロシアノ化を行なった。φ3Ｂ促進剤に関する結
果は下記の如くである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の化合物の赤外線スペクトルを示してい
る。 第２図および第３図は本発明の化合物の単独結晶Ｘ−線
分析を示し、ここで第２図はカチオンを示し、そして第
３図はアニオンを示している。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】［ヘキサキス（ペンテンニトリロ）ニツケ
    ルII］ビス−［μ−（シアノ）ビス（トリフエニルボラ
    ン）（Ｉ）］。
  2. 【請求項２】ペンテンニトリルおよびNi(NC(CH2)4CN)
    2(NCBφ3)2を反応させることからなる、［ヘキサキス
    （ペンテンニトリロ）ニツケルII］ビス−［μ−（シア
    ノ）ビス（トリフエニルボラン）（Ｉ）］の製造方法。
  3. 【請求項３】ペンテンニトリル、トリフエニルボランお
    よびNi(CH3CH＝CHCH2CN)4(NCBφ3)2を反応させることか
    らなる、［ヘキサキス（ペンテンニトリロ）ニツケルI
    I］ビス−［μ−（シアノ）ビス（トリフエニルボラ
    ン）（Ｉ）］の製造方法。
  4. 【請求項４】ペンテンニトリル、トリフエニルボラン、
    シアン化ナトリウムおよびニツケルジクロロメトキシエ
    タンを反応させることからなる、［ヘキサキス（ペンテ
    ンニトリロ）ニツケルII］ビス−［μ−（シアノ）ビス
    （トリフエニルボラン）（Ｉ）］の製造方法。
JP62139074A 1986-06-04 1987-06-04 〔ヘキサキス（ペンテンニトリロ）ニツケル▲ＩＩ▼〕ビス−〔μ−（シアノ）ビス（トリフエニルボラン）（▲Ｉ▼）〕、その製法と使用 Expired - Lifetime JPH0813832B2 (ja)

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