JPS58153931A - 放射線および光感応性有機高分子材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子、磁気バブルメモリ素子、集積励
路轡の展進に必畳な微細パターン形成に好適な電子線、
Ｘ線、イオンビーム等の放射線および光に高い感応性を
示すポジ彫放射纏および光感応性有機高分子材料に関す
る。

半導体素子、集積鴎路勢の゛電子部品の製作にはフォト
エツチングによる微細加工技術が用いられている。例え
ばシリコン単結晶クエへなどにフォトレジスト層をメビ
ンコーティングにより形成させ、その上に所望のパター
ンをもつマスクを重ね、露光、現俸、リンスなどを行な
い画像形成後、エツチングにより数声諷輻の總形成や１
あけを行なっている。上記黴細加工技１ｒにおいて、製
品の精度は、大部分が使用されるフォトレジストの性能
、例えば基板上での解像力光感応性の程度、基板との接
着性あるいは耐工、チンダ性などに左右される。

フォトレジス）Ｋは露光部分が不溶化するネｉＩｙ＃レ
ジス、トと、露光部分が不溶化するポジ形レジストがあ
る。ネガ＄７＊トレジストは一般に、光感応性が高く、
基板との接着性、耐エツチング性などに優れているが、
基板としてアル建具りム、り田ムなどの光沢性金属を用
いた場合などでは、とくにハレーションによる画一の乱
れを生じるため、４１殊な条件下でもＳ〜５μｍの一幅
を形成するのが実用的に＠度であり、解像力の点で劣っ
ている。また、ネガ浄７オＦレジストは露光部分が不溶
化するために、ゴミ等がレジストに付着した場合、そこ
では不溶化反応が起こらず、レジストに欠陥が発生し、
製品の歩留りを低下させる大きな原因となりた。これに
対し、ポジ形フォシレジストは上記した解偉力の点では
優れた性質を示し、比較的容易に２〜３μ農のｌＩ＠の
画像を得ることができるが、従来のポジ形しジメ）では
酸、アルカリなどのエツチングｉ［Ｋ対しての抵抗力に
劣り、エツチング後に安定した微細パターンを得ること
が極めて困難でありた。

また、半導体素子や集積囲路などにおいては集積書度の
増大とともに配線が多層化される傾向にある。従来、多
層配線構造を有する半導体素子や集積回路においては、
・所定の位置に各導体層間を接続するための廖が−けら
れた保護絶縁層が設置され、この被膜には気相成長法あ
るいは高周波スバ、タリンダ法により【被着された二酸
化シリコン膜が使用されていた。しかし二酸化シリコン
膜にはピンホールが発生しやすいとか、あまり厚く堆積
したり、大面積に被着すると、基板との熱膨張係数との
葺により発生する内部応力に抗しきれず亀裂が生ずるな
どの欠点があった。そこで、辺部、二酸化シリコン膜に
かわり【ボリイ電ド稠脂などの高分子材料を用いて多層
配線構造体を製造するようになりつつある。ところで、
このポリイミド樹脂絶縁層の所定の位置に各導体層間の
接続のための塵を設置すると鎗には、周知の写真食刻技
術で行ない、所定の位置のポリイミド樹脂絶縁層はヒド
ラジンヒトラード系有機溶媒によりエツチングしている
。この写真食刻技術で用いられるフォトレジストとして
は、上記したように従来のポジ形レジストが千、チング
ーＥＫ対する０、耐性に：ｌ、：、を 劣るため使用できず、ネガ形レジストたとえば感光成分
とし【ビス”アジド化合物を含む環化ゴム系レジストが
使用されていた。しかし、ネガ形レジストは露光部分が
不溶化するため、ゴミ等がレジスト上に付着するとレジ
スト欠陥が発生し、ボリイζド樹脂絶縁層にピンホール
が生じて導体間で短絡不要に盃るものが発生し、実用±
極めて不都舎であった。そのために、上記エツチング液
に浸漬しても変化しない耐溶剤性の優れたポジ形レジス
トの一発が強く望まれていた。

また、上述したよ５に、従来、半導体素子、磁気バブル
メモリ素子、集−回路部の電子部品を製造するためのパ
ターン形成法としては、紫外線または可視光−に感応す
るフォトレジストを利用する方法が幅広く実用化されて
いるが、辺部、半導体素子等の高密度化、高集蒙化を計
る目的で、１μ賜以下の幅のパターンを形成する方法が
要求され【いる。しかし、上記した光を使用する方法で
は、光の固有な性質である、回折、散乱および干渉等に
より、１μ論以下の幅のパターンを精度よく形成するこ
とは極めて困難であり、同時に歩留りの低下も着しく、
紫外線または可視光線を使用する方法は、１μ凰以下の
幅のパターンを形成する方法としては不適であった。

これに対処し【、最近、紫外線または可視光−を使用し
て微細加工を施す写真食刻技術に代って、たとえば、電
子線、Ｘ線、イオンビーム等の高エネルギーの放射線を
用いるリソグラフィ技術が一発、研究され、これに伴な
って上記した放射線に対して感応性を示す材料が種々検
討されている。なかでも放射線の照射によって高分子鎖
の切断反応を誘起して、その被照射部分が現像液に可＊
＊となるポジ形放射總感応性有機高分子材料、たとえば
、ポリメタクリル酸メチル、ポリ−（１−ブテンスルホ
ン）等は、放射−の照射によって架橋反応を誘起して、
その被照射部分が現像［Ｋ不溶性となるネガ形放射線感
応性有機轟分子材料に比し、感ＩＩ！善性−線から得ら
れるガン！値が大きいために、高鱗像性のパターンを生
成せしめ、微細加工用レジスト材料として極めて好都合
である。しかし、前記した材料をはじめとして、ポジ形
感応性有機高分子材料はネガ形材料に比し、その感度が
１／１ｏ〜’／１ｏｏｏと低く、その結果、パターン形
成Ｋｌ！する放射−の照射時間が長くなり、実用性に乏
しいものでありた。

本発明の目的は上記したような従来技術の欠点をなくす
る光および電子線、Ｘ線、イオンビーム勢の高エネルギ
ーな放射−に対して高い感応性を有するポジ彫款射纏お
よび光感応性材料を提供するととｋあり、耐薬品性が優
れ、放射線および光照射により容易に切断するシリコン
−シリコン結合（Ｓｉ　−Ｓｉ結金）を分子中に有する
ことを特徴とするポジ形放射鎗および光感応性材料を提
供するととｋある。

上記の目的を達成するために、本発―者は光および放射
−感応性を有すると思われる有機高分子材料を種々横皺
の結果、この種の材料として分子中ｉｃ　Ｓｉ　−ｆ　
Ｓｉ　＋、結合（但しリ−は１〜５までの整数を表わす
）を有する重合体が良いことを見い出した。

すなわち、上記重合体はポジ形フォトレジストとして使
用でき、写真食刻技１１によりパターン形成を行なう時
に、紫外線照射により露光部分がｌｌ侭ＩＥＫ効率良く
可溶化する。また、パターン形成したフォトレジスト被
膜は、例えばボリイ建ド樹脂のエツチング液であるヒド
ツジンヒドラート系Ｓ液に浸漬しても何ら変化すること
なく、耐薬品性が優れズおり、ポジ形レジストであるた
めに、ゴさ等がレジストに付着した箇所でも、レジスト
にピンホールが発生しにくい。その結果、半導体素子や
集積回路の多層配線構造体の製造において、絶縁層に窓
あけを行なう工１ｉＫ使用すれば、極めて有効であり、
多層配線構造体の製造における歩留りが大幅に向上する
。また、本発明の組成物は紫外１１に対する感応性が高
く（ポジ形レジストとして良く知られているポリメチル
イ、１．．ソプロペ品ルケ１トンの１、（：。

約１０倍の感度を有する）、従来から写真食刻技術で使
用されていた超高圧水銀ランプ、キセノン−水銀ランプ
などが使用できる。

かつ又、上記した重合体は電子線、Ｘ線、イオンビーム
等の高エネルギー放射−の照射によって＾分子鎖の切断
反応を誘起して、その被照射部分が現像液に町Ｓ性とな
るポジ形款射線感応性有機高分子材料として使用でき、
例えば、電子−に対する感度はポリメタクリル駿メチル
の約１０倍以上であり、放射−に対して高い感応性を有
している・ものである。

次に本発明で使用する材料について説明する。

本発明で使用される放射線および光感応性有機高分子材
料としては、 （但し、式中、Ｒ１は２価の有機基、’ｌ　＊　Ｒ１ｓ
　Ｒ４およびＲ−は１価の有機基、亀は１〜５までの整
数を表わす）で表わされる繰り返し単位を主成分とする
重合体が使用される。

一般式中、Ｒ１は２価の有機基で、具体的にはＣＡ）　
　芳香環構造のみを有する２価の有機基、（Ｊ）　　芳
香環構造と鎖式構造を有する２価の有機基、 （Ｃ）　　アルキレン基、あ°るいは （Ｄ）　　へチー原子を會む２価の有機基などがあげら
れる。

ＣＭ。

−ＣＨ，ＣＨ，−（４防ＣＨ，ＣＭ＠　−、−ＣＭ、　
％　ＣＭ、　−などがあげられ、 （Ｃ）としては−ＣＨ，ＣＨ，−、−ＣＭ、　ＣＭＩＣ
Ｅ、−など（Ｊ））としては−◇＞０　％　、　−＠５
０．６　。

−分Ｏ（防Ｏ−分 に”Ｈ，ｃＩｉ。

ＣＭ、ＣＭ。

ＣＨａ　　　　　ＣＨ。

また、上記した有機基に含まれる芳香１１に１０ゲン原
子、アルキル基などを１つ以上置換したものを使用し【
もさしつかえない。例えば、（Ａ）一般式中、Ｊ’Ｓ　
−”ｌ　＊　Ｒ４およびＲ−は１価の有機基であり、具
体的にはメチル基、エチル基などのアル中ル基、フェニ
ル基などのアリール基などがあげられ、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ
４およびＲ４がすべて同一の有機基であっても真く、あ
るいは異なる有機基でも良い。

上記した本発−の欺射鎗および光感応性有機■１ 高分子材料は放射−および光照射によって効率曳（Ｓｉ
　−Ｓｉ結会が切断し、その結果、被照射部分の分子量
が低下するために、被照射部分が選択的Ｋｉｔ像液Ｋ１
１ＩＩＩ化する。したがって、Ｓｉ　（−Ｓｉ＋　結合
（但し、鴇は１〜５までの整ル 数を表わす）は原理的には重合体分子中に１個以上含有
されれば良い。

本発明で使用する材料は種々の方法で合成することがで
きるが、その−例を以下に示す。

（１）　　分子中ＫＳｓ　＋Ｓｉ＋　結合（但し、鶏は
１為 〜５までの整数を表わす）を有し、両末端ＫＣＨ１，，
Ｃ基を有する付加重合性単量体の一種以上をイオン重金
あるいはラジカル重合によりビニル重合させる方法、あ
るいは上記したＳｉ　＋Ｓｉ＋　給金（但し、鳥は１〜
５までの鴨 整数を表わす）を有する付加重金性単量体と１個のＣＭ
、　、＝　Ｃ基を有する付加重合性単量体の一種以上と
を共重合させる方法。

（２）分子中ＫＳｉ　＋Ｓｉ＋　結合（但し、鳥は１〜
５までの整数４表わす）を有し、両末端にＣＭｔ、、、
　Ｃ基を有する付加重金性単量体と両末端Ｋｓｉ−Ｈ結
舎を有する化合物とを塩化白金酸などの触−のもとに付
加重合させる方法。

（３）分子中ＫＳｉ　（−Ｓ番÷　納金（但し、絡は１
酪 〜５までの整数を表わす）を有し、両末端にＳｉ　−Ｃ
Ｉ　結合を有するジクロルシラン化金物と両末端ＫＭＩ
Ｘ基（但し、ＸはＣＩあるいはＢｙ　ｔ−表わす）を有
するグリニヤール試薬とを義金重金させる方法。

（４）分子中ｐｇ　Ｓｉ　＋Ｓ−÷　結合（但し、襲は
１絡 〜５までの整数を表わす）′＆−有し、両末端に５ｓ−
Ｃ４結会を有するジクロルシラン化金物と両末端ＫＬｘ
原子を有するジリチウム化合物とを義金重金させる方法
。

（６）　　分子中ＫＳｉ　＋Ｓｉ＋　結合（但し、鴇は
１襲 〜５までの整数を表わす）を有し、分子末端の一方１ｃ
　Ｓｉ　−ＣＩ基を、もラ一方にリチウム原子を有する
化合物を義金重金させる方法。

本発明の放射線および光感応性有機高分子材料を半導体
素子等のパターンを形成するために使用する場合には、
例えば、トルエン、四塩化炭素等の通常の有−溶媒に前
記した重合体を溶解させたものが使用される。上記した
重合体接液（レジスト溶液）を素子基板にスピンコーテ
ィングし、そののち、適白な温度条件でプリベークを行
ない、所望のパターンに放射−又は光を照射する。照射
後、四塩化炭素−イソプロビルアルコール拠金溶媒など
からなる現像液を用いて被照射部分を選択的に溶解させ
るととにより、ポジティブなレジストパターンが得られ
る。

以下に本発明を具体的合成例および実施例をもり【説明
する。

合成例１ 攪拌器、冷却器、滴下ロートを付した５０〇−の三つロ
フラスコにフェニルジメチルシリルク四ツイド７５）と
テトラヒドロフラン１００−を加えて攪拌し、窒素気流
下で滴下ロートよりフ凰エルジメチルシリルリチクム５
８ｆのテトラヒドロフラン溶液的１００−を約３時間で
滴下した。

滴下後、攪拌を続けながら、更に約５時卯遺流した。還
流後、ゆっくりと水２００−を添加し、デカンテーショ
ンにより有機層を分離し、水で２ＷＡ洗浄し　無水硫酸
ナトリクム★添加して乾燥した。乾燥剤を分離後、テト
ラヒドロフランを留去し、減圧ｍ１ｌＫより１，２−ジ
フェニルテトラメチルジシラン（沸点：１５０℃１２■
ｉｔ＞８Ｇ）を得た。

次に、攪拌器、冷却器、滴下ａ−）を付した５００−の
三つ口７ツス；に塩化アル（ニウムｔ６ｆを含むベンゼ
ン約１００−を入れ攪拌し、塩化アンモニウムと硫酸に
より発生きせたＨＣＩガスを上記溶１１に吹會込みなが
ら、先に合成した１、２−ジフエニルテトツメチルジシ
ツン５４）のテトラにドロ７ラン濤諌約１００−を約Ｓ
時間で滴下した０滴下後、攪拌を続けながら、更に約４
時間還流し、続いて、溶媒を留去し、減圧蒸溜により１
，２−ジビニルテトラメチルジシラン（沸点：５０℃／
２０霞Ｈｆ）　２２ｆを得た。

合成例２ 攪拌器、冷却器、滴下ロートを付した５０〇−） の三つロアラス；に、合成例１で褥た１、２−ジビニル
テトラメチルジシラン１３ｔとテトラヒドロフラン５０
ｍｇを入れて攪拌し、滴下−−トよりビニルマグネシラ
ムク四うイドのテトラヒドロフラン溶液（力価：　１８
８　）　５４−を窒素気流下で約１時間で滴下した。滴
下後、攪拌を続けながら上記フラスコをマントルヒータ
ーで加熱し、約４時間還流した。還流後、本釣２００−
を添加し、デカンテーションにより有機層を分離した。

有機層は２回水洗し、一方水層は２回エーテル抽出した
。そののち、有機層とエーテル抽出液を混合し、無水炭
酸カリウムを添加し、脱水した。つづいて、乾燥剤を分
離後、溶媒を留去し減圧蒸１１により１，２−ジビニル
テトラメチルジシラン（沸点ニア９〜８０℃／７０■Ｈ
Ｐ＞９ｔを得た。

合成例３ 攪拌器、冷却器、ゴムキャップを付した２０〇−の三つ
ロアラス：ｌＫ、窒素気流下でＰ−ジブ賞ムベンゼン４
１とテトラヒドロ７ラン５０ｓｄを入れ、攪拌し、ドラ
イアイス−エタノ−化冷媒１：１゜ で冷却した。充分冷却した後、１５５ｍ−５−ブチルリ
チウムの旙−ヘキナン溶ｔ２６−を添加し、約３時間攪
拌を続け、徐々Ｋｍ温ＫＪｉした。反応液な採堆し、水
を添加し、ガスク四マドグツフィーにより生成物をチェ
、りした所、Ｐ−ジグロムベンゼンおよびブロムベンゼ
ンによるピークが検出されず、ベン（ンによるピークの
みが認められたことから、Ｐ−ジリチウムベンゼンが得
られたことを確認した。

つづいて、上記三つロフラスコを再びドライアイス−エ
タノール冷媒で冷却し、合成例１で得た１、２−ジビニ
ルテトラメチルジシラン１７）を添加し、約２時間攪拌
を続け、徐々に室温に戻した。更に攪拌を続けながら上
記フッスーをマントルヒータで加熱し、約１時間還流し
た。

還流後、溶媒を留去し、反応物をベンゼン約１゜５ｄＫ
ｉｌ解させた。つづいて、上記ベンゼン５ｉｌｌをメタ
ノール約５ＯＯ−に注ぎ、 重合度を表わす）なる組成のポリマの白色粉末を得た。

合成例４ 攪拌器、冷却器、滴下−−トを付した２００　ｓｄの三
つロフラスコに、窒素気流下でマグネシウムｔＯｔとテ
トラヒト駿７ラン５０−を入れ、攪拌し、Ｐ−ジブロム
ベンゼンＳ、７ｆを約２時間で滴下した。滴下後、更に
攪拌を１時間続け、そののち、上記三つロフラスコをド
ライアイス−エタノール冷媒で冷却し、合成例１で得た
１、２−ジビニルテトラメチルジシラン＆７）を添加し
、約５時間攪拌を続け、徐々に室温に戻した。更に攪拌
を続けながら、約３時間還流した。還流後、溶媒を留去
し、反応物をベンゼン約１０−に溶解させた。つづいて
、上記ベンゼン溶液ヲメを得た。

合成例５ 充分窒素ガス置換した重金管に１合成例・、２で得た１
、２−ジビニルテトラメチルジシランｔ７）とビニルジ
フェニルメチルシラン９．０？とを入れ重合管をドライ
アイス−エタノール冷媒で冷却した後、１５５Ｍの算−
ブチルリチウムの旙−ヘキサン溶液α６−を添加し、ア
ニオン重合を行なった。約２時間放置後、ゆっくりと型
温に戻し１合物をベンゼン約１０−に溶解させ、メタノ
ール約５ｏｏｖＫ注ぐことにより、１，２−ジビニルテ
トラメチルジシランとビニルジフェニルメチルシランと
の典型金体を得た。

合成例′６〜１７ 合成例５に示した手順と同様にして下記に示すポリマ（
合成例６，７，８，９，１４，１５，１４および１７）
を合成し、また、合成例５に示した手順と同様にし【下
記に示すポリ！（合成例１０，１１．１２　および１３
）を合成した。

合成例６： 合成例７： 合成例９： 合成例１ｏ　：　１，２−ジビニルテトラメチンジシラ
ンとメタクリル酸メチルと１：１共重合体合成例Ｉｔ　
：　１，２−ジイソプロペニルテトラメチルジシランと
ビニルジフェニルメチルシランとの２＝８共重合体 合成例１２　：　１，２−ジイソプロペニルテトラメチ
ルジシランとメタクリル酸メチルとの２＝８共重合体 合成例１ｓ＝１．２−ジイソプロペ品ルテ１ラメチルジ
シランと７−ニルイツプｐベニルケトンとの１：９共重
合体゛ 合成例１４ 合成例１５ ＣＨ。

合成例１６ 合成例１７ 実施例１ 約５０００　）を四塩化炭素に溶解させ１０重量ｇＩＩ
Ｉ１１１Ｅとして、１１０００ｒｐでスピンコーティン
グしてシリコンクエバ上にα８Ｊ１１厚のポリ！塗膜を
形成した。次いで、１２０℃、５０分間でプリベークし
これを石英マスクを通して５００Ｆキセノン−水銀ラン
プ（露光強度：２５４ｓｓＩＩｃおいて１２１１１　Ｗ
／、ａ　）を照射し、′これを四塩化炭素−イソプロビ
ルアｈｗ−ル（５０：　７Ｑｈｙ　ｖａｎ−）混合溶媒
に１分間浸漬し現像したのち、インプリピルアルコール
でりンメするととｋより照射部分な可溶化させた。種々
の照射量（Ｓ光強度と照射時間との積で表わす）で露光
し、残膜率が零となる最小照射量を求めた所、５０ｗａ
Ｊ７−であうた。また、パターン形成したレジスト属を
ヒ゛ドラジンヒドッート溶液など種々のエツチングｌＩ
［Ｋ浸漬したが剥離、膨潤はなく、耐薬品性に極めて優
れており、密着露光に′より１μ爲のラインアントス１
ペースが解像できた。

実施例２ 合成例４で得たポリマ、 液とし、実施例１と全く同様にしてレジスト特性を評価
した。その結果、レジ誠ト膜厚α７μ寓において、残膜
率が零となる最小照射量で示される感度は６０＋ａクー
であり、耐薬品性もあり、また、１μ腸のラインアンド
スペースが解像でき優れたレジスト＊＊を示した。

実施例５ 合成例５で得た典型金体（重量平均分子量：約５万）を
ベン（ンＫ１ｍ１解させ、１０重量−５１１ｍとし、実
施例１と同様にしてシリコンウェハ上Ｋｌａｖａ厚のポ
リマ塗膜を形成した。次いで、９０℃、３０分間でプリ
ベークし、乳剤マスクを使用して５００１高圧水銀ラン
プ（露光強度：　Ｓ６５＊ｗｎｋおいて１５　ｗ＋ｌＩ
’／４　）を照射し、トルエン−イソプロピルアｋ　コ
−ｋ　（！１０　：　７０ｊｙ、　ｔｓｊ、　）＠合溶
謀に２分間浸漬して現像したのち、イソプロピルアルコ
ールでりンスすることにより照射部分を可溶化させた。

残膜率が零となる最小照射量で示される感度は３００−
２−であり、また、耐薬品性も優れており、四階露光に
より１μ罵のツインアンドスペースが解像できた。

実施例４〜，１１ 実施例１〜墨と同様にして合成例６〜１３で得たポリマ
を四塩化炭素Ｋ１１ｌ解させ、シリコンウェハ上に約１
声鶴厚のポリマ塗膜を形成させ、レジメ）４１１ｋを一
定した。その結果を表１Ｋまとめたが、いずれも優れた
レジスト＊＊を示した。

比較例１ ネガ形レジスト０ｈＲ−ａＢ東京応化製）を実施例と同
様にしてシリコンウェハ上にα！μ賜厚Ｅｌｋ布し、５
００１高圧水銀ランプを照射し、残膜率が５０−となる
照射量で示される１０嵯４であった。次いで、ヒドラジ
ンヒトラード１１１ｍ１Ｋ浸漬したが、レジストの膨潤
、剥離はなく、耐薬品性には優れていたｂ−１付着した
ゴミ１等によると思われるレジスト欠陥が多数認められ
た。

また、四階露先により５ｊ纂のラインアンドスペースが
解像できた。

第　　　　１　　　　表 比較例２ ポジ形レジスト、　ＡＩ　１３５０　Ｊ　（５ｈｉｐｌ
り社製）を実施例と同様にしてシリコンクエ／１上ＫＣ
Ｌ？μ簿厚Ｋｌｋ布し、感度を求めた所１００１１７／
−でありた。

次いで、ヒドラジンヒトラード溶液に浸漬したが、直ち
に、レジストが膨潤、剥離し、極めて耐薬品性が悪いこ
とが確認された。尚、このレジストの解像度は約３μ富
でありた。

実施例１２ 合成例３で得たポリマ。

筐として、これをシリコンクエバ上に１０００デｐｗｈ
でスピンコーティングし′Ｃα８μ罵厚のポリマ塗膜を
形成させた。次いで、１２０℃で３０分間プリベークし
、加速電圧２０１Ｖの電子−によりて場所的に照射量の
異なる照射を行ない、これを四塩化炭素−イソプロビル
アルコール（５０：　７０ｈｙ　ｗｍｌ、　）混合溶謀
に１分間浸漬し現像したのち、イソプロピルアルコール
でリンスするとと□により照射部分を可溶化させた。異
なる照射量で照射した箇所について薄膜段差針を用い【
高分子残膜厚を一定して、残膜率が零となる最小照射量
を求めた所、６×１０″″＠Ｃ／−であり、たとえば、
代表的な電子纏レジストであるポリメタクリル酸メチル
に比し、１桁以上の高い感度を有することが確認された
。

実施例１３ 約５ｏｏｏｏ　）を四塩化炭素に溶解させ１０重量饅濤
液とし、実施例１と同様にして、シリコンウェハ上Ｋ（
Ｌ９μ賜厚のポリマ塗膜を形成させた。次いで、１２０
℃で３０分間プリベークしたのち、回転水冷式毫すプデ
ン対陰極（加速電圧１ｏＫＶ　）からの軟Ｘ線を照射し
た。これを実施例１と同様にし【現像、リンスを行ない
、残膜率が零となる最小照射量、すなわち感度を求めた
所、４０ｗｎＪ、に−であり、ポジ形レジストとして高
感度であることが確■された。

実施例１４〜２２ 実施例１３および１４と同様にして合成例５〜９．１４
〜１７で得たポリマ塗膜をシリコンウェハ上に約１声賜
厚に＊威させ、放射−感応性を測定した。その結果を第
２１１Ｋまとめたが、いずれも高感度なポジ形レジスト
であることが確認された。

比較例５ 代表的なポジ廖レジストであるポリメタクリル酸メチル
を実施例と同様にしてシリコンウェハ上に１６μ事厚に
塗布し、１５０℃で３０分間プリベークしたのち、電子
線およびＸ線（Ｍｔｌ）１Ｍ線）を照射して放射線感度
を求めた所、それぞれＩ　Ｘ　１Ｏ−ｌＣ／、ｌ　、　
１０００ｓ／、イーであり、実施例に比べて１桁以上低
い感度を示した。

以上の説明に明らかなように１本発明、による５＋１： 放射線および光感応性材料をレジスト材料とし【使用す
れば、感度、解像性および耐薬品性の優れたポジ形フォ
トレジストとして使用でき、かつ又、電子纏鳳射による
直ＩＩ鍮画やＸ線の一括照射により、極めイ着度の高い
微細パターンを屡成す□ることができ、趨微細化牛導体
等の製造に実用できるものである。以上、述べたよう一
本発＠による放射線および光感応性高分子材料は極めて
効用の大なるもの受ある。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．一般式（但し、式 中、Ｒ８は２価の有機基、Ｒｔ　ｔＲｓ　ｔ　Ａ４およ
   びＲ１は１価の有機基、襲は１〜５゛までの整数を表わ
   す）で表わされる繰り返し単位からなることを＊＊とす
   る放射線および光感応性有機高分子材料。 ２一般式のＲ１ｓ　”参、Ｒ４およびＲ１がメチル基あ
   るいはフェニル基であることを特徴とする特許請求の範
   ａ第一項記載の放射−および光感応性有機高分子材料。