JPS58150550A - イソシアネ−トの製法 - Google Patents
イソシアネ−トの製法Info
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- JPS58150550A JPS58150550A JP58019840A JP1984083A JPS58150550A JP S58150550 A JPS58150550 A JP S58150550A JP 58019840 A JP58019840 A JP 58019840A JP 1984083 A JP1984083 A JP 1984083A JP S58150550 A JPS58150550 A JP S58150550A
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- Japan
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
- C07C303/26—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of esters of sulfonic acids
- C07C303/30—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of esters of sulfonic acids by reactions not involving the formation of esterified sulfo groups
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の反応によりイソシアネートを製造する方法に関するも
のである。
のである。
残存インシアネート基を有する有機イソシアネートは、
このイソシアネートが高反応性を有しすなわち不安定で
あるために1かがる有機イソシアネートの化学変性作用
は非常に複雑である。そのために、たとえばイソシアネ
ート基を含まないスルホン酸エステルの製法と同様な方
法によりイソシアナトアリールスルホン酸エステルを、
対応するクロロスルホニルアリールイソシアネートとア
ルコレートまたはフェルレートとの反応により生成させ
ることは不可能である。なぜならば1かかる反応をたと
えばアルコール性媒質中で実施した場合にはインシアネ
ート基の反応によりウレタンが生じ1かつ一方において
は不均質相の形で1アルコレートまたはフェルレート(
こねらは周知の3量体化反応用触媒である)の触媒作用
によりイソシアネート基の3量体化反応が進行し、これ
に対応するイソシアヌレート誘導体が生ずるであろう。
このイソシアネートが高反応性を有しすなわち不安定で
あるために1かがる有機イソシアネートの化学変性作用
は非常に複雑である。そのために、たとえばイソシアネ
ート基を含まないスルホン酸エステルの製法と同様な方
法によりイソシアナトアリールスルホン酸エステルを、
対応するクロロスルホニルアリールイソシアネートとア
ルコレートまたはフェルレートとの反応により生成させ
ることは不可能である。なぜならば1かかる反応をたと
えばアルコール性媒質中で実施した場合にはインシアネ
ート基の反応によりウレタンが生じ1かつ一方において
は不均質相の形で1アルコレートまたはフェルレート(
こねらは周知の3量体化反応用触媒である)の触媒作用
によりイソシアネート基の3量体化反応が進行し、これ
に対応するイソシアヌレート誘導体が生ずるであろう。
このような反応(たとえばスルホン酸エステル形成反応
)の前にこのインシアネート基を公知のイソシアネート
基用マスキング剤でマスクし、そして該反応完了後にマ
スキング剤を離脱させてインシアネートを再生させると
いうアイデアもあるが、この場合にはかなりの熱応力が
かかるために、多分かなり大きい収率低下が認めらねる
であろう。
)の前にこのインシアネート基を公知のイソシアネート
基用マスキング剤でマスクし、そして該反応完了後にマ
スキング剤を離脱させてインシアネートを再生させると
いうアイデアもあるが、この場合にはかなりの熱応力が
かかるために、多分かなり大きい収率低下が認めらねる
であろう。
本発明は前記公知方法の欠点を改善した新規方法を提供
するものであって1この方法では葛第3アルコールによ
りマスクさねたイソシアネート基が非常に具合よく「元
のイソシアネート基」に戻り・すなわち高収率で「元の
イソシアネート基」が得られる。したがって本発明は、
種々の置換有機インシアネートの新規製造方法をも提供
するものである。
するものであって1この方法では葛第3アルコールによ
りマスクさねたイソシアネート基が非常に具合よく「元
のイソシアネート基」に戻り・すなわち高収率で「元の
イソシアネート基」が得られる。したがって本発明は、
種々の置換有機インシアネートの新規製造方法をも提供
するものである。
本発明は、下記一般式
Rニー洲−Co−0−R2
(ここにRエは有機基を表わし1この基は任意的に下記
一般式 %式% の置換基をもっていてもよく、ただしこの有機基はそね
以外の点では反応条件下で不活性である。
一般式 %式% の置換基をもっていてもよく、ただしこの有機基はそね
以外の点では反応条件下で不活性である。
R2け、第3アルコールからヒドロキシル基を除去する
ことにより形成されるような型の基を表わす) の化合物を1ホスゲンと反応させることを特徴とする有
機イソシアネートの製法に関するものである0 本発明方法は、或種の新規化合物すなわちイソシアナト
アリールスルホン酸エステルの製造のために特に適した
方法である。
ことにより形成されるような型の基を表わす) の化合物を1ホスゲンと反応させることを特徴とする有
機イソシアネートの製法に関するものである0 本発明方法は、或種の新規化合物すなわちイソシアナト
アリールスルホン酸エステルの製造のために特に適した
方法である。
したがって本発明はまた、イソシアナトアリールスルホ
ン酸エステルにも関する。
ン酸エステルにも関する。
イソシアナトアリールスルホン酸エステルは、下記の理
由により非常に興味深い化合物である。
由により非常に興味深い化合物である。
第7に、上記化合物のイソシアネート基は、イソシアネ
ート化学分野で周知のすべての「低分子量および高分子
量のH一活性化合物類との付加反応」に関与し得るもの
であることである(この種の付加反応はたとえば次の刊
行物に記載されている:「ポリウレタンズ・ケミストリ
・アンド・テクノロジー」第1部1J.H.サウンダ−
およびに.C。
ート化学分野で周知のすべての「低分子量および高分子
量のH一活性化合物類との付加反応」に関与し得るもの
であることである(この種の付加反応はたとえば次の刊
行物に記載されている:「ポリウレタンズ・ケミストリ
・アンド・テクノロジー」第1部1J.H.サウンダ−
およびに.C。
フリシュ編、インターサイエンス・パブリシャーズ発行
S/91,2年)。たとえばl官能性または多官能性H
一活性化合物またはそわらから製造されたポリウレタン
に、強アルキル化型スルホン階エステル基(すなわちア
ルキル化作用の強いスルホン酸エステル基)が7個また
はそれ以上導入できる。第2に、このスルホン酸エステ
ル基に1種またはそね以上の第3級窒素含有化合物の如
き適当な受体型化合物(アクセプター)を反応させるこ
とからなる第を級化反応により追加量のNGO−基が導
入できることである。この場合にけ1イオンセンターを
有する変性イソシアネート(特に、高分子量の変性イン
シアネート)が得られ、そして、この変性イソシアネー
トとH−活性反応体との重付加反応を行なうことにより
、独特な性質を有する最終生成物が得られる。さらに、
弱いアルキル化活性を有する追加量のスルホン酸基をも
つイソシアネート(たとえばR□がアリール基であるイ
ンシアネート)ハ、純粋なインシアネートよりも遥かに
好ましい生理学的性質を有するであろうということが期
待できる。なぜならば、これらは体内で一層速やかに分
解され、そして排出さね得るものであるからである(す
なわち、これは「無毒性イソシアネート」である)。し
かしてこの論議け1イソシアナトアリ一ルスルホン酸エ
ステル本発明方法は1今述べた型のイソシアナトアリー
ルスルホン酸エステルの製造のために有利に利用できる
すぐねた製法である。しかしながら本発明方法は決して
上記イソシアナトアリールスルホン酸エステルの製造の
みに限定されるものではない0なぜならば1本発明方法
に従えば、第3アルコールによりマスクされたイソシア
ネート基を含む有機インシアネートから遊離インシアネ
ートを高収率で回収でき、かつ一方において反応量が閉
鎖でき、そしてこのことは本方法の根本的特性であり、
それゆえに本方法に従えば次の反応操作が実施できるか
らである;遊離イソシアネート基を有する非変性イソシ
アネート→(第3アルコールにより)マスクされたイソ
シアネート基を有する非変性イソシアネート→(第3ア
ルコールにより)マスクされた変性イソシアネート→遊
離インシアネート基を有する変性イソシアネート。
S/91,2年)。たとえばl官能性または多官能性H
一活性化合物またはそわらから製造されたポリウレタン
に、強アルキル化型スルホン階エステル基(すなわちア
ルキル化作用の強いスルホン酸エステル基)が7個また
はそれ以上導入できる。第2に、このスルホン酸エステ
ル基に1種またはそね以上の第3級窒素含有化合物の如
き適当な受体型化合物(アクセプター)を反応させるこ
とからなる第を級化反応により追加量のNGO−基が導
入できることである。この場合にけ1イオンセンターを
有する変性イソシアネート(特に、高分子量の変性イン
シアネート)が得られ、そして、この変性イソシアネー
トとH−活性反応体との重付加反応を行なうことにより
、独特な性質を有する最終生成物が得られる。さらに、
弱いアルキル化活性を有する追加量のスルホン酸基をも
つイソシアネート(たとえばR□がアリール基であるイ
ンシアネート)ハ、純粋なインシアネートよりも遥かに
好ましい生理学的性質を有するであろうということが期
待できる。なぜならば、これらは体内で一層速やかに分
解され、そして排出さね得るものであるからである(す
なわち、これは「無毒性イソシアネート」である)。し
かしてこの論議け1イソシアナトアリ一ルスルホン酸エ
ステル本発明方法は1今述べた型のイソシアナトアリー
ルスルホン酸エステルの製造のために有利に利用できる
すぐねた製法である。しかしながら本発明方法は決して
上記イソシアナトアリールスルホン酸エステルの製造の
みに限定されるものではない0なぜならば1本発明方法
に従えば、第3アルコールによりマスクされたイソシア
ネート基を含む有機インシアネートから遊離インシアネ
ートを高収率で回収でき、かつ一方において反応量が閉
鎖でき、そしてこのことは本方法の根本的特性であり、
それゆえに本方法に従えば次の反応操作が実施できるか
らである;遊離イソシアネート基を有する非変性イソシ
アネート→(第3アルコールにより)マスクされたイソ
シアネート基を有する非変性イソシアネート→(第3ア
ルコールにより)マスクされた変性イソシアネート→遊
離インシアネート基を有する変性イソシアネート。
第3アルコールによりマスクされたイソシアネート基を
有し1そして\マスクされたイソシアネート基は別とし
て反応条件下に不活性である有機モノ−またポリ−イソ
シアネートが、本発明方法において使用できる。
有し1そして\マスクされたイソシアネート基は別とし
て反応条件下に不活性である有機モノ−またポリ−イソ
シアネートが、本発明方法において使用できる。
本発明方法について詳細に説明する。第3アルコールに
よりマスクされたインシアネート基を有する前記のモノ
−またはポリ−イソシアネートバークロロベンゼン、ジ
クロロベンゼン1ニトロベンゼン、ベンゾニトリルまた
はフェニル酢酸ニトリルの如き適当な溶媒中に入わた溶
液の形で1ホスゲンまたはホスゲン溶液(このときの溶
媒は、上記各こ例示した種々の溶媒のうちの7種であり
得る)と1ざ0−.220″C箋好ましくは120〜/
70℃の温度において反応させるのが有利である。各反
応体の量的比率tI′i1マスクされたインシアネート
基/個当りホスゲンが少なくとも1分子存在し得るよう
な値になるように選ぶのが好ましい0次いで反応混合物
の仕上げ操作を行なうが、この場合には、反応生成物を
蒸留または再結晶により単離するのが好ましい〇 本発明方法に従って反応を行なう場合には、遊離イソシ
アネートと塩化水素との他に、ホスゲン反応量に当量の
二酸化炭素と、マスクさねたイソシアネートの量に当量
のオレフィンとが生ずる。
よりマスクされたインシアネート基を有する前記のモノ
−またはポリ−イソシアネートバークロロベンゼン、ジ
クロロベンゼン1ニトロベンゼン、ベンゾニトリルまた
はフェニル酢酸ニトリルの如き適当な溶媒中に入わた溶
液の形で1ホスゲンまたはホスゲン溶液(このときの溶
媒は、上記各こ例示した種々の溶媒のうちの7種であり
得る)と1ざ0−.220″C箋好ましくは120〜/
70℃の温度において反応させるのが有利である。各反
応体の量的比率tI′i1マスクされたインシアネート
基/個当りホスゲンが少なくとも1分子存在し得るよう
な値になるように選ぶのが好ましい0次いで反応混合物
の仕上げ操作を行なうが、この場合には、反応生成物を
蒸留または再結晶により単離するのが好ましい〇 本発明方法に従って反応を行なう場合には、遊離イソシ
アネートと塩化水素との他に、ホスゲン反応量に当量の
二酸化炭素と、マスクさねたイソシアネートの量に当量
のオレフィンとが生ずる。
たとえば第3アルコールをマスキング剤として使用した
場合にけ1ガス状イソブチレンが生ずる。
場合にけ1ガス状イソブチレンが生ずる。
したがって、この反応の終了時期は、オレフィンおよび
二酸化炭素の発生終了により容易に知ることができる。
二酸化炭素の発生終了により容易に知ることができる。
本発明に係る前記イソシアナトアリールスルホン酸エス
テルの製造の場合には、第3アルコールによりマスクさ
れたイソシアネート基を有するイソシアナトアリールス
ルホン酸エステル(前記生成物に対応するエステル型出
発化合物)が、本発明力−9こおいて出発物質として使
用できる。
テルの製造の場合には、第3アルコールによりマスクさ
れたイソシアネート基を有するイソシアナトアリールス
ルホン酸エステル(前記生成物に対応するエステル型出
発化合物)が、本発明力−9こおいて出発物質として使
用できる。
原則として)次の一般式
Rニー■−〇〇−0−R8
(ここにR工およびR2は既述の意味を有する)のすべ
ての化合物が、本発明方法において使用できる。
ての化合物が、本発明方法において使用できる。
本発明方法に係るインシアナトアリールスルホン酸エス
テルの製造の場合には、本発明方法に使用される出発物
質は、最後に述べた一般式を有する化合物であるが1こ
の場合にはR工はアルフキシー\シクロアルコキシ−ま
たはアリールオキシスルホニルアリール基であり、この
基は任意的にC,−C4アルキル基で置換さねていても
よく、あるいけ任意的に、架橋員としての酸素原子)硫
黄原子1スルホニル−1カルボニル−またはC□−C5
アルキレン基をもっていてもよく、そして任意的に、前
記アリール基のところに次の一般式 %式% (ここにR2は既述の意味を有する) の置換基をもっていてもよい。
テルの製造の場合には、本発明方法に使用される出発物
質は、最後に述べた一般式を有する化合物であるが1こ
の場合にはR工はアルフキシー\シクロアルコキシ−ま
たはアリールオキシスルホニルアリール基であり、この
基は任意的にC,−C4アルキル基で置換さねていても
よく、あるいけ任意的に、架橋員としての酸素原子)硫
黄原子1スルホニル−1カルボニル−またはC□−C5
アルキレン基をもっていてもよく、そして任意的に、前
記アリール基のところに次の一般式 %式% (ここにR2は既述の意味を有する) の置換基をもっていてもよい。
本発明における非常に好ましい化合物であるインシアナ
トアリールスルホン酸エステルの製造のときに使用でき
る出発物質は次の一般式%式% 〔ここにR^は1炭素原子を+−10個を有する第3脂
肪族アルコールから導かねた炭化水素基を表わす。
トアリールスルホン酸エステルの製造のときに使用でき
る出発物質は次の一般式%式% 〔ここにR^は1炭素原子を+−10個を有する第3脂
肪族アルコールから導かねた炭化水素基を表わす。
R3けs(m+n)−官能性芳香族炭化水素基であり、
しかしてこの基は任意的にCニーc4R4は1炭素原子
を/−1個有するアルキル基または任意的には置換さね
ていてもよいフェニル基を表わす。
しかしてこの基は任意的にCニーc4R4は1炭素原子
を/−1個有するアルキル基または任意的には置換さね
ていてもよいフェニル基を表わす。
mは1またFi2を表わす。
nは1または2を表わす。〕
の化合物であり、この化合物をホスゲンと反応させるの
である。
である。
本発明に係るインシアナトアリールスルホン酸エステル
を製造するときに使用される前記出発物質は、それに対
応する芳香族アミノスルホン酸から、有機製造化学分野
で公知の製法に従って製造できる。その1例として次の
一般式 %式%) を有する好適な前記出発物質の製法について説明する。
を製造するときに使用される前記出発物質は、それに対
応する芳香族アミノスルホン酸から、有機製造化学分野
で公知の製法に従って製造できる。その1例として次の
一般式 %式%) を有する好適な前記出発物質の製法について説明する。
次の一般式
%式%)
の芳香族アミノスルホン酸を最初に常法に従ってホスゲ
ンとの反応により、そねに対応する一般式%式%) のイソシアナトアリールスルホン酸クロライドに変換さ
せる。このホスゲン化反応は〜ジクロロベンゼンの如き
適当な溶媒の存在下に/jO〜/ I O”Cの温度に
おいて実施するのが好ましい。
ンとの反応により、そねに対応する一般式%式%) のイソシアナトアリールスルホン酸クロライドに変換さ
せる。このホスゲン化反応は〜ジクロロベンゼンの如き
適当な溶媒の存在下に/jO〜/ I O”Cの温度に
おいて実施するのが好ましい。
このインシアナトスルホン酸クロライドをその後に、次
の一般式 の第3アルコールと反応させて、それに対応する次の一
般式 %式%) のクロロスルホニル置換−ウレタンを生成させるのであ
る。この反応は好ましくは為ジクロロベンゼン九ニトロ
ベンゼン島ベンゾニトリルまたはフェニル酢酸ニトリル
の如き適当な溶媒の存在下に少し高目の湿度たとえば2
O−jO℃において実施される。得られた反応混合物は
その後に直接に(すなわち、仕上げ操作を行なうことな
く)、次の一般式 %式% (ここにMeけNaまたはKを表わす)のアルコレート
(またはフェルレート)に、遊離アルコール(R40H
)の存在下または不存在下に反応させることができ、こ
ねによって、本発明方法に使用される前記出発物質が生
成する。沈殿として生じた塩化ナトリウムまたは−カリ
ウムをけ別し1そして存在することがある余剰量のアル
コール分であるR20HまたはR40Hを、100℃以
下の温度好ましくけlIo−go℃の温度において留去
させた後に得られる所望生成物が、本発明方法において
前記出発物質として使用できるのである。
の一般式 の第3アルコールと反応させて、それに対応する次の一
般式 %式%) のクロロスルホニル置換−ウレタンを生成させるのであ
る。この反応は好ましくは為ジクロロベンゼン九ニトロ
ベンゼン島ベンゾニトリルまたはフェニル酢酸ニトリル
の如き適当な溶媒の存在下に少し高目の湿度たとえば2
O−jO℃において実施される。得られた反応混合物は
その後に直接に(すなわち、仕上げ操作を行なうことな
く)、次の一般式 %式% (ここにMeけNaまたはKを表わす)のアルコレート
(またはフェルレート)に、遊離アルコール(R40H
)の存在下または不存在下に反応させることができ、こ
ねによって、本発明方法に使用される前記出発物質が生
成する。沈殿として生じた塩化ナトリウムまたは−カリ
ウムをけ別し1そして存在することがある余剰量のアル
コール分であるR20HまたはR40Hを、100℃以
下の温度好ましくけlIo−go℃の温度において留去
させた後に得られる所望生成物が、本発明方法において
前記出発物質として使用できるのである。
使用すべき出発物質類(アミノスルホン酸、第3アルコ
ール1およびアルフレードまたはフェルレート)を適当
に選択することにより、r本発明に係るイソシアナトア
リールスルホン着工ステルを製造するための本発明方法
」に有利に使用できるマスクさl#1なイソシアネート
基を有するあらゆる種類のインシアナトアリールスルホ
ン酸エステルが前記の製法に従って確実に製造できる。
ール1およびアルフレードまたはフェルレート)を適当
に選択することにより、r本発明に係るイソシアナトア
リールスルホン着工ステルを製造するための本発明方法
」に有利に使用できるマスクさl#1なイソシアネート
基を有するあらゆる種類のインシアナトアリールスルホ
ン酸エステルが前記の製法に従って確実に製造できる。
適当な芳香族アミノスルホン酸の例には次のものがあげ
られる:コーアミノベンゼンスルホン酸)!−クロロー
2−アミノーベンゼンスルホン酸13−アミノベンゼン
スルホンW11II−アミノベンセ>スルホ>($、、
:l*lI−ジアミノベンゼンスルホンmX2.J−ジ
アミノベンゼンスルホンm、p−アミノトルエン−2−
スルホンrlk、2−アミノトルエン、−t−スルホン
aa、M、t−ジアミノトールエン−3−スルホンrM
)乙−アミノトルエン−3−スルホン酸、j−クロロ−
6−アミノトルエンーJ −スルホン酸、−2−アミノ
トルエン−t−スルホンmz2el= −ジアミノ−
トルエン−q−スルホン!、g−アミノ−7,3−ジメ
チルベンゼン−t−スルホン酸、’Itl=−ジアミノ
トルエンー3−スルホン@11−アミノナフタリン−l
−スルホン酸、S−γ′ミノナフタリン−/−スルホン
醗1乙−アミノナフタリン−/−スルホン[II、 s
−アミノベンゼン−/、3−ジスルホン酸、ターアミノ
ナフタリン−/、3−ジスルホンm、+、+’−ジアミ
ノビフェニルー2−スルホン酸、’i’tlI’−ジア
ミノジフユニルエーテル−2−スルホン酸s +y+’
−ジアミノジフェニルサルファイド−2,2−ジスルホ
ン酸12−アミノー/−7エノキシベンゼンーl−スル
ホン酸−%2−アミノー4′−メチルージフェニルスル
ホン−グースルホン−4−スルホン酸、グs’l’−シ
アてフジフェニルメタン−2,2′−ジスルホン#IX
+、II’−ジアミノジペンシルーー、2′−ジスルホ
ン酸。
られる:コーアミノベンゼンスルホン酸)!−クロロー
2−アミノーベンゼンスルホン酸13−アミノベンゼン
スルホンW11II−アミノベンセ>スルホ>($、、
:l*lI−ジアミノベンゼンスルホンmX2.J−ジ
アミノベンゼンスルホンm、p−アミノトルエン−2−
スルホンrlk、2−アミノトルエン、−t−スルホン
aa、M、t−ジアミノトールエン−3−スルホンrM
)乙−アミノトルエン−3−スルホン酸、j−クロロ−
6−アミノトルエンーJ −スルホン酸、−2−アミノ
トルエン−t−スルホンmz2el= −ジアミノ−
トルエン−q−スルホン!、g−アミノ−7,3−ジメ
チルベンゼン−t−スルホン酸、’Itl=−ジアミノ
トルエンー3−スルホン@11−アミノナフタリン−l
−スルホン酸、S−γ′ミノナフタリン−/−スルホン
醗1乙−アミノナフタリン−/−スルホン[II、 s
−アミノベンゼン−/、3−ジスルホン酸、ターアミノ
ナフタリン−/、3−ジスルホンm、+、+’−ジアミ
ノビフェニルー2−スルホン酸、’i’tlI’−ジア
ミノジフユニルエーテル−2−スルホン酸s +y+’
−ジアミノジフェニルサルファイド−2,2−ジスルホ
ン酸12−アミノー/−7エノキシベンゼンーl−スル
ホン酸−%2−アミノー4′−メチルージフェニルスル
ホン−グースルホン−4−スルホン酸、グs’l’−シ
アてフジフェニルメタン−2,2′−ジスルホン#IX
+、II’−ジアミノジペンシルーー、2′−ジスルホ
ン酸。
適当な第3アルコールの例には第3ブタノール、2−メ
チル−2−ブタノール12−メチル−2−ペンタノール
、3−メチル−3−ペンタノール13−エチル−3−ペ
ンタノールX/−メチルシクロヘキサノール1/−エチ
ルシクロヘキサノール)h/−ジメチルアリルアルコー
ルX/I/−ジメチルペンシルアルコールがあげられる
。第3ブタノールが好ましい。
チル−2−ブタノール12−メチル−2−ペンタノール
、3−メチル−3−ペンタノール13−エチル−3−ペ
ンタノールX/−メチルシクロヘキサノール1/−エチ
ルシクロヘキサノール)h/−ジメチルアリルアルコー
ルX/I/−ジメチルペンシルアルコールがあげられる
。第3ブタノールが好ましい。
適当なアルコレート、フェルレートの例にはナトリウム
メチレート、カリウムメチレート1ナトリウムエチレー
ト1カリウムエチレート1ナトリウム−n−ブチレート
1ナトリウムシクロヘキサル−ト、ナトリウムフェルレ
ートがあげられる。
メチレート、カリウムメチレート1ナトリウムエチレー
ト1カリウムエチレート1ナトリウム−n−ブチレート
1ナトリウムシクロヘキサル−ト、ナトリウムフェルレ
ートがあげられる。
フェルレートよりもアルコレートの方が好ましい。
なぜならば1本発明に係る化合物のアルキル化活性は、
芳香族スルホン酸エステルの場合にはかなり弱くなるか
らである。
芳香族スルホン酸エステルの場合にはかなり弱くなるか
らである。
本発明に係るイソシアナトアリールスルホン酸エステル
のNGO−基t′i1当該スルホン酸エステル基の影響
を受けて強く活性化される。特に、本発明に係るスルホ
ン酌メチルー1−エチル−および一プロピルエステルは
非常に高いアルキル化活性を示す。したがって1本発明
に係るこれらの化合物け\種々の有機合成における有用
な出発物質であるといえよう。たとえば、これらのイン
シアナトアルリールスルホン醗エステルはナトリウムフ
ェルレートの如き強い3量体化反応用触媒の存在下に3
量体化でき1これによって分子中に少なくとも3個のス
ルホン醗エステル基を有するイソシアヌレート誘導体が
得られる(実施例/参照)。モノイソシアナトアリール
スルホン酸エステルは、水の作用下に002の烈しい逸
失を伴ってジフェニル尿素ジスルホン酸エステルに変換
できる(実施例3参照)。両方の場合において、興味深
いポリアルキル化剤が生成できるので、ある。本発明に
係るイソシアナトアリールスルホン酸エステルを1イソ
シアネ一ト重付加反応の原則に従って・たとえばポリヒ
ドロキシル化合物と反応させることにより1アルキル化
活性保有基を有するポリウレタンが製造でき1.シかし
てこのポリウレタンはたとえばジアミンと反応させるこ
とができ、こねによって)有用な性質をもつイオン架橋
型プラスチックが得られる。
のNGO−基t′i1当該スルホン酸エステル基の影響
を受けて強く活性化される。特に、本発明に係るスルホ
ン酌メチルー1−エチル−および一プロピルエステルは
非常に高いアルキル化活性を示す。したがって1本発明
に係るこれらの化合物け\種々の有機合成における有用
な出発物質であるといえよう。たとえば、これらのイン
シアナトアルリールスルホン醗エステルはナトリウムフ
ェルレートの如き強い3量体化反応用触媒の存在下に3
量体化でき1これによって分子中に少なくとも3個のス
ルホン醗エステル基を有するイソシアヌレート誘導体が
得られる(実施例/参照)。モノイソシアナトアリール
スルホン酸エステルは、水の作用下に002の烈しい逸
失を伴ってジフェニル尿素ジスルホン酸エステルに変換
できる(実施例3参照)。両方の場合において、興味深
いポリアルキル化剤が生成できるので、ある。本発明に
係るイソシアナトアリールスルホン酸エステルを1イソ
シアネ一ト重付加反応の原則に従って・たとえばポリヒ
ドロキシル化合物と反応させることにより1アルキル化
活性保有基を有するポリウレタンが製造でき1.シかし
てこのポリウレタンはたとえばジアミンと反応させるこ
とができ、こねによって)有用な性質をもつイオン架橋
型プラスチックが得られる。
原則として1本発明に係る新規イソシアナトアリールス
ルホン酸エステルは前記の本発明方法のみならず他の方
法によってもまた製造できる。たとえばA対応するクロ
ロスルホニルアリールイソシアネートのイソシアネート
基に、フェノールを用いてマスキングを行ない、スルホ
クロライド基をアルコレートでエステル化し、次いで、
マスキング剤として使用されたフェノールを熱的離脱方
法により離脱させることからなる方法により製造できる
。allなフェノール化合物の例にはフェノール1クロ
ロフエノール1ヒドロキシトルエン1ヒドロキシエチル
ベンゼン)ヒドロキシジメチルベンゼン、ノこルフェノ
ールがあげられる。今述べた第3アルコールによるイン
シアネート基のマスキング操作のときに上記フェノール
を使用する場合には、既述の高沸点不活性瘤媒のいずわ
かの中に前記インシアナトアリールスルホン酸り四ライ
ドを人ねて攪拌し、そしてこの中に当量のマスキング剤
が添加でき名。しかしてこの場合には1イソシアヌレ一
ト付加反応用公知触媒たとえば錫(II)エチルヘキソ
エート1ジブチル錫ジ・ラウレート\もしくけ鉄−また
は亜鉛ア七チルアセFネートを用いて該反応を促進させ
るのが好ましい0このウレタンアリールスルホクロライ
ドの分子間スルホン化を避けるために、このマスキング
反応はなるべくti−o〜乙O℃の範囲内の温度におい
て実施すべきである。マスキング反応完了後に1マスク
さまたイソシアネートは、不活性溶媒中でのその溶解度
を勘案して晶出させることができる。この操作は1マス
キング剤として第3アルコールを使用した場合と同様に
実施できる。しかしながら1スルホクロライド基のエス
テル化のために必要なアルコールを添加することにより
、ウレタンの沈殿は速やかに再溶解できる。次いでエス
テル化を)第3アルコールによりマスクさねた中間生成
物を例として前記に説明した方法と同じ方法に従って行
なうことができる。
ルホン酸エステルは前記の本発明方法のみならず他の方
法によってもまた製造できる。たとえばA対応するクロ
ロスルホニルアリールイソシアネートのイソシアネート
基に、フェノールを用いてマスキングを行ない、スルホ
クロライド基をアルコレートでエステル化し、次いで、
マスキング剤として使用されたフェノールを熱的離脱方
法により離脱させることからなる方法により製造できる
。allなフェノール化合物の例にはフェノール1クロ
ロフエノール1ヒドロキシトルエン1ヒドロキシエチル
ベンゼン)ヒドロキシジメチルベンゼン、ノこルフェノ
ールがあげられる。今述べた第3アルコールによるイン
シアネート基のマスキング操作のときに上記フェノール
を使用する場合には、既述の高沸点不活性瘤媒のいずわ
かの中に前記インシアナトアリールスルホン酸り四ライ
ドを人ねて攪拌し、そしてこの中に当量のマスキング剤
が添加でき名。しかしてこの場合には1イソシアヌレ一
ト付加反応用公知触媒たとえば錫(II)エチルヘキソ
エート1ジブチル錫ジ・ラウレート\もしくけ鉄−また
は亜鉛ア七チルアセFネートを用いて該反応を促進させ
るのが好ましい0このウレタンアリールスルホクロライ
ドの分子間スルホン化を避けるために、このマスキング
反応はなるべくti−o〜乙O℃の範囲内の温度におい
て実施すべきである。マスキング反応完了後に1マスク
さまたイソシアネートは、不活性溶媒中でのその溶解度
を勘案して晶出させることができる。この操作は1マス
キング剤として第3アルコールを使用した場合と同様に
実施できる。しかしながら1スルホクロライド基のエス
テル化のために必要なアルコールを添加することにより
、ウレタンの沈殿は速やかに再溶解できる。次いでエス
テル化を)第3アルコールによりマスクさねた中間生成
物を例として前記に説明した方法と同じ方法に従って行
なうことができる。
この溶媒を真空中(O0/〜10トル)で完全に留去さ
せた後に、油状または固体残留物に熱分解操作を行なう
。一般に、芳香族マスキング剤の熱的離脱操作は高真空
中(0,/ −0,!;)ル)でis。
せた後に、油状または固体残留物に熱分解操作を行なう
。一般に、芳香族マスキング剤の熱的離脱操作は高真空
中(0,/ −0,!;)ル)でis。
〜/ざ0℃の温度において実施できる。低沸点成分は、
蒸留によりこの平衡J (equilibrium )
から除去する。その後に、この残留物に蒸留または晶出
操作を行なうことができる。本発明に係るインシアナト
アリールスルホン酸エステルを製造するための上記の特
定の方法では。、前記の「本発明方法」の如く所望生成
物を高収率で得ることは一般に不可能である。
蒸留によりこの平衡J (equilibrium )
から除去する。その後に、この残留物に蒸留または晶出
操作を行なうことができる。本発明に係るインシアナト
アリールスルホン酸エステルを製造するための上記の特
定の方法では。、前記の「本発明方法」の如く所望生成
物を高収率で得ることは一般に不可能である。
実施例/〜g
本発明方法に使用されるイソシアナトアリールスルホン
酸エステルを、第3アルコールにヨリマスクされたイソ
シアネートを用いて製造する操作および該エステル後記
の例7〜例7記載の条件下&こさらに反応させる操作は
、原則として下記の実施方法に従って行なった。
酸エステルを、第3アルコールにヨリマスクされたイソ
シアネートを用いて製造する操作および該エステル後記
の例7〜例7記載の条件下&こさらに反応させる操作は
、原則として下記の実施方法に従って行なった。
次式
%式%)
)
のイソシアナトアリールスルホン酸クロライド/、0モ
ルをジクロロベンゼン1ニトロベンゼン1ベンゾニトリ
ルまたはフェニル酢酸ニド+)ルO,!;〜11に溶か
して作った溶液を30℃に加熱し、こオ]に第3アルコ
ール/、0モルを〜約30分間を要して滴下する。この
発熱反応が静まった後に1反応混合物を室温においてS
時間攪拌する。ナトリウムアルコレ−トン、0モルを1
それに対応するアルコール2!;014に溶かして作っ
た溶液を1前記反応混合物に7時間を要して添加するO
この反応温度は30−10℃に上がる。NaClが徐々
に沈殿するから1反応混合物を室温においてさら番こ5
時間攪拌する0エーテル、20014を添加することに
よ一す5NaC1の析出が促進でき、あるいdそのf濾
過が促進できる。NaC1を除去した後の反応液中にな
お残存しているアルコール分を真空中(lOトル)でj
O−乙O″Cにおいて留去させ、残存液に常法に従って
ホスゲン化反応を行なう。
ルをジクロロベンゼン1ニトロベンゼン1ベンゾニトリ
ルまたはフェニル酢酸ニド+)ルO,!;〜11に溶か
して作った溶液を30℃に加熱し、こオ]に第3アルコ
ール/、0モルを〜約30分間を要して滴下する。この
発熱反応が静まった後に1反応混合物を室温においてS
時間攪拌する。ナトリウムアルコレ−トン、0モルを1
それに対応するアルコール2!;014に溶かして作っ
た溶液を1前記反応混合物に7時間を要して添加するO
この反応温度は30−10℃に上がる。NaClが徐々
に沈殿するから1反応混合物を室温においてさら番こ5
時間攪拌する0エーテル、20014を添加することに
よ一す5NaC1の析出が促進でき、あるいdそのf濾
過が促進できる。NaC1を除去した後の反応液中にな
お残存しているアルコール分を真空中(lOトル)でj
O−乙O″Cにおいて留去させ、残存液に常法に従って
ホスゲン化反応を行なう。
このホスゲン化反応は、/!;0−170℃のホスゲン
化湿度において2〜l1時間行なう。真空中(10トル
)で溶媒を蒸発させた後に粗製インシアナトアリールス
ルホン酸エステルが得られるがこねは蒸留または再結晶
により精製できる。
化湿度において2〜l1時間行なう。真空中(10トル
)で溶媒を蒸発させた後に粗製インシアナトアリールス
ルホン酸エステルが得られるがこねは蒸留または再結晶
により精製できる。
実施例7〜7では、マスキング剤として第3ブタノール
を使用した0 収率け、イソシアナトアリールスルホン酸クロライドの
使用量を基準として算出した。
を使用した0 収率け、イソシアナトアリールスルホン酸クロライドの
使用量を基準として算出した。
例/
出発化合物:ll−インシアナトトルエン−2−スルホ
ン酸クロライド CHN CI S 測定値: lI2.0 2.t 乙、2
I3.1 I3.どBpo、05 : ’/、12
〜/2!;”C; Mp: 55−!;7°C溶媒ニ
ジクロロベンゼン エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値=l−イソシアナトトルエン−2−スル
ホン酸メチルエステル 計算値: ’17.!;7 ’1.0 6.2
/グ、1Bpo、2: /!;ざ〜#+’Ci収
率71!i″%(理論的収量基準)NCO−含有量の測
定値は/ 9.0〜/9.3%であった(計算値は/ざ
、3%)。
ン酸クロライド CHN CI S 測定値: lI2.0 2.t 乙、2
I3.1 I3.どBpo、05 : ’/、12
〜/2!;”C; Mp: 55−!;7°C溶媒ニ
ジクロロベンゼン エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値=l−イソシアナトトルエン−2−スル
ホン酸メチルエステル 計算値: ’17.!;7 ’1.0 6.2
/グ、1Bpo、2: /!;ざ〜#+’Ci収
率71!i″%(理論的収量基準)NCO−含有量の測
定値は/ 9.0〜/9.3%であった(計算値は/ざ
、3%)。
ナトリウムフェル−Fの如き強い3量体比反応用触媒を
使用することにより1前記のインシアナトトルエン−2
−スルホン酸メチルエステルが3量体化でき、これによ
って、対応するイソシアヌト一ト誘導体が得られたが1
これは1強アルキル化作用を有するスルホン酸メチルエ
ステル基3個を分子中に有するものであった。この生成
物の分析値は次の通りである。融点は、試料分解のため
測定できなかった。
使用することにより1前記のインシアナトトルエン−2
−スルホン酸メチルエステルが3量体化でき、これによ
って、対応するイソシアヌト一ト誘導体が得られたが1
これは1強アルキル化作用を有するスルホン酸メチルエ
ステル基3個を分子中に有するものであった。この生成
物の分析値は次の通りである。融点は、試料分解のため
測定できなかった。
計算値: +7.4 3.9 乙、r i
ti、i。
ti、i。
測定値: lI7.3 3.3 乙、/
I3.9例2 例/の場合と同様なウレタントルエン−2−スルホン酸
クロライドのエステル化反応において、ナトリウムメチ
レートの代りにナトリウムメチレートのアルコール溶液
を使用した場合には、<2−イソシアナトトルエン−2
−スルホン酸エチルエステルが得られた。この生成物の
分析値は次の通りである。これは110℃より上の温度
においてガス発生を伴いながら分解するものであった。
I3.9例2 例/の場合と同様なウレタントルエン−2−スルホン酸
クロライドのエステル化反応において、ナトリウムメチ
レートの代りにナトリウムメチレートのアルコール溶液
を使用した場合には、<2−イソシアナトトルエン−2
−スルホン酸エチルエステルが得られた。この生成物の
分析値は次の通りである。これは110℃より上の温度
においてガス発生を伴いながら分解するものであった。
計算値: ’I−9,711,7!;、1 I3
.3測定値: !;0.3 Il、乙 !;、
7 I3.0例3 出発化合物:3−イソシアナトベンゼンスルホン酸クロ
ライド 溶媒:ベンゾニトリル エステル化:Na−メチレート −6生成物の分析値=3−イソシアナトベンゼンスルホ
ン酸メチルエステル CHN 計算値: 11−!;、0 3.3 乙、5乙
/S、0測定値: ’I!;、6 3.3
乙、乙 I11.IBpo、05 /IIQ〜l
ll乙’C;Mp:j!〜S乙°C収率:に0%(粗製
化合物) アセトン溶液の形の3−インシアナトベンゼンスルホン
醜メチルエステル2モルをH2O(/−!:/し)と反
応させた場合には、CO2の烈しい逸失を伴いながら反
応が起り、ジフェニル尿素−3,r−ジスルホン酸メチ
ルエステルが得られた0この生成物の分析値は次の通り
である○ CHN S 計算値: ++、ざ xi−、o 乙、97
I3;、9Mp(対7.): / 36〜/S
7°C例1 出発化合物:lI−イソシアナトベンゼンスルホン酸ク
ロライド 溶媒ニジクロロベンゼン エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値: +−イソシアナトベンゼンスルホン
酸メチルエステル 徂算値: 4’j。0 3.3 乙、S乙 i
s、。
.3測定値: !;0.3 Il、乙 !;、
7 I3.0例3 出発化合物:3−イソシアナトベンゼンスルホン酸クロ
ライド 溶媒:ベンゾニトリル エステル化:Na−メチレート −6生成物の分析値=3−イソシアナトベンゼンスルホ
ン酸メチルエステル CHN 計算値: 11−!;、0 3.3 乙、5乙
/S、0測定値: ’I!;、6 3.3
乙、乙 I11.IBpo、05 /IIQ〜l
ll乙’C;Mp:j!〜S乙°C収率:に0%(粗製
化合物) アセトン溶液の形の3−インシアナトベンゼンスルホン
醜メチルエステル2モルをH2O(/−!:/し)と反
応させた場合には、CO2の烈しい逸失を伴いながら反
応が起り、ジフェニル尿素−3,r−ジスルホン酸メチ
ルエステルが得られた0この生成物の分析値は次の通り
である○ CHN S 計算値: ++、ざ xi−、o 乙、97
I3;、9Mp(対7.): / 36〜/S
7°C例1 出発化合物:lI−イソシアナトベンゼンスルホン酸ク
ロライド 溶媒ニジクロロベンゼン エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値: +−イソシアナトベンゼンスルホン
酸メチルエステル 徂算値: 4’j。0 3.3 乙、S乙 i
s、。
測定値: II!;、2 3.3 乙、s
/!;、3Bp、1− / 37〜1llo″C 例j 出発化合物= x、乙−ジイソシアナトトルエンスルホ
ン酸クロライド CHN S CI BpOo、−/ 32〜/ 、!t4’cMp(1−y
x) = 116〜50℃溶媒:フェニル酢酸ニトリル エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値:2.乙−ジイソシアナトトルエンスル
ホン酸メチルエステル NC0−含有量測定操作を室温において速やかに行なっ
た結果、NC〇−含有量は3 /、gであることが判っ
た(計算値け3 /、4’%)。
/!;、3Bp、1− / 37〜1llo″C 例j 出発化合物= x、乙−ジイソシアナトトルエンスルホ
ン酸クロライド CHN S CI BpOo、−/ 32〜/ 、!t4’cMp(1−y
x) = 116〜50℃溶媒:フェニル酢酸ニトリル エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値:2.乙−ジイソシアナトトルエンスル
ホン酸メチルエステル NC0−含有量測定操作を室温において速やかに行なっ
た結果、NC〇−含有量は3 /、gであることが判っ
た(計算値け3 /、4’%)。
例6
出発化合物=2.S−ジイソシアナトベンゼンスルホン
酸クロライド CHN S C1 測定値: 37.9 /、、2 10.9 I2
.2 I3.9Bpo、1 = / II t〜/S
O″CMp(z5A/) ” ’〜Sざ°C 溶媒:ベンゾニトリル エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値:2.S−ジイソシアナトベンゼンスル
ホン酸メチルエステル 計算値: lI2.!; 2.グ //、0 I
2.乙Bpo、2” / !; !;−/ A O″
CMpj 乙O−≦2°C; 収率:32%(理論的収
量基準)例7 出発化合物ニア−イソシアナトナフタリン−7−スルホ
ン酸クロライド HNSCI Mp:/32〜/3!;”C 溶媒:フェニル酢酸ニトリル エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値ニア−インシアナトナフタリン−7−ス
ルホン酸メチルエチル CHN S フェノール9 lIg(/、0モル)ト、ジクロロベン
ゼン/!;01nlと錫(II)エチルヘキソエート0
.39との混合物を、3−イソシアナトベンゼンスルホ
ン酸クロライトコ/ 7.39 (/、0モル)の溶液
(溶媒はジクロロベンゼン300m1>に1室温におい
て添加した。この反応混合物をその後に110〜so”
cに1時間加熱した。冷却後に1フエニルウレタン、2
6ざりが徐々に析出してきた。収率:86%(理論的収
量基準)。Mp : / 2g〜/30°C8 上記フェニルウレタン/ lIo 9 (0,113モ
ル)をメタノール5OO−に溶かした。次いで為ナトリ
ウム/ 0.3 !; 9 (0,ll!iモル)をメ
タノール2001nlに溶かして作った溶液を1室温に
おいて30分間を要して滴下し、その後に反応混合物を
3時間攪拌した。前記メタノールの約半量を留去させ、
かつ沈澱したNaC1をう戸別した後に112液に水を
添加したところ、ウレタンスルホン酸メチルエステル生
成物が無色油状物の形で沈澱した0H20を含まないス
ルホン酸メチルエステル生成物の熱的分解操作(サーマ
ルスブリッチング)けl〜−トルの圧力下に実施できた
。フェノールは乙θ〜ざO″Cで留出するから容易に分
離でき、すなわちこの平衡混合物から除去できた。次い
で)所望生成物である3−イソシアナトベンゼンスルホ
ン酸メチルエステルが/!;0−/lO”cにおいて得
られた。収率は50%であった(理論的収量基準)。再
蒸留操作により無色油状物の形の所望生成物が得られた
が、これは直ちに固化した(Mp:jj−j7℃)。こ
の生成物の分析値は次の通りである。
酸クロライド CHN S C1 測定値: 37.9 /、、2 10.9 I2
.2 I3.9Bpo、1 = / II t〜/S
O″CMp(z5A/) ” ’〜Sざ°C 溶媒:ベンゾニトリル エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値:2.S−ジイソシアナトベンゼンスル
ホン酸メチルエステル 計算値: lI2.!; 2.グ //、0 I
2.乙Bpo、2” / !; !;−/ A O″
CMpj 乙O−≦2°C; 収率:32%(理論的収
量基準)例7 出発化合物ニア−イソシアナトナフタリン−7−スルホ
ン酸クロライド HNSCI Mp:/32〜/3!;”C 溶媒:フェニル酢酸ニトリル エステル化:Na−メチレート 生成物の分析値ニア−インシアナトナフタリン−7−ス
ルホン酸メチルエチル CHN S フェノール9 lIg(/、0モル)ト、ジクロロベン
ゼン/!;01nlと錫(II)エチルヘキソエート0
.39との混合物を、3−イソシアナトベンゼンスルホ
ン酸クロライトコ/ 7.39 (/、0モル)の溶液
(溶媒はジクロロベンゼン300m1>に1室温におい
て添加した。この反応混合物をその後に110〜so”
cに1時間加熱した。冷却後に1フエニルウレタン、2
6ざりが徐々に析出してきた。収率:86%(理論的収
量基準)。Mp : / 2g〜/30°C8 上記フェニルウレタン/ lIo 9 (0,113モ
ル)をメタノール5OO−に溶かした。次いで為ナトリ
ウム/ 0.3 !; 9 (0,ll!iモル)をメ
タノール2001nlに溶かして作った溶液を1室温に
おいて30分間を要して滴下し、その後に反応混合物を
3時間攪拌した。前記メタノールの約半量を留去させ、
かつ沈澱したNaC1をう戸別した後に112液に水を
添加したところ、ウレタンスルホン酸メチルエステル生
成物が無色油状物の形で沈澱した0H20を含まないス
ルホン酸メチルエステル生成物の熱的分解操作(サーマ
ルスブリッチング)けl〜−トルの圧力下に実施できた
。フェノールは乙θ〜ざO″Cで留出するから容易に分
離でき、すなわちこの平衡混合物から除去できた。次い
で)所望生成物である3−イソシアナトベンゼンスルホ
ン酸メチルエステルが/!;0−/lO”cにおいて得
られた。収率は50%であった(理論的収量基準)。再
蒸留操作により無色油状物の形の所望生成物が得られた
が、これは直ちに固化した(Mp:jj−j7℃)。こ
の生成物の分析値は次の通りである。
CHN s
測定値: 4t3.’l 3.7 ≦、7 /
jt、0(以下余白) 例9 ) ルx > 300 td 中の例乙の2.s−ジイ
ソシアナトベンゼンスルホン酸クロライド/ 03.1
1 g(0,¥モル)の溶液に、トルエンjo−中の第
3ブタノール7 Q g (/、0モル)の溶液を室1
で11.1分以内に滴加した。混合物を室温で約L6時
間攪拌した。
jt、0(以下余白) 例9 ) ルx > 300 td 中の例乙の2.s−ジイ
ソシアナトベンゼンスルホン酸クロライド/ 03.1
1 g(0,¥モル)の溶液に、トルエンjo−中の第
3ブタノール7 Q g (/、0モル)の溶液を室1
で11.1分以内に滴加した。混合物を室温で約L6時
間攪拌した。
次にエタノール10.nt中のナトリウムフェル−ト!
;2.2 g (0,11!rモル)(7)溶液を約3
3−tto′cの温度で添加した。約3.5時間後に反
応混合物を水300−と混合し、有機相を分離し、硫酸
す) IJウムで乾燥し、最後に溶媒を減圧下に留去し
た。粘稠液が後に残り(l乙乙g=理論収量の93%)
、これは室温で貯蔵すると結晶化し、そして/20−/
、2!;”Cの融点を示す。生成物をシクロヘキサン中
で再結晶して融点/ 2 j −/、2g°Cの純ビス
−(第3ブトキシカルボニルアミノ)ベンゼンスルホン
酸フェニルエステルを得た。
;2.2 g (0,11!rモル)(7)溶液を約3
3−tto′cの温度で添加した。約3.5時間後に反
応混合物を水300−と混合し、有機相を分離し、硫酸
す) IJウムで乾燥し、最後に溶媒を減圧下に留去し
た。粘稠液が後に残り(l乙乙g=理論収量の93%)
、これは室温で貯蔵すると結晶化し、そして/20−/
、2!;”Cの融点を示す。生成物をシクロヘキサン中
で再結晶して融点/ 2 j −/、2g°Cの純ビス
−(第3ブトキシカルボニルアミノ)ベンゼンスルホン
酸フェニルエステルを得た。
この生成物/ 00 g (0,21モル)を周知の方
法でホスゲン化した。反応は約4.5時間後に終了した
。次に使用した溶媒(クロロベンゼン)を蒸留により除
去した。最後に蒸留残渣を真空蒸留して、O,/ 33
3ミリバールの圧力下20!;−270°c r留出し
、26.’1%(7) NOO含量を示す純2.s−ジ
イソシアナトベンゼンスルホン酸フエニルエステルfl
og(1,1%)を得た。室温で貯蔵して結晶化後、3
9− + / ℃の融点ば見出された。
法でホスゲン化した。反応は約4.5時間後に終了した
。次に使用した溶媒(クロロベンゼン)を蒸留により除
去した。最後に蒸留残渣を真空蒸留して、O,/ 33
3ミリバールの圧力下20!;−270°c r留出し
、26.’1%(7) NOO含量を示す純2.s−ジ
イソシアナトベンゼンスルホン酸フエニルエステルfl
og(1,1%)を得た。室温で貯蔵して結晶化後、3
9− + / ℃の融点ば見出された。
例10
トルエン200−中の2.II−ジイソシアナト−5−
メチルベンゼンスルホン酸クロライド100g(0,3
7モル)と錫(It)エチルヘキソエート0.2gの溶
液に、トルエン乙〇−中の第3ブタノール7 l1g
(/、0モル)の溶液を室温で約to分間で滴加した。
メチルベンゼンスルホン酸クロライド100g(0,3
7モル)と錫(It)エチルヘキソエート0.2gの溶
液に、トルエン乙〇−中の第3ブタノール7 l1g
(/、0モル)の溶液を室温で約to分間で滴加した。
外部冷却により反応温度を33−lIO℃に保った。約
2.3時間後にj、Il−ビス−(第3ブトキシカルボ
ニルアミノ)−5−メチルベンゼンスルホン酸クロライ
ド/ lIOg (90,7%)が結晶として分離した
。
2.3時間後にj、Il−ビス−(第3ブトキシカルボ
ニルアミノ)−5−メチルベンゼンスルホン酸クロライ
ド/ lIOg (90,7%)が結晶として分離した
。
上記クロライド/311g(0,3,2モル)とエタノ
ールsso、ntおよびジオキサン2!;o−の混合物
に、エタノール/70−中のナトリウムフェル−) !
; I g (0,!;モル)の溶液を添加した。この
混合物を室温で6時間攪拌し、最後に70″Cに7時間
加熱した。最後に溶媒を減圧下に留去した。
ールsso、ntおよびジオキサン2!;o−の混合物
に、エタノール/70−中のナトリウムフェル−) !
; I g (0,!;モル)の溶液を添加した。この
混合物を室温で6時間攪拌し、最後に70″Cに7時間
加熱した。最後に溶媒を減圧下に留去した。
油状残渣を水と混合した。混合物を攪拌すると融点10
f−//、2°Cの白色結晶が生f12.シt、ニー(
/2!;g=I2%)。生成物をエタノール中で再結晶
して//乙−/Iざ°Cの純2.’l−ビス−(第3ブ
トキシカルボニルアミノ)−よ−メチルベンゼンスルホ
ン酸フェニルエステルヲ4 だ。
f−//、2°Cの白色結晶が生f12.シt、ニー(
/2!;g=I2%)。生成物をエタノール中で再結晶
して//乙−/Iざ°Cの純2.’l−ビス−(第3ブ
トキシカルボニルアミノ)−よ−メチルベンゼンスルホ
ン酸フェニルエステルヲ4 だ。
最後に述べた生成物/22g(0,2!;モル)をクロ
ロベンゼン中で周知の方法でホスゲン化した。
ロベンゼン中で周知の方法でホスゲン化した。
溶媒を留去後、23.3%のNco含量を有する油状粗
ジイソシアネートが得られた。この残渣は室温で貯蔵す
ると結晶化し、これを石油エーテル中で再結晶した。最
後に、211.ff%のNOO基を含有する融点47−
70°C(D2 、u−ジイソシフす)−j−メチルベ
ンゼンスルホン酸フェニルエステルが得られ′た。
ジイソシアネートが得られた。この残渣は室温で貯蔵す
ると結晶化し、これを石油エーテル中で再結晶した。最
後に、211.ff%のNOO基を含有する融点47−
70°C(D2 、u−ジイソシフす)−j−メチルベ
ンゼンスルホン酸フェニルエステルが得られ′た。
CHNS
計算値: jlIJ 3.03 1!i′、3
9.7測定値: !;!;、0 3.0 g、2
10.0例// 2、l−ジイソシアナト−3−メチルベンゼンスルホン
酸クロライドから出発して例10の手順に従って2.1
1−ジイソシアナト−3−メチルベンゼンスルホン酸フ
ェニルエステルを製造した。
9.7測定値: !;!;、0 3.0 g、2
10.0例// 2、l−ジイソシアナト−3−メチルベンゼンスルホン
酸クロライドから出発して例10の手順に従って2.1
1−ジイソシアナト−3−メチルベンゼンスルホン酸フ
ェニルエステルを製造した。
生成物は2 ’1.!;%のNCO′含量およびざ9−
90”Cの融点を示した。
90”Cの融点を示した。
例12
トルエン20Od中の2.!−ジイソシアナトベンゼン
スルホン酸りロライド/ 00 g (0,39モル)
の溶液に、第3ブタノール74’ g (/、0モル)
を室温で015時間以内に滴加した。混合物を室温でt
時間攪拌した。次にエタノール20Otnl中のナトリ
ウムp−クロロフェルレートA7g(0,’13モル)
の溶液を添加した。混合物を110−jO″Cで5時間
攪拌した。次に混合物を水330m1と混合した。有機
相を分離し、乾燥した。溶媒を減圧で除去後、2.!;
−ビスー(第3ブトキシカルボニルアミノ)−ベンゼン
スルホン酸p−クロロフェニルエステル/rOg(92
,1%)カ、室温で貯蔵すると結晶化する油状残渣とし
て残った。
スルホン酸りロライド/ 00 g (0,39モル)
の溶液に、第3ブタノール74’ g (/、0モル)
を室温で015時間以内に滴加した。混合物を室温でt
時間攪拌した。次にエタノール20Otnl中のナトリ
ウムp−クロロフェルレートA7g(0,’13モル)
の溶液を添加した。混合物を110−jO″Cで5時間
攪拌した。次に混合物を水330m1と混合した。有機
相を分離し、乾燥した。溶媒を減圧で除去後、2.!;
−ビスー(第3ブトキシカルボニルアミノ)−ベンゼン
スルホン酸p−クロロフェニルエステル/rOg(92
,1%)カ、室温で貯蔵すると結晶化する油状残渣とし
て残った。
溶媒としてジクロロベンゼンを使用して周知の方法でホ
スゲン化することにより、2/、6%のNCO含量を有
する粗ジイソシアネートが得られた。
スゲン化することにより、2/、6%のNCO含量を有
する粗ジイソシアネートが得られた。
この粗生成物を0.733ミリバールで220−230
’Cで蒸留し、次に石油エーテル中で再結晶して、9
3−91.°Cの融点および23.3%のNCO含量を
有する純2.!−ジイソシアナトベンゼンスルホン酸p
−クロロフェニエルエステルを得た。
’Cで蒸留し、次に石油エーテル中で再結晶して、9
3−91.°Cの融点および23.3%のNCO含量を
有する純2.!−ジイソシアナトベンゼンスルホン酸p
−クロロフェニエルエステルを得た。
例/3
2、!−ジイソシアナトベンゼンスルホン酸クロライド
から出発して例7.2と同様にして2.S−ジイソシア
ナトベンゼンスルホン酸p−メチルフェニルエステルを
得た。生成物は21.7%のNOO含量を有し、そして
0./33ミ+)バールで270−.220′Cで留出
した。
から出発して例7.2と同様にして2.S−ジイソシア
ナトベンゼンスルホン酸p−メチルフェニルエステルを
得た。生成物は21.7%のNOO含量を有し、そして
0./33ミ+)バールで270−.220′Cで留出
した。
例/4’
q、q′−ジイソシアナトジフェニルメタン−3−スル
ホン酸クロライドから出発して例13と同様にして<z
、 <z’−ジイソシアナトジフェニルメタン−3−
スルホン酸フェニルエステルヲ得り。生成物は/ざ、乙
%のNCO含量を示1蒸留し得ない樹脂状物質であった
。
ホン酸クロライドから出発して例13と同様にして<z
、 <z’−ジイソシアナトジフェニルメタン−3−
スルホン酸フェニルエステルヲ得り。生成物は/ざ、乙
%のNCO含量を示1蒸留し得ない樹脂状物質であった
。
代理人の氏名 川原1)−穂
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 下記一般式 %式% (ここにR工は不活性有機基を表わし、この基ハ任意的
に、次の一般式 %式% の置換基を更にもっていてもよくまただしそね以外の点
では反応条件下で不活性なものでなければならないO R2は1第3アルコールからヒドロキシル基を除去する
ことにより形成されるような型の基を表わす) の化合物をホスゲンと反応させることを特徴とする有機
イソシアネートの製造方法。 (2、特許請求の範囲第7項記載の方法において、出発
化合物が特許請求の範囲第7項記載の一般式を有する化
合物であり〜ただしこの場合にはR工がアルコキシ−、
シクロアルコキシ−またはアリールオキシスルホニルア
リール基であり、この基は任意的にCニーC4アルキル
基で置換さねていてもよく為あるいは任意的に架橋員と
してX@素原子、硫黄原子(スルホニル−、カルボニル
−またはCニー05アルキレン基をもっていてもよく1
そして任意的に、前記アリール基のところに次式%式% の置換基を更にもっていてもよく、そして上記のR2、
特許請求の範囲第1項記載の意味を有するものであるこ
とを特徴とする方法。 (3)特許請求の範囲第1項〜第2項のいすわかに記載
の方法において一下記一般式 %式%) 〔ここにR′2は、炭素原子をl〜10個有する第3脂
肪族アルコールから導かねた炭化水素基を表わす。 R3は翫炭素原子を6〜l!;個有する(m+n)−官
能性芳香族炭化水素基を表わし、しかしてこの基は任意
的にCニーC4アルキル基で置換さねていてもよい。 R4は1炭素原子を/−1個有するアルキル基または任
意的には置換されていてもよいフェニル基を表わす。 mは/または2を衷わす。 nは/またFi2を表わす〕 の化合物をホスゲンと反応させることを特徴とする方法
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE26371142 | 1976-08-18 | ||
DE19762637114 DE2637114A1 (de) | 1976-08-18 | 1976-08-18 | Verfahren zur herstellung von isocyanaten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58150550A true JPS58150550A (ja) | 1983-09-07 |
Family
ID=5985709
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52098310A Expired JPS6027664B2 (ja) | 1976-08-18 | 1977-08-18 | イソシアネ−ト |
JP58019840A Pending JPS58150550A (ja) | 1976-08-18 | 1983-02-10 | イソシアネ−トの製法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52098310A Expired JPS6027664B2 (ja) | 1976-08-18 | 1977-08-18 | イソシアネ−ト |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4259255A (ja) |
JP (2) | JPS6027664B2 (ja) |
BE (1) | BE857853A (ja) |
CH (1) | CH639644A5 (ja) |
DE (1) | DE2637114A1 (ja) |
FR (1) | FR2362123A1 (ja) |
GB (1) | GB1539146A (ja) |
IT (1) | IT1079815B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2651065A1 (de) * | 1976-11-09 | 1978-05-18 | Bayer Ag | Modifizierte, sulfonsaeureestergruppen aufweisende polyisocyanate |
DE2855938A1 (de) * | 1978-12-23 | 1980-07-10 | Bayer Ag | Isocyanatoarylsulfochloride, ein verfahren zu ihrer herstellung, sowie ihre verwendung bei der herstellung von polyisocyanat-polyadditionsprodukten |
DE3130844A1 (de) * | 1981-08-04 | 1983-02-24 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Neue n,n-disubstituierte sulfonamidgruppen aufweisende aromatische diisocyanate, verfahren zu ihrer herstellung sowie ihre verwendung als aufbaukomponente bei der herstellung von polyurethanen |
EP2259865A1 (en) * | 2008-03-27 | 2010-12-15 | General Electric Company | Aromatic halsulfonyl isocyanate compositions and polymers therefrom |
CN116730880B (zh) * | 2023-08-14 | 2023-10-27 | 江苏天合储能有限公司 | 电解液除水添加剂、电解液及锂离子电池 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB485761A (en) * | 1936-11-24 | 1938-05-24 | Henry Alfred Piggott | Manufacture of isocyanates |
US3404170A (en) * | 1965-09-27 | 1968-10-01 | Upjohn Co | Preparation of isocyanates |
DE1618441C3 (de) * | 1967-06-21 | 1975-05-07 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur Herstellung von 2-lso-cyanato-2-methyl-propansulfonsäurechlorid |
CH542824A (de) * | 1968-06-06 | 1973-11-30 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Chlorsulfonyl-vinyl-isocyanaten |
CA931688A (en) * | 1968-08-02 | 1973-08-07 | C. Carlson Robert | Sulfonated aromatic polyisocyanates and preparation of stable anionic polyurethane or polyurea latices therefrom |
DE2227111C2 (de) * | 1972-06-03 | 1984-07-26 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur Herstellung von flüssigen, Sulfonsäure- und/oder Sulfonatgruppen aufweisenden, aromatischen Polyisocyanatgemischen und die danach hergestellten Gemische |
DE2359615A1 (de) * | 1973-11-30 | 1975-06-05 | Bayer Ag | Harzartige sulfonierte polyisocyanate |
US3959329A (en) * | 1973-05-24 | 1976-05-25 | Bayer Aktiengesellschaft | Polyisocyanates containing sulphonic acid or sulphonate groups |
DE2359611C3 (de) * | 1973-11-30 | 1981-09-17 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur Herstellung von durch Harze auf Isocyanatbasis gebundenen Füllstoffen |
DE2359614A1 (de) * | 1973-11-30 | 1975-06-05 | Bayer Ag | Sulfonsaeure- und/oder sulfonatgruppen aufweisende polyisocyanate |
-
1976
- 1976-08-18 DE DE19762637114 patent/DE2637114A1/de active Granted
-
1977
- 1977-08-11 IT IT50643/77A patent/IT1079815B/it active
- 1977-08-16 CH CH1002177A patent/CH639644A5/de not_active IP Right Cessation
- 1977-08-16 GB GB34321/77A patent/GB1539146A/en not_active Expired
- 1977-08-17 BE BE180224A patent/BE857853A/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-08-18 JP JP52098310A patent/JPS6027664B2/ja not_active Expired
- 1977-08-18 FR FR7725315A patent/FR2362123A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-02-26 US US06/015,577 patent/US4259255A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-02-10 JP JP58019840A patent/JPS58150550A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2637114C2 (ja) | 1987-12-03 |
US4259255A (en) | 1981-03-31 |
FR2362123B1 (ja) | 1980-08-29 |
IT1079815B (it) | 1985-05-13 |
CH639644A5 (de) | 1983-11-30 |
FR2362123A1 (fr) | 1978-03-17 |
JPS5323904A (en) | 1978-03-06 |
BE857853A (fr) | 1978-02-17 |
DE2637114A1 (de) | 1978-02-23 |
GB1539146A (en) | 1979-01-24 |
JPS6027664B2 (ja) | 1985-06-29 |
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