JPS58147560A - スパツタ装置用基板ホルダ治具 - Google Patents
スパツタ装置用基板ホルダ治具Info
- Publication number
- JPS58147560A JPS58147560A JP3031582A JP3031582A JPS58147560A JP S58147560 A JPS58147560 A JP S58147560A JP 3031582 A JP3031582 A JP 3031582A JP 3031582 A JP3031582 A JP 3031582A JP S58147560 A JPS58147560 A JP S58147560A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- substrate
- sputtering
- magnetic field
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板材上に物ｌｓを付着するスバ、り装置、＠
に磁性体のスバ、り替ングを主目的とするスバ、り装置
の基板ホルダ治具に関するものである。
に磁性体のスバ、り替ングを主目的とするスバ、り装置
の基板ホルダ治具に関するものである。
スバ、り鋲＃ｔは、半導体デバイスや薄膜磁気ヘッド、
磁気バブルデバイス等の成膜プロセスには欠かせない重
要な役割を果九すよ５にな、ている。
磁気バブルデバイス等の成膜プロセスには欠かせない重
要な役割を果九すよ５にな、ている。
特に、後二者のプロセスにおいて、磁性体のスバ、り膜
が、膜のＩＰ＃性や再現性の真好な点で広く利用されて
いる。但し、ここで言う良好な磁性膜とは、一般に、保
磁力Ｈｃｉび、負性４！Ｅ磁昇Ｈｋが小さく、従りて透
磁率声が大きく、かつ、ＦＭ内内磁気力方性分散が少な
いｌＩを指す。
が、膜のＩＰ＃性や再現性の真好な点で広く利用されて
いる。但し、ここで言う良好な磁性膜とは、一般に、保
磁力Ｈｃｉび、負性４！Ｅ磁昇Ｈｋが小さく、従りて透
磁率声が大きく、かつ、ＦＭ内内磁気力方性分散が少な
いｌＩを指す。
従来、スパッタリングによる磁性膜Ｏ作製は第一図に示
す標準的なスバ、り装置を用いて行なわれている。却ち
第一一のスバ、タ＆亀は、チャンバｌと金属合板２とで
真空状態を保持し５る気蜜構造を形成し、それは基準電
位３（この場合、振部電位）Ｋ接続されている。
す標準的なスバ、り装置を用いて行なわれている。却ち
第一一のスバ、タ＆亀は、チャンバｌと金属合板２とで
真空状態を保持し５る気蜜構造を形成し、それは基準電
位３（この場合、振部電位）Ｋ接続されている。
チャンバ１内にアルゴン勢の過当なガスを入口（論示せ
ず）から導入し、ターゲット亀−４に基準電位３に対し
て晶周液電圧（又は負の＊＊ａ電圧）を印加し、チャン
バ１及び金属台板２との間でプラズマ放電を行なわせる
と、ターグツト電榛４１に取り付けられた磁性体ターゲ
ット５から、アルゴンイオンの彎撃により磁性体粒子が
スバ。
ず）から導入し、ターゲット亀−４に基準電位３に対し
て晶周液電圧（又は負の＊＊ａ電圧）を印加し、チャン
バ１及び金属台板２との間でプラズマ放電を行なわせる
と、ターグツト電榛４１に取り付けられた磁性体ターゲ
ット５から、アルゴンイオンの彎撃により磁性体粒子が
スバ。
タされ、基板１１［１１！６上に配置された基板材７上
にす（着し、磁性薄膜が形成される。艷に、上記の欅単
的なスバ、り装置では、プラズマを基板電機６とターグ
ツト電４４との間に収束させ、スパッタ効率を＾めるた
めのプラズマ収束用永久磁石（又Ｌプラズーｑ収末用電
砿６）８が設置されているのが一般的である。
にす（着し、磁性薄膜が形成される。艷に、上記の欅単
的なスバ、り装置では、プラズマを基板電機６とターグ
ツト電４４との間に収束させ、スパッタ効率を＾めるた
めのプラズマ収束用永久磁石（又Ｌプラズーｑ収末用電
砿６）８が設置されているのが一般的である。
前記、健米のスバ、り＆蝋では、良好なａ性膜、叩ち、
先に述べた低保磁力、鳩透磁率、及び真方性分散の少な
い磁性膜の得られる領域は、基板電極６の周辺部のみに
限定され、基板ｔ―全全面得るのＦｉ国難であった。こ
の８Ｉに磁性膜の磁気特性が基板電機６上に置かれた基
板材７０位置によって分布が生じる海内は、導入ガス中
Ｃ一般的には、アルゴンガス中）Ｋ含まれている不純物
や、スバ、夕の際、ターグツト５、基板電機６の表面、
爽にはチャンバ１反ひ金＾合板２から放出された酸素等
の不純物が不均一に修性腺中に取り込まれるためであり
、特に基板電機６０局辺部の方が不純物混入量が少ない
ためと推定される。このは因社、プラズマ収束用永久磁
石８かもの磁界９が、基板電機６の表面中央ａＤにおい
ては略表面に対して垂直に入射するのに対し、崗辺ｓＫ
なるはど、ｔ＋め。
先に述べた低保磁力、鳩透磁率、及び真方性分散の少な
い磁性膜の得られる領域は、基板電極６の周辺部のみに
限定され、基板ｔ―全全面得るのＦｉ国難であった。こ
の８Ｉに磁性膜の磁気特性が基板電機６上に置かれた基
板材７０位置によって分布が生じる海内は、導入ガス中
Ｃ一般的には、アルゴンガス中）Ｋ含まれている不純物
や、スバ、夕の際、ターグツト５、基板電機６の表面、
爽にはチャンバ１反ひ金＾合板２から放出された酸素等
の不純物が不均一に修性腺中に取り込まれるためであり
、特に基板電機６０局辺部の方が不純物混入量が少ない
ためと推定される。このは因社、プラズマ収束用永久磁
石８かもの磁界９が、基板電機６の表面中央ａＤにおい
ては略表面に対して垂直に入射するのに対し、崗辺ｓＫ
なるはど、ｔ＋め。
或いは水平に入射することに由来する。岬も、ａｌ磁界
を基板電機６の表面に対して、Ｊｌ直成分ｌＯと水平成
分１１に分解して考えると、基板電−６の中央部では垂
直成分１Ｇが、周辺部では、水平成分１１が、大きな割
合で基板電極表面に入射するととになる。この水平成分
１１により、ターゲ、ト電極４と基板電像６関Ｏプラズ
＜ｔｉ主に基板電機の周辺部に集中することになる。こ
のことは、ターグツト５上で生じるスバ、り現象とＮじ
く。
を基板電機６の表面に対して、Ｊｌ直成分ｌＯと水平成
分１１に分解して考えると、基板電−６の中央部では垂
直成分１Ｇが、周辺部では、水平成分１１が、大きな割
合で基板電極表面に入射するととになる。この水平成分
１１により、ターゲ、ト電極４と基板電像６関Ｏプラズ
＜ｔｉ主に基板電機の周辺部に集中することになる。こ
のことは、ターグツト５上で生じるスバ、り現象とＮじ
く。
基板電機６上でも必然的に生じるアルゴンイオン術撃に
よる再放出現象、Ｋわゆるリスバ、り現象を周辺部はと
大きくし、この結果、磁性膜中に取り込まれ九不純物ガ
スｔ−除去する効果が＾まり。
よる再放出現象、Ｋわゆるリスバ、り現象を周辺部はと
大きくし、この結果、磁性膜中に取り込まれ九不純物ガ
スｔ−除去する効果が＾まり。
結局、基板電＄６の周辺部のみで良好な磁気特性を有す
る磁性膜が得られることになる。
る磁性膜が得られることになる。
一方、前述のリスパ、り現象を横−的に活用した言わゆ
るバイアススパ、り法が、良好な磁性膜を得る方法とし
て知られている。バイアススパ。
るバイアススパ、り法が、良好な磁性膜を得る方法とし
て知られている。バイアススパ。
り法とは、基板電極に適当なｈ法で負の直流電圧（バイ
アス電圧）を印加し、基板電極上に入射するアルゴンイ
オンを制御し、磁性膜中に取り込まれた不純物ガスを除
去し、磁気特性を改善する合法である。この方法を第１
図に示したプラズマ収束用永久磁石を備えたスバ、り装
置１に適用した時のバイアス電圧に対すゐ磁気特性の変
化を第２図に示す。スバ、り装置はターグツト反び基板
電極の１ｉｌＩ径が１７０ｍでターグツト材は二、ケル
８０％、鉄２０％の合金を用い、ターゲット１勧には４
００Ｗの電力を一１加した。艶２図に示す如く、ある程
度のバイアス点まではバイアス電圧が深まるにつれて、
確かに磁気特性は改豊されるが、更にバイアス電圧を烏
めると、再び磁気特性は急くなってくる。これはバイア
ス電位を＾めるにつれて、プラズマ収束用永久磁りから
の磁界の水平方向の広がりによってチャンバ＠壁近辺で
のフルゴ／１１１１Ｉ撃量が増加し、従って、チャンバ
側壁からの不純物ガスが増加し これが再び磁性膜中に
取り込まれ磁気特性が悪くなったものと考えられる０以
上のように、従来のスバ、り装置ではノくイアスス・（
ツタ法によってさえも磁気特性の改善は困難であった。
アス電圧）を印加し、基板電極上に入射するアルゴンイ
オンを制御し、磁性膜中に取り込まれた不純物ガスを除
去し、磁気特性を改善する合法である。この方法を第１
図に示したプラズマ収束用永久磁石を備えたスバ、り装
置１に適用した時のバイアス電圧に対すゐ磁気特性の変
化を第２図に示す。スバ、り装置はターグツト反び基板
電極の１ｉｌＩ径が１７０ｍでターグツト材は二、ケル
８０％、鉄２０％の合金を用い、ターゲット１勧には４
００Ｗの電力を一１加した。艶２図に示す如く、ある程
度のバイアス点まではバイアス電圧が深まるにつれて、
確かに磁気特性は改豊されるが、更にバイアス電圧を烏
めると、再び磁気特性は急くなってくる。これはバイア
ス電位を＾めるにつれて、プラズマ収束用永久磁りから
の磁界の水平方向の広がりによってチャンバ＠壁近辺で
のフルゴ／１１１１Ｉ撃量が増加し、従って、チャンバ
側壁からの不純物ガスが増加し これが再び磁性膜中に
取り込まれ磁気特性が悪くなったものと考えられる０以
上のように、従来のスバ、り装置ではノくイアスス・（
ツタ法によってさえも磁気特性の改善は困難であった。
爽に、磁性体のスバ、りでは、基板材上Ｋ１１ｌし九磁
性薄膜に、磁気異方性を付与するため、外部より磁界を
印加する必要がある、この外部からの磁界方向は、スパ
ッタ装置のプラズマ収束用永久磁石の磁界方向と必ずし
も一致するものでなく。
性薄膜に、磁気異方性を付与するため、外部より磁界を
印加する必要がある、この外部からの磁界方向は、スパ
ッタ装置のプラズマ収束用永久磁石の磁界方向と必ずし
も一致するものでなく。
従って、この磁気異方性を付与するだめの外部磁界線プ
ラズマ収束の効果を低減させ爽にけ、これがチャンバａ
ｔｅからの不純物ガス発生につながり磁気特性劣化の原
因ともなっていた。又、先に述べたプラズマ収束用マグ
ネットからの基板電機６上の水平成分の磁界を利用して
異方性を伺与する方法も取られているが、既に不した様
に基板電極め半径方向に対ｌて、その水平成分の磁界’
ｊ！ｉｌｌが変化するため、基板材に付着した磁性体全
面に均一な異方性を付与する。ｈま困難であった。
ラズマ収束の効果を低減させ爽にけ、これがチャンバａ
ｔｅからの不純物ガス発生につながり磁気特性劣化の原
因ともなっていた。又、先に述べたプラズマ収束用マグ
ネットからの基板電機６上の水平成分の磁界を利用して
異方性を伺与する方法も取られているが、既に不した様
に基板電極め半径方向に対ｌて、その水平成分の磁界’
ｊ！ｉｌｌが変化するため、基板材に付着した磁性体全
面に均一な異方性を付与する。ｈま困難であった。
以上、述べた様に従来のスバ、り装ｋ【用いて、基板材
に付着させ九磁性体は均一な磁気特性を有しておらず特
性のバラツキが生じ、従って生産性に乏し、く、当然製
作管が高価になるものであった。
に付着させ九磁性体は均一な磁気特性を有しておらず特
性のバラツキが生じ、従って生産性に乏し、く、当然製
作管が高価になるものであった。
卑発明の目的は、＃ｉ記従来の欠点を解決し、パイ７ス
スバ、り法の効果を＾め、さらに磁性体に妹気異方性を
均一に付与することの可能なスバ。
スバ、り法の効果を＾め、さらに磁性体に妹気異方性を
均一に付与することの可能なスバ。
り！ｌ！置用置板基板ホルダ治具供することである。
本発明のスバ、り装置用基板ホルダ治具は、所定のギヤ
、プ會介して配設された第一の＾透磁率磁性体と第二の
高透磁率磁性体とを有し、前記ギヤ、プ部に基板剃を固
定することを特徴とする。
、プ會介して配設された第一の＾透磁率磁性体と第二の
高透磁率磁性体とを有し、前記ギヤ、プ部に基板剃を固
定することを特徴とする。
以下、本発明について、実施例を示す図面を参照して脱
明する。第３図は、本発明のスバ、り装置用基板ホルダ
治具を基板電極に取り付けた実施例である。同図ｂ）に
不す如く基１ＩｊＬ′ｗＬ極６上に第一の磁性体１２と
第二の磁性体１３が取り付けてあり、第一の磁性体１２
と第二の磁性体１３は所定のキャップを自して同心円状
に配置してあり、第−反び第二の磁性体は磁気的に不Ｍ
続である。第−反び第二の磁性体１２反び１３は＾透出
率を有することが望まれる０例えば、鉄及び鉄系の合金
磁性体（例えばパーマレイ等）が好ましい、史に。
明する。第３図は、本発明のスバ、り装置用基板ホルダ
治具を基板電極に取り付けた実施例である。同図ｂ）に
不す如く基１ＩｊＬ′ｗＬ極６上に第一の磁性体１２と
第二の磁性体１３が取り付けてあり、第一の磁性体１２
と第二の磁性体１３は所定のキャップを自して同心円状
に配置してあり、第−反び第二の磁性体は磁気的に不Ｍ
続である。第−反び第二の磁性体１２反び１３は＾透出
率を有することが望まれる０例えば、鉄及び鉄系の合金
磁性体（例えばパーマレイ等）が好ましい、史に。
基板材７は、第−及び第二の磁性体１２及び１３とで形
成されるギヤ、プ中に配設されている。このとき第−及
び第二の磁性体の厚みは基板材７の厚みよりも大きくな
る様に選ばれる。
成されるギヤ、プ中に配設されている。このとき第−及
び第二の磁性体の厚みは基板材７の厚みよりも大きくな
る様に選ばれる。
界９は、菖３図１の基板電−の断面図に示す如く第−反
び総２の磁性体１２及び１３上では、はとんど！ＩＮＫ
基板電基板電入６することになる。一方、第−及び第二
の磁性体１２＆、び１３とで形成されえギツプ中では、
第一の磁性体１２と第二の磁性体１３とでは、その磁位
差のため、基板電―６に対し略水平な磁界１４が生ずる
ことになる。
び総２の磁性体１２及び１３上では、はとんど！ＩＮＫ
基板電基板電入６することになる。一方、第−及び第二
の磁性体１２＆、び１３とで形成されえギツプ中では、
第一の磁性体１２と第二の磁性体１３とでは、その磁位
差のため、基板電―６に対し略水平な磁界１４が生ずる
ことになる。
以上の様に第−及び第二の磁性体とで形成され九基板ホ
ルダ治具を設けることにより、基板電機表面上における
、プラズマ収束用永久磁石からの磁界の水平成分は、第
−及び第二の硫性体上で社、はとんど生じず、ギヤ、プ
部のみで水平成分が発生することになる。よって、ギヤ
、プ部に配設され九基板材の表面のみに、ｄば均一な水
平磁界が印加されていることになる。実際、バイアスス
／（、夕時にバイアス電位を増加してもチャンバ＠壁か
らの不純物ガスが書び増加する仁ともなく、更Ｋ、基板
腕上でリスパ、り現象は一様に生じ九ため、基板材に形
成されたｉＩｌ性膜は磁気特性の劣化及び不均一性を生
じさせることもなく、略均−な貴方性が付与されていた
。更に２本発明では、従来のスバ、り装置を何等改造す
ることもな（、二つのｆｆｌ性体から成る基板ホルダ治
具を基板′ＩＩＩＬ檎に設置することのみで、容易に、
良好な磁性膜を基板材上に形成することができる。
ルダ治具を設けることにより、基板電機表面上における
、プラズマ収束用永久磁石からの磁界の水平成分は、第
−及び第二の硫性体上で社、はとんど生じず、ギヤ、プ
部のみで水平成分が発生することになる。よって、ギヤ
、プ部に配設され九基板材の表面のみに、ｄば均一な水
平磁界が印加されていることになる。実際、バイアスス
／（、夕時にバイアス電位を増加してもチャンバ＠壁か
らの不純物ガスが書び増加する仁ともなく、更Ｋ、基板
腕上でリスパ、り現象は一様に生じ九ため、基板材に形
成されたｉＩｌ性膜は磁気特性の劣化及び不均一性を生
じさせることもなく、略均−な貴方性が付与されていた
。更に２本発明では、従来のスバ、り装置を何等改造す
ることもな（、二つのｆｆｌ性体から成る基板ホルダ治
具を基板′ＩＩＩＬ檎に設置することのみで、容易に、
良好な磁性膜を基板材上に形成することができる。
尚１本発明の基板ホルダ治具は帛３図にボした実ＩＪＩ
ＩＮの如く、完全な円形同心円に限るものではなく、第
４図に不した平面図の様な形状でも良い。
ＩＮの如く、完全な円形同心円に限るものではなく、第
４図に不した平面図の様な形状でも良い。
第４因の実施例では、均一な磁界の水平成分が得られる
領域は第４図に示した実施例よりも限られるが、基板材
を配置した餉城の水平成分の均一性は史Ｋｍ虹となると
いう特徴がある。
領域は第４図に示した実施例よりも限られるが、基板材
を配置した餉城の水平成分の均一性は史Ｋｍ虹となると
いう特徴がある。
第１図は従来ＯＩ／ＩＡ準的なス・（、夕装置の概略断
Ｉｔ１図で、第２図は従来のスバ、り装置にバイアス電
位、り法を適用した時の磁気特性のバイアス電圧依存性
を示す曲線図で、第３−は本発明の実施例で、同図すは
基板亀−を含む本発明の斜視図、同図１は断面図で、第
４図は他の実施例の平面図である０図において、６は基
板電極、］は基基板材９は磁界、１２は絡１の＾透磁率
磁性体、１３は第２の＾透磁軍磁性体を示す。 第１図 ＩＲさ 第３図 ３ 鵜４図
Ｉｔ１図で、第２図は従来のスバ、り装置にバイアス電
位、り法を適用した時の磁気特性のバイアス電圧依存性
を示す曲線図で、第３−は本発明の実施例で、同図すは
基板亀−を含む本発明の斜視図、同図１は断面図で、第
４図は他の実施例の平面図である０図において、６は基
板電極、］は基基板材９は磁界、１２は絡１の＾透磁率
磁性体、１３は第２の＾透磁軍磁性体を示す。 第１図 ＩＲさ 第３図 ３ 鵜４図
Claims (1)
- プラズマを収束させる磁界を備見えスパッタ装置の基板
材を固定する基板ホルダ治具において、前記差板ホルダ
治＾が、所定のキャップを介して配設され九謝−の高透
磁率磁性体と帛二の高透磁率磁性体とｔＮＬ、１１Ｊ＊
＃ ＋ ｙ フｉ！ｌＫ１１１１に基板材１固定するこ
とを特徴とするスパッタＩ＆置用基板ホルダ泊具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031582A JPS58147560A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | スパツタ装置用基板ホルダ治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031582A JPS58147560A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | スパツタ装置用基板ホルダ治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147560A true JPS58147560A (ja) | 1983-09-02 |
| JPH0375630B2 JPH0375630B2 (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=12300357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3031582A Granted JPS58147560A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | スパツタ装置用基板ホルダ治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147560A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194542A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
| CN113186506A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-07-30 | 江西华派光电科技有限公司 | 一种导电非金属氧化物材料的镀膜方法及夹具 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6968479B1 (ja) * | 2021-07-12 | 2021-11-17 | マルイチ エアリアル エンジニア株式会社 | 評価システム |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP3031582A patent/JPS58147560A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194542A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
| JP4592949B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2010-12-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置 |
| CN113186506A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-07-30 | 江西华派光电科技有限公司 | 一种导电非金属氧化物材料的镀膜方法及夹具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375630B2 (ja) | 1991-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2962912B2 (ja) | 陰極スパッタリング装置で基板を被覆するためのスパッタカソード | |
| JPS58157975A (ja) | プラズマエツチング方法 | |
| EP2450937A2 (en) | Magnetic circuit for sputtering apparatus | |
| JPS58147560A (ja) | スパツタ装置用基板ホルダ治具 | |
| JPS6012426B2 (ja) | 磁界圧着形マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPS5816068A (ja) | プレ−ナマグネトロン方式のスパッタリング方法 | |
| JP2005314773A5 (ja) | ||
| JP6824701B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPS61246368A (ja) | 金属膜の堆積方法 | |
| JPH04324631A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH03257159A (ja) | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 | |
| JP2789251B2 (ja) | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 | |
| US5403663A (en) | Process for coating a polycarbonate substrate with an aluminum-silicon alloy | |
| JP2969528B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH01230770A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63109164A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JPS63153266A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH042772A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JP3099153B2 (ja) | 皮膜加工装置 | |
| JPH06316779A (ja) | エッチング装置 | |
| JPH01140725A (ja) | Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金のドライエッチング方法 | |
| JPS5956717A (ja) | 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 | |
| JPS6188511A (ja) | 磁性体薄膜製作方法 | |
| JPS5887271A (ja) | プレ−ナマグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH01104771A (ja) | 平板マグネトロンスパッタ装置 |