JPS5956717A - 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5956717A JPS5956717A JP16660182A JP16660182A JPS5956717A JP S5956717 A JPS5956717 A JP S5956717A JP 16660182 A JP16660182 A JP 16660182A JP 16660182 A JP16660182 A JP 16660182A JP S5956717 A JPS5956717 A JP S5956717A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- permalloy
- substrate
- permalloy thin
- magnetic head
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ヘット′用パーマロイ薄膜の製造方法に
関する。
関する。
一軸異方性金有する薄膜磁気ヘッドは、透磁率が大きい
こと、保磁力Ｈｃが小さくできることの利点を持つ。か
かる−軸異方性を有するパーマロイ薄膜の製造方法を第
１図で説明する。図で、１はカソード、２はパーマロイ
ターゲット、３は基板、４は基板ホルダー、５はペルジ
ャー、６はプラズマ収束用磁石を示す。基板ホルダー４
はアース電位とし、カソードＩＫは通常のスパッタ装置
ｔｓみの電圧（例えば、最大で３〜４ ＫＶ ）を印加
する。
こと、保磁力Ｈｃが小さくできることの利点を持つ。か
かる−軸異方性を有するパーマロイ薄膜の製造方法を第
１図で説明する。図で、１はカソード、２はパーマロイ
ターゲット、３は基板、４は基板ホルダー、５はペルジ
ャー、６はプラズマ収束用磁石を示す。基板ホルダー４
はアース電位とし、カソードＩＫは通常のスパッタ装置
ｔｓみの電圧（例えば、最大で３〜４ ＫＶ ）を印加
する。
これによって、基板３にはパーマロイ薄膜を形成する。
尚、図で点線矢印は、磁石６によって生ずる磁力線を模
式的に示している。
式的に示している。
然るに、プラズマ収束用磁界の水平方向成分のため、形
成されたパーマロイ薄膜には、必然的に第２図に示した
如き磁化容易軸す分散が生ずる。
成されたパーマロイ薄膜には、必然的に第２図に示した
如き磁化容易軸す分散が生ずる。
良好な一軸異方性を得ることができない欠点を持つ０
本発明の目的は、良好な一軸異方性を有するパーマロイ
薄膜の製造方法を提出するものである。
薄膜の製造方法を提出するものである。
本発明の要旨は、ＤＣ対向スパッタリング法を改良して
パーマロイ薄膜を形成した点にある。
パーマロイ薄膜を形成した点にある。
以下、図面により本発明を詳述する。
第３図は、ＤＣ対向スパッタリング装置の断面図を示す
。Ｊ４はツルジャー、８は永久磁石、９は基板、ｌＯは
基板ホルダー、１１はシールド電極、１２は鉄製のカソ
ード、１３はスペーサである。
。Ｊ４はツルジャー、８は永久磁石、９は基板、ｌＯは
基板ホルダー、１１はシールド電極、１２は鉄製のカソ
ード、１３はスペーサである。
ペルジャー１４内に、Ａｒｉ ３ＸＩＯ−１ｌ−５Ｘ１
０ ｔｏｒｒの圧力になるまで導入し、対向するカソ
ード１２に８００ Ｖ −１５００Ｖの負の直流（ＤＣ
）電圧を印加する。
０ ｔｏｒｒの圧力になるまで導入し、対向するカソ
ード１２に８００ Ｖ −１５００Ｖの負の直流（ＤＣ
）電圧を印加する。
これにより、ターゲット７の間にグロー放電が生ずる。
グロー放電のＡｒ＋により、ターゲット構成原子（Ｎｉ
、 Ｆｅ ）がたたき出され、基板４上に付着し、薄
膜形成ができる。尚、ターゲット７相互の中央部の磁界
強度は約３００ガウスである。
、 Ｆｅ ）がたたき出され、基板４上に付着し、薄
膜形成ができる。尚、ターゲット７相互の中央部の磁界
強度は約３００ガウスである。
以上のＤＣ対向スパッタリング装置を改良し、本実施例
では、基板ボルダ−１０を導体で形成して電極１０Ａと
する。この基板ｔｌＩ極１０Ａに負バイアス直流電圧Ｖ
ｄｃを印加する。第４図に、その実施例を示す。図で、
カソード１２には、共通に負の直流電圧Ｖ （−６００
Ｖ〜−１０００Ｖ ）を印加する。シールド電極１１は
アース電位に設定しておく。中央部の矢印は磁界の方向
を示す。
では、基板ボルダ−１０を導体で形成して電極１０Ａと
する。この基板ｔｌＩ極１０Ａに負バイアス直流電圧Ｖ
ｄｃを印加する。第４図に、その実施例を示す。図で、
カソード１２には、共通に負の直流電圧Ｖ （−６００
Ｖ〜−１０００Ｖ ）を印加する。シールド電極１１は
アース電位に設定しておく。中央部の矢印は磁界の方向
を示す。
第５図に、第４図の構成でのバイアス電圧Ｖｄｃと保磁
力ＨＣ，異方性磁界の大きさＨＫとの関係を示す。この
関係は出願人による実験値である。図から次のことが明
らかとなる。バイアス電圧Ｖｄｃを大きくしてゆくに従
って、保持力ＨＣが零に近ずく方向に向って低下し、異
方性磁界ＨＫが上昇から一定値に飽和する方向に向かう
。この時の異方性の方向は、第４図に示した矢印磁界方
向と一致する。
力ＨＣ，異方性磁界の大きさＨＫとの関係を示す。この
関係は出願人による実験値である。図から次のことが明
らかとなる。バイアス電圧Ｖｄｃを大きくしてゆくに従
って、保持力ＨＣが零に近ずく方向に向って低下し、異
方性磁界ＨＫが上昇から一定値に飽和する方向に向かう
。この時の異方性の方向は、第４図に示した矢印磁界方
向と一致する。
従って、バイアス電圧Ｖｄｃを大きく選ぶことによって
、良好な一軸異方性のパーマロイ薄膜全形成できる。
、良好な一軸異方性のパーマロイ薄膜全形成できる。
（実施例）
基板９をソーダガラスで形成した。ターゲット７のパー
マロイ薄膜物質は、Ｎｉ （８１重量％）、Ｆｅ （１
９重量％）とした。スパッタリングガスはＡｒでガス圧
は８ Ｘ １Ｏ−１ＩＴｏｒｒとした。基板電極１０人
に印力口する負バイアス電圧Ｖｄｃは、１５０ｖとした
。カソード７への印加電圧Ｖは、ｌ ＫＶとした。
マロイ薄膜物質は、Ｎｉ （８１重量％）、Ｆｅ （１
９重量％）とした。スパッタリングガスはＡｒでガス圧
は８ Ｘ １Ｏ−１ＩＴｏｒｒとした。基板電極１０人
に印力口する負バイアス電圧Ｖｄｃは、１５０ｖとした
。カソード７への印加電圧Ｖは、ｌ ＫＶとした。
更に、ターゲット７相互の間のターゲット間の磁界強度
は、３００ガウスとした。
は、３００ガウスとした。
以上の前提で前述したＤＣ対向バイアススパッタリング
法で５μｍ ／ ｈ の析出速度で基板９上に膜厚４μ
ｍのパーマロイ薄膜を形成した。このパーマロイ薄膜の
磁気特性を測定した結果、保持力５０ｍエルステッド（
ｏｅ）、異方性磁界３エルステツド（ｏｅ）の良好な一
軸異方性を有することがわかった。この時の容易軸の分
散角は、±１％以内であった。
法で５μｍ ／ ｈ の析出速度で基板９上に膜厚４μ
ｍのパーマロイ薄膜を形成した。このパーマロイ薄膜の
磁気特性を測定した結果、保持力５０ｍエルステッド（
ｏｅ）、異方性磁界３エルステツド（ｏｅ）の良好な一
軸異方性を有することがわかった。この時の容易軸の分
散角は、±１％以内であった。
以上の結果を従来例と比較すると、第１図の従来例では
保磁力１エルステツド、異方性磁界５エルステツドとな
る。第３図の従来のＤＣ対向スパッタリング方法では保
磁力０．３エルステツド、異方性磁界３エルステツドで
あった。いずれの従来例と比較しても、本実施例の薄膜
パーマロイは、良好な一軸異方性を有する。
保磁力１エルステツド、異方性磁界５エルステツドとな
る。第３図の従来のＤＣ対向スパッタリング方法では保
磁力０．３エルステツド、異方性磁界３エルステツドで
あった。いずれの従来例と比較しても、本実施例の薄膜
パーマロイは、良好な一軸異方性を有する。
本実施例によれば、基板側に負のバイアス電圧を印加し
たことにより、磁化容易軸の小さい一軸異方性を有する
パーマロイ薄膜を形成できた。このパーマロイ薄膜は、
薄膜磁気ヘッドに使用して好適となる。
たことにより、磁化容易軸の小さい一軸異方性を有する
パーマロイ薄膜を形成できた。このパーマロイ薄膜は、
薄膜磁気ヘッドに使用して好適となる。
第１図は従来のスパッタリング装置の断面図、第２図に
ウェハー内の磁化容易軸の分散を示す模式図、第３図は
従来のＤＣ対向スパッタリング装置の断面図、第４図は
本発明のＤＣ対向バイアススパッタリング装置の実施例
図、第５図は保磁力と異方性磁界のバイアス電圧依存性
を示す実験特性図である。 ８・・・永久磁界、９・・・基板、ＩＯＡ・・・基板電
極、１１・・・シールド電極、］２・・ターゲット電極
、７・・・ターゲット、Ｖｄｃ・・・直流負バイアス電
圧。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第−１図 第２図 第３図 第４図
ウェハー内の磁化容易軸の分散を示す模式図、第３図は
従来のＤＣ対向スパッタリング装置の断面図、第４図は
本発明のＤＣ対向バイアススパッタリング装置の実施例
図、第５図は保磁力と異方性磁界のバイアス電圧依存性
を示す実験特性図である。 ８・・・永久磁界、９・・・基板、ＩＯＡ・・・基板電
極、１１・・・シールド電極、］２・・ターゲット電極
、７・・・ターゲット、Ｖｄｃ・・・直流負バイアス電
圧。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第−１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 磁気ヘッド用パーマロイ薄膜をＤＣ対向スパッタリング
法により形成すると共に、ＤＣ対向スパッタリング時に
パーマロイ形成基板に負バイアス電圧を印加してなる磁
気ヘッド用パーマロイ薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16660182A JPS5956717A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16660182A JPS5956717A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956717A true JPS5956717A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15834312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16660182A Pending JPS5956717A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61240434A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Seiko Epson Corp | 磁性薄膜の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641697A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Discharge lamp starter |
| JPS57157511A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Teijin Ltd | Opposite target type sputtering device |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16660182A patent/JPS5956717A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641697A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Discharge lamp starter |
| JPS57157511A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Teijin Ltd | Opposite target type sputtering device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61240434A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Seiko Epson Corp | 磁性薄膜の製造方法 |
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