JPH01104771A - 平板マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
平板マグネトロンスパッタ装置Info
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- JPH01104771A JPH01104771A JP25933887A JP25933887A JPH01104771A JP H01104771 A JPH01104771 A JP H01104771A JP 25933887 A JP25933887 A JP 25933887A JP 25933887 A JP25933887 A JP 25933887A JP H01104771 A JPH01104771 A JP H01104771A
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電磁石を磁場発生装置とするマグネトロンカ
ソードを備えた強磁性体用の平板マグネトロンスパッタ
装置に間する。
ソードを備えた強磁性体用の平板マグネトロンスパッタ
装置に間する。
（従来の技術）
近時、ターゲット表面に閉じた磁界を発生させ、マグネ
トロン放電により生成されたプラズマをその磁界内に高
密度に閉じ込めろことによってスパッタ速度を大幅に向
上させるマグネＩ・ロンスパッタ技術が開発され、ＬＳ
Ｉの製造等ζこおいて多く用いられるようになって来て
いる。そして、平板マグネトロンスパッタ装置では、タ
ーゲット上において、その外周近傍が侵食されるほどタ
ーゲットの利用率を高めることができ、ターゲット寿命
を伸ばすことができ、且つ形成されるスパッタ膜の膜厚
分布の均一な領域を広く得ることができる。
トロン放電により生成されたプラズマをその磁界内に高
密度に閉じ込めろことによってスパッタ速度を大幅に向
上させるマグネＩ・ロンスパッタ技術が開発され、ＬＳ
Ｉの製造等ζこおいて多く用いられるようになって来て
いる。そして、平板マグネトロンスパッタ装置では、タ
ーゲット上において、その外周近傍が侵食されるほどタ
ーゲットの利用率を高めることができ、ターゲット寿命
を伸ばすことができ、且つ形成されるスパッタ膜の膜厚
分布の均一な領域を広く得ることができる。
しかし、マグネトロン放電を起こさせるための磁場発生
手段として電磁石を用いた平板マグネトロンスパッタリ
ング装置においてターゲットの外周近傍を侵食するため
には、ターゲットと同程度にまで電磁石を大きくしなけ
ればならない。
手段として電磁石を用いた平板マグネトロンスパッタリ
ング装置においてターゲットの外周近傍を侵食するため
には、ターゲットと同程度にまで電磁石を大きくしなけ
ればならない。
この点については、従来の強磁性体用の平板マグネトロ
ンスパッタ装置のカソードを示した第４図に従って説明
する。
ンスパッタ装置のカソードを示した第４図に従って説明
する。
すなわち、マグネトロンカソード６は次のように構成さ
れている。強磁性体ターゲット１を非磁材からなるター
ゲット裏板２上に半田材等によって固着し、当該ターゲ
ツト裏板２後部に、ヨーク３に内蔵したコイル４から成
る電磁石７を配設している。当該電磁石７は、その外側
が上記強磁性体ターゲット１の外側と面一またはそれと
同程度になるように配設している。
れている。強磁性体ターゲット１を非磁材からなるター
ゲット裏板２上に半田材等によって固着し、当該ターゲ
ツト裏板２後部に、ヨーク３に内蔵したコイル４から成
る電磁石７を配設している。当該電磁石７は、その外側
が上記強磁性体ターゲット１の外側と面一またはそれと
同程度になるように配設している。
しかして、上記強磁性体１と、図示していないチャンバ
ーとの間に所定の電圧を印加してプラズマを発生させ、
上記電磁石７から発生する磁力線によって閉磁場を形成
し、この閉磁場内にプラズマを閉じ込めると上記ターゲ
ット１はスパッタされ、スパッタされたターゲツト材は
図示していない基板面へ被着する。
ーとの間に所定の電圧を印加してプラズマを発生させ、
上記電磁石７から発生する磁力線によって閉磁場を形成
し、この閉磁場内にプラズマを閉じ込めると上記ターゲ
ット１はスパッタされ、スパッタされたターゲツト材は
図示していない基板面へ被着する。
しかし、上記のように電磁石の形状を強磁性体ターゲッ
トのそれと同程度になるような大きさにすると、ターゲ
ット表面近傍での磁場が発散的になり、放電が困難にな
る。この点については、ターゲット表面上での磁場分布
を示した第５図に従って説明する。なお、図中、曲線Ｂ
、は磁力線をベクトルて表した場合のターゲット表面に
対する垂直方向の成分の磁束密度を示し、曲線Ｂ２は水
平方向の成分磁束密度を示している。
トのそれと同程度になるような大きさにすると、ターゲ
ット表面近傍での磁場が発散的になり、放電が困難にな
る。この点については、ターゲット表面上での磁場分布
を示した第５図に従って説明する。なお、図中、曲線Ｂ
、は磁力線をベクトルて表した場合のターゲット表面に
対する垂直方向の成分の磁束密度を示し、曲線Ｂ２は水
平方向の成分磁束密度を示している。
強磁性体ターゲット１の端部１ａは、電磁石の極性に従
ってターゲット１の形状異方性から磁場が発散したり、
もしくはターゲット１に入り込んだりする部分となり、
そのターゲット端部１ａにおける極性は、電磁石７の端
部７ａの外側磁極と反対となる。したがって、ターゲッ
トの端部１ａと電磁石の端部７ａとが対応した位置間係
にあると、ターゲット端部１ａの極性の関係で影響を受
ける。このため、ターゲット中心からの距離１０ｃｍ前
後のターゲット端部１ａの付近における磁束密度が大き
くなり、ターゲット１表面上の磁場分布は発散的になっ
てしまう。このため発生した磁力線が閉磁場をターゲッ
ト上に形成することができない。したがって、このよう
な対応した位置間係ににした場合には、生成したプラズ
マを高密度に磁場内に閉じ込めることができず、放電が
困難になり、また、放電した場合にもスパッタ速度を高
めることができないという問題があった。
ってターゲット１の形状異方性から磁場が発散したり、
もしくはターゲット１に入り込んだりする部分となり、
そのターゲット端部１ａにおける極性は、電磁石７の端
部７ａの外側磁極と反対となる。したがって、ターゲッ
トの端部１ａと電磁石の端部７ａとが対応した位置間係
にあると、ターゲット端部１ａの極性の関係で影響を受
ける。このため、ターゲット中心からの距離１０ｃｍ前
後のターゲット端部１ａの付近における磁束密度が大き
くなり、ターゲット１表面上の磁場分布は発散的になっ
てしまう。このため発生した磁力線が閉磁場をターゲッ
ト上に形成することができない。したがって、このよう
な対応した位置間係ににした場合には、生成したプラズ
マを高密度に磁場内に閉じ込めることができず、放電が
困難になり、また、放電した場合にもスパッタ速度を高
めることができないという問題があった。
（本発明の目的）
本発明の目的は、ターゲット表面上の磁場分布を改善す
ることによって、ターゲットと電磁石との外径が同じよ
うな位置関係にあっても、生成したプラズマを高密度に
閉磁場内に閉じ込めることができるようにし、ターゲッ
トの利用効率を向上させ、膜厚の均一性向上を実現する
ことができるようにした強磁性体用の高速平板マグネト
ロンスパッタ装置の提供にある。
ることによって、ターゲットと電磁石との外径が同じよ
うな位置関係にあっても、生成したプラズマを高密度に
閉磁場内に閉じ込めることができるようにし、ターゲッ
トの利用効率を向上させ、膜厚の均一性向上を実現する
ことができるようにした強磁性体用の高速平板マグネト
ロンスパッタ装置の提供にある。
（本発明の構成））
本発明は、上記目的を達成するために次のように構成さ
れている。すなわち、強磁性体ターゲットをターゲット
裏板上に固着するとともに、当該ターゲット裏板に隣接
して、ヨークに内蔵したコイルから成る電磁石を配設し
たマグネトロンカソードを備え、前記電磁石により、前
記ターゲット上に閉磁場を形成し、当該閉磁場内に生成
したプラズマを閉じ込め、前記ターゲットをスパッタす
ることによって基板にスパッタ膜を形成するようにした
平板マグネトロンスパッタ装置において、前記強磁性体
ターゲットの外周に強磁性体からなる磁場修正板を固着
し、前記ターゲットの端部を前記電磁石の外側磁極から
遠ざけるようにしたことを特徴としている。
れている。すなわち、強磁性体ターゲットをターゲット
裏板上に固着するとともに、当該ターゲット裏板に隣接
して、ヨークに内蔵したコイルから成る電磁石を配設し
たマグネトロンカソードを備え、前記電磁石により、前
記ターゲット上に閉磁場を形成し、当該閉磁場内に生成
したプラズマを閉じ込め、前記ターゲットをスパッタす
ることによって基板にスパッタ膜を形成するようにした
平板マグネトロンスパッタ装置において、前記強磁性体
ターゲットの外周に強磁性体からなる磁場修正板を固着
し、前記ターゲットの端部を前記電磁石の外側磁極から
遠ざけるようにしたことを特徴としている。
また、好ましい実施態様として、磁場修正板にフランジ
部を設け、当該フランジ部で強磁性体ターゲットの端部
な押さえろようにしている。
部を設け、当該フランジ部で強磁性体ターゲットの端部
な押さえろようにしている。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。なお
、従来技術と同一の構成部材については同一符号を使用
し、その説明は省略する。
、従来技術と同一の構成部材については同一符号を使用
し、その説明は省略する。
第１図は、本発明の第１実施例を示している。
当該第１実施例の最大の特徴は、強磁性体ターゲット１
の端部１ａ外周に、当該ターゲット１と同じ材質である
強磁性体からなる磁場修正板５を固着するようにした点
にある。すなわち、ターゲット１としては従来と同じ径
のものを用い、さらにその外側部に磁場修正板５を一体
的に固着したことによって、実効的に強磁性体ターゲッ
トの端部１ａを電磁石の端部７ａの外側磁極から遠ざけ
、その影響を弱めることが出来る。これによって、第２
図ミこ示すように、ターゲット表面に対し垂直方向の磁
力線成分Ｂ１の符号が強磁性体ターゲツト１端部１ａ１
寸近で正から負に変わり、この１寸近で円弧状の閉磁場
を形成することができろ。
の端部１ａ外周に、当該ターゲット１と同じ材質である
強磁性体からなる磁場修正板５を固着するようにした点
にある。すなわち、ターゲット１としては従来と同じ径
のものを用い、さらにその外側部に磁場修正板５を一体
的に固着したことによって、実効的に強磁性体ターゲッ
トの端部１ａを電磁石の端部７ａの外側磁極から遠ざけ
、その影響を弱めることが出来る。これによって、第２
図ミこ示すように、ターゲット表面に対し垂直方向の磁
力線成分Ｂ１の符号が強磁性体ターゲツト１端部１ａ１
寸近で正から負に変わり、この１寸近で円弧状の閉磁場
を形成することができろ。
第３図は本発明の第２実施例を示している。当該第２実
施例の特徴は、フランジ部５ａを有する磁場修正板５を
強磁性体ターゲット１の端部１ａに固着し、上記フラン
ジ部５ａて強磁性１本ターゲット１の外周部を押さえる
ようにしている点にある。なお、当該実施例の場合、タ
ーゲット裏板２を必ず設けなければならないというもの
でなかい。
施例の特徴は、フランジ部５ａを有する磁場修正板５を
強磁性体ターゲット１の端部１ａに固着し、上記フラン
ジ部５ａて強磁性１本ターゲット１の外周部を押さえる
ようにしている点にある。なお、当該実施例の場合、タ
ーゲット裏板２を必ず設けなければならないというもの
でなかい。
以上のように磁場修正板をターゲットの外周端部に固着
することによって磁場分布を改善することができるが、
当該ターゲットの形状が円形、矩形などどのようなもの
であっても形Ｗを受けない。
することによって磁場分布を改善することができるが、
当該ターゲットの形状が円形、矩形などどのようなもの
であっても形Ｗを受けない。
ざらに、上記実施例では磁場（１ｇ正板の材質をターゲ
ツト材と同一としているが、必ずしも同一である必要は
なく、鉄、コバルト、ニッケル、またこよこれらの合金
など強磁性体であれば本発明の効果を発揮できる。
ツト材と同一としているが、必ずしも同一である必要は
なく、鉄、コバルト、ニッケル、またこよこれらの合金
など強磁性体であれば本発明の効果を発揮できる。
（発明の効果）
本発明の平板型マグネトロンスパッタリング装置によれ
ば、ターゲットの利用率を向上させるとともに、膜厚の
均一性を向上さすることがてきろ。
ば、ターゲットの利用率を向上させるとともに、膜厚の
均一性を向上さすることがてきろ。
第１図は本発明の第１実施例を示したマグネトロンカソ
ードの部分概略図、第２図は第１実施例に係るターゲッ
ト上の磁場分布を示した図、第３図は本発明の第２実施
例を示したマグネトロンカソードの部分概略図、第４図
は従来のマグネトロンカソードの部分概略図１、第５図
は従来のターゲット上の磁場分布を示した図である。 １・・・強磁性体ターゲット、１ａ・・・強磁性体ター
ゲットの端部、２・・・ターゲット裏板、３・・・ヨー
ク、４・・・電磁コイル５・・・磁場修正板、６・・・
マグネトロンカソード、７・・ ・電磁石、７ａ・・・
電磁石の端部。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村上 健次 卑１図 卑２回 才３図 才４図
ードの部分概略図、第２図は第１実施例に係るターゲッ
ト上の磁場分布を示した図、第３図は本発明の第２実施
例を示したマグネトロンカソードの部分概略図、第４図
は従来のマグネトロンカソードの部分概略図１、第５図
は従来のターゲット上の磁場分布を示した図である。 １・・・強磁性体ターゲット、１ａ・・・強磁性体ター
ゲットの端部、２・・・ターゲット裏板、３・・・ヨー
ク、４・・・電磁コイル５・・・磁場修正板、６・・・
マグネトロンカソード、７・・ ・電磁石、７ａ・・・
電磁石の端部。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村上 健次 卑１図 卑２回 才３図 才４図
Claims (2)
- （１）強磁性体ターゲットをターゲット裏板上に固着す
るとともに、当該ターゲット裏板に隣接して、ヨークに
内蔵したコイルから成る電磁石を配設したマグネトロン
カソードを備え、前記電磁石により、前記ターゲット上
に閉磁場を形成し、当該閉磁場内に生成したプラズマを
閉じ込め、ターゲットをスパッタすることによって基板
にスパッタ膜を形成するようにした平板マグネトロンス
パッタ装置において、前記強磁性体ターゲットの外周に
強磁性体からなる磁場修正板を固着し、前記ターゲット
の端部を前記電磁石の外側磁極から遠ざけるようにした
ことを特徴とする平板マグネトロンスパッタ装置。 - （２）磁場修正板にフランジ部を設け、当該フランジ部
で強磁性体ターゲットの端部を押さえるようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の平板マグ
ネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259338A JPH0765168B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 平板マグネトロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259338A JPH0765168B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 平板マグネトロンスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104771A true JPH01104771A (ja) | 1989-04-21 |
| JPH0765168B2 JPH0765168B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=17332716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259338A Expired - Lifetime JPH0765168B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 平板マグネトロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765168B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012117171A1 (fr) * | 2011-03-01 | 2012-09-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de production de nanoparticules à haut rendement, utilisation dudit dispositif et procede de depot de nanoparticules |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2621481A (en) * | 2021-03-11 | 2024-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Control device, learning device, inference device, control system, control method, learning method, inference method, control program, learning program, |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61246367A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Nec Corp | マグネトロン型スパツタリング装置 |
| JPS62149868A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Tdk Corp | 強磁性体の高速スパツタリング方法 |
| JPS62218562A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6372873A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| JPS63162865A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリングカソ−ド |
| JPS6447867A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-22 | Kobe Steel Ltd | Target structure for planar magnetron sputtering |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62259338A patent/JPH0765168B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61246367A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Nec Corp | マグネトロン型スパツタリング装置 |
| JPS62149868A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Tdk Corp | 強磁性体の高速スパツタリング方法 |
| JPS62218562A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6372873A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| JPS63162865A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリングカソ−ド |
| JPS6447867A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-22 | Kobe Steel Ltd | Target structure for planar magnetron sputtering |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012117171A1 (fr) * | 2011-03-01 | 2012-09-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de production de nanoparticules à haut rendement, utilisation dudit dispositif et procede de depot de nanoparticules |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0765168B2 (ja) | 1995-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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