JPS627854A - マグネトロンスパツタ用タ−ゲツト - Google Patents
マグネトロンスパツタ用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS627854A JPS627854A JP14512585A JP14512585A JPS627854A JP S627854 A JPS627854 A JP S627854A JP 14512585 A JP14512585 A JP 14512585A JP 14512585 A JP14512585 A JP 14512585A JP S627854 A JPS627854 A JP S627854A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- sputtering
- target
- target material
- magnet
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はスパック用ターゲットに係り、特に成膜装置に
関するマグネトロンスパッタ用ターゲット。
関するマグネトロンスパッタ用ターゲット。
（２〕 技術の背景
成膜技術において、スパッタ用ターゲット材料が均一に
精度よくスパッタされることが望まれており、種々の解
決方法が提案されている。
精度よくスパッタされることが望まれており、種々の解
決方法が提案されている。
（３）従来技術と問題点
上述の問題解決点を明確にするため、第１図に従来のマ
グネトロンスパックターゲットの構成について説明する
。
グネトロンスパックターゲットの構成について説明する
。
第１図は、従来の磁石を用いたマグネトロンスパγり用
ターゲットの構成概念図であり、ペルジャー（１）は真
空チャンバで排気系（６）より真空ポンプに連なってお
り、ペルジャー（１）内にはＡｒガスおよび酸素ガス等
を弁（５）より流入する。
ターゲットの構成概念図であり、ペルジャー（１）は真
空チャンバで排気系（６）より真空ポンプに連なってお
り、ペルジャー（１）内にはＡｒガスおよび酸素ガス等
を弁（５）より流入する。
ペルジャー（１〕内には被成膜基材（９）が基材ホルダ
（８）に装着されており、基材ホルダ（８）は回転軸α
Ｑに固定され、ペルジャー（１）の外部よりモータ等で
矢印に示す様に回転される。
（８）に装着されており、基材ホルダ（８）は回転軸α
Ｑに固定され、ペルジャー（１）の外部よりモータ等で
矢印に示す様に回転される。
スパッタ材料（２）はバッキングプレート（３）に装着
されており、バッキングプレート（３）は磁界発生具（
４）に接しており、バッキングプレート（３）にはマイ
ナス電圧数１００■が電圧発生源（７）より印加される
。
されており、バッキングプレート（３）は磁界発生具（
４）に接しており、バッキングプレート（３）にはマイ
ナス電圧数１００■が電圧発生源（７）より印加される
。
チャンバ（１）は接地電位に接する状態となる。
上記構造において、バッキングプレート〔３）にマイナ
ス電圧を印加すると、チャンバー・アース間で放電が開
始され、プラズマ状態になり、チャンバー（１）内に弁
（５ンより導入されたＡｒガス及び酸素ガス等がイオン
化されてマイナス電位に保持されたターゲット（２）に
衝突したときの衝突力によりスパッタ材料（２）が放出
され、被成膜基材（９）の表面に固定される。
ス電圧を印加すると、チャンバー・アース間で放電が開
始され、プラズマ状態になり、チャンバー（１）内に弁
（５ンより導入されたＡｒガス及び酸素ガス等がイオン
化されてマイナス電位に保持されたターゲット（２）に
衝突したときの衝突力によりスパッタ材料（２）が放出
され、被成膜基材（９）の表面に固定される。
上述のスパッタ状態おおいて、スパッタ材料（２）はバ
ッキングプレート（３）の下部に構成されている磁界発
生具〔４〕より発生されている漏洩磁束密度の高い値の
場所のスパッタ材料にイオン化されたＡｒ粒子及び酸素
粒子が多く衝突するため、スパッタ材料（２）の消費量
に均一でない状態が生ずる。これは磁界の強度が経時的
に変化し、スパッタ材料（２）の磁界強度が極部的にス
パッタされ消耗するためであり、スパッタ材料（２）の
使用効率においていちじるしい不均一消耗を生じている
。通常における使用効率は非磁性材料においては４０〜
５０％程度であるのに対して、磁性体材料においては１
０％以下である。
ッキングプレート（３）の下部に構成されている磁界発
生具〔４〕より発生されている漏洩磁束密度の高い値の
場所のスパッタ材料にイオン化されたＡｒ粒子及び酸素
粒子が多く衝突するため、スパッタ材料（２）の消費量
に均一でない状態が生ずる。これは磁界の強度が経時的
に変化し、スパッタ材料（２）の磁界強度が極部的にス
パッタされ消耗するためであり、スパッタ材料（２）の
使用効率においていちじるしい不均一消耗を生じている
。通常における使用効率は非磁性材料においては４０〜
５０％程度であるのに対して、磁性体材料においては１
０％以下である。
（４）発明の目的
本発明はこのような問題点を解決するため、プラズマ集
束マグネットの磁界強度をスパッタ材料の全面の経時的
な変化を均一に変化させることにより、上記の問題点を
解決するにある。
束マグネットの磁界強度をスパッタ材料の全面の経時的
な変化を均一に変化させることにより、上記の問題点を
解決するにある。
（５）発明の構成
以下本発明の特徴とする実施例を図面にもとづいて説明
する。
する。
第２図は、本発明の一実施例を図示したものである。こ
の発明は、従来のマグネトロン形スパッタ装置において
プラズマ集束マグネット内部に磁性材料をもつ磁界発生
具（４）を設けた場合のものである。第３図により説明
すると、磁性体材料としては、通常サマリウムコバルト
系等の材料を用いている。いまターゲット材料（２）が
同図の００の様に消耗されている状態を考える。磁界の
強度分布は０５の様になり、ターゲット材料（２）は同
図のａｏの様に極部的な消耗状態になる。そこで第２図
に示す様なターゲット材料（２）で磁界発生具（４）に
示す様な左右及び下部のベクトル（Ｌ２１．Ｑ３）、（
１４）の方向の動きをあたえることにより、ターゲット
材料（２〕の消耗を均一にする動きを附加することによ
り、ターゲット材料の均一なる消耗を計るにある。
の発明は、従来のマグネトロン形スパッタ装置において
プラズマ集束マグネット内部に磁性材料をもつ磁界発生
具（４）を設けた場合のものである。第３図により説明
すると、磁性体材料としては、通常サマリウムコバルト
系等の材料を用いている。いまターゲット材料（２）が
同図の００の様に消耗されている状態を考える。磁界の
強度分布は０５の様になり、ターゲット材料（２）は同
図のａｏの様に極部的な消耗状態になる。そこで第２図
に示す様なターゲット材料（２）で磁界発生具（４）に
示す様な左右及び下部のベクトル（Ｌ２１．Ｑ３）、（
１４）の方向の動きをあたえることにより、ターゲット
材料（２〕の消耗を均一にする動きを附加することによ
り、ターゲット材料の均一なる消耗を計るにある。
（発明の効果）
以上のように磁界発生具が左右に移動することにより、
磁界の強度分布（ホ）のピークがタ−ゲット材料（２）
上を移動することにより、磁界発生具が固定されている
状態に比較して第２図の通りターゲット材料の消費量線
■が均一に消耗し、使用効率は非磁性材料において６５
％〜７５％になり、磁性材料にふいても６０％〜７０％
の使用効率を得ることが出来る。更に、スパッタ材料の
経時変化によりスパッタ材料の厚さに応じて磁界発生具
の位置を被成膜基板よりはなすことにより、たえず初期
の磁界の強さを基板にあたえているために均一成膜が可
能とすることができ、スパッタ材料の使用効率を上げ、
膜の均一成膜を向上させることが出来る。
磁界の強度分布（ホ）のピークがタ−ゲット材料（２）
上を移動することにより、磁界発生具が固定されている
状態に比較して第２図の通りターゲット材料の消費量線
■が均一に消耗し、使用効率は非磁性材料において６５
％〜７５％になり、磁性材料にふいても６０％〜７０％
の使用効率を得ることが出来る。更に、スパッタ材料の
経時変化によりスパッタ材料の厚さに応じて磁界発生具
の位置を被成膜基板よりはなすことにより、たえず初期
の磁界の強さを基板にあたえているために均一成膜が可
能とすることができ、スパッタ材料の使用効率を上げ、
膜の均一成膜を向上させることが出来る。
第１図は従来のマグネトロン形スパッタ装置の構造図、
第２図はこの発明の実施例を示す図、第３図は従来のマ
グネトロン形スパッタ装置におけるターゲット材料と磁
界発生具におけるターゲット材料の消耗度合を説明する
ための図である６、２ ターゲット材料 ３ バッキングメタル ４ 磁界発生具 １５ 磁界
第２図はこの発明の実施例を示す図、第３図は従来のマ
グネトロン形スパッタ装置におけるターゲット材料と磁
界発生具におけるターゲット材料の消耗度合を説明する
ための図である６、２ ターゲット材料 ３ バッキングメタル ４ 磁界発生具 １５ 磁界
Claims (1)
- バッキングプレートに装着されたスパッタ用ターゲット
であって、上記スパッタ用ターゲットを磁石を用いてタ
ーゲット材料をスパッタする場合において磁石が移動す
ることを特徴とするスパッタ用ターゲット
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14512585A JPS627854A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | マグネトロンスパツタ用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14512585A JPS627854A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | マグネトロンスパツタ用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627854A true JPS627854A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15377977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14512585A Pending JPS627854A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | マグネトロンスパツタ用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627854A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02280753A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-16 | Kiyoshi Kitahama | 障害者用車椅子 |
| US6101056A (en) * | 1996-09-17 | 2000-08-08 | International Business Machines Corporation | Electronic magnetoresistive voltage biasing using a circuit and current mirrors |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP14512585A patent/JPS627854A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02280753A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-16 | Kiyoshi Kitahama | 障害者用車椅子 |
| JPH0367697B2 (ja) * | 1989-04-24 | 1991-10-23 | Kyoshi Kitahama | |
| US6101056A (en) * | 1996-09-17 | 2000-08-08 | International Business Machines Corporation | Electronic magnetoresistive voltage biasing using a circuit and current mirrors |
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