JPH04173967A - マグネトロン型スパッタ装置 - Google Patents
マグネトロン型スパッタ装置Info
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- JPH04173967A JPH04173967A JP29931390A JP29931390A JPH04173967A JP H04173967 A JPH04173967 A JP H04173967A JP 29931390 A JP29931390 A JP 29931390A JP 29931390 A JP29931390 A JP 29931390A JP H04173967 A JPH04173967 A JP H04173967A
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- Japan
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- semiconductor substrate
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- thin film
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Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマグネトロン型スパッタ装置に関し、特に半導
体基板へ薄膜を被着する際の段差部での被覆性を向上さ
せるマグネトロン型スパッタ機構に関する。
体基板へ薄膜を被着する際の段差部での被覆性を向上さ
せるマグネトロン型スパッタ機構に関する。
従来、この種のマグネトロン型スパッタ装置は、漏洩磁
界型マグネトロンスパッタ法や磁界圧着式マグネトロン
スパッタ法の原理を用いて、陰極付近から放出された電
子の運動がＡｒのイオン化を促進させ、形成されたＡｒ
イオンをターゲットに衝突させることにより半導体基板
上に薄膜を形成していた。
界型マグネトロンスパッタ法や磁界圧着式マグネトロン
スパッタ法の原理を用いて、陰極付近から放出された電
子の運動がＡｒのイオン化を促進させ、形成されたＡｒ
イオンをターゲットに衝突させることにより半導体基板
上に薄膜を形成していた。
第３図に従来のマグネトロン型スパッタ装置を示す。
電源１にて負電圧を印加したターゲット３から放出され
た電子は、回転するマグネット対２により形成される磁
界５の影響を受けて運動する。特にターゲット３の表面
と平行な成分を持つ磁力線は電子をターゲット３上でサ
イクロイド運動させるため、Ａｒのイオン化を促進させ
Ａｒイオン８を作り出す。Ａｒイオン８は陰極であるタ
ーゲット３に衝突してターゲツト材のＡ１粒子９を叩き
出し、ホルダー６に装着された半導体基板７上に堆積さ
せて薄膜を形成する。
た電子は、回転するマグネット対２により形成される磁
界５の影響を受けて運動する。特にターゲット３の表面
と平行な成分を持つ磁力線は電子をターゲット３上でサ
イクロイド運動させるため、Ａｒのイオン化を促進させ
Ａｒイオン８を作り出す。Ａｒイオン８は陰極であるタ
ーゲット３に衝突してターゲツト材のＡ１粒子９を叩き
出し、ホルダー６に装着された半導体基板７上に堆積さ
せて薄膜を形成する。
上述した従来のマグネトロン型スパッタ装置は、ターゲ
ットと半導体基板との間隔が一定であり、形成する薄膜
の膜厚は均一性を良くするためにある程度の距離をとっ
ている。従って半導体基板表面に被着するターゲツト材
の入射角度は小さく、はとんどか垂直に近いものとなっ
ており、このために段差部における被覆性（以下ステッ
プカバレジと称す）が悪いため半導体素子の信頼性が低
下するという欠点がある。
ットと半導体基板との間隔が一定であり、形成する薄膜
の膜厚は均一性を良くするためにある程度の距離をとっ
ている。従って半導体基板表面に被着するターゲツト材
の入射角度は小さく、はとんどか垂直に近いものとなっ
ており、このために段差部における被覆性（以下ステッ
プカバレジと称す）が悪いため半導体素子の信頼性が低
下するという欠点がある。
本発明のマグネトロン型スパッタ装置は、ターゲットと
、このターゲットに対向して設けられたホルダーとを有
し、このホルダーに保持される半導体基板に薄膜を形成
するマグネトロン型スパッタ装置において、前記ターゲ
ットと前記ホルダーを対向させたまま前記ターゲットま
たは前記ホルダーを移動させるための手段を設けたもの
である。
、このターゲットに対向して設けられたホルダーとを有
し、このホルダーに保持される半導体基板に薄膜を形成
するマグネトロン型スパッタ装置において、前記ターゲ
ットと前記ホルダーを対向させたまま前記ターゲットま
たは前記ホルダーを移動させるための手段を設けたもの
である。
次に本発明について図面を参照して説明す＼る。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図であり、ホル
ダーを移動させる場合を示している。
ダーを移動させる場合を示している。
第１図において、ターゲット３に対向して半導体基板７
を保持するホルダー６が設けられている。そしてこのホ
ルダー６は、ホルダーベース１０に取付けられたパルス
モータ１６と、タイミングベルト１５とタイミングホイ
ール１４とを介しパルスモータ１６により回転するボー
ルネジくオス）１３とボールネジ（メス）１２とにより
、ターゲット３に対向した状態で移動てきるように構成
されている。以下動作と共に更に説明する。
を保持するホルダー６が設けられている。そしてこのホ
ルダー６は、ホルダーベース１０に取付けられたパルス
モータ１６と、タイミングベルト１５とタイミングホイ
ール１４とを介しパルスモータ１６により回転するボー
ルネジくオス）１３とボールネジ（メス）１２とにより
、ターゲット３に対向した状態で移動てきるように構成
されている。以下動作と共に更に説明する。
電源１にて負電圧を印加されたターゲット３から放出さ
れた電子は、回転するマグネット対２により形成される
磁界５の影響を受けて運動する。
れた電子は、回転するマグネット対２により形成される
磁界５の影響を受けて運動する。
特にターゲット３の表面と平行な成分を持つ磁力線は電
子をターゲット上でサイクロイド運動させるためＡｒの
イオン化を促進させＡｒイオン８を作り出す。Ａｒイオ
ン８は陰極であるターゲット３に衝突してターゲツト材
のＡ１粒子９を叩き出し、ホルダー６に装着された半導
体基板７上に堆積させて薄膜を形成する。
子をターゲット上でサイクロイド運動させるためＡｒの
イオン化を促進させＡｒイオン８を作り出す。Ａｒイオ
ン８は陰極であるターゲット３に衝突してターゲツト材
のＡ１粒子９を叩き出し、ホルダー６に装着された半導
体基板７上に堆積させて薄膜を形成する。
この時、ホルダー６はパルスモータ１６によるホールネ
ジ１２．１３の回転により移動し、ターゲット３の表面
と半導体基板７の表面との間隔が、堆積の開始から終了
までの間−に６ｃｍから１０ｃｍとなるように変動する
。このためターゲット３から叩き出されなＡ１粒子９が
半導体基板へ堆積する際の入射角度も、半導体基板７に
対して大から小へ（基板との垂直線に対し、主成分で約
５０°から約３０°）変化し、さらに半導体基板面内の
膜堆積の分布も周辺部集中から中央部集中と変化する。
ジ１２．１３の回転により移動し、ターゲット３の表面
と半導体基板７の表面との間隔が、堆積の開始から終了
までの間−に６ｃｍから１０ｃｍとなるように変動する
。このためターゲット３から叩き出されなＡ１粒子９が
半導体基板へ堆積する際の入射角度も、半導体基板７に
対して大から小へ（基板との垂直線に対し、主成分で約
５０°から約３０°）変化し、さらに半導体基板面内の
膜堆積の分布も周辺部集中から中央部集中と変化する。
その結果、得られた薄膜は均一な膜厚分布で、かつ従来
方式によるものに比べ２０〜３０％のステップカバレジ
向上を達成できる。
方式によるものに比べ２０〜３０％のステップカバレジ
向上を達成できる。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図であり、ター
ゲットを移動させる場合を示している。
ゲットを移動させる場合を示している。
本実施例は、ターゲット３と半導体基板７との間隔を変
化させるのに、ホルダー６ではなくターゲット３とマグ
ネット対２等からなるターゲットユニット１１を移動さ
せること以外は、第１の実施例と同様である。
化させるのに、ホルダー６ではなくターゲット３とマグ
ネット対２等からなるターゲットユニット１１を移動さ
せること以外は、第１の実施例と同様である。
すなわち、半導体基板７とターゲット３との間隔の変動
は、チャンバー１７の内壁に設けたパルスモータ１６に
てボールネジ（オス）１３を回すことにより、ボールネ
ジ（メス）１２を動かす機構を用いて、ボールネジ（メ
ス）１２を取り付けたターゲットユニット１１を動かす
ことにより行う。
は、チャンバー１７の内壁に設けたパルスモータ１６に
てボールネジ（オス）１３を回すことにより、ボールネ
ジ（メス）１２を動かす機構を用いて、ボールネジ（メ
ス）１２を取り付けたターゲットユニット１１を動かす
ことにより行う。
本第２の実施例においても第１の実施例と同様の効果が
ある。
ある。
以上説明したように本発明は、ターゲットあるいは半導
体基板を保持するホルダーを移動させる手段を設けるこ
とにより、ターゲットと半導体基板との間隔を変化させ
ながら薄膜を形成できるため、半導体基板へ被着するＡ
１粒子も様々な角度（０°〜約６０°）から入射するた
め、段差部におけるステップガバレジを２０〜３０％向
上させることかできる。従って半導体素子の信頼性を著
しく向上させることができるという効果がある。
体基板を保持するホルダーを移動させる手段を設けるこ
とにより、ターゲットと半導体基板との間隔を変化させ
ながら薄膜を形成できるため、半導体基板へ被着するＡ
１粒子も様々な角度（０°〜約６０°）から入射するた
め、段差部におけるステップガバレジを２０〜３０％向
上させることかできる。従って半導体素子の信頼性を著
しく向上させることができるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の縦
断面図、第３図は従来のマグネトロン型スパッタ装置の
縦断面図である。 １・・・電源、２・・・マグネット対、３・・・ターゲ
ット、４・・・侵食領域、５・・・磁界、６・・・ホル
ダー、７・・・半導体基板、８・・・Ａｒイオン、９・
・・Ａ１粒子、１０・・・ホルダーベース、１１・・・
ターゲットユニット、１２・・・ボールネジ（メス）、
１３・・・ボールネジ（オス）、１４・・・夕・イミン
グホイール、１５・・・タイミングベルト、１６・・・
パルスモータ、１７・・・チャンバー。
断面図、第３図は従来のマグネトロン型スパッタ装置の
縦断面図である。 １・・・電源、２・・・マグネット対、３・・・ターゲ
ット、４・・・侵食領域、５・・・磁界、６・・・ホル
ダー、７・・・半導体基板、８・・・Ａｒイオン、９・
・・Ａ１粒子、１０・・・ホルダーベース、１１・・・
ターゲットユニット、１２・・・ボールネジ（メス）、
１３・・・ボールネジ（オス）、１４・・・夕・イミン
グホイール、１５・・・タイミングベルト、１６・・・
パルスモータ、１７・・・チャンバー。
Claims (1)
- ターゲットと、このターゲットに対向して設けられた
ホルダーとを有し、このホルダーに保持される半導体基
板に薄膜を形成するマグネトロン型スパッタ装置におい
て、前記ターゲットと前記ホルダーを対向させたまま前
記ターゲットまたは前記ホルダーを移動させるための手
段を設けたことを特徴とするマグネトロン型スパッタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29931390A JPH04173967A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | マグネトロン型スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29931390A JPH04173967A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | マグネトロン型スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04173967A true JPH04173967A (ja) | 1992-06-22 |
Family
ID=17870923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29931390A Pending JPH04173967A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | マグネトロン型スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04173967A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6585870B1 (en) | 2000-04-28 | 2003-07-01 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP29931390A patent/JPH04173967A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6585870B1 (en) | 2000-04-28 | 2003-07-01 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations |
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