JPH0765168B2 - 平板マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
平板マグネトロンスパッタ装置Info
- Publication number
- JPH0765168B2 JPH0765168B2 JP62259338A JP25933887A JPH0765168B2 JP H0765168 B2 JPH0765168 B2 JP H0765168B2 JP 62259338 A JP62259338 A JP 62259338A JP 25933887 A JP25933887 A JP 25933887A JP H0765168 B2 JPH0765168 B2 JP H0765168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnetic field
- face
- flat plate
- magnetron sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電磁石を磁場発生装置とするマグネトロンカ
ソードを備えた強磁性体用の平板マグネトロンスパッタ
装置に関する。
ソードを備えた強磁性体用の平板マグネトロンスパッタ
装置に関する。
（従来の技術） 近時、平板状のターゲットの表面上に閉じた磁界を発生
させ、マグネトロン放電により生成されたプラズマをそ
の磁界内に高密度に閉じ込めることによってスパッタ速
度を大幅に向上させる平板マグネトロンスパッタ技術が
開発され、LSIの製造等において多く用いられるように
なって来ている。そして、平板マグネトロンスパッタ装
置では、一般に、ターゲットはその端面からある程度内
側の領域で表面上が周状に侵食される。逆に言えば、そ
の端面近傍の表面上が侵食されるほど侵食領域が広くな
るのでターゲットの利用率を高めることができ、ターゲ
ット寿命を伸ばすことができる。そして、侵食領域が広
くなると、スパッタされたターゲット材料の飛来経路が
分散されるから、形成されるスパッタ膜の膜厚分布の均
一な領域を広く得ることができる。
させ、マグネトロン放電により生成されたプラズマをそ
の磁界内に高密度に閉じ込めることによってスパッタ速
度を大幅に向上させる平板マグネトロンスパッタ技術が
開発され、LSIの製造等において多く用いられるように
なって来ている。そして、平板マグネトロンスパッタ装
置では、一般に、ターゲットはその端面からある程度内
側の領域で表面上が周状に侵食される。逆に言えば、そ
の端面近傍の表面上が侵食されるほど侵食領域が広くな
るのでターゲットの利用率を高めることができ、ターゲ
ット寿命を伸ばすことができる。そして、侵食領域が広
くなると、スパッタされたターゲット材料の飛来経路が
分散されるから、形成されるスパッタ膜の膜厚分布の均
一な領域を広く得ることができる。
しかし、マグネトロン放電を起こさせるための磁場発生
手段として電磁石を用いた平板マグネトロンスパッタリ
ング装置においてターゲットの外周近傍を侵食するため
には、ターゲットと同程度にまで電磁石を大きくしなけ
ればならない。
手段として電磁石を用いた平板マグネトロンスパッタリ
ング装置においてターゲットの外周近傍を侵食するため
には、ターゲットと同程度にまで電磁石を大きくしなけ
ればならない。
この点については、従来の強磁性体用の平板マグネトロ
ンスパッタ装置のカソードを示した第４図に従って説明
する。
ンスパッタ装置のカソードを示した第４図に従って説明
する。
すなわち、マグネトロンカソード６は次のように構成さ
れている。強磁性体からなるターゲット１が、非磁性体
からなるターゲット基板２の上に重ねられて半田材等に
よって固着されている。そして、ターゲット基板２の裏
側には、ヨーク３とコイル４とから成る電磁石７が配設
されている。より詳しくは、ヨーク３は、ターゲット基
板２の裏面に向かい合うターゲット対向面を有するとと
もにターゲット対向面に形成された周状のコイル用溝と
を有する。そして、コイル４は、このヨーク３のコイル
用溝に埋め込まれるようにして配設されている。このよ
うな構造の電磁石７では、ヨーク３のターゲット対向面
のうちコイル用溝が形成された部分の内側の部分の表面
が一方の磁極になり、その外側の部分の表面7aが他方の
磁極（以下、外側磁極という）になる。そして、第４図
に示すように、外側磁極7aの外縁（即ちターゲット対向
面の周縁）は、上方のターゲット１の端面1aとほぼ面一
の状態になっている。つまり、ヨーク３のターゲット対
向面とターゲット１とは、ほぼ同じ形状大きさに構成さ
れている。
れている。強磁性体からなるターゲット１が、非磁性体
からなるターゲット基板２の上に重ねられて半田材等に
よって固着されている。そして、ターゲット基板２の裏
側には、ヨーク３とコイル４とから成る電磁石７が配設
されている。より詳しくは、ヨーク３は、ターゲット基
板２の裏面に向かい合うターゲット対向面を有するとと
もにターゲット対向面に形成された周状のコイル用溝と
を有する。そして、コイル４は、このヨーク３のコイル
用溝に埋め込まれるようにして配設されている。このよ
うな構造の電磁石７では、ヨーク３のターゲット対向面
のうちコイル用溝が形成された部分の内側の部分の表面
が一方の磁極になり、その外側の部分の表面7aが他方の
磁極（以下、外側磁極という）になる。そして、第４図
に示すように、外側磁極7aの外縁（即ちターゲット対向
面の周縁）は、上方のターゲット１の端面1aとほぼ面一
の状態になっている。つまり、ヨーク３のターゲット対
向面とターゲット１とは、ほぼ同じ形状大きさに構成さ
れている。
しかして、上記ターゲット１と、図示していないチャン
バーとの間に所定の電圧を印加してプラズマを発生さ
せ、上記電磁石７から発生する磁力線によって閉磁場を
形成し、この閉磁場内にプラズマを閉じ込めると上記タ
ーゲット１はスパッタされ、スパッタされたターゲット
材は図示していない基板面へ披着する。
バーとの間に所定の電圧を印加してプラズマを発生さ
せ、上記電磁石７から発生する磁力線によって閉磁場を
形成し、この閉磁場内にプラズマを閉じ込めると上記タ
ーゲット１はスパッタされ、スパッタされたターゲット
材は図示していない基板面へ披着する。
しかし、上記のようにヨーク３のターゲット対向面をタ
ーゲット１とほぼ同じ形状大きさにして外側磁極7aの外
縁をターゲット１の端面1aと面一の状態にすると、ター
ゲット１の端面効果が発生して、放電が困難になる。こ
の点については、ターゲット表面上での磁場分布を示し
た第５図及び端面効果について説明した第６図及び第７
図に従って説明する。なお、第５図中、曲線B1は磁力線
をベクトルで表した場合のターゲット表面に対する垂直
方向の成分の磁束密度を示し、曲線B2は水平方向の成分
磁束密度を示している。
ーゲット１とほぼ同じ形状大きさにして外側磁極7aの外
縁をターゲット１の端面1aと面一の状態にすると、ター
ゲット１の端面効果が発生して、放電が困難になる。こ
の点については、ターゲット表面上での磁場分布を示し
た第５図及び端面効果について説明した第６図及び第７
図に従って説明する。なお、第５図中、曲線B1は磁力線
をベクトルで表した場合のターゲット表面に対する垂直
方向の成分の磁束密度を示し、曲線B2は水平方向の成分
磁束密度を示している。
まず、第６図では、従来のマグネトロンスパッタ装置に
おける一般的なカソードのタイプの一例が示されてい
る。この例では、第４図に示すものとは異なり、ヨーク
３のターゲット対向面が小さくて外側磁極7aの外縁がタ
ーゲット１の端面1aと面一の状態ではなく、相当程度内
側に位置している。外側磁極7aがＮ極で内側磁極がＳ極
とすると、この第５図の構造では、外側磁極7aから出た
磁力線は一部がターゲット１の内部を通って内側磁極に
達する。そして、他の磁力線は、ターゲット１の表面か
ら漏洩して図に示すようにターゲット１の表面上に円弧
状のループを描く。即ち、閉磁場が形成される。そし
て、この閉磁場内にプラズマが前述ように閉じ込められ
てスパッタが動作する。しかし、この第６図に示した構
造では、図から明かなように、ターゲット１の端面1a近
傍の部分には閉磁場が形成されず、この端面1aの近傍の
表面上は侵食領域にならない。従って、ターゲットの利
用率の向上やスパッタ膜の膜厚分布の向上といった前述
の目的の達成は不可能である。
おける一般的なカソードのタイプの一例が示されてい
る。この例では、第４図に示すものとは異なり、ヨーク
３のターゲット対向面が小さくて外側磁極7aの外縁がタ
ーゲット１の端面1aと面一の状態ではなく、相当程度内
側に位置している。外側磁極7aがＮ極で内側磁極がＳ極
とすると、この第５図の構造では、外側磁極7aから出た
磁力線は一部がターゲット１の内部を通って内側磁極に
達する。そして、他の磁力線は、ターゲット１の表面か
ら漏洩して図に示すようにターゲット１の表面上に円弧
状のループを描く。即ち、閉磁場が形成される。そし
て、この閉磁場内にプラズマが前述ように閉じ込められ
てスパッタが動作する。しかし、この第６図に示した構
造では、図から明かなように、ターゲット１の端面1a近
傍の部分には閉磁場が形成されず、この端面1aの近傍の
表面上は侵食領域にならない。従って、ターゲットの利
用率の向上やスパッタ膜の膜厚分布の向上といった前述
の目的の達成は不可能である。
一方、第７図は、第４図に示す構造と同じ構造のカソー
ドを示したものである。この第７図に示す構造では、電
磁石７を大きくして、ターゲット１の端面1aと電磁石７
の外側磁極7aの外縁とを面一状態にしている。このよう
な構造にすれば、侵食領域は原理的には拡大し、ターゲ
ット１の端面1a近傍まで有効に利用することできると想
像される。しかし、現実には、ターゲット１の端面効果
のため、この第７図の構造では有効な放電を生成するこ
とができない。
ドを示したものである。この第７図に示す構造では、電
磁石７を大きくして、ターゲット１の端面1aと電磁石７
の外側磁極7aの外縁とを面一状態にしている。このよう
な構造にすれば、侵食領域は原理的には拡大し、ターゲ
ット１の端面1a近傍まで有効に利用することできると想
像される。しかし、現実には、ターゲット１の端面効果
のため、この第７図の構造では有効な放電を生成するこ
とができない。
即ち、第７図に示すように、ターゲット１の端面1aと外
側磁極7aとを面一状態にすると、ターゲット１の端面1a
にも磁極が現れ、端面1aから磁力線が漏洩してしまう。
そして、この磁力線に引きずられるようにして磁力線が
端面1aを回り込むようにして膨らみ、ターゲット１の表
面上には閉磁場が形成されなくなってしまう。このた
め、プラズマの閉じ込めが出来なくなり、有効な放電が
生成されなくなるのである。この状態は、第５図に示す
磁力線分布によって裏付けられる。即ち、第５図に示す
ように、ターゲット１の端面1aの近傍において、垂直成
分が負である磁力線は存在しない。つまり、第４図及び
第７図に示す構造では、閉磁場が形成されないのであ
る。
側磁極7aとを面一状態にすると、ターゲット１の端面1a
にも磁極が現れ、端面1aから磁力線が漏洩してしまう。
そして、この磁力線に引きずられるようにして磁力線が
端面1aを回り込むようにして膨らみ、ターゲット１の表
面上には閉磁場が形成されなくなってしまう。このた
め、プラズマの閉じ込めが出来なくなり、有効な放電が
生成されなくなるのである。この状態は、第５図に示す
磁力線分布によって裏付けられる。即ち、第５図に示す
ように、ターゲット１の端面1aの近傍において、垂直成
分が負である磁力線は存在しない。つまり、第４図及び
第７図に示す構造では、閉磁場が形成されないのであ
る。
このように、従来の平板マグネトロンスパッタ装置で
は、侵食領域を拡大させようとして電磁石をターゲット
と同程度まで大きくしていくと、ターゲットの端面効果
が発生するため、放電が困難になり、また、放電した場
合にもスパッタ速度を高めることができないという問題
があった。
は、侵食領域を拡大させようとして電磁石をターゲット
と同程度まで大きくしていくと、ターゲットの端面効果
が発生するため、放電が困難になり、また、放電した場
合にもスパッタ速度を高めることができないという問題
があった。
（本発明の目的］ 本発明の目的は、電磁石を大きくして外側磁極の外縁を
ターゲットの端面とほぼ面一の状態にした場合でも、生
成したプラズマを高密度に閉磁場内に閉じ込めることが
できるようにし、ターゲットの利用効率を向上させ、膜
厚の均一性向上を実現することができるようにした強磁
性体用の高速平板マグネトロンスパッタ装置の提供にあ
る。
ターゲットの端面とほぼ面一の状態にした場合でも、生
成したプラズマを高密度に閉磁場内に閉じ込めることが
できるようにし、ターゲットの利用効率を向上させ、膜
厚の均一性向上を実現することができるようにした強磁
性体用の高速平板マグネトロンスパッタ装置の提供にあ
る。
（本発明の構成）） 本発明は、上記目的を達成するために次のように構成さ
れている。すなわち、ターゲット基板と、ターゲット基
板上に重ねて固着された強磁性体よりなる平板状のター
ゲットと、ターゲット基板の裏面に向かい合うターゲッ
ト対向面を有するとともにターゲット対向面に形成され
た周状のコイル用溝とを有するヨークとこのヨークのコ
イル用溝に埋め込まれたコイルより成る電磁石とを具備
したマグネトロンカソードを備え、前期電磁石により、
前記ターゲット表面上に閉磁場を形成し、当該閉磁場内
に生成したプラズマを閉じ込め、ターゲットをスパッタ
することによって基板にスパッタ膜を形成するようにし
た平板マグネトロンスパッタ装置において、前記ターゲ
ットの端面と、前記ヨークのターゲット対向面のうち前
記コイル用溝が形成された部分の外側の部分である外側
磁極の外縁とは、ほぼ面一の状態であり、さらに、前記
ターゲットの外周に強磁性体からなる磁場修正板がター
ゲットの端面に固着されて配設され、この磁場修正板
は、ターゲットの端面から所定距離外方に延びて当該タ
ーゲットの端面を実効的に外方に延長するものであって
当該ターゲットの端面における端面効果を消滅せしめて
閉磁場がターゲットの周縁から内側にかけて形成される
よう磁場を修正するものであることを特徴している。
れている。すなわち、ターゲット基板と、ターゲット基
板上に重ねて固着された強磁性体よりなる平板状のター
ゲットと、ターゲット基板の裏面に向かい合うターゲッ
ト対向面を有するとともにターゲット対向面に形成され
た周状のコイル用溝とを有するヨークとこのヨークのコ
イル用溝に埋め込まれたコイルより成る電磁石とを具備
したマグネトロンカソードを備え、前期電磁石により、
前記ターゲット表面上に閉磁場を形成し、当該閉磁場内
に生成したプラズマを閉じ込め、ターゲットをスパッタ
することによって基板にスパッタ膜を形成するようにし
た平板マグネトロンスパッタ装置において、前記ターゲ
ットの端面と、前記ヨークのターゲット対向面のうち前
記コイル用溝が形成された部分の外側の部分である外側
磁極の外縁とは、ほぼ面一の状態であり、さらに、前記
ターゲットの外周に強磁性体からなる磁場修正板がター
ゲットの端面に固着されて配設され、この磁場修正板
は、ターゲットの端面から所定距離外方に延びて当該タ
ーゲットの端面を実効的に外方に延長するものであって
当該ターゲットの端面における端面効果を消滅せしめて
閉磁場がターゲットの周縁から内側にかけて形成される
よう磁場を修正するものであることを特徴している。
また、好ましい実施態様として、磁場修正板はフランジ
部を有し、当該フランジ部で強磁性体ターゲットの端部
が押さえられているようにしている。
部を有し、当該フランジ部で強磁性体ターゲットの端部
が押さえられているようにしている。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。な
お、従来技術と同一の構成部材については同一符号を使
用し、その説明は省略する。
お、従来技術と同一の構成部材については同一符号を使
用し、その説明は省略する。
第１図は、本発明の第１実施例を示している。当該第１
実施例の最大の特徴は、強磁性体からなるターゲット１
の端面1aに、当該ターゲット１と同じ材質である強磁性
体からなる磁場修正板５を固着するようにした点にあ
る。すなわち、第４図に示すものと同様に電磁石７を大
きくしてターゲット１の端面1aと外側磁極7aの外縁とを
面一の状態に構成している。そして、磁場修正板５は、
ターゲット１とほぼ同じ厚さを有し、その幅方向がター
ゲット１の端面1aから所定距離外方に延びるような状態
になっている。このように構成すると、磁場修正板５は
ターゲット１と同じ材質の強磁性体からなるものである
から、ターゲット１の端面1aが実効的に外方に延長され
た状態となる。つまり、第６図に示す従来の構造と同様
な磁力線分布となり、第７図に示された端面効果が消滅
した状態となる。この状態では、第６図に示すのと同様
に、磁力線はターゲット１の端面1aから何等漏洩するこ
となく外側磁極7aからターゲット１を進むか又はターゲ
ット表面上で閉ループを描く。このため、ターゲット１
の周縁（ターゲットの表面と端面とのなす角）から内側
にかけて閉磁場が形成される状態となる。
実施例の最大の特徴は、強磁性体からなるターゲット１
の端面1aに、当該ターゲット１と同じ材質である強磁性
体からなる磁場修正板５を固着するようにした点にあ
る。すなわち、第４図に示すものと同様に電磁石７を大
きくしてターゲット１の端面1aと外側磁極7aの外縁とを
面一の状態に構成している。そして、磁場修正板５は、
ターゲット１とほぼ同じ厚さを有し、その幅方向がター
ゲット１の端面1aから所定距離外方に延びるような状態
になっている。このように構成すると、磁場修正板５は
ターゲット１と同じ材質の強磁性体からなるものである
から、ターゲット１の端面1aが実効的に外方に延長され
た状態となる。つまり、第６図に示す従来の構造と同様
な磁力線分布となり、第７図に示された端面効果が消滅
した状態となる。この状態では、第６図に示すのと同様
に、磁力線はターゲット１の端面1aから何等漏洩するこ
となく外側磁極7aからターゲット１を進むか又はターゲ
ット表面上で閉ループを描く。このため、ターゲット１
の周縁（ターゲットの表面と端面とのなす角）から内側
にかけて閉磁場が形成される状態となる。
このような状態は、第２図に示す磁力線分布によって裏
付けされる。即ち第２図に示すように、ターゲット表面
に対し垂直方向の磁力線成分B1の符号が強磁性体ターゲ
ット１端部1a付近で正から負に変わり、この付近で円弧
状の閉磁場を形成することができる。
付けされる。即ち第２図に示すように、ターゲット表面
に対し垂直方向の磁力線成分B1の符号が強磁性体ターゲ
ット１端部1a付近で正から負に変わり、この付近で円弧
状の閉磁場を形成することができる。
第３図は本発明の第２実施例を示している。当該第２実
施例の特徴は、フランジ部5aを有する磁場修正板５をタ
ーゲット１の端面1aに固着し、上記フランジ部5aで強磁
性体ターゲット１の外周部を押さえるようにしている点
にある。なお、当該実施例の場合、ターゲット裏板２を
必ず設けなければならないというものではない。
施例の特徴は、フランジ部5aを有する磁場修正板５をタ
ーゲット１の端面1aに固着し、上記フランジ部5aで強磁
性体ターゲット１の外周部を押さえるようにしている点
にある。なお、当該実施例の場合、ターゲット裏板２を
必ず設けなければならないというものではない。
以上のように磁場修正板をターゲットの端面に固着する
ことによって磁場分布を改善することができるが、当該
ターゲットの形状が円形、矩形などどのようなものであ
っても影響を受けない。さらに、上記実施例では磁場修
正板の材質をターゲット材と同一としているが、必ずし
も同一である必要はなく、鉄、コバルト、ニッケル、ま
たはこれらの合金など強磁性体であれば本発明の効果を
発揮できる。
ことによって磁場分布を改善することができるが、当該
ターゲットの形状が円形、矩形などどのようなものであ
っても影響を受けない。さらに、上記実施例では磁場修
正板の材質をターゲット材と同一としているが、必ずし
も同一である必要はなく、鉄、コバルト、ニッケル、ま
たはこれらの合金など強磁性体であれば本発明の効果を
発揮できる。
（発明の効果） 本発明の平板型マグネトロンスパッタリング装置によれ
ば、ターゲットの利用率を向上させるとともに、膜厚の
均一性を向上させることができる。
ば、ターゲットの利用率を向上させるとともに、膜厚の
均一性を向上させることができる。
第１図は本発明の第１実施例を示したマグネトロンカソ
ードの部分概略図、第２図は第１実施例に係るターゲッ
ト上の磁場分布を示した図、第３図は本発明の第２実施
例を示したマグネトロンカソードの部分概略図、第４図
は従来のマグネトロンカソードの部分外略図、、第５図
は従来のターゲット上の磁場分布を示した図である。第
６図及び第７図は、ターゲットの端面効果を説明する図
である。 １……ターゲット、1a……ターゲットの端面、２……タ
ーゲット裏板、３……ヨーク、４……コイル、５……磁
場修正板、６……マグネトロンカソード、７……電磁
石、7a……外側磁極。
ードの部分概略図、第２図は第１実施例に係るターゲッ
ト上の磁場分布を示した図、第３図は本発明の第２実施
例を示したマグネトロンカソードの部分概略図、第４図
は従来のマグネトロンカソードの部分外略図、、第５図
は従来のターゲット上の磁場分布を示した図である。第
６図及び第７図は、ターゲットの端面効果を説明する図
である。 １……ターゲット、1a……ターゲットの端面、２……タ
ーゲット裏板、３……ヨーク、４……コイル、５……磁
場修正板、６……マグネトロンカソード、７……電磁
石、7a……外側磁極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−72873（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−162865（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−47867（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−246367（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−149868（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−218562（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】ターゲット基板と、ターゲット基板上に重
ねて固着された強磁性体よりなる平板状のターゲット
と、ターゲット基板の裏面に向かい合うターゲット対向
面を有するとともにターゲット対向面に形成された周状
のコイル用溝とを有するヨークとこのヨークのコイル用
溝に埋め込まれたコイルより成る電磁石とを具備したマ
グネトロンカソードを備え、前記電磁石により、前記タ
ーゲット表面上に閉磁場を形成し、当該閉磁場内に生成
したプラズマを閉じ込め、ターゲットをスパッタするこ
とによって基板にスパッタ膜を形成するようにした平板
マグトロンスパッタ装置において、前記ターゲットの端
面と、前記ヨークのターゲット対向面のうち前記コイル
用溝が形成された部分の外側の部分である外側磁極の外
縁とは、ほぼ面一の状態であり、さらに、前記ターゲッ
トの外周に強磁性体からなる磁場修正板がターゲットの
端面に固着されて配設され、この磁場修正板は、ターゲ
ットの端面から所定距離外方に延びて当該ターゲットの
端面を実効的に外方に延長するものであって当該ターゲ
ットの端面における端面効果を消滅せしめて閉磁場がタ
ーゲットの周縁から内側にかけて形成されるよう磁場を
修正するものであることを特徴とする平板マグネトロン
スパッタ装置。 - 【請求項２】磁場修正板はフランジ部を有し、当該フラ
ンジ部で前記ターゲットの端部が押さえられていること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の平板マグ
ネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259338A JPH0765168B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 平板マグネトロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259338A JPH0765168B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 平板マグネトロンスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104771A JPH01104771A (ja) | 1989-04-21 |
| JPH0765168B2 true JPH0765168B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=17332716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259338A Expired - Lifetime JPH0765168B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 平板マグネトロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765168B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022190304A1 (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 三菱電機株式会社 | 制御装置、学習装置、推論装置、制御システム、制御方法、学習方法、推論方法、制御プログラム、学習プログラム、及び推論プログラム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2972199B1 (fr) * | 2011-03-01 | 2015-04-24 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de production de nanoparticules a haut rendement, utilisation du dispositif de production dans un dispositif de depot et procede de depot de nanoparticules |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61246367A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Nec Corp | マグネトロン型スパツタリング装置 |
| JPS62149868A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Tdk Corp | 強磁性体の高速スパツタリング方法 |
| JPS62218562A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | スパツタリング装置 |
| JPH07107188B2 (ja) * | 1986-09-12 | 1995-11-15 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリングターゲット |
| JPS63162865A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリングカソ−ド |
| JPS6447867A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-22 | Kobe Steel Ltd | Target structure for planar magnetron sputtering |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62259338A patent/JPH0765168B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022190304A1 (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 三菱電機株式会社 | 制御装置、学習装置、推論装置、制御システム、制御方法、学習方法、推論方法、制御プログラム、学習プログラム、及び推論プログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01104771A (ja) | 1989-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4865708A (en) | Magnetron sputtering cathode | |
| GB2051877A (en) | Magnetically Enhanced Sputtering Device and Method | |
| JP3411312B2 (ja) | マグネトロン・スパッタカソードおよび膜厚分布の調整方法 | |
| JPH0765168B2 (ja) | 平板マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPS6151410B2 (ja) | ||
| Nakamura et al. | " GT target", A new high rate sputtering target of magnetic materials | |
| JPH0525625A (ja) | マグネトロンスパツタカソード | |
| JPH0784659B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPH11193457A (ja) | 磁性体スパッタリングターゲット | |
| JP2789251B2 (ja) | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 | |
| JPS58199862A (ja) | マグネトロン形スパツタ装置 | |
| JP3126405B2 (ja) | スパッタデポジション装置 | |
| JPH0734244A (ja) | マグネトロン型スパッタカソード | |
| JP3211915B2 (ja) | マグネトロンスパッタリングカソード | |
| JP2789252B2 (ja) | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 | |
| JPS61204371A (ja) | 陰極スパツタリング用磁気回路装置 | |
| JPH0159351B2 (ja) | ||
| JPH05339726A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH04358064A (ja) | マグネトロンスパッタカソード | |
| JPH0445267A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH03183123A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS63277758A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPH05179440A (ja) | マグネトロン型スパッタカソード | |
| JP2604442B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH04183858A (ja) | マグネトロンスパッタカソード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080712 Year of fee payment: 13 |