JPS58143536A - 絶縁膜開口部の形成方法 - Google Patents
絶縁膜開口部の形成方法Info
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- JPS58143536A JPS58143536A JP2700482A JP2700482A JPS58143536A JP S58143536 A JPS58143536 A JP S58143536A JP 2700482 A JP2700482 A JP 2700482A JP 2700482 A JP2700482 A JP 2700482A JP S58143536 A JPS58143536 A JP S58143536A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体集積回路などに設けられるＮ５縁狭開
口部の形成方法に関する。
口部の形成方法に関する。
半導体集積回路の製造において、半導体基板＃！面會被
羨する絶縁膜に窓あけし、内部と接続するように表面上
に導電性配線を形成する場合に、窓の段差部分で断線を
生ずることを防ぐ九めに絶縁膜の開口部周縁をテーノ々
−形状ｌ１ｃｍあけすることが重要である。従来より、
この柚のテーノｆ−形状にするエツチング方法が極々提
案 。
羨する絶縁膜に窓あけし、内部と接続するように表面上
に導電性配線を形成する場合に、窓の段差部分で断線を
生ずることを防ぐ九めに絶縁膜の開口部周縁をテーノ々
−形状ｌ１ｃｍあけすることが重要である。従来より、
この柚のテーノｆ−形状にするエツチング方法が極々提
案 。
されているが、簡便で充分に制御された絶縁膜開口部の
形成法として未だ満足なものはない。
形成法として未だ満足なものはない。
第１図に示している例はウェットエツチングによりて開
口部を形成しえ断面図である。即ち半導体基板１１上に
被着し九８１０２膜１２にフォトリソダツフイーｆ■七
スを用いてレノストマス！ＩＪを・臂ターニング形成し
、弗酸（ＩＦ ）とフ、化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ ）
との混合ｓｇによる工、チンダで窓あけし、−口１！［
１１４周縁に傾斜をつけ丸ものである。この構造は、開
口部に傾斜がついてはいるが、断面を詳細に毅察すると
、エツチングはほぼ等方的に遂行するため、開口１１１
４１４の上部周縁はほぼ垂直に切り立った形状となって
いる。このような開口部に配＊ｔｅけると、中は）断線
のおそれがきわめて強い、基板を加熱しながら蒸着し友
金ｘ’を配−に用いた場合にはｒｒｉｉｉの確率は減少
するが完全ではなく、壕えこＯよう一傘場合にはＲ１！
部で配線の厚みがきわめてうすくなるおそれがある。
口部を形成しえ断面図である。即ち半導体基板１１上に
被着し九８１０２膜１２にフォトリソダツフイーｆ■七
スを用いてレノストマス！ＩＪを・臂ターニング形成し
、弗酸（ＩＦ ）とフ、化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ ）
との混合ｓｇによる工、チンダで窓あけし、−口１！［
１１４周縁に傾斜をつけ丸ものである。この構造は、開
口部に傾斜がついてはいるが、断面を詳細に毅察すると
、エツチングはほぼ等方的に遂行するため、開口１１１
４１４の上部周縁はほぼ垂直に切り立った形状となって
いる。このような開口部に配＊ｔｅけると、中は）断線
のおそれがきわめて強い、基板を加熱しながら蒸着し友
金ｘ’を配−に用いた場合にはｒｒｉｉｉの確率は減少
するが完全ではなく、壕えこＯよう一傘場合にはＲ１！
部で配線の厚みがきわめてうすくなるおそれがある。
本発明はデー・ｆ−形状を有する。絶縁膜細口部を簡便
に形成する方法を提供することを目的とする。
に形成する方法を提供することを目的とする。
本発明は、ｓ１０□膜とＰＩＧ（！ｊン埴鐵ガラス）膜
とを積層し友ｌｌｉ！ｌｌ＆績上にレジストマスクをＩ
豐ターニング形成して、ＰＩＧ膜を工、チングし、次い
でＳ１０．會ウニ、トエ、チンダしてテーノｆ−形状に
愈あけし九俵、レジストを剥−してＰａ１（ｉ膜をすべ
て除去することを特徴とする。
とを積層し友ｌｌｉ！ｌｌ＆績上にレジストマスクをＩ
豐ターニング形成して、ＰＩＧ膜を工、チングし、次い
でＳ１０．會ウニ、トエ、チンダしてテーノｆ−形状に
愈あけし九俵、レジストを剥−してＰａ１（ｉ膜をすべ
て除去することを特徴とする。
本発明によれば、開口部は底部から上端部までゆるやか
なチーノー形状をもつことにな）、従って配−の断線が
確実に防止される。
なチーノー形状をもつことにな）、従って配−の断線が
確実に防止される。
以下第２１１ｇ１ｔ用いて実施例を説明する。壜ず−）
に示すように、半導体基板２１上に８１０．績１２、ｐ
ｔｔａｍｓｓを積層しえ積層膜上に′ｖシスト！スク２
４をΔターエンダ形成し、開口部ｘｉｏｐｍａ＠ａｘを
ウニ、トエ、チングする。
に示すように、半導体基板２１上に８１０．績１２、ｐ
ｔｔａｍｓｓを積層しえ積層膜上に′ｖシスト！スク２
４をΔターエンダ形成し、開口部ｘｉｏｐｍａ＠ａｘを
ウニ、トエ、チングする。
こＯ工、チンダには弗＠ （ＨＦ ） Ｏ，ｓ−と弗化
アンモニウム（Ｍ１４Ｆ）３１６を會む水溶液を使用す
るが、ＰＩＧＯ工Ｖチンダ速度にくらべてｓｉｏ。
アンモニウム（Ｍ１４Ｆ）３１６を會む水溶液を使用す
るが、ＰＩＧＯ工Ｖチンダ速度にくらべてｓｉｏ。
のエツチング速度は数分の１であり、はぼＰ２Ｏのみを
エツチングすることができる。次に（ｂ）に示すようｌ
Ｉｃ虐１０，１Ｉ２１１！ｉ分を弗１１１６−と弗化ア
ン４ｘ−ウニ３０９Ｇを含む水溶液でウニ、トエ。
エツチングすることができる。次に（ｂ）に示すようｌ
Ｉｃ虐１０，１Ｉ２１１！ｉ分を弗１１１６−と弗化ア
ン４ｘ−ウニ３０９Ｇを含む水溶液でウニ、トエ。
チンダする。このようにして形成され′ｆｉ−開ロ部１
１Ｆｉｆｌ凰Ｏ２膜１１８分はなだらかなチー・ず−形
状となるが、Ｉ”８Ｇ属２１部分は図の如く急峻な数差
を形威し、このままでは導電性配線をその上部に形成し
友場合には断線のおそれが依然として残っている。そζ
で本実施例では、この後（ｏ）に示すようにルジストマ
スク２４ｔｍＷ＆し、次いで（４１Ｋ示すように一ロ＠
１６以外の表面に秦りているＰＩＩＧ膜１１をすべてウ
ニ、トエッチングで除去量る。こＯＰＩＧの工、チング
には上述ｏ＊ｗｉ液を用いる丸めＪｌ１時にエツチング
される開口部周縁のｇｔｏ、 ＠の工、チング童を少な
く保ちつつＰ８Ｇｊｌを除去することができ、５ｔＯ２
績のサイドエツチングによる開口部のひろがシは間聴と
する程大きくはない。
１Ｆｉｆｌ凰Ｏ２膜１１８分はなだらかなチー・ず−形
状となるが、Ｉ”８Ｇ属２１部分は図の如く急峻な数差
を形威し、このままでは導電性配線をその上部に形成し
友場合には断線のおそれが依然として残っている。そζ
で本実施例では、この後（ｏ）に示すようにルジストマ
スク２４ｔｍＷ＆し、次いで（４１Ｋ示すように一ロ＠
１６以外の表面に秦りているＰＩＩＧ膜１１をすべてウ
ニ、トエッチングで除去量る。こＯＰＩＧの工、チング
には上述ｏ＊ｗｉ液を用いる丸めＪｌ１時にエツチング
される開口部周縁のｇｔｏ、 ＠の工、チング童を少な
く保ちつつＰ８Ｇｊｌを除去することができ、５ｔＯ２
績のサイドエツチングによる開口部のひろがシは間聴と
する程大きくはない。
以上の工程によって図から明らかな如く開口ｓ１１の下
−がら上縁まで断面がなだらかなチー・量−形状が形成
される。このため上部に導電配線を設けた場合に１開口
部段差において断線のおそれはなく、オた配線の厚みが
薄（なること本はとんどない。
−がら上縁まで断面がなだらかなチー・量−形状が形成
される。このため上部に導電配線を設けた場合に１開口
部段差において断線のおそれはなく、オた配線の厚みが
薄（なること本はとんどない。
なお、Ｐ２Ｏ膜の工、チングにはウェ、トエ。
チングのみならずドライエ、チング【も適用することが
できることは明らかである。この場合、ｐｓａ 農のサ
イドエツチングの進行を少なくすることができて有効で
ある。遣九実ＮＮにお込ては配線コンタクト用の開口部
を１ｉｌｉ！明し皮が、一般に１４ｉｓがチー・ヤー形
状を有する絶縁膜・り一ンの形成に通用できることは、
本発明の趣旨から明らかである。
できることは明らかである。この場合、ｐｓａ 農のサ
イドエツチングの進行を少なくすることができて有効で
ある。遣九実ＮＮにお込ては配線コンタクト用の開口部
を１ｉｌｉ！明し皮が、一般に１４ｉｓがチー・ヤー形
状を有する絶縁膜・り一ンの形成に通用できることは、
本発明の趣旨から明らかである。
第１図は従来の方法を説明するための断面図、菖２図は
本発明の一実施例を説明するための断面図である。 ２１・・・半導体基板、２２・・・８１０２映、２３・
・・Ｐ２Ｏ膜、Ｊ４・・・レジストマスク、２５・・・
開口部。
本発明の一実施例を説明するための断面図である。 ２１・・・半導体基板、２２・・・８１０２映、２３・
・・Ｐ２Ｏ膜、Ｊ４・・・レジストマスク、２５・・・
開口部。
Claims (1)
- ８１ｙ２膜とＰｇＧ ｊ［とを順次積層した絶縁膜上に
レジストマスタを７４ターニング形成して、ＰｇＧ膜を
工、チングし、次いでｇ ｔｏ、 ｇをウェ、トエ、チ
ングしてテーノ９−形状に窓あけし、レノストを剥離し
九＠ ＰｇＧ膜をすべて除去することを特徴とする絶縁
膜開口部の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2700482A JPS58143536A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 絶縁膜開口部の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2700482A JPS58143536A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 絶縁膜開口部の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58143536A true JPS58143536A (ja) | 1983-08-26 |
Family
ID=12208975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2700482A Pending JPS58143536A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 絶縁膜開口部の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58143536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017092115A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2700482A patent/JPS58143536A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017092115A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 |
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