JPS58140643U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58140643U
JPS58140643U JP3821682U JP3821682U JPS58140643U JP S58140643 U JPS58140643 U JP S58140643U JP 3821682 U JP3821682 U JP 3821682U JP 3821682 U JP3821682 U JP 3821682U JP S58140643 U JPS58140643 U JP S58140643U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
resin
semiconductor substrate
abstract
semiconductor
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Pending
Application number
JP3821682U
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English (en)
Inventor
晴夫 島本
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のα線じゃへいの半導体装置を示す断面側
面図、第２図及び第３図はこの考案の一実施例による半
導体装置を示す斜視図及び断面側面図である。 図において、１・・・セラミックパッケージ、２・・・
半導体チップ、３・・・Ａノパッド、４・・・Ａノ線、
５・・・ポリイミド樹脂、６・・・ディスペンサ、７・
・・ポリイミドシートである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板表面上にα線じゃへい用の樹脂を塗布してな
    る半導体装置において上記半導体基板表面上に設けられ
    た電極部への上記樹脂の流れ止めを設けたことを特徴と
    する半導体装置。
JP3821682U 1982-03-17 1982-03-17 半導体装置 Pending JPS58140643U (ja)

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JP3821682U JPS58140643U (ja) 1982-03-17 1982-03-17 半導体装置

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JP3821682U JPS58140643U (ja) 1982-03-17 1982-03-17 半導体装置

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JPS58140643U true JPS58140643U (ja) 1983-09-21

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JP3821682U Pending JPS58140643U (ja) 1982-03-17 1982-03-17 半導体装置

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