JPS58132972A - 高速光サイリスタ - Google Patents
高速光サイリスタInfo
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- JPS58132972A JPS58132972A JP57015282A JP1528282A JPS58132972A JP S58132972 A JPS58132972 A JP S58132972A JP 57015282 A JP57015282 A JP 57015282A JP 1528282 A JP1528282 A JP 1528282A JP S58132972 A JPS58132972 A JP S58132972A
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- Japan
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- circuitting
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- Pending
Links
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は短いターンオフ時間を持つ高速光サイリスタに
関する。
関する。
光サイリスタを高速化するには、第１図に示すようにＰ
ＮＰＮ ４層構造を有するシリコン板ｌの受光部２の近
傍の領域３を除く図では斜線を引いた領域４に金を拡散
してライフタイムを低下させる方法が提案されている。
ＮＰＮ ４層構造を有するシリコン板ｌの受光部２の近
傍の領域３を除く図では斜線を引いた領域４に金を拡散
してライフタイムを低下させる方法が提案されている。
受光部２の近傍の領域３に金を導入しない理由は、この
領域のライフタイムが低下すると点弧感度が悪くなるか
らである。
領域のライフタイムが低下すると点弧感度が悪くなるか
らである。
しかしこの場合、シリコン板表面ｌこマスクを設けて金
を拡散する手数が必要であり、またライフタイムを低下
させることによりサイリスタのオン電圧が高くなる欠点
を有する。ライフタイムを低下させることなくターンオ
フ時間を短くする方法として、第１図においてカソード
側（図の上部ズ短絡電極５によって実現されているエミ
ッタ短絡構造を７ノード何でも実施し、逆バイアス時の
正孔のアノードからの外部への掃き出しを容易にする方
法が知られている。しかしこの方法も順バイアス時の７
ノード側からの正孔の注入効率を低下させるので光点弧
サイリスタに適用した場合、光にす よる点弧感度が”低下か着る。
を拡散する手数が必要であり、またライフタイムを低下
させることによりサイリスタのオン電圧が高くなる欠点
を有する。ライフタイムを低下させることなくターンオ
フ時間を短くする方法として、第１図においてカソード
側（図の上部ズ短絡電極５によって実現されているエミ
ッタ短絡構造を７ノード何でも実施し、逆バイアス時の
正孔のアノードからの外部への掃き出しを容易にする方
法が知られている。しかしこの方法も順バイアス時の７
ノード側からの正孔の注入効率を低下させるので光点弧
サイリスタに適用した場合、光にす よる点弧感度が”低下か着る。
本発明はライフタイムキラーを拡散することな工
くづ−ンオフ時間が短縮されるとともｌこ点弧感度も低
下しない高速光サイリスタを提供することを目的とする
。
下しない高速光サイリスタを提供することを目的とする
。
この目的は高速光サイリスタの高抵抗側ベース層の、他
のベース層との間の接合に隣接する領域が真性であり、
この高抵抗側ベース層が一部分Ｊこ２いて隣接するエミ
ツタ層に接触する主電極と短絡していることによって達
成される。
のベース層との間の接合に隣接する領域が真性であり、
この高抵抗側ベース層が一部分Ｊこ２いて隣接するエミ
ツタ層に接触する主電極と短絡していることによって達
成される。
以下図を引用して本発明の一実施例１とついて説明する
。第２図に示すように真性に近い高抵抗Ｎ形シリコン板
１の上面からはアクセプタの拡散により２層６を、下面
からはドナの拡散によりＮ層７を設け、さらに逆の不純
物拡散により２層６内にＮ土層８を、８層７内にＰ土層
９をそれぞれ形成する。Ｎ＋十層およびｐ ＋Ａにはそ
れぞれ短絡路ｌＯおよび１１が点在している。２層６の
短絡路ｌＯは中央部の補助サイリスタ領域では周辺部の
主サイリスタ領域に比して粗く設けられ、またＮ層７の
短絡路１１は補助サイリスタ領域に設ける必要がない。
。第２図に示すように真性に近い高抵抗Ｎ形シリコン板
１の上面からはアクセプタの拡散により２層６を、下面
からはドナの拡散によりＮ層７を設け、さらに逆の不純
物拡散により２層６内にＮ土層８を、８層７内にＰ土層
９をそれぞれ形成する。Ｎ＋十層およびｐ ＋Ａにはそ
れぞれ短絡路ｌＯおよび１１が点在している。２層６の
短絡路ｌＯは中央部の補助サイリスタ領域では周辺部の
主サイリスタ領域に比して粗く設けられ、またＮ層７の
短絡路１１は補助サイリスタ領域に設ける必要がない。
さらに補助サイリスタ領域の中心にエツチングによりＮ
土層８の厚さより深い受光部２を設ける。最後に上面に
は増幅ゲートのための短絡電極１２およびカソード電極
１３が、下面にはアノード電極１４を接触させる。この
ような光サイリスタにおいては、逆バイアス時に正孔が
短絡路１１を介して７ノード電極１４に掃き出されるの
で、ターンオフ時間が短縮され、ライフタイムキラーの
導入なしに高速化が達成される。
土層８の厚さより深い受光部２を設ける。最後に上面に
は増幅ゲートのための短絡電極１２およびカソード電極
１３が、下面にはアノード電極１４を接触させる。この
ような光サイリスタにおいては、逆バイアス時に正孔が
短絡路１１を介して７ノード電極１４に掃き出されるの
で、ターンオフ時間が短縮され、ライフタイムキラーの
導入なしに高速化が達成される。
またＰＮＩＰＮ構造であるためＰＮＰＮ 構造に比較し
て順バイアス時のＰペース層とＮペース層間の接合の電
界強度が高くなり、入射光による電子−正孔対の生成効
率が向上し、点弧感度の増大が図れるため、アイードシ
ョート構造にしたための点弧感度の低下を補うことがで
きる。さらにＰＮ Ｉ ＰＮ構造にすることにより耐圧
が向上し、同じ耐圧であればシリコン板ｌの厚さがＰＮ
ＰＮ構造の場合の半分ですむためオン電圧が低くなる。
て順バイアス時のＰペース層とＮペース層間の接合の電
界強度が高くなり、入射光による電子−正孔対の生成効
率が向上し、点弧感度の増大が図れるため、アイードシ
ョート構造にしたための点弧感度の低下を補うことがで
きる。さらにＰＮ Ｉ ＰＮ構造にすることにより耐圧
が向上し、同じ耐圧であればシリコン板ｌの厚さがＰＮ
ＰＮ構造の場合の半分ですむためオン電圧が低くなる。
なお、第２図の実施例では増幅ゲート構造を採用してい
るが、増幅ゲート構造を採用しない光サイリスタにおい
ても同様に本発明を実施することができる。
るが、増幅ゲート構造を採用しない光サイリスタにおい
ても同様に本発明を実施することができる。
以上述べたように本発明は光サイリスタにターンオフ時
のキャリヤ掃き出しのためのエミッタ短絡構造ならびに
ＰＮＩＰＮｉ造を採用することにより、ライフタイムキ
ラーの導入なしにターンオフ時間を短縮するとともに、
点弧感度の低下を防ぎ、かつ耐圧の向上あるいはオン電
圧の低減を可能にするもので、各特性の良好な高速光サ
イリスタとして得られる効果は極めて大きい。
のキャリヤ掃き出しのためのエミッタ短絡構造ならびに
ＰＮＩＰＮｉ造を採用することにより、ライフタイムキ
ラーの導入なしにターンオフ時間を短縮するとともに、
点弧感度の低下を防ぎ、かつ耐圧の向上あるいはオン電
圧の低減を可能にするもので、各特性の良好な高速光サ
イリスタとして得られる効果は極めて大きい。
第１図は金拡散による高速光サイリスタの要部断面図、
第２図は本発明の一実施例の高速光サイリスクの要部断
面図である。 １ シリコン板、２・・・受光部、６・・・Ｐベース層
、９・・・Ｐエミッタ層、１１・・・短絡路、１４・・
・アノ−」 −３（ 第１図
第２図は本発明の一実施例の高速光サイリスクの要部断
面図である。 １ シリコン板、２・・・受光部、６・・・Ｐベース層
、９・・・Ｐエミッタ層、１１・・・短絡路、１４・・
・アノ−」 −３（ 第１図
Claims (1)
- １）鳥抵抗匈ベース層の、他のベース層との間の接合に
隣接する領域が真性であり、該高抵抗側ベース層が一部
分において隣接するエミツタ層に接触する主電極と短絡
されたことを％微とする高速光サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015282A JPS58132972A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | 高速光サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015282A JPS58132972A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | 高速光サイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132972A true JPS58132972A (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=11884496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57015282A Pending JPS58132972A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | 高速光サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132972A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610967A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5667970A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Gate turn-off thyristor |
| JPS5739572A (en) * | 1980-08-21 | 1982-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transistor |
-
1982
- 1982-02-02 JP JP57015282A patent/JPS58132972A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610967A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5667970A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Gate turn-off thyristor |
| JPS5739572A (en) * | 1980-08-21 | 1982-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transistor |
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