JPS58130555A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58130555A JPS58130555A JP1438483A JP1438483A JPS58130555A JP S58130555 A JPS58130555 A JP S58130555A JP 1438483 A JP1438483 A JP 1438483A JP 1438483 A JP1438483 A JP 1438483A JP S58130555 A JPS58130555 A JP S58130555A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置にかかり、とくに信頼度が高くかつ
高集程度の半導体集積回路装置に関する。
高集程度の半導体集積回路装置に関する。
従来より単結晶シリコン層に能動素子領域を設は多結晶
シリコンからなる抵抗素子を設けた半導体装置は提案さ
れている。しかしながら従来波°術のこの装置は能動素
子領域の一部のＰＮ接合が多結晶シリプン層内に形成さ
れているためにリケージ電流郷の不安定要素が多い、又
、抵抗素子も多結晶シリコン層内に形成されたＰＮ接合
によって区画されているのでやはり不安定要素が多い。
シリコンからなる抵抗素子を設けた半導体装置は提案さ
れている。しかしながら従来波°術のこの装置は能動素
子領域の一部のＰＮ接合が多結晶シリプン層内に形成さ
れているためにリケージ電流郷の不安定要素が多い、又
、抵抗素子も多結晶シリコン層内に形成されたＰＮ接合
によって区画されているのでやはり不安定要素が多い。
一方抵抗素子のみを考えれば１選択酸化によるシリコン
酸化物によって囲まれた多結晶シリコンからなる該素子
は提案されている。しかしながらこの素子は配線層の一
部として用いたものであるから所定の抵抗値を得ること
はむづかしい。さらに能動素子を形成した後に形成する
ものであるから所定の抵抗値を得るための製造が複雑の
ものとなる。
酸化物によって囲まれた多結晶シリコンからなる該素子
は提案されている。しかしながらこの素子は配線層の一
部として用いたものであるから所定の抵抗値を得ること
はむづかしい。さらに能動素子を形成した後に形成する
ものであるから所定の抵抗値を得るための製造が複雑の
ものとなる。
本発明はかかる従来技術の欠点を除去した実用性の高い
半導体装置を提供することである。
半導体装置を提供することである。
本発明の特徴は、半導体基板上に設けられた一導電型の
単結晶シリコン層と該単結晶シリコン層に隣′Ｉａｌ＞
かつ皺半導体基板上に設けられた抵抗領域とを有し、該
単結晶シリコン層内に位置する耐接合によって区画され
た逆導電屋の能動素子領域が該単結晶シリコン層に設け
られ、骸抵抗領域には多結晶シリコンからなる抵抗素子
を有し、該抵抗素子は教生導体基板の一生面を覆う絶縁
物被膜上に設けられた多結晶シリコン薄膜を選択的に酸
化するととＫより形成されたシリコン酸化物によって囲
まれかつ、該シリコン酸化物中に埋設されている半導体
装置にある。
単結晶シリコン層と該単結晶シリコン層に隣′Ｉａｌ＞
かつ皺半導体基板上に設けられた抵抗領域とを有し、該
単結晶シリコン層内に位置する耐接合によって区画され
た逆導電屋の能動素子領域が該単結晶シリコン層に設け
られ、骸抵抗領域には多結晶シリコンからなる抵抗素子
を有し、該抵抗素子は教生導体基板の一生面を覆う絶縁
物被膜上に設けられた多結晶シリコン薄膜を選択的に酸
化するととＫより形成されたシリコン酸化物によって囲
まれかつ、該シリコン酸化物中に埋設されている半導体
装置にある。
次に本発明の実施例を第１図により説明する。
Ｐ型シリコン基板１の主面にＮ型埋込層２を設け、エピ
タキシャル成長法により厚さ１５声ｍのＮ型エピタキシ
ャル層３を形成し、その表面に厚さ約１０００λの二酸
化ケイ素膜４を形成し、抵抗領域４０ の二酸化ケイ素
膜を残し、他の領域の二酸化ケイ素膜を除去する（第１
図Ａ）ｅ 次に、エピタキシャル層３０籐出面および二酸化ケイ素
膜４の表面にエピタキシャル成長法で厚さ２ｐｍのＮ型
シリコンを成長させ、エピタキシャル層３の、上に単結
晶シリコン層５を、二酸化ケイ素膜４の上に多結晶シリ
；ン層６を形成した後。
タキシャル成長法により厚さ１５声ｍのＮ型エピタキシ
ャル層３を形成し、その表面に厚さ約１０００λの二酸
化ケイ素膜４を形成し、抵抗領域４０ の二酸化ケイ素
膜を残し、他の領域の二酸化ケイ素膜を除去する（第１
図Ａ）ｅ 次に、エピタキシャル層３０籐出面および二酸化ケイ素
膜４の表面にエピタキシャル成長法で厚さ２ｐｍのＮ型
シリコンを成長させ、エピタキシャル層３の、上に単結
晶シリコン層５を、二酸化ケイ素膜４の上に多結晶シリ
；ン層６を形成した後。
単結晶シリコン層５および多結晶シリコン層６の上に厚
さ約４０００人の二酸化ケイ素族７を形成する（第１図
Ｂ）。
さ約４０００人の二酸化ケイ素族７を形成する（第１図
Ｂ）。
次に、抵抗およびトランジスタの能動素子領域の一つで
あるベースを形成すべき領域の酸化膜７を選択除去し、
Ｐｌｉ不純物例えばホウ素を拡散してＰ型多結晶シリプ
ン層８およびＰ型ベース領域９を形成する（第１図Ｃ）
。
あるベースを形成すべき領域の酸化膜７を選択除去し、
Ｐｌｉ不純物例えばホウ素を拡散してＰ型多結晶シリプ
ン層８およびＰ型ベース領域９を形成する（第１図Ｃ）
。
次に、気相成長法により全表面に厚さ約１０００Ａｎｔ
化シリコン膜１０ を設け、多結晶シリコン層６の抵抗
を形成する領域の周囲をエツチングにより開口した後、
スチーム酸化により多結晶シリ；ン層の開口領域を二酸
化ケイ素膜４に達するまで酸化する。この酸化時にベー
ス領域９の再拡散も同時に行なわれる。なお窒化ケイ素
膜は所望領域以外の酸化が進行するのを防ぐために行な
うものである。この酸化により抵抗領域４０ 内の抵抗
素子３１はたがいに二酸化ケイ素により完全に絶縁分離
されろ（第１図Ｄ）。
化シリコン膜１０ を設け、多結晶シリコン層６の抵抗
を形成する領域の周囲をエツチングにより開口した後、
スチーム酸化により多結晶シリ；ン層の開口領域を二酸
化ケイ素膜４に達するまで酸化する。この酸化時にベー
ス領域９の再拡散も同時に行なわれる。なお窒化ケイ素
膜は所望領域以外の酸化が進行するのを防ぐために行な
うものである。この酸化により抵抗領域４０ 内の抵抗
素子３１はたがいに二酸化ケイ素により完全に絶縁分離
されろ（第１図Ｄ）。
次に、窒化ケイ素膜１０を除去し、二酸化ケイ素膜で嘗
出部を榎い９通常の選択拡散によりＮｉｌのエイνり領
域３２を形成した後、再び二酸化ケイ素膜で露出部を覆
う。電極取出し領域を開口し。
出部を榎い９通常の選択拡散によりＮｉｌのエイνり領
域３２を形成した後、再び二酸化ケイ素膜で露出部を覆
う。電極取出し領域を開口し。
アルミニウムを蒸着１選択除去して電極３３を形成する
。以上の製造方法により抵抗とトランジスタが二酸化ケ
イ素により完全に絶縁分離された半導体！！に＆回路を
得る（第１図Ｅ）。
。以上の製造方法により抵抗とトランジスタが二酸化ケ
イ素により完全に絶縁分離された半導体！！に＆回路を
得る（第１図Ｅ）。
第１図に示した実施例ではＰ型ベース領域形成のための
不純物拡散と抵抗領域の拡散とを同時に行なったが、抵
抗素子は必ずしもｐＨである必要はないので、拡散は必
ずしも必要ではない。また絶縁分離のために二酸化ケイ
素膜４を形成したが。
不純物拡散と抵抗領域の拡散とを同時に行なったが、抵
抗素子は必ずしもｐＨである必要はないので、拡散は必
ずしも必要ではない。また絶縁分離のために二酸化ケイ
素膜４を形成したが。
二酸化ケイ素以外に窒化ケイ素その他の絶縁物を使用し
てもよい。
てもよい。
第１図は本発明の実施例を示す工程断面図である。
尚、し１において、１はシリコン基板、２は埋込層、３
はエピタキシャル層、４１’ｌは二酸化ケイ素膜、５は
単結晶シリコン層、６は多結晶シリーン層、９はベース
領域、１Ｇは窒化シリ；ン膜。 ３１は抵抗素子、３２は工建νり領域、３３は電極、４
０は抵抗領域である。 ＼ ＩＱ
（Ｊ−２６９−
はエピタキシャル層、４１’ｌは二酸化ケイ素膜、５は
単結晶シリコン層、６は多結晶シリーン層、９はベース
領域、１Ｇは窒化シリ；ン膜。 ３１は抵抗素子、３２は工建νり領域、３３は電極、４
０は抵抗領域である。 ＼ ＩＱ
（Ｊ−２６９−
Claims (1)
- 半導体基板上に設けられた一導電型の単結晶シリコン層
と、＃単結晶シリコン層に隣接しかつ該半導体基板上に
設けられた抵抗領域とを有し、該単結晶シリコン層内に
位置するＰＮ接合によって区画された逆導電型の能動素
子領域が該単結晶シリコン層に設けられ、該抵抗領域に
は多結晶シリコンからなる抵抗素子を有し、誼抵抗素子
は該半導体基板の一主面を覆う絶縁物被膜上に設けられ
た多結晶クリコン薄膜を選択的に酸化することにより形
成されたシリコン酸化物によって囲まれかつ、該シリコ
ン酸化物中に埋設されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1438483A JPS58130555A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1438483A JPS58130555A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11583075A Division JPS5240082A (en) | 1975-09-25 | 1975-09-25 | Resistor element and process for production of same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130555A true JPS58130555A (ja) | 1983-08-04 |
| JPS6346579B2 JPS6346579B2 (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=11859553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1438483A Granted JPS58130555A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130555A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198765A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Toshiba Corp | 複合半導体装置 |
| JPH03106675U (ja) * | 1990-02-19 | 1991-11-05 |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP1438483A patent/JPS58130555A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198765A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Toshiba Corp | 複合半導体装置 |
| JPH03106675U (ja) * | 1990-02-19 | 1991-11-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6346579B2 (ja) | 1988-09-16 |
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