JPS58128015A - 薄膜磁気ヘツド及びその製法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド及びその製法Info
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- JPS58128015A JPS58128015A JP998982A JP998982A JPS58128015A JP S58128015 A JPS58128015 A JP S58128015A JP 998982 A JP998982 A JP 998982A JP 998982 A JP998982 A JP 998982A JP S58128015 A JPS58128015 A JP S58128015A
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- thin film
- magnetic
- slope
- shaped groove
- magnetic thin
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ＷＡＦｉ磁性薄膜を用いたＶ〒Ｒ用薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法に関する。
及びその製造方法に関する。
ＶＴＲ用磁気ヘッドには高１！度記碌に対処Ｔる九め狭
ギャップ長、狭トラック幅、高保磁力テープ対応等が要
求されでおシ、これに適したヘッドコア材料としてセン
ダスト、パーマロイ等の軟磁性金属の磁性薄膜を用すた
磁気ヘッドが種々提案されて因る。
ギャップ長、狭トラック幅、高保磁力テープ対応等が要
求されでおシ、これに適したヘッドコア材料としてセン
ダスト、パーマロイ等の軟磁性金属の磁性薄膜を用すた
磁気ヘッドが種々提案されて因る。
第ｆｌｉ７に本件発明者が先に提案した軟磁性金属の磁
性薄膜を用い九磁気ヘッドの断面構造の一例を示す。同
図において、１は非磁性基板、２は第１の磁性薄膜、５
はＶ字状溝、４は非磁性膜、５は第２の磁性薄膜、６は
Ｕ字状溝、７は非磁性材である。同ｖ！Ｊ（ｂ）のＳ造
におりては、非磁性膜がギャップ長規制用の非磁性Ｈ４
以外の部分、すなわちＶ字状溝の他方の斜面やＶ字状篩
以外にもおよんでｂる。
性薄膜を用い九磁気ヘッドの断面構造の一例を示す。同
図において、１は非磁性基板、２は第１の磁性薄膜、５
はＶ字状溝、４は非磁性膜、５は第２の磁性薄膜、６は
Ｕ字状溝、７は非磁性材である。同ｖ！Ｊ（ｂ）のＳ造
におりては、非磁性膜がギャップ長規制用の非磁性Ｈ４
以外の部分、すなわちＶ字状溝の他方の斜面やＶ字状篩
以外にもおよんでｂる。
この薄膜磁気ヘッド１ｏにおりては、第１の磁性薄膜２
と第２の磁性薄、ＢＳをヘッドコア材としこれらの間に
はさんだ非磁性膜４を作動ギャップとしてお九 Ｕ字状
＄４にょ力磁気回路的に磁束絞り形状を得ている。この
磁気ヘッドのギャップ形成法の一つは従来のフェライト
ヘッド等における製法と異なるもので、量曹時の歩留）
を左右してｂたコア牛体どうしの突合せボンディング工
程を不要とし、＊ｍ形成技術にょシ高１＃度ギャップを
実現するものである。第２＃ｉ７を用いてその製造工程
を説明する。（ａ）、非磁性１１ｓＭｊ上に第１の磁性
ｆＩＩＩＩＩ２をトラック幅相当分だけ被着する。（ｂ
）。
と第２の磁性薄、ＢＳをヘッドコア材としこれらの間に
はさんだ非磁性膜４を作動ギャップとしてお九 Ｕ字状
＄４にょ力磁気回路的に磁束絞り形状を得ている。この
磁気ヘッドのギャップ形成法の一つは従来のフェライト
ヘッド等における製法と異なるもので、量曹時の歩留）
を左右してｂたコア牛体どうしの突合せボンディング工
程を不要とし、＊ｍ形成技術にょシ高１＃度ギャップを
実現するものである。第２＃ｉ７を用いてその製造工程
を説明する。（ａ）、非磁性１１ｓＭｊ上に第１の磁性
ｆＩＩＩＩＩ２をトラック幅相当分だけ被着する。（ｂ
）。
前記第１の磁性薄膜２の中で最終的に作動ギャップとな
る位置に、その深さが前記非磁性基板１面まで達するＹ
字状＃＄３を形成する。 （ｏ）、 このＶ字状＃
ｌｌ！の一方の＃ｉＩ（以下ギャップ斜面３ａとよぷ）
にＳｉｎ、等からなるギャップ長規制用の非磁性ａ４を
被着する。なおこの非磁性１［４の被着位置は、他の部
分すなわちＶ字状溝の他方の斜面３ｂ＋ｖ字状溝外部に
及んでもより（第１図（ｂ）参照）、 （ｄ）、再＆
ｊ１２の磁性薄Ｊ［５をｖ 字状ｓ３の深さ以上被着す
る。（・）、前記ギヤツブ斜面５ａの頂上部近傍に存在
する第２の磁性薄膜５を＃去してＵ字状の溝６を形成し
、第２の磁性薄膜５を左右に分離する。 （ｒ）、非
磁性材７で第２の磁性薄膜５を被覆する。 ｒｇ）、
巻線穴８を穿孔し１ｉ＊？を施す、このようにして薄膜
磁気ヘラ）’ ｊ Ｏを完成させる。
る位置に、その深さが前記非磁性基板１面まで達するＹ
字状＃＄３を形成する。 （ｏ）、 このＶ字状＃
ｌｌ！の一方の＃ｉＩ（以下ギャップ斜面３ａとよぷ）
にＳｉｎ、等からなるギャップ長規制用の非磁性ａ４を
被着する。なおこの非磁性１［４の被着位置は、他の部
分すなわちＶ字状溝の他方の斜面３ｂ＋ｖ字状溝外部に
及んでもより（第１図（ｂ）参照）、 （ｄ）、再＆
ｊ１２の磁性薄Ｊ［５をｖ 字状ｓ３の深さ以上被着す
る。（・）、前記ギヤツブ斜面５ａの頂上部近傍に存在
する第２の磁性薄膜５を＃去してＵ字状の溝６を形成し
、第２の磁性薄膜５を左右に分離する。 （ｒ）、非
磁性材７で第２の磁性薄膜５を被覆する。 ｒｇ）、
巻線穴８を穿孔し１ｉ＊？を施す、このようにして薄膜
磁気ヘラ）’ ｊ Ｏを完成させる。
以上の製法により、狭ギャップ、狭トラツクヘッドを高
精度にかつ原理的にトラックずれをおこさずに実現でき
る。を九以上の観明け１個の薄膜磁気ヘッドについて行
っ九が、これをウェハ状基板を用いて平面展開すれば多
数個取りが可能であ）量産的である。
精度にかつ原理的にトラックずれをおこさずに実現でき
る。を九以上の観明け１個の薄膜磁気ヘッドについて行
っ九が、これをウェハ状基板を用いて平面展開すれば多
数個取りが可能であ）量産的である。
さて上記し九やで、（ｅ）の工種ＦｉＵ字状＃＄４を形
成し磁束絞シを得ると同時に最終的にトラック幅を決定
する部分で重要である。従来この工程で採用してきた方
法は（１）ダイヤモンドバイトや砥石による機械的切削
法と（２）化学的エツチング法があるが、いずれも寸法
精度等が不十分であり歩留りが悪かった。Ｔなわち非磁
性基板１に磁性薄膜２ 、５Ｙｒ被着させると基板に少
なからぬそりが生じ、これを機械的切削法で直線的に溝
を形成するとそり量に対応して溝深さが均一とならずひ
いてはトラック幅にバラツキが生じる。ｔた磁性薄膜２
，５の付着力や機械強度が十分でない場合。
成し磁束絞シを得ると同時に最終的にトラック幅を決定
する部分で重要である。従来この工程で採用してきた方
法は（１）ダイヤモンドバイトや砥石による機械的切削
法と（２）化学的エツチング法があるが、いずれも寸法
精度等が不十分であり歩留りが悪かった。Ｔなわち非磁
性基板１に磁性薄膜２ 、５Ｙｒ被着させると基板に少
なからぬそりが生じ、これを機械的切削法で直線的に溝
を形成するとそり量に対応して溝深さが均一とならずひ
いてはトラック幅にバラツキが生じる。ｔた磁性薄膜２
，５の付着力や機械強度が十分でない場合。
切削時に薄膜の＃離やカケを生じることが多い。
一方化学的エッチング法ではＵ字状構６に対応したマス
クを形成した後選択エツチングすることになり、工Ｓ数
が増え装線化するとともにアンダーカットが不可避で所
望の形状が得にくく再現性に乏しいとめう欠点があった
。
クを形成した後選択エツチングすることになり、工Ｓ数
が増え装線化するとともにアンダーカットが不可避で所
望の形状が得にくく再現性に乏しいとめう欠点があった
。
本発明の目的は、上記した薄膜磁気ヘッドの製造工程の
欠点をなくシ、高精度のＵ字状溝形成を可能ならしめる
薄膜磁気ヘッドの構造及びその製造方法を提供するにあ
る。
欠点をなくシ、高精度のＵ字状溝形成を可能ならしめる
薄膜磁気ヘッドの構造及びその製造方法を提供するにあ
る。
上記目的を達成する丸め２本発明においては。
Ｖ字状溝の作動ギャップ面と反対側の斜面の傾斜角を２
０′″以下とする。そして、Ｕ字状溝形成工程に、イオ
ンエツチング法を採用する。
０′″以下とする。そして、Ｕ字状溝形成工程に、イオ
ンエツチング法を採用する。
以下本発明による薄膜磁気ヘッド及びその製造方法の一
実施例を第５図で説明する。同図（ａ）は薄膜磁気ヘッ
ドの摺動画形状を示したもので、非磁性基板１上にセン
ダストからなる第１の磁性薄膜２．ギャップ規制用０８
ｉｎ、からなる非磁性膜４１ センダストからなる第
２の磁性薄ｌｌｌ５の順にスパッタ法で被着した段階の
ものである。１ｌＥ１の磁性薄膜２にはダイヤモンドバ
イトを周込た切削加工によ〕直線性の良いＶ字状＠Ｓを
形放し、その一方の斜面５ａを所定のアジマス角を有す
る作動ギャップ面として、他方の斜面３ｂの角度θ、は
２０°以下のゆるｈ角度とした。第２の磁性薄膜５は、
上記Ｖ字状＃＄３形状に沿ってほぼ同一の形状で被着し
ている。第３図（ｂ）はイオンエツチング法によ〕ギャ
ップ斜面３８頂上近傍の第２の磁性薄膜５をＵ字状に除
去した後の摺動面形状を示したものである。イオンエツ
チングの条件はアルゴンカス圧８ Ｘ １０−’ Ｔｏ
ｒｒ 、加速電圧６ｏｏｙｔ 電＊密度０．５ｍＡ／。
実施例を第５図で説明する。同図（ａ）は薄膜磁気ヘッ
ドの摺動画形状を示したもので、非磁性基板１上にセン
ダストからなる第１の磁性薄膜２．ギャップ規制用０８
ｉｎ、からなる非磁性膜４１ センダストからなる第
２の磁性薄ｌｌｌ５の順にスパッタ法で被着した段階の
ものである。１ｌＥ１の磁性薄膜２にはダイヤモンドバ
イトを周込た切削加工によ〕直線性の良いＶ字状＠Ｓを
形放し、その一方の斜面５ａを所定のアジマス角を有す
る作動ギャップ面として、他方の斜面３ｂの角度θ、は
２０°以下のゆるｈ角度とした。第２の磁性薄膜５は、
上記Ｖ字状＃＄３形状に沿ってほぼ同一の形状で被着し
ている。第３図（ｂ）はイオンエツチング法によ〕ギャ
ップ斜面３８頂上近傍の第２の磁性薄膜５をＵ字状に除
去した後の摺動面形状を示したものである。イオンエツ
チングの条件はアルゴンカス圧８ Ｘ １０−’ Ｔｏ
ｒｒ 、加速電圧６ｏｏｙｔ 電＊密度０．５ｍＡ／。
−でイオンビームの入射角θ２はＶ字状＃１３の他方の
斜面３ｂの角θ、に等しくした。こののようにして第２
の磁性薄膜５が上記Ｕ字状ｔＩＩＩ６により左右に分離
するまで行っ九、この後筒２図に示した方法で非磁性材
を上面に被着し巻線穴を穿孔し巻線を施して薄膜磁気ヘ
ッドを完成させえ。
斜面３ｂの角θ、に等しくした。こののようにして第２
の磁性薄膜５が上記Ｕ字状ｔＩＩＩ６により左右に分離
するまで行っ九、この後筒２図に示した方法で非磁性材
を上面に被着し巻線穴を穿孔し巻線を施して薄膜磁気ヘ
ッドを完成させえ。
次に９本発明で採用したイオンエツチング法によるＵ字
状溝の形成の際の、前記Ｖ字状溝の形状及びイオンビー
ムの入射角に関する最適条件にっｈて述べる。第１の条
件は、高精度トラック幅を最も容易に実現するために、
第１の磁性薄膜２の厚さと第２の磁性薄ａＳの厚さとＶ
字状溝の深さをすべて等しくシ、従って第２の磁性薄膜
５に形成されるＶ字状溝の最深位置を第１の磁性薄ｊｌ
［２の上面高さに一歇させたことである。さらにイオン
ビームの入射角θ、をＶ字状溝の斜面３ｂの角θ、に等
しくしてイオンエツチングを行うことである。
状溝の形成の際の、前記Ｖ字状溝の形状及びイオンビー
ムの入射角に関する最適条件にっｈて述べる。第１の条
件は、高精度トラック幅を最も容易に実現するために、
第１の磁性薄膜２の厚さと第２の磁性薄ａＳの厚さとＶ
字状溝の深さをすべて等しくシ、従って第２の磁性薄膜
５に形成されるＶ字状溝の最深位置を第１の磁性薄ｊｌ
［２の上面高さに一歇させたことである。さらにイオン
ビームの入射角θ、をＶ字状溝の斜面３ｂの角θ、に等
しくしてイオンエツチングを行うことである。
これによりＶ字状溝の最深位置はほとんど変化させずに
エツチングでき、従って最終的に得られるトラック幅は
第１の磁性薄膜２の厚さのみで決定できることにな、９
（Ａ’＝Ａ）その制御は最も容易である。
エツチングでき、従って最終的に得られるトラック幅は
第１の磁性薄膜２の厚さのみで決定できることにな、９
（Ａ’＝Ａ）その制御は最も容易である。
次に第２の条件は、磁束絞り効果を利用してヘッド性能
を向上させるため、Ｖ字状溝の斜面の角＃、を２０″以
下の小さな値にすることである。その理由を第４図以下
の図面を用いて説８Ａ７る。第４図はイオンエツチング
速度のビーム入射角依存性を示したもので、センダスト
薄膜につ騒ての測定結果である。これよシ第３図ｒｂ）
に於る各面のエツチング量ΔＸ、Δｙがその入射角に従
って決まり最終的なヘッド形状が形成される。トラック
幅Ａ′は初期値Ａに等しいが、：１ア厚Ｂ′は初期値Ｂ
よシΔｙだけ減少する。トラック幅とコア厚の比Ｂ’／
Ａ’を絞シ率と呼ぶと、第５図に示すようにヘッド出力
は絞シ率Ｂ’／Ａ’とともに増大する。従ってＢ／／Ａ
／値を大きくとるのが有利である。一方Ｂ７ｐ、Ｉ値は
エツチング量ΔＸ、Δｙで決ま〕アジマス角６１１の場
合第６図のような関係となる ”Ｘ＆、が１以上であれ
ば十分で、 Ｂ’／Ａ’値ゆ、８〜２で飽和する。さ
らにＡＸ／Δｙ値はヘッドの初期形状、特にＶ字状溝斜
面の傾斜角θ、に依存し、前記第４図の入射角依存性の
結果を用いるとその関係は篤７図のようになる。これよ
ｐｂ５〜〉１を得るにはθ、≦２０６という条件が必要
である。
を向上させるため、Ｖ字状溝の斜面の角＃、を２０″以
下の小さな値にすることである。その理由を第４図以下
の図面を用いて説８Ａ７る。第４図はイオンエツチング
速度のビーム入射角依存性を示したもので、センダスト
薄膜につ騒ての測定結果である。これよシ第３図ｒｂ）
に於る各面のエツチング量ΔＸ、Δｙがその入射角に従
って決まり最終的なヘッド形状が形成される。トラック
幅Ａ′は初期値Ａに等しいが、：１ア厚Ｂ′は初期値Ｂ
よシΔｙだけ減少する。トラック幅とコア厚の比Ｂ’／
Ａ’を絞シ率と呼ぶと、第５図に示すようにヘッド出力
は絞シ率Ｂ’／Ａ’とともに増大する。従ってＢ／／Ａ
／値を大きくとるのが有利である。一方Ｂ７ｐ、Ｉ値は
エツチング量ΔＸ、Δｙで決ま〕アジマス角６１１の場
合第６図のような関係となる ”Ｘ＆、が１以上であれ
ば十分で、 Ｂ’／Ａ’値ゆ、８〜２で飽和する。さ
らにＡＸ／Δｙ値はヘッドの初期形状、特にＶ字状溝斜
面の傾斜角θ、に依存し、前記第４図の入射角依存性の
結果を用いるとその関係は篤７図のようになる。これよ
ｐｂ５〜〉１を得るにはθ、≦２０６という条件が必要
である。
以上述べた２条件のもとてイオンエツチングを行ったと
ころ、良好なヘッド形状が形成できることを確認し九。
ころ、良好なヘッド形状が形成できることを確認し九。
以上詳述してきた本発明によれば、イオンエツチング法
によシ薄膜磁気ヘッドのＵ字状溝を高精度に形成するこ
とができ、量産時の歩留υが向上する。すなわち従来問
題であった皺加工物である基板にそ）がある場合でも表
面から一定深さのエツチングができるのでトラック幅の
バラツキは皆無となる。またイオンエツチング自身機械
加工に比較し加工による薄膜の損傷が極めて少なく問題
なり、ｔ＋化学エツチングにおけるアンダーカットがな
く所望の形状が得やすい等の効果がある。
によシ薄膜磁気ヘッドのＵ字状溝を高精度に形成するこ
とができ、量産時の歩留υが向上する。すなわち従来問
題であった皺加工物である基板にそ）がある場合でも表
面から一定深さのエツチングができるのでトラック幅の
バラツキは皆無となる。またイオンエツチング自身機械
加工に比較し加工による薄膜の損傷が極めて少なく問題
なり、ｔ＋化学エツチングにおけるアンダーカットがな
く所望の形状が得やすい等の効果がある。
さらに本発明では薄膜磁気ヘッドの構造の中で第１の磁
性薄膜に形成するＶ字状溝の形状においてギャップ面と
は相対する斜面の傾斜角を２０＠以下とし、イオンエツ
チングの入射角をこの斜面に平行に設定し九ため、第２
の磁性薄膜の膜厚の減小を最小限にし磁束絞り効果を失
うことはない。このようにして高性能薄膜磁気ヘッドを
高精度に得ることができ本発明の効果は大である。
性薄膜に形成するＶ字状溝の形状においてギャップ面と
は相対する斜面の傾斜角を２０＠以下とし、イオンエツ
チングの入射角をこの斜面に平行に設定し九ため、第２
の磁性薄膜の膜厚の減小を最小限にし磁束絞り効果を失
うことはない。このようにして高性能薄膜磁気ヘッドを
高精度に得ることができ本発明の効果は大である。
もちろんこの方法では従来の機械加工も補助的【二取入
れることも可能であＥ この場合機械加工量を損傷が無
視できる程度に制限してやれば全体の加工時間の短縮を
はかることができる。
れることも可能であＥ この場合機械加工量を損傷が無
視できる程度に制限してやれば全体の加工時間の短縮を
はかることができる。
又１以上の本発明め説明にお−ては、磁性薄膜としてセ
ンダストを用いて例示したが、ノく−マロイなどの他の
軟磁性金属の場合にも本発明を適用できることはいう盲
でもない。
ンダストを用いて例示したが、ノく−マロイなどの他の
軟磁性金属の場合にも本発明を適用できることはいう盲
でもない。
第１図は本出願人が先に提出し良薄膜磁気ヘッドの構Ｊ
Ｒ図、第２図は第１図の薄膜磁気ヘッドの製造工程図、
第３図は本発明の実施例を示す図。 第４図〜第７図は２本発明を説明するための図である。 １ 二 非磁性基板 ２：＠１の磁性薄膜 ３： ７字状溝 ４ ： 非磁性膜 ５ ： 第２の磁性薄膜 ６ ： Ｕ字状溝 づ１′ ノ 図 （久） 才 ｌ 図 （ｂ） り２の （）） 才 、３１１１ θ２ 才４ｙＪ＋ イケンビーム入射町θ ケ Ｓ 図 才 ｔ 図 ニブ手ン７°゛（め１− Δχ／λ） ヤ ７ 閃 Ｖ雰仄、４本Ｉ叶角θＩ
Ｒ図、第２図は第１図の薄膜磁気ヘッドの製造工程図、
第３図は本発明の実施例を示す図。 第４図〜第７図は２本発明を説明するための図である。 １ 二 非磁性基板 ２：＠１の磁性薄膜 ３： ７字状溝 ４ ： 非磁性膜 ５ ： 第２の磁性薄膜 ６ ： Ｕ字状溝 づ１′ ノ 図 （久） 才 ｌ 図 （ｂ） り２の （）） 才 、３１１１ θ２ 才４ｙＪ＋ イケンビーム入射町θ ケ Ｓ 図 才 ｔ 図 ニブ手ン７°゛（め１− Δχ／λ） ヤ ７ 閃 Ｖ雰仄、４本Ｉ叶角θＩ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 非磁性基板上に第１の磁性薄膜を被着させ。 該第１の磁性薄膜のうちで最終的に作動ギャップになる
べき位置にその深さが前記非磁性基板面まで達するＶ字
状溝を形成し、該１字状溝の一方の斜面にギャップ長、
ＩＩＩＩＫＩ用の非磁性膜を被着させ。 さらにこれらの上に第２の磁性薄膜を被着させ。 前記斜面の頂上部近傍の前記第２の磁性薄膜にその深さ
以上のＵ字状溝を形成して、前記第１及び第２の磁性薄
ｍをへラドコアとし前記非磁性膜を。 作動ギャップとする構造の薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記Ｖ字状溝の作動ギャップ斜面と反対側の斜面の傾斜角
を２０″以下とし九ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２ 非磁性１徹にｊ［１の磁性薄膜を被着させ、該第１
の磁性薄膜のうちで最終的に作動ギャップになるべき位
置にその深さが前記非磁性基１ＩＬＩｉまで達するＶ字
状溝を形成し、該Ｖ字状溝の一方の斜面にギヤツブ長域
制用の非磁性膜を被着させ、さらにこれらの上に第２の
磁性薄膜を被着させ、前記斜面の頂上部近傍の前配置ｘ
２の磁性薄膜にその深さ以上のＵ字状溝を形ボして、前
記第１及び第２０磁性薄膜をヘッドコアとし、前記非磁
性膜を作動ギャップとする構造の薄膜磁気ヘッドの製法
にお込て、前記Ｖ字状溝の作動ギャップ斜面と反対側の
斜面の傾斜角を２０８以下とし、かつ前ｇピロ字状溝形
成法として、イオンエツチング法を用い。 該イオンエツチング法のイオンビーム照射方向を前記Ｖ
字状溝の作動ギャップ斜面と反対側の斜面の方向とは埋
同−としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP998982A JPS58128015A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 薄膜磁気ヘツド及びその製法 |
| US06/349,529 US4476509A (en) | 1981-02-20 | 1982-02-17 | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| FR8202810A FR2500672B1 (fr) | 1981-02-20 | 1982-02-19 | Tete magnetique a films minces et son procede de fabrication |
| DE3206058A DE3206058C2 (de) | 1981-02-20 | 1982-02-19 | Dünnschicht-Magnetkopf und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP998982A JPS58128015A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 薄膜磁気ヘツド及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128015A true JPS58128015A (ja) | 1983-07-30 |
Family
ID=11735275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP998982A Pending JPS58128015A (ja) | 1981-02-20 | 1982-01-27 | 薄膜磁気ヘツド及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128015A (ja) |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP998982A patent/JPS58128015A/ja active Pending
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