JPH0731781B2 - 磁気ギャップ形成方法 - Google Patents

磁気ギャップ形成方法

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JPH0731781B2
JPH0731781B2 JP20628389A JP20628389A JPH0731781B2 JP H0731781 B2 JPH0731781 B2 JP H0731781B2 JP 20628389 A JP20628389 A JP 20628389A JP 20628389 A JP20628389 A JP 20628389A JP H0731781 B2 JPH0731781 B2 JP H0731781B2
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信一 多田
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は磁気ギャップ形成方法に関し、一層詳細には、
コア部材にエッチングを施すことで高精度な磁気ギャッ
プを形成することの出来る磁気ギャップ形成方法に関す
る。
[従来の技術] 最近、オーディオ、VTR、電子計算機等において、磁気
ヘッドによる高密度記録、高密度再生が急速に進めら
れ、磁気ヘッドの高性能化が希求されている。特に、VT
R、電子計算機においては高密度記録、高密度再生を達
成するために磁気ギャップを1μm以下とした磁気ヘッ
ドが要求されるに至っている。そこで、従来から磁気ギ
ャップの形成方法として以下に記載する技術が採用され
ている。
薄膜製造技術(スパッタリング、真空蒸着)により
コア部材の突き合わせ面にスペーサ材を付着させ、これ
を磁気ギャップとする。
ガラスの微粒子をコア部材の突き合わせ面に沈降さ
せて焼き付けることで磁気ギャップを形成する。
コア部材の磁気ギャップ構成面を無機酸(硫酸、リ
ン酸)によりエッチングすることで磁気ギャップを形成
する。
然しながら、の製法においては、装置が大規模化し、
しかも所望の磁気ギャップを得るまでに時間を要するた
め、経済性、量産性を欠く。また、スパッタリングを使
用した場合、イオン密度の場所的なばらつきによってス
ペーサ材の厚さにむらが生じる。
一方、の製法においては、ガラスの微粒子間に存在す
る空気が磁気ギャップに混入する虞があり、さらには、
焼き付けの際、ガラスとコア部材が反応して磁気ギャッ
プが変動する問題がある。
そこで、、の従来技術における難点を解決すべく
の製法が提案されている。第1図にの製法の説明に供
する略図を示す。ここでは、コンピュータ用の磁気ヘッ
ドのように、リード/ライト用の磁気ギャップと、イレ
ース用の磁気ギャップを有する磁気ヘッドについて説明
する。
図中、参照符号2は磁気ヘッドのコア部材を構成するた
めの単結晶フェライト部材を示す。当該単結晶フェライ
ト部材2にはリン酸によるエッチングでリード/ライト
用の磁気ギャップGRとイレース用の磁気ギャップGEが形
成される。この場合、リード/ライト用の磁気ギャップ
GRの深さdaは0.8μm、イレース用の磁気ギャップGE
深さdbは3.0μmであり、深さが異なっている。
次に、このエッチング工程を説明する。先ず、α面にリ
ード/ライト用の磁気ギャップGRを形成するためマスキ
ングを行う。すなわち、α面の中、エッチングされるγ
部を除き耐酸性のペーストPを塗布し乾燥させる。この
場合、β面には全面をマスキングすべく耐酸性のペース
トPが塗布される。そして、リン酸を用いて深さdaが0.
8μmになるようにエッチングを行う。
次いで、β面にイレース用の磁気ギャップGEを形成する
ためマスキングを行う。β面の中、エッチングされるδ
部の耐酸性のペーストPを除去する。この場合、α面に
は全面にマスキングが行われる。そして、リン酸を用い
て深さdbが3.0μmになるようにエッチングを行う。
このようにα面、β面に夫々エッチングを施す際、α、
β面に形成するエッチング面の深さが異なるため、α面
のエッチング終了後、一旦マスクを除去し、再びマスキ
ングしてβ面のエッチングを行わなければならない。従
って、製造に長時間を要してしまう。
[発明が解決しようとする課題] 本発明は前記の不都合を克服するためになされたもので
あって、異なる深さを有する磁気ギャップを磁気ヘッド
のコア部材の両面に形成するにあたり、前記コア部材の
両面を同時にエッチングした後、一方の磁気ギャップに
マスキングを行ってエッチング工程を継続することによ
り短時間で所望の磁気ギャップを形成することの出来る
方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 前記の目的を達成するために、本発明は磁気ヘッドを構
成するコア部材の相対する面に記録再生および消去のた
めの磁気ギャップを形成する方法において、相対する面
の中、記録再生および消去のための磁気ギャップに対応
する部位を除く部分にマスキングを施して所定時間エッ
チング処理を行った後、前記記録再生のための磁気ギャ
ップに対応する部分にマスキングを施して所定時間エッ
チング処理を行うことで所望の磁気ギャップを形成する
ことを特徴とする。
[作用] 磁気ヘッドを構成するコア部材の相対する面に夫々磁気
ギャップに対応する深さの異なった溝を形成する際、先
ず、前記相対する面の溝を形成する部位以外の面にマス
キングを行い、所定時間エッチングを行った後、一方の
面にマスキングを行ってさらにエッチングを行うことに
より前記相対する面に磁気ギャップに対応する深さの異
なった溝を形成するようにし、これにより製造工程の短
縮化を達成することが出来る。
[実施例] 次に、本発明に係る磁気ギャップ形成方法について好適
な実施例を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳細に
説明する。
第2図乃至第4図において、参照符号10は本発明方法が
適用される磁気ヘッドを示し、当該磁気ヘッド10は逆L
字状の多結晶フェライトコアである第1のフェライトコ
ア12と、直方体状の単結晶フェライトコア14と、逆L字
状の多結晶フェライトコアである第2のフェライトコア
16とから構成される。
なお、コア部材に多結晶フェライトと単結晶フェライト
とを組み合わせて適用するのは、単結晶フェライトの特
徴である長寿命と多結晶フェライトの低雑音性を利用す
ることが出来、且つ多結晶フェライトと単結晶フェライ
トとを組み合わせることにより再生効率をより高めるこ
とが可能となるからである。
前記第1フェライトコア12および第2フェライトコア16
には磁気ギャップの深さdR、dEおよびトラックの幅WR
WEを規定するためのトラック溝22a,22b、24a、24b、26
が形成されている(第4図参照)。一方、前記単結晶フ
ェライトコア14は前記第1フェライトコア12および第2
フェライトコア16との対向面に夫々リード/ライト用磁
気ギャップGR、イレース用磁気ギャップGEを規定するた
めのエッチング面28および30を有する。前記第1フェラ
イトコア12と、単結晶フェライトコア14と、第2フェラ
イトコア16とはトラック溝22a、22b、24a、24b、26に溶
融して充填されたガラスGLによって融着接合されてい
る。係る構成の磁気ヘッド10の、図中、上面部32(以
下、磁気媒体摺動面という)は矢印方向(第2図参照)
に摺動する磁気媒体との当接面とするように鏡面状の一
平面となるように加工されている。
そこで、前記磁気媒体摺動面32の要部を第3図に示す。
第1フェライトコア12と単結晶フェライトコア14との間
に形成されるリード/ライト用の磁気ギャップGRは幅が
0.8μm、また、単結晶フェライトコア14と第2フェラ
イトコア16との間に形成されるイレース用の磁気ギャッ
プGEは幅が3.0μmと設定されている。このような磁気
ギャップGRおよびGEを規定するためのエッチング面28、
30はリン酸を用いて鏡面状にエッチング処理がなされ
る。この場合、前記エッチング面28はリード/ライト用
の磁気ギャップGRに対応する深さda(=0.8μm)にエ
ッチング処理される。一方、前記エッチング面30はイレ
ース用のギャップGEに対応する深さdb(=3.0μm)に
エッチング処理される。
本実施例に係る磁気ギャップ形成方法が適用される磁気
ヘッド10は、基本的には、以上のように構成されるもの
であり、次にその製造工程並びに効果について説明す
る。
前記磁気ヘッド10は所定形状に夫々加工された多結晶フ
ェライトのブロックと単結晶フェライトのブロックを接
合し、次いで、カッター等により個々の磁気ヘッド10に
切断分離することにより製造される。そこで、先ず、多
結晶フェライトである第1フェライトコア12と第2フェ
ライトコア16の製造工程を概略的に説明する。
第1フェライトコア12は、長尺な多結晶フェライトのブ
ロックにトラック溝22a、22bを形成し、次いで、L字状
に切断することで得られる。また、第2フェライトコア
16は第1フェライトコア12と略同様にして製造される。
次に、本発明の要部である単結晶フェライトコア14の製
造工程について第5図に基づき説明する。
この場合、単結晶フェライトコア14は基材であるブロッ
ク40の互いに対向する両面にエッチング処理を施すこと
で得られる。
先ず、単結晶フェライトのブロック40のA面にリード/
ライト用の磁気ギャップGRを形成するためマスキングを
行う。すなわち、A面の中、エッチング面28を除き耐酸
性のペーストPを塗布し乾燥させる。また、B面にもイ
レース用の磁気ギャップGEを形成するため、エッチング
面30を除きマスキングすべく耐酸性のペーストPが塗布
される(第5図a参照)。そして、リン酸によってエッ
チング面28および30をエッチングする(第5図b参
照)。この際、エッチング面28および30はリン酸の腐食
作用下に所定時間おかれ、一定の速度でエッチング面28
および30の腐食が均一に進行して磁気ギャップGRに対応
する深さda(=0.8μm)の鏡面状の面となる。
次に、A面全てをマスキングする。この場合、B面のエ
ッチング面30は露出させたままとする(第5図c参
照)。そして、エッチング面30をリン酸の腐食作用下に
所定時間おき、磁気ギャップGEに対応する深さdb(=3.
0μm)となるようにエッチングする(第5図d参
照)。この場合も、エッチング面30は鏡面状の面とな
る。このように、前記エッチング面28および30はリン酸
を用いてエッチング工程がなされるが、リン酸を用いる
理由として、リン酸以外の無機酸(例えば、塩酸等)を
適用すると、エッチング面28および30は粗面状となり、
磁気ギャップGRおよびGEに対応する深さdaおよびdbにば
らつきが生じ、所望の磁気ギャップGRおよびGEを有する
磁気ヘッド10を製造することが困難なことが挙げられ
る。次いで、A面およびB面のマスクをトルエンまたは
アクリル酸により除去することで第6図に示す単結晶フ
ェライトコア14の予備成形体42が得られる。次に、この
予備成形体42をO−O線に沿って切断したものを溶融ガ
ラスを介して多結晶フェライトのブロックと接合した
後、切断分離することで所望の磁気ヘッド10が得られ
る。
[発明の効果] 以上のように、本発明によれば、以下に記載されるよう
な効果が得られる。
すなわち、本発明では磁気ヘッドのコア部材の対向する
面の中、磁気ギャップに対応する部位以外の部分にマス
キングを行い、所定時間エッチングを行った後、一方の
磁気ギャップに対応する部位にマスキングを行ってエッ
チングを継続している。この場合、従来技術のように各
磁気ギャップに対応する面を個々にエッチングする場合
と比較して短時間でのエッチング処理を行うことが出来
る。
また、本発明ではエッチング処理をリン酸を用いて行う
ようにしたので、磁気ギャップに対応する部位は、均一
にエッチングされ鏡面状となり、VTR、電子計算機等に
要求されるような寸法精度の高いギャップを有する磁気
ヘッドを製造することが容易となる効果が得られる。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改良並びに
設計の変更が可能なことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
第1図aおよびbは従来技術に係るエッチング工程の説
明に供する図、 第2図は本発明に係る磁気ギャップ形成方法が適用され
る磁気ヘッドの概略斜視図、 第3図は第2図に示す磁気ヘッドの要部拡大図、 第4図は第2図に示す磁気ヘッドの分解斜視説明図、 第5図a乃至dは本発明方法の一実施例であるエッチン
グ工程の説明図、 第6図は本発明方法の一実施例によって得られた単結晶
フェライトコアの予備成形体の斜視説明図である。 10……磁気ヘッド、12……フェライトコア 14……単結晶フェライトコア 16……フェライトコア 22a、22b、24a、24b、26……トラック溝 GE、GR……磁気ギャップ GL……ガラス、P……ペースト

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】磁気ヘッドを構成するコア部材の相対する
    面に記録再生および消去のための磁気ギャップを形成す
    る方法において、相対する面の中、記録再生および消去
    のための磁気ギャップに対応する部位を除く部分にマス
    キングを施して所定時間エッチング処理を行った後、前
    記記録再生のための磁気ギャップに対応する部分にマス
    キングを施して所定時間エッチング処理を行うことで所
    望の磁気ギャップを形成することを特徴とする磁気ギャ
    ップ形成方法。
  2. 【請求項2】請求項1記載の形成方法において、エッチ
    ング処理はリン酸を用いて行うことを特徴とする磁気ギ
    ャップ形成方法。
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