JPS5812361A - 光駆動形ｐｎｐｎスイツチ素子 - Google Patents
光駆動形ｐｎｐｎスイツチ素子Info
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- JPS5812361A JPS5812361A JP11179981A JP11179981A JPS5812361A JP S5812361 A JPS5812361 A JP S5812361A JP 11179981 A JP11179981 A JP 11179981A JP 11179981 A JP11179981 A JP 11179981A JP S5812361 A JPS5812361 A JP S5812361A
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は逆方向光漏れ電流を抑制した光駆動形ＰＮＰＮ
スイッデ素子に関するものである。
スイッデ素子に関するものである。
光属動形ＰＮＰＮスイッチ素子（以下ＰＮＰＮ素子とい
う）の−適用例に、電話回線などを切替える通話路スイ
ッチマトリクスがある。第１図はその構成図であり、Ｐ
ＮＰＮ素子を用いた交叉点回路５をマトリクス状に配し
て通話路スイッチマトリクス４を構成し、電話回線１〜
３と電話機Ｔ、〜−との接続切替えを行な５ものである
。
う）の−適用例に、電話回線などを切替える通話路スイ
ッチマトリクスがある。第１図はその構成図であり、Ｐ
ＮＰＮ素子を用いた交叉点回路５をマトリクス状に配し
て通話路スイッチマトリクス４を構成し、電話回線１〜
３と電話機Ｔ、〜−との接続切替えを行な５ものである
。
ところで、通話路スイッチに要求される機能としては回
線の切替えの他、近年、電話機回路の電子化などに伴っ
て極性を一定化する機能も必要になってきている。この
ため従来の通話路スイッチでは例えば第２図に示すよう
に１局線り、、Ｌ、間の電圧をダイオードブリッヂ９で
整流して極性を一定化した後、ＰＮＰＮ素子６，７で切
替えるよう構成していた。同、８はＰＮＰＮ素子６，７
を駆動するための発光ダイオード、Ｔは電話機である。
線の切替えの他、近年、電話機回路の電子化などに伴っ
て極性を一定化する機能も必要になってきている。この
ため従来の通話路スイッチでは例えば第２図に示すよう
に１局線り、、Ｌ、間の電圧をダイオードブリッヂ９で
整流して極性を一定化した後、ＰＮＰＮ素子６，７で切
替えるよう構成していた。同、８はＰＮＰＮ素子６，７
を駆動するための発光ダイオード、Ｔは電話機である。
しかし、この構成では１回線当り２個のダイオードと２
個のＰＮＰＮ素子が直列に接続されるため、直流電圧降
下が増大して見かけ上の直流抵抗が増大し、このスイッ
チを用いた電話システムのナービス領域が制限されると
い５欠点があった。
個のＰＮＰＮ素子が直列に接続されるため、直流電圧降
下が増大して見かけ上の直流抵抗が増大し、このスイッ
チを用いた電話システムのナービス領域が制限されると
い５欠点があった。
そこで、この欠点を改善するために第３図に示すように
、発光ダイオード１４で駆動される４個のＰＮＰＮ素子
１０〜１４をブッッヂ接続した通話路スイッチが提案さ
れた。この回路では、各通話路スイッチにおいて回線の
切替えと極性の一定化とが同時に行なわれるもので、１
回線中に２個のＰＮＰＮ素子が直列に接続されるだけで
あるから、直流抵抗は第２図示通話路スイツデに比ベダ
イオード２、個の直列回路を省略した分だけ小さくでき
る効果がある。しかしながら、通話路スイッチの特性の
良否は直流抵抗だけでは不十分で通話損失についても考
慮する必要があるが、従来この点につい℃検討されたこ
とはなく、第５図示通話路スイッデは通話損失が大きい
という欠点があった。
、発光ダイオード１４で駆動される４個のＰＮＰＮ素子
１０〜１４をブッッヂ接続した通話路スイッチが提案さ
れた。この回路では、各通話路スイッチにおいて回線の
切替えと極性の一定化とが同時に行なわれるもので、１
回線中に２個のＰＮＰＮ素子が直列に接続されるだけで
あるから、直流抵抗は第２図示通話路スイツデに比ベダ
イオード２、個の直列回路を省略した分だけ小さくでき
る効果がある。しかしながら、通話路スイッチの特性の
良否は直流抵抗だけでは不十分で通話損失についても考
慮する必要があるが、従来この点につい℃検討されたこ
とはなく、第５図示通話路スイッデは通話損失が大きい
という欠点があった。
本発明はＰＮＰＮ素子をブリッジ接続した通話路スイッ
チにおいて逆方向ＰＮＰＮ素子の光漏れ電流が通話損失
に多大な影響があることの発見な暗まえ、逆方向光漏れ
電流の少ない素子構造のＰＮＰＮ素子があればこれを用
いることによって通話損失の少ない通話路スイッチが実
現できるとの発想の下に為されたものであり、その目的
は、逆方向光漏れ電流の少ないＰＮＰＮ素子を提供する
ことにある。以下これについて詳細に説明する。
チにおいて逆方向ＰＮＰＮ素子の光漏れ電流が通話損失
に多大な影響があることの発見な暗まえ、逆方向光漏れ
電流の少ない素子構造のＰＮＰＮ素子があればこれを用
いることによって通話損失の少ない通話路スイッチが実
現できるとの発想の下に為されたものであり、その目的
は、逆方向光漏れ電流の少ないＰＮＰＮ素子を提供する
ことにある。以下これについて詳細に説明する。
一般に従来のＰＮＰＮ素子には、第４図に示すようなラ
テラル形と第５図に示すよ５なノ毫−テイカル形とがあ
る。ラテラル形ＰＮＰＮ素子は第４図に示すように、Ｎ
形基板１７の横方向ｔＣＰ−Ｎ−Ｐ−Ｎ領域を形成し、
その上にシリコン酸化膜などの透明で絶縁性の膜１８．
ＡＡなどで構成される電極１９を設けて端子Ａを陽極、
端子Ｋを陰極、端子０をゲートとしたものである。なお
、ＲｅｘはＰＮＰＮ素子が立上りの速い順方向電圧で誤
点弧する特性（ｄｖ／１を特性と呼ばれている）を抑制
し、安定した信頼度を確保するための抵抗、即ちｄｖ／
ｄｔ耐量特性を向上させるためにゲート・陰極間に挿入
した抵抗である。またパーティカル形ＰＮＰＮ素子は第
５図に示すように、Ｐ形８１基板２１上にＮ形８１層１
７′を設け、これＫＰ＋拡散層２５及び必要なＰ−Ｎ領
域を設けたもので、図中下の方からＰ、Ｎ。
テラル形と第５図に示すよ５なノ毫−テイカル形とがあ
る。ラテラル形ＰＮＰＮ素子は第４図に示すように、Ｎ
形基板１７の横方向ｔＣＰ−Ｎ−Ｐ−Ｎ領域を形成し、
その上にシリコン酸化膜などの透明で絶縁性の膜１８．
ＡＡなどで構成される電極１９を設けて端子Ａを陽極、
端子Ｋを陰極、端子０をゲートとしたものである。なお
、ＲｅｘはＰＮＰＮ素子が立上りの速い順方向電圧で誤
点弧する特性（ｄｖ／１を特性と呼ばれている）を抑制
し、安定した信頼度を確保するための抵抗、即ちｄｖ／
ｄｔ耐量特性を向上させるためにゲート・陰極間に挿入
した抵抗である。またパーティカル形ＰＮＰＮ素子は第
５図に示すように、Ｐ形８１基板２１上にＮ形８１層１
７′を設け、これＫＰ＋拡散層２５及び必要なＰ−Ｎ領
域を設けたもので、図中下の方からＰ、Ｎ。
Ｐ、Ｎと縦形に素子が形成されているためパーティカル
形と呼ばれている。同、ここでは抵抗Ｒ６１Ｅは省略し
である。
形と呼ばれている。同、ここでは抵抗Ｒ６１Ｅは省略し
である。
第４図及び第５図ともに、ＰＮＰＮ素子駆動のための発
光ダイオード１４の光は、接合Ｊ、を集中的に照射する
構造になっているものの、接合Ｊ、 、 Ｊ。
光ダイオード１４の光は、接合Ｊ、を集中的に照射する
構造になっているものの、接合Ｊ、 、 Ｊ。
も同時に照射される。第６図（ａ） 、 （ｂ）は、Ｐ
ＮＰＮ素子の動作説明図で、（１）は順方向に電圧が印
加された場合、−）は逆方向に電圧が印加された場合を
示す。マタ第７図（！１） 、 （ｂ）はそれぞれ第６
Ｉｔ（ａ） 、 （ｂ）図示ＰＮＰＮ素子のバンド構
造を示す図であり、２６は電子エネルギー分布、２７は
正孔エネルギー分布であって、第７図（Ｃ）は電子エネ
ルギー分布の拡大図である。
ＮＰＮ素子の動作説明図で、（１）は順方向に電圧が印
加された場合、−）は逆方向に電圧が印加された場合を
示す。マタ第７図（！１） 、 （ｂ）はそれぞれ第６
Ｉｔ（ａ） 、 （ｂ）図示ＰＮＰＮ素子のバンド構
造を示す図であり、２６は電子エネルギー分布、２７は
正孔エネルギー分布であって、第７図（Ｃ）は電子エネ
ルギー分布の拡大図である。
第６図（＠及び第７図（ａ）を参照してＰＮＰＮ素子に
順方向に電圧を印加し、発光ダイオード１４の光を照射
したときのＰＮＰＮ素子の動作原理を説明すると、先ず
、ＰＮＰＮ素子に順方向の電圧を印加した場合電圧は主
として接合Ｊ、に印加され、空乏層がＮ層に広がる。こ
れをＪｌｌで示す。ここで、発光ダイオード１４によっ
て空乏層Ｊａｍ Ｋ光を照射すると、これに電子２Ｂ、
正孔２９の電子・正孔対が発生する。そして、これらが
図中の矢印の方に進むと接合Ｊ、に印加されている電圧
を打ち消す方向に電界を発生するので接合Ｊ、の電位障
壁はなくなり、 ＰＮＰＮ素子は動作状態となる。この
場合、駆動特性は空乏層Ｊｌに光を効率良く照射する程
良くなる・ 一方、 ＰＮＰＮ素子に逆方向に電圧を印加し、発光ダ
イオード１４の光を照射した場合には、第６図（ｂ）及
び第７図（ｂ）Ｋ示すように、印加された電圧はほとん
ど接合Ｊ、にかかり、空乏層はＮ影領域に広がる。これ
をＪｌｌで示す。従って、発光ダイオード１４の光がと
こに照射されると電子・正孔対が発生し、第６１Ｍ（ｂ
）の破線で示すように光漏れ電流が流れることになる。
順方向に電圧を印加し、発光ダイオード１４の光を照射
したときのＰＮＰＮ素子の動作原理を説明すると、先ず
、ＰＮＰＮ素子に順方向の電圧を印加した場合電圧は主
として接合Ｊ、に印加され、空乏層がＮ層に広がる。こ
れをＪｌｌで示す。ここで、発光ダイオード１４によっ
て空乏層Ｊａｍ Ｋ光を照射すると、これに電子２Ｂ、
正孔２９の電子・正孔対が発生する。そして、これらが
図中の矢印の方に進むと接合Ｊ、に印加されている電圧
を打ち消す方向に電界を発生するので接合Ｊ、の電位障
壁はなくなり、 ＰＮＰＮ素子は動作状態となる。この
場合、駆動特性は空乏層Ｊｌに光を効率良く照射する程
良くなる・ 一方、 ＰＮＰＮ素子に逆方向に電圧を印加し、発光ダ
イオード１４の光を照射した場合には、第６図（ｂ）及
び第７図（ｂ）Ｋ示すように、印加された電圧はほとん
ど接合Ｊ、にかかり、空乏層はＮ影領域に広がる。これ
をＪｌｌで示す。従って、発光ダイオード１４の光がと
こに照射されると電子・正孔対が発生し、第６１Ｍ（ｂ
）の破線で示すように光漏れ電流が流れることになる。
第８図は上述のような特性のＰＮＰＮ素子を用いてブリ
ッジ接続形通話路スイツデを構成した場合の動作説明図
であり、通話路スイッチを動作させるために４個のＰＮ
ＰＮ素子１０〜１５に光を照射すると、ＰＮＰＮ素子１
０．１１を介して電話機Ｔに電流■１が流れる他に、逆
方向に電圧が印加されたＰＮＰＮ索子１２．１５に上記
の光漏れ電流２Ｉ、が流れる。この光漏れ電流は定電流
源で表わすことができ、本来電話機側に流れるべき電流
は、上記光漏れ電流に相当する分だけ少なくなることが
わかるから、第８図示回路の等価回路は第９図に示すも
のとなる。電話機に流れる電流が少なくなるとカーボン
送話機の出力は低下し、ＩＴ ＞＞ ２ ＩＬの場合、
通話損失は近似的に次式で示される。
ッジ接続形通話路スイツデを構成した場合の動作説明図
であり、通話路スイッチを動作させるために４個のＰＮ
ＰＮ素子１０〜１５に光を照射すると、ＰＮＰＮ素子１
０．１１を介して電話機Ｔに電流■１が流れる他に、逆
方向に電圧が印加されたＰＮＰＮ索子１２．１５に上記
の光漏れ電流２Ｉ、が流れる。この光漏れ電流は定電流
源で表わすことができ、本来電話機側に流れるべき電流
は、上記光漏れ電流に相当する分だけ少なくなることが
わかるから、第８図示回路の等価回路は第９図に示すも
のとなる。電話機に流れる電流が少なくなるとカーボン
送話機の出力は低下し、ＩＴ ＞＞ ２ ＩＬの場合、
通話損失は近似的に次式で示される。
仮に、Ｉ、 ＝ ３０１１ム、２■、として既存の代表
的なスイッチの特性を用い１１＝１〜２１１Ａとすると
、通話損失はα６〜α６ ｄＢとなる。この値は、線路
抵抗に換算すると５８〜７５０にも相当する大きなもの
であり、前述の第２図示回路を第５図示回路に変更する
ことによって得られた直流抵抗の減少による通話損失の
改善効果を相殺してしまうものである。従って、プダツ
ジ接続形通話路スイツデでは前記漏れ電流を減少させな
い限り、通話損失的には従来の通話路スイッチに比べ改
善されたことにはならない。
的なスイッチの特性を用い１１＝１〜２１１Ａとすると
、通話損失はα６〜α６ ｄＢとなる。この値は、線路
抵抗に換算すると５８〜７５０にも相当する大きなもの
であり、前述の第２図示回路を第５図示回路に変更する
ことによって得られた直流抵抗の減少による通話損失の
改善効果を相殺してしまうものである。従って、プダツ
ジ接続形通話路スイツデでは前記漏れ電流を減少させな
い限り、通話損失的には従来の通話路スイッチに比べ改
善されたことにはならない。
本発明は、以上のような従来技術のもつ問題点の原因解
明の過程を経て為されたものであり、以下実施例につい
て説明する。
明の過程を経て為されたものであり、以下実施例につい
て説明する。
第１０図は本発明の原理説明因であり、第６図と同一符
号は同一部分を示し、１５は總蔽物である。ＰＮＰＮ素
子を小さな駆動電流で動作させるためには、接合Ｊｍｖ
ｃ効率良く光を照射することであるが、一方、逆方向漏
れ電流を少なくするためには、接合Ｊ、に光を照射しな
いことである。従って、接合Ｊ、と発光ダイオード１４
との間Ｅｌｌｌｌ種物を設置し発光ダイオード１４の光
を遮断すれば、光漏れ電流を大幅に減少させることがで
きる。そこで、本発明では接合Ｊ、に光が入射されない
構造にしたものである。陶、本発明は、陽極ムと陰極に
との間に逆方向に電圧を印加したときに電圧が印加され
る接合とＰＮＰＮ素子駆動用発光源との間に該接合への
光の照射を紡げる嬉蔽物な設けるものであり、第１０図
では接合ＪａＫ抵抗ＲＧＫが並列接続されており接合Ｊ
ｓには低い電圧しか加わらないので該接合Ｊ、を遮蔽し
なかったものである。従って、抵抗Ｒａｘを設けない場
合は、接合Ｊ１も遁蔽する。
号は同一部分を示し、１５は總蔽物である。ＰＮＰＮ素
子を小さな駆動電流で動作させるためには、接合Ｊｍｖ
ｃ効率良く光を照射することであるが、一方、逆方向漏
れ電流を少なくするためには、接合Ｊ、に光を照射しな
いことである。従って、接合Ｊ、と発光ダイオード１４
との間Ｅｌｌｌｌ種物を設置し発光ダイオード１４の光
を遮断すれば、光漏れ電流を大幅に減少させることがで
きる。そこで、本発明では接合Ｊ、に光が入射されない
構造にしたものである。陶、本発明は、陽極ムと陰極に
との間に逆方向に電圧を印加したときに電圧が印加され
る接合とＰＮＰＮ素子駆動用発光源との間に該接合への
光の照射を紡げる嬉蔽物な設けるものであり、第１０図
では接合ＪａＫ抵抗ＲＧＫが並列接続されており接合Ｊ
ｓには低い電圧しか加わらないので該接合Ｊ、を遮蔽し
なかったものである。従って、抵抗Ｒａｘを設けない場
合は、接合Ｊ１も遁蔽する。
第１１因はラテラル形ＰＮＰＮ素子へ本発明を適用した
実施例の素子断面図であり、第４図と同一符号は同一部
分を示し、２０は電極兼透光物である。この実施例は、
第４図の陽極端千人が接続されている電極１９を電極兼
備光物２０としたものである。即ち、電極面積を陽極の
Ｐ形拡散領域より大きくし、発光ダイオード１４に対向
する空乏領域Ｊ１の領域全体を覆うことによって発光ダ
イオード１４の光を遮断するものである。実験によれば
、電極の設計を最適化することによって光漏れ電流を７
〇−減らすことができ、第６図示通話スイツデに適用し
た場合、通話損失なα１ｄＢ以下にすることができた。
実施例の素子断面図であり、第４図と同一符号は同一部
分を示し、２０は電極兼透光物である。この実施例は、
第４図の陽極端千人が接続されている電極１９を電極兼
備光物２０としたものである。即ち、電極面積を陽極の
Ｐ形拡散領域より大きくし、発光ダイオード１４に対向
する空乏領域Ｊ１の領域全体を覆うことによって発光ダ
イオード１４の光を遮断するものである。実験によれば
、電極の設計を最適化することによって光漏れ電流を７
〇−減らすことができ、第６図示通話スイツデに適用し
た場合、通話損失なα１ｄＢ以下にすることができた。
一方、空乏層Ｊｌｌへの光照射は電極兼透光物２０を設
けたことによって影響を受けるものではないので、駆動
電流には影響はなかった。淘、電極兼透光物２０の材料
としてはＡＡ等が使用できる。
けたことによって影響を受けるものではないので、駆動
電流には影響はなかった。淘、電極兼透光物２０の材料
としてはＡＡ等が使用できる。
第１２図は本発明の別の実施例の素子断面図であり、光
纏蔽板としてＭ等の電極１９の他に他の不透明層２４を
併用したものである１、この纏先物となる不透明層２４
は透明な絶縁膜２３を介して空乏層Ｊ１１上に設けられ
る。該層２４は絶縁性のものであり、例えば半導体用ホ
トレジスト等を炭化させ遮光性を持たせたものや、塗料
などが利用できる。
纏蔽板としてＭ等の電極１９の他に他の不透明層２４を
併用したものである１、この纏先物となる不透明層２４
は透明な絶縁膜２３を介して空乏層Ｊ１１上に設けられ
る。該層２４は絶縁性のものであり、例えば半導体用ホ
トレジスト等を炭化させ遮光性を持たせたものや、塗料
などが利用できる。
第１３図はパーティカル形ＰＮＰＮ索子へ本発明を適用
した実施例の素子断面図であり、第５図と同一符号は同
一部分を示し、２０は電極兼値先物である。パーティカ
ル形はラテラル形と異なり接合Ｊ、がＮ形８ｉ層１７′
とＰ＋拡散層２５との接合のみでなく、Ｎ形８１層１７
′とＰ形８ｉ基板２１との接合をも含むので電極電値光
物２０の線光効果はラテラル形はど大きくないが、Ｎ形
８ｉ層１７′の深さを深くすることにより照射光２２が
空乏層Ｊｌｌの領域で吸収され、Ｎ形８１層１７′とＰ
形８盪基板２１との接合まで達しないように素子設計す
ればラテラル形と同様の効果が得られる。
した実施例の素子断面図であり、第５図と同一符号は同
一部分を示し、２０は電極兼値先物である。パーティカ
ル形はラテラル形と異なり接合Ｊ、がＮ形８ｉ層１７′
とＰ＋拡散層２５との接合のみでなく、Ｎ形８１層１７
′とＰ形８ｉ基板２１との接合をも含むので電極電値光
物２０の線光効果はラテラル形はど大きくないが、Ｎ形
８ｉ層１７′の深さを深くすることにより照射光２２が
空乏層Ｊｌｌの領域で吸収され、Ｎ形８１層１７′とＰ
形８盪基板２１との接合まで達しないように素子設計す
ればラテラル形と同様の効果が得られる。
以上の説明から判るように、本発明は、逆方向光漏れ電
流の原因となる光照射な光逅蔽物で遮光したものであり
、極めて逆方向光漏れ電流の小さなＰＮＰＮ素子が得ら
れる。従って、本発明のぺぺ素子を用いてブリッジ接続
形通話路スイツデを構成すれば、通話損失が極めて少な
いスイッチが実現でき、このスイッチを電子化ボタン電
話機や電子化ＰＢＸに適用した場合には通話品質の良い
システムが実現できる等の利点がある。
流の原因となる光照射な光逅蔽物で遮光したものであり
、極めて逆方向光漏れ電流の小さなＰＮＰＮ素子が得ら
れる。従って、本発明のぺぺ素子を用いてブリッジ接続
形通話路スイツデを構成すれば、通話損失が極めて少な
いスイッチが実現でき、このスイッチを電子化ボタン電
話機や電子化ＰＢＸに適用した場合には通話品質の良い
システムが実現できる等の利点がある。
第１図は通話路スイツテマ） リクスの構成図、第２図
及び第６図は通話路スイッチの回路構成図、第４図は従
来のラテラル形ＰＮＰＮ素子の断面図、ｆＩｓ５図は従
来のパーティカル形ＰＮＰＮ素子の断面図、第６図（ａ
） 、 （ｂ）はＰＮＰＮ素子の動作説明図、第７図は
ＰＮＰＮ素子のバンド構造を示す図、第８図はＰＮＰＮ
素子を用いたブリッジ接続形通話路スイッチの動作説明
図、第９図は′！Ｊ８図示回路の等価回路図、ｓ１０図
は本発明の原理説明図、第１１図〜第１６図は本発明の
それぞれ異なる実施例の素子断面図である。 １７はＮ形基板、１７′はＮ形８ｉ層、１８．２３は絶
縁膜、１９は電極、２０は電極兼遮光物、２１はＰ形８
ｉ基板、２２は照射光、２４は不透明層である。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 玉蟲久五部 外５名 第１図 第３図 第４図 ｌ１ｌｉ５図 巳
Ｃ第９図 第１１図 １４） 第１２ １ｉ２１ ４ 第１３ 図 、１４
及び第６図は通話路スイッチの回路構成図、第４図は従
来のラテラル形ＰＮＰＮ素子の断面図、ｆＩｓ５図は従
来のパーティカル形ＰＮＰＮ素子の断面図、第６図（ａ
） 、 （ｂ）はＰＮＰＮ素子の動作説明図、第７図は
ＰＮＰＮ素子のバンド構造を示す図、第８図はＰＮＰＮ
素子を用いたブリッジ接続形通話路スイッチの動作説明
図、第９図は′！Ｊ８図示回路の等価回路図、ｓ１０図
は本発明の原理説明図、第１１図〜第１６図は本発明の
それぞれ異なる実施例の素子断面図である。 １７はＮ形基板、１７′はＮ形８ｉ層、１８．２３は絶
縁膜、１９は電極、２０は電極兼遮光物、２１はＰ形８
ｉ基板、２２は照射光、２４は不透明層である。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 玉蟲久五部 外５名 第１図 第３図 第４図 ｌ１ｌｉ５図 巳
Ｃ第９図 第１１図 １４） 第１２ １ｉ２１ ４ 第１３ 図 、１４
Claims (1)
- 陽極となる第１のＰ形半導体領域と該領域に接する第１
のＮ形半導体領域と該領域に接する第２のＰ形半導体領
域と該領域に接する第２のＮ形半導体領域とを備えた光
駆動形ＰＮＰＮスイッチ素子において、前記第１のＮ形
半導体領域と前記第２のＰ形半導体領域の接合は遮光す
ることなく前記第１のＰ形半導体領域と前記第２のＮ形
半導体領域の接合及び前記第２のＰ形半導体領域と前記
第２のＮ形半導体領域の接合の少なくとも一方を透光す
る値蔽物を設けたことを特徴とする光駆動形ＰＮＰＮス
イッチ素子〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11179981A JPS5812361A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 光駆動形ｐｎｐｎスイツチ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11179981A JPS5812361A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 光駆動形ｐｎｐｎスイツチ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812361A true JPS5812361A (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=14570441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11179981A Pending JPS5812361A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 光駆動形ｐｎｐｎスイツチ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812361A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61148015A (ja) * | 1984-12-22 | 1986-07-05 | Kawanishi Kogyo Kk | 被膜を形成した作業用手袋における裾部の補強方法 |
| JPS61275407A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-05 | 東和グロ−ブ株式会社 | 手袋及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4858798A (ja) * | 1971-11-24 | 1973-08-17 | ||
| JPS5467393A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-30 | Hitachi Ltd | High dielectric strength semiconductor element |
| JPS569020A (en) * | 1979-06-30 | 1981-01-29 | Fischer & Co Fico Masch | Method and device for punching and bending band material or wire rod |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP11179981A patent/JPS5812361A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4858798A (ja) * | 1971-11-24 | 1973-08-17 | ||
| JPS5467393A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-30 | Hitachi Ltd | High dielectric strength semiconductor element |
| JPS569020A (en) * | 1979-06-30 | 1981-01-29 | Fischer & Co Fico Masch | Method and device for punching and bending band material or wire rod |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61148015A (ja) * | 1984-12-22 | 1986-07-05 | Kawanishi Kogyo Kk | 被膜を形成した作業用手袋における裾部の補強方法 |
| JPS61275407A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-05 | 東和グロ−ブ株式会社 | 手袋及びその製造方法 |
| JPH0219201B2 (ja) * | 1985-05-30 | 1990-05-01 | Towa Glove Co Ltd |
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