JPS61113280A - 光点弧サイリスタならびにそのスイツチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、１つの帯域上に次の帯域が層状に積み重ねら
れ、かつ、交互に逆極性荷電の多数キャリア型をもつ、
連続した少なくとも４つの帯域を含む半導体本体を備え
る光点弧サイリスタであって、その外側の両帯域の各々
には、負荷電流のだめの電極としての金属化が施されて
いることと、ベース帯域が、主エミッタとして働く、外
側の帯域と接合面を形成すること、該ペース帯域には、
補助エミッタが備えられていること、該主エミッタには
短絡されたエミッタ部分があること、及び外乱電流のた
めのＩ流路と、制御電流のだめの別の流路形成すること
によって前記外乱電流によって惹起される点弧の感度か
ら光学的点弧感を隔離する手段を備えることを特徴とす
る光点弧サイリスタに関する。

〔従来の技術〕

光点弧サイリスタは、特に活性化密度が低い場合の点弧
感度に対し′ての構成において言えることだが、荷電キ
ャリア注入を伴う制御電流点弧型サイリスタに比べると
、一般に点弧感度が高いので、不適轟な遮断時電圧の上
昇速度や、動作温度の上昇によって惹き起される、点弧
プロセスあるいは外乱電流に対する高度の防御唖が必要
とされる。これは、干渉しかつ外乱する作用に対する感
度を、点弧感度に影響することなく減少させた）、可能
ならば除去する手段が必要であるということを意味する
。

光点弧サイリスタはｒイツ特許申請公開第２、５４９．
５６３号によって公知である。これによれば、点弧を惹
き起す可能性のある干渉作用に対する安全策が、光点弧
エミッタの下にあるコントロール・ペース・ゾーンの中
の干渉電流によって発生させられる、いわゆる外乱電位
が、エミッタとコントロール・ベース・ゾーンのエラ、
）領域との間をオーム接続することによって得られる該
エツジ領域に於ける電位によって埋め合せられるという
ことにより達成されるとされている。

この種のデバイスの外乱に対する安全性を向上させるた
めに、該オーム接続に加え、さらに、非直線特性曲線を
呈するデバイスをエミッタ帯域の点弧領域とカソードと
の間に備える方法がドイツ特許ＤＢ−ＰＳ第２．７３９
．１８７号にょって公知である。この非直線特性をもつ
デバイスとしては半導体ダイオードが好ましい。

雇後に、ドイツ特許申請公開第２，９４５，３３５号に
、横方向光点弧領域の中のエミッタ層に、ゲート制御の
ＭＩＳ構造を示している光点弧サイリスタ（複数）が記
載されている。このＭＩＳ構造は制御可能の短絡エミッ
タ路を含む。この機能はエミッタ領域が照射されるとき
には働がない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の１目的は、光学的点弧感度を外乱による点弧感
度から隔離することが従来のデバイスの構造に比して技
術的に簡単かつ最適な方法で達成されている、光点弧サ
イリスタを提供することである。

本発明のもう１つの目的は、サイリスタが干渉電流によ
って点弧される危険にさらされずに、光学的に点弧され
うるような方法を提供することである。

これらの目的、及びその他の目的と、本発明の利点は、
以下の記載によって明瞭になろう。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、光学的点弧感度を外乱電流による点弧感度か
ら隔離する手段として働く電子スイッチに接続されてお
り、そして中間のｐｎ接合を形成する、交互に荷電型が
逆極性になっている多数キャリアをもつ層から成る半導
体本体を含んでいる、入射光によって点弧されるサイリ
スタを提供する。この層状半導体本体は、主エミッタを
形成する第１の外層に施された、負荷電流のだめの接続
電極としての金属化層と、該第１の外層と接合面を形成
するコントロール・ベース・ゾーンとしての第１の中間
層と、該コントロール・ペース・ゾーンに配置されてい
て、入射光によって活性化される機能をもち、そして、
電子スイッチと第１の中間層との接続部に近く配置され
ている電子スイッチと接続されている補助エミッタと、
第１の中間層に接して配置されている第２の中間層と、
負荷電流の接続点としての第２の金属化層とを包含する
。

このサイリスタはさらに、主エミッタに備えられた短絡
エミッタを含んでもよい。

電子スイッチには、フォト・トラン・ジスタであっても
よい半導体スイッチング素子を用いることができる。

このサイリスタは、補助エミッタと半導体スイッチング
素子との制御をつかさどる発光半導体デ・ぐイス素子に
よって点弧されることができる。

この半導体スイッチング素子は、モノリフツク集積回路
として半導体本体の中に集積してもよい。

補助エミッタと主エミッタ間の距離は最大４ミリメータ
までよい。

補助エミッタは第１中間層に設けた凹所の中に配置して
よく、この凹所は空間電荷領域の近くまで及んでもよい
。

補助エミッタとフォト・トランジスタとを同時に制御す
るための、直列に接続された発光半導体デバイス素子と
して、発光ダイオード（複数）を用いてよい。

本発明の別の様相によれば、多数キャリアの型が交互に
反転している一連の少なくとも４層からなる半導体本体
をもった、入射光により点弧されるサイリスタを提供し
ている。この半導体本体は両外層の各々に負荷電流の接
続電極を備えており、そして、外層の１つと接合面を形
成する４−ス・ゾーンを見せている。このベース・ゾー
ンは補助エミッタとしての光によって活性化されうる領
域を含む。

前記半導体本体には、短絡されたエミッタ部分があシ、
また、光学的点弧感度を外乱電流による点弧感度から隔
離する手段を含んでいる。

このサイリスタに、隔離を与える手段として、スイッチ
が備えられていることと、該スイッチが、〈−ス・ゾー
ンで補助エミッタと接続している主エミッタの近傍に配
置されていることが特徴である。

本発明のもう１つの見所として、入射光によって点弧さ
れるサイリスタに以下の事項を含むスイッチング方法が
とられていることがある。

（１１光学的点弧感度を外乱電流による点弧感度から隔
離するための手段として働く電子スイッチに光が照射す
ること。（２）半導体本体は、各層の多数キャリアの荷
電型が交互に反転している層によって次のように形成さ
れていること、（ａｌ主エミッタを形成する第１の外層
が、第１の負荷電流電極に接続されていること、（′ｂ
）コントロール・Ｒ−ス・ゾーンとしての第１の中間層
が、第１の外層と接合面を形成するように配置されてい
ること、（Ｃ）入射光によって活性化されるために、補
助エミッタが第１の中間層に設けられていること、（ｄ
）電子スイッチが第１の中間層と補助エミッタとの間に
結線されて配置されていること、ｔｅｌ第２の中間層が
第１の中間層に接して配置されていること、（ｆ）第２
の外層が第２の負荷電流電極と第２の中間層とに接続さ
れていること。

このスイッチング手段はさらに、主エミッタ部分を短絡
する手段を含んでもよい。

電子スイッチには、フォト・トランジスタでもよい半導
体スイッチング素子を用いることができる。

補助エミッタを制御する発光半導体デバイス素子は、補
助エミッタの上にじかに配置してよい。

半導体スイッチング素子は、モノリシック集積回路とし
て半導体本体の中に集積する−ことができる。

このスイッチング手段は、さらに、補助エミッタと主エ
ミッタ間の距離を４　ｒｎｖｔ以下に制限することを含
んでいる。

コノ補助エミッタは、コントロール・ベース・ゾーンの
中でこの空間電荷領域の近くまで及んでいる凹所の中に
配置してよい。

補助エミッタとフォト・トランジスタとを同時に制御す
るための、直列に接続された発光半導体デバイス素子と
して、発光ダイオード（複数）を用いてよい。

本発明の特徴と考えられる新規な諸点は、特許請求の範
囲の各項に記載されている。しかし、本発明の付加的目
的と利点の数々と共に、その構成と作動方法については
、以下の実施列の記載を、添付図面を参照して読めば、
本発明がよく理解されるであろう。

〔実施例〕

第１図は、本発明の好ましい実施態様の１つ帯域１と、
この中間帯域をはさんでその両側に接する、高濃度のド
ーピングを施したＰ型の導電帯域２，３とをもつ連続し
た層が見えている。

この帯域３はコン）　ｏ　−Ａ、・ｋ−ス・ゾーンと外
層と接している。この場合、エミッタ・ゾーン４はコン
トロール・４−ス・ゾーンＬＤ中１１Ｃ埋形成する。

本図では、反対側の外部帯域、すなわち、帯域２は、そ
の１部しか画かれていない。エミッタ・ゾーン４には、
コントロール・ベース・ゾーン３のノξンチ・スルーを
与えるためのインターラプショ／１４がついている。こ
のインターラブジョン１４は、カソード電極５の対応す
る接触によって短絡されたエミッタ部分を形成する。

ＩＮＪ　、ｔ　ハ、コントロール・ベース・ゾーン３の
表面の中央よりの部分に凹所６が設けられていて、その
凹所の底には高濃度にドープされたｎ型導電性の、光点
弧エミッタ領域７が補助サイリスタＨの補助エミッタと
して形成されている。

この補助サイリスタＨは、制御帯域としての機能を果す
。サイリスタの点弧感度をよシ高めるためにこのような
構造が用いられている。

前記半導体本体の代表的な実施態様では、抵抗値の高い
、ｎ型導電性の中間帯域１は、１０１３ないし１０　／
ｄの不純物濃度と１００ないし３００μｍの幅を示して
いる。

コントロール・ベース−ゾーン３としてのＰ型導電性の
第１の中間層は１０１丁から５　Ｘ　１０１７／　ｃｊ
の不純物濃度と約５０ないし１００μｍの幅を示し、Ｐ
型導電性の外層２はＩｆ）”／Ｆの不純物濃度と約５０
から１００μｍの福を示し、さらにカソード・エミッタ
・ゾーンとしてのｎ型導電性の外層４は１０２０ないし
１　ｏ２１７−の不純物濃度と約８ないし１８μｍの幅
を示す。

光点弧エミッタ領域７とエミッタ・ゾーン４との間、す
なわち補助エミッタ７と主サイリスタでの主エミッタ４
との間は、本発明に従って、スイッチ８を介してオーム
接続がなされている。サイリスタＴの主エミッタ４の近
くで、製造方法の面だけから決められる距離の所に該ス
イッチ８が配置されている。この距離は、１例として１
００μｍでよい。光の照射によって惹き起される点弧作
用のために、＼オーム抵抗値の低い電路がスイッチ８に
よって形成される。一般的には別の原理によるスイッチ
を使用することができる。しかし、スイッチ８が閉じる
のは、〜照射光の入射の開始さらに、補助エミッタ７と
同調したサイリスタ本体の点弧とその時を同じくする。

従って、本発明の内容からして、半導体スイッチが、ス
イツチング時間が短いことの理由で好ましい。スイッチ
ング時間の範囲は１ないし１００μｓｅｃでよいが、最
も好ましいのは２０μｓｅｃである。フォト・トランジ
スタを用いれば好ましい結果が得られる。その場合、フ
ォト・トランジスタ８のコレクタがオーム接続９を経て
補助エミッタ７と接続され、またフォト・トランジスタ
のエミッタは、オーム接続１０を経てコントロール・ベ
ース・ゾーン３と接続される。

補助エミッタ７と主エミッタ間の距離は、点弧が照射光
によって発起されるときに、コントロール・ベース・ゾ
ーン３中のこの距離による電路が、スイッチ８を経由す
る電路に比べて高い抵抗値を示すように決める必要があ
る。今までに、補助エミッタ７と主エミッタ間の距離を
４′ニア２７いし、、”ｂ４ミ１，１メーターにとった
構造で有利な結果が得られている。

点弧電流路の抵抗値と外乱電流の流れる電路体デバイス
素子が用意される。波長の範囲がＯＢないし１．０μｍ
のデバイスを用いることが好ましい。光の照射が同時に
なされるように、例えば、複数の発光ダイオードを直列
に接続して用いることができる。

第１図を参照すると、補助エミッタ７はコントロール・
ベース・ゾーン３の凹所６１テ配置されている。これは
、Ｐ−ピング濃度の低いシリコン層の方が、問題の波長
範囲の光をよりよく透過するという知識にもとづいてい
る。前記の範囲はシリコンの吸収帯の端部に近い所にあ
る（「インターナショナル・シリーズ・モノリシック・
オン・セミコンダクターズ〕第９巻「シリコン・セミコ
ンダクタ・データＪＩＩＩ頁、ヘルガム・プレス１９７
６年版参照）。光点弧サイって、スイッチ８が閉じると
、光に活性な領域型すなわち、補助エミッタはカン−１
のすぐそば、すなわち製造方法から決まる距離で例えば
１００μｍの所にある半導体自由表面の電位で、実用上
はカンードの電位に等しいものが与えられる。

このようにして、主エミッタ４とＰ−ｎ接合Ｊ□との間
に与えられる電位ａｔ同じ値の電位Ａｔ’：’補助エミ
ッタ７とｐ−ｎ接合Ｊ１との間の短かい距離に与えられ
る。

光点弧用補助エミッタのための凹所についてはＤＢ−Ｐ
Ｓ第２．１０　’４５６４号によって公知力のでこＸで
は記載しない。補助エミッタ７を配置保するに要する条
件によって決定される。物理的な理由によって、空間電
荷領域はコントロール・ベース・ゾーン３の中で狭い、
例えば１０ないし５０μｍの幅の帯となるが、これを図
には破線２３で示されている。阻止電圧の低下は空間電
荷領域で起るので、補助エミッタは、コントロール・ベ
ース・ゾーン３の中に深＜凹み込ませることができる。

前記凹みの深さは、空間電荷領域の伸び方如何に依存す
る。この深さの範囲は５ないし１００μｍであるが、１
０ないし５０μ市が好ましい。この空間電荷領域への光
子の通過距離が、例えば２０μｍと非常に短いので、光
学点弧感度が最適化され、補助エミッタ７の２次元的ひ
ろがりを非常に小さい値に縮少することができる。この
補助エミッタの２次元的ひろがシは約０．１平方ミリメ
ータないし約１０平方ミリメータであるが、図示の実施
態様の場合は０１平方メートルから３千方ミＩＪメータ
で十分であることが判明すみである。補助エミッタ７の
厚さは、例えば５ないし１０μｍでよい。

図示の実施態様によれば、補助エミッタ７の領域におい
て、干渉電位ができるだけ低くなければならないという
条件は、さらに、干渉電流について同様である。

半導体スイッチング素子も半導体本体のモノリシック集
積回路中に集積することができる。

本発明による構造によれば、光学的点弧感度の干渉によ
る点弧感度からの完全な隔離がみられる。発光半４体デ
・ζイス素子による制御の場合には、まず補助サイリス
タＨが点弧する。荷操作の発起、すなわち、補助エミッ
タ７が荷電キャリアを放出し始めると同時に閉じたスイ
ッチ８を経由して主エミッタ４へと流れる。このように
して主エミッタはエミッション状態へ活性化される。フ
ォト・トランジスタは照射光の入射がなければ閉路され
る。例えば、許容値を超えるほど急激な、例えば少なく
とも５０ｖ／μＳｅｃもの電圧の上昇にもとづく干渉電
流は、コントロール・ベース・ゾーンらから短絡エミッ
タ部分１４を経てカッ−ＰＫへ流れる。

第２図には、長方形の１隈にあシ、本発明に従って半導
体スイッチと接続されている、点弧可能な領域を備えた
半導体本体が示されている。

両方の半導体本体の厚さは、図解の明瞭化のため極端に
拡大して画かれている。両方の本体も自然の大きさの比
率で示されてはいない。第１図の実施態様と比べると、
サイリスタの半導体本体にはアノーＰ接続電極としての
金属化層１１が見えていることがわかる。

フォト・トランジスタは、例えばフォト・カプラーやラ
イト・バリヤに用いられると同様に、スイッチング素子
として提供されている。この場合は、フォト・トランジ
スタは干渉電圧を打ち消すだめの接続をスイッチングす
るだめに利用されており、そして、照射を受けるベース
といわゆるエミッタ接地型回外で結線されている。

これによって最大感度が得られる。

両図面には、サイリスタの半導体本体に関しては、同じ
部分に対して同一の参照番号がついている。サイリスタ
のコントロール・ベース・ゾーン３のオーム接続１０は
、トランジスタのエミッタ層１６と結線されている。ベ
ース１７の広い面積は受光のために役立つ。さらに、サ
イリスタの補助エミッタ７のオーム接続９はトランジス
タのコレクタ１８に、接続電極１９を介して結線されて
いる。フォト・トランジスタ８のターソＡン時間は１０
μｓｅｃ以下でなければならない。

２つの半導体本体の空間的な配置関係は重要ではない。

モノリシックの集積構造にすると、それぞれの接続点間
の距離を短縮することができる。配線によって接続する
場合には、電路の抵抗値の比率を配慮する必要がある。

高い照射効率を得るため、発光デ、６イスは、それぞれ
の半導体本体に例えば接着によって取付られる。

以上に記載した要素の個々、またはその２つ以上を併用
すれば、他の型式のサイリスタ・システムや前記と異る
型式の光スイツチング手段に実用的な応用の途が開かれ
うるということが了解されよう。

本発′明は、光点弧サイリスタを主にした実施例として
図解ならびに記載がなされたが、本発明の精神を逸脱す
ることなく種々の修正や構造上の変更を加えることが可
能なので、本発明は、既に詳細にわたシ示されたことに
より制約されるものではない。

既に記載した所により、これ以上の解析を加えないでも
、他の人々ｐ（、本発明の一般的なあるいは特定の態様
の基本的な特徴を構成する要点を欠くことなく多くの応
用面に、従来の技術に立脚し、また現在の知識を適用し
て容易に応用できる程度に本発明の要点は明かであろう
。

本発明の新規性の主張点及び特許により保護を受けるこ
とが望まれる諸点は、特許請求の範囲の諸項に記載され
ている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるサイリスタ・デバイスの１部の断
面図で、１部は略図である。第２図は、本発明によるサ
イリスタの半導体本体とフォト・トランジスタの半導体
本体との組合せ方を示す透視図である。 １・・・・・・第２の中間層 ２・・・・・・第２の外層 ３・・・・・・第１の中間層（コントロール・ベース・
ゾーン） ４・・・・・・第１の外層（エミッタ・ゾーン、主エミ
ッタ） ５・・・・・・カンー−電極 ６・・・・・・凹所 ７・・・・・・光点弧エミッタ領域（補助エミッタ）８
・・・・・・電子スイッチ（フォト・トランジスタ）９
・・・・・・オーム接続 １０・・・オーム接続 １１・・・アノード電極 １４・・・インターラブジョン １６・・・フォト・トランジスタのニーミッタ１７・・
・フォト・トランジスタのベース１８・・・フォト・ト
ランジスタのコレクタ２３・・・空間電荷領域の境界

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）入射光により点弧されるサイリスタであつて、光学
   的な点弧感度を外乱電流にもとづく点弧感度から隔離す
   るための手段として働く電子スイッチに接続されており
   、そして、交互に逆極性の荷電型の多数キャリアをもつ
   層からなる半導体本体を含む光点弧サイリスタにおいて
   、第１の負荷電流電極と、該第１の負荷電流電極に接続
   されて主エミッタを形成する第１の外層と、該第１の外
   層と接合面を形成する、コントロール・ベース・ゾーン
   としての第１の中間層と、該コントロール・ベース・ゾ
   ーンに配置されていて入射光によつて活性性されうる補
   助エミッタであつて、電子スイッチが該補助エミッタに
   接続されており、さらに該電子スイッチは該第１の中間
   層と該補助エミッタとの間をつなぐように配置されてい
   るような補助エミッタと、前記第１の中間層に隣接して
   配置された第２の中間層と、第２の負荷電流電極と、該
   第２の負荷電流電極に接続され、かつ該第２の中間層に
   接続されている第２の外層と、を包含することを特徴と
   する光点弧サイリスタ。 ２）主エミッタの所に備えられた、短絡されたエミッタ
   部分をさらに包含することを特徴とする、特許請求の範
   囲第１項記載の光点弧サイリスタ。 ３）電子スイッチが半導体スイッチング素子として備え
   られていることを特徴とする、特許請求の範囲第１項記
   載の光点弧サイリスタ。 ４）半導体スイッチング素子がフォト・トランジスタと
   して備えられていることを特徴とする、特許請求の範囲
   第３項記載の光点弧サイリスタ。 ５）コントロール・ベース・ゾーンの凹所に配置されて
   いる補助エミッタに制御を与える発光半導体デバイス素
   子をさらに包含することを特徴とする、特許請求の範囲
   第４項記載の光点弧サイリスタ。 ６）補助エミッタと補助エミッタ間の距離が最大４ミリ
   メートルであることを特徴とする、特許請求の範囲第１
   項記載の光点弧サイリスタ。 ７）補助エミッタが、コントロール・ベース・ゾーンの
   凹所中に配置され、該凹所に空間電荷領域の近くまで及
   んでいることを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載
   の光点弧サイリスタ。 ８）補助エミッタとフォト・トランジスタの同時的制御
   のために直列に接続されている発光半導体デバイス素子
   として、発光ダイオードが備えられていることを特徴と
   する、特許請求の範囲第７項記載の光点弧サイリスタ。 ９）半導体本体をもち、入射光により点弧されるサイリ
   スタであつて、該半導体本体が、交互に逆極性の多数キ
   ャリア型をもつ、少なくとも４層からなる一連の帯域を
   含み、両方の外側帯域の各々に負荷電流用電極を備えて
   、外側帯域の１つと接合面を形成するベース・ゾーンが
   あつて、光により活性化されうる補助エミッタとしての
   領域を含むベース・ゾーンを備え、さらに主エミッタに
   ショートされるエミッタ部を備えており、光学的点弧感
   度と外乱電流による点弧感度が隔離するための手段を含
   む光点弧サイリスタにおいて、 スイッチ（８）が隔離作用を行なわせるための手段とし
   て備えられていて、該スイッチ（８）は補助エミッタ（
   ７）とベース・ゾーン（３）とを結んで前記主エミッタ
   （４）の近くに配置されていることを特徴とする光点弧
   サイリスタ。 １０）入射光により点弧されるサイリスタ装置のスイッ
   チング方法において、光学的点弧感度を外乱電流にもと
   づく点弧感度から隔離するための手段として使用される
   電子スイッチに光を入射させること、交互に逆極性の荷
   電型の多数キャリアをもつ層からなる半導体本体を形成
   すること、第１の外層を第１の負荷電流用電極に接続す
   ること、ならびに主エミッタを形成すること、第１の中
   間層を、前記第１の外層と接合面を形成するコントロー
   ル・ベース・ゾーンとして形成すること、入射光によつ
   て活性化されるための補助エミッタを前記第１の中間層
   に配置すること、その際、該補助エミッタの前記電子ス
   イッチは前記第１の中間層と該補助エミッタ間を結ぶよ
   うに配置されること、前記第１の中間層に隣接して第２
   の中間層を配置すること、第２の外層を第２の負荷電流
   用電極と接続すること、ならびに該第２の外層は前記第
   ２の中間層に接続されていること、を包含していること
   を特徴とする光点弧サイリスタのスイッチング方法。 １１）短絡された主エミッタ部分をさらに含む、特許請
   求の範囲第１０項記載の光点弧サイリスタのスイッチン
   グ方法。 １２）電子スイッチを半導体スイッチング素子として備
   えることをさらに含んでいる、特許請求の範囲第１０項
   記載の光点弧サイリスタのスイッチング方法。 １３）フォト・トランジスタを半導体スイッチング素子
   として備えることをさらに含んでいる、特許請求の範囲
   第１２項記載の光点弧サイリスタのスイッチング方法。 １４）補助エミッタの制御を与えるため発光半導体デバ
   イス素子をコントロール・ベース・ゾーンの凹所の中に
   配置することをさらに含む、特許請求の範囲第１３項記
   載の光点弧サイリスタのスイッチング方法。 １５）補助エミッタと主エミッタ間の距離を最大４ミリ
   メートルに制限することをさらに含む、特許請求の範囲
   第１０項記載の光点弧サイリスタのスイッチング方法。 １６）第１中間層の中の凹所であつて、空間電荷領域の
   近傍まで及んでいる凹所の中に、補助エミッタを設置す
   ることをさらに含む、特許請求の範囲第１０項記載の光
   点弧サイリスタのスイッチング方法。 １７）補助エミッタとフォト・トランジスタの同時的制
   御のために直列に接続されている、発光半導体デバイス
   素子としての発光ダイオードを備えることをさらに含む
   、特許請求の範囲第１６項記載の光点弧サイリスタのス
   イッチング方法。