JPH0117269B2 - - Google Patents
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- JPH0117269B2 JPH0117269B2 JP55092268A JP9226880A JPH0117269B2 JP H0117269 B2 JPH0117269 B2 JP H0117269B2 JP 55092268 A JP55092268 A JP 55092268A JP 9226880 A JP9226880 A JP 9226880A JP H0117269 B2 JPH0117269 B2 JP H0117269B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光駆動型サイリスタ装置に係り、特
に順方向過電圧が印加された時に自己保護作用が
働く構造の、光駆動型サイリスタ装置に関する。
に順方向過電圧が印加された時に自己保護作用が
働く構造の、光駆動型サイリスタ装置に関する。
光の照射により、順方向阻止状態から導通状態
にスイツチする機能を有する光駆動型サイリスタ
は、通常の電気ゲート型サイリスタと同様に、少
なくともpnpnの４層の積層構造と、その両外側
層にオーミツク接触した一対の主電極とを具備す
る。
にスイツチする機能を有する光駆動型サイリスタ
は、通常の電気ゲート型サイリスタと同様に、少
なくともpnpnの４層の積層構造と、その両外側
層にオーミツク接触した一対の主電極とを具備す
る。
そして、光駆動型サイリスタは電気ゲート型サ
イリスタと比較して、(1)主回路とゲート回路とを
電気的に絶縁できるため、ゲート回路を簡単にで
きる、(2)電磁誘導によるノイズに対して強い、な
どの利点がある。
イリスタと比較して、(1)主回路とゲート回路とを
電気的に絶縁できるため、ゲート回路を簡単にで
きる、(2)電磁誘導によるノイズに対して強い、な
どの利点がある。
このため、最近これらの利点を特に良く発揮で
きる高圧直流送電（以下HVDCと称する）用と
しての光駆動型サイリスタの開発が急速に進んで
いる。ここで問題となるものの一つに、特に多数
個直列接続された光駆動型サイリスタ群に順方向
過電圧が印加された場合の光駆動型サイリスタ自
体の保護がある。
きる高圧直流送電（以下HVDCと称する）用と
しての光駆動型サイリスタの開発が急速に進んで
いる。ここで問題となるものの一つに、特に多数
個直列接続された光駆動型サイリスタ群に順方向
過電圧が印加された場合の光駆動型サイリスタ自
体の保護がある。
第１図は、光駆動型サイリスタを複数個直列接
続した回路を示す従来例であり、第２図は、順方
向過電圧が印加された時の光駆動型サイリスタ及
び過電圧保護素子の電流―電圧特性を示す。
続した回路を示す従来例であり、第２図は、順方
向過電圧が印加された時の光駆動型サイリスタ及
び過電圧保護素子の電流―電圧特性を示す。
図において、１は光駆動型サイリスタ（以下単
にサイリスタと称する）、２はサイリスタを点弧
させるための発光ダイオード（以下LEDと称す
る）、３はLED２からの光をサイリスタ１に伝送
する光フアイバ、４は過電圧印加時に導通する例
えばpnp構造の過電圧保護素子、５は抵抗１１と
コンデンサ１２からなるRCスナツバ（snubber）
である。
にサイリスタと称する）、２はサイリスタを点弧
させるための発光ダイオード（以下LEDと称す
る）、３はLED２からの光をサイリスタ１に伝送
する光フアイバ、４は過電圧印加時に導通する例
えばpnp構造の過電圧保護素子、５は抵抗１１と
コンデンサ１２からなるRCスナツバ（snubber）
である。
通常の点弧のときは、LED２から、光フアイ
バ３を通してサイリスタ１の受光部に制御信号を
与え、点弧させる。
バ３を通してサイリスタ１の受光部に制御信号を
与え、点弧させる。
装置全体のアノードＡとカソードＫ間に、順方
向過電圧が印加されたときは、第２図に示すよう
にサイリスタ１のブレークオーバ電圧VBO
（THY）より低い電圧VBO（Ｚ）でブレークオー
バする過電圧保護素子４が、まず導通状態にな
り、サイリスタ１には過電圧が印加されないよう
にしてある。なお、第２図で曲線ａはサイリスタ
１の、ｂは過電圧保護素子４の電圧―電流特性で
ある。
向過電圧が印加されたときは、第２図に示すよう
にサイリスタ１のブレークオーバ電圧VBO
（THY）より低い電圧VBO（Ｚ）でブレークオー
バする過電圧保護素子４が、まず導通状態にな
り、サイリスタ１には過電圧が印加されないよう
にしてある。なお、第２図で曲線ａはサイリスタ
１の、ｂは過電圧保護素子４の電圧―電流特性で
ある。
前記電圧VBO（Ｚ）はあまり低く設定すると、
正常時での装置全体の阻止電圧が低く抑えられる
ため得策ではない。このため、VBO（THY）と
VBO（Ｚ）はかなり低い値に設定されるのが普通
である。このようにVBO（THY）とVBO（Ｚ）を近
い値に設定した場合、過電圧に達する際の電圧上
昇率が高いときには、瞬時ではあるが、サイリス
タ１に順方向過電圧がかかる恐れがある。
正常時での装置全体の阻止電圧が低く抑えられる
ため得策ではない。このため、VBO（THY）と
VBO（Ｚ）はかなり低い値に設定されるのが普通
である。このようにVBO（THY）とVBO（Ｚ）を近
い値に設定した場合、過電圧に達する際の電圧上
昇率が高いときには、瞬時ではあるが、サイリス
タ１に順方向過電圧がかかる恐れがある。
サイリスタ内部に局所的に点弧し易い箇所があ
るとそこにRCスナツバからの大きな放電々流が
流れ、サイリスタが破壊する危険がある。そし
て、この傾向は、素子が多数個直列接続されてい
る場合には、特に著しくなる。
るとそこにRCスナツバからの大きな放電々流が
流れ、サイリスタが破壊する危険がある。そし
て、この傾向は、素子が多数個直列接続されてい
る場合には、特に著しくなる。
上述の従来例の欠点を改善したものに、第３図
に示した従来例がある。図において、６は、定電
圧素子例えば、ツエナーダイオードまたはアバラ
ンシダイオードで、その動作電圧が低い場合に
は、同一素子を直列接続して動作電圧を上げるこ
とができる。７は、通常のダイオード、８は発光
素子例えばLED１９は光フアイバである。
に示した従来例がある。図において、６は、定電
圧素子例えば、ツエナーダイオードまたはアバラ
ンシダイオードで、その動作電圧が低い場合に
は、同一素子を直列接続して動作電圧を上げるこ
とができる。７は、通常のダイオード、８は発光
素子例えばLED１９は光フアイバである。
かかる構成において、アノードＡとカソードＫ
間に、定電圧素子６にその動作電圧を越える電圧
が印加されるような順方向過電圧が印加された場
合には、定電圧素子６が導通するので、LED８
に電流が流れて発光し、光信号パルスが光フアイ
バ９を通つてサイリスタ１に与えられる。これに
よつてサイリスタ１が点弧し、破壊する危険から
免れる。
間に、定電圧素子６にその動作電圧を越える電圧
が印加されるような順方向過電圧が印加された場
合には、定電圧素子６が導通するので、LED８
に電流が流れて発光し、光信号パルスが光フアイ
バ９を通つてサイリスタ１に与えられる。これに
よつてサイリスタ１が点弧し、破壊する危険から
免れる。
なお、ダイオード７は、サイリスタ１に逆電圧
がかかつたときに、LED８に大きな電圧がかか
らないように保護するために設けてある。
がかかつたときに、LED８に大きな電圧がかか
らないように保護するために設けてある。
かかる従来例には、以下のような欠点がある。
すなわち、サイリスタを通常時に光点弧する手段
（LED２と光フアイバ３）と、順方向過電圧が印
加された時に光点弧させる手段（LED８と光フ
アイバ９）の両方を設ける必要があり、このため
に、サイリスタ１の受光部と光フアイバ３，９の
結合構造、光フアイバ３，９とサイリスタ１の外
囲器との結合構造等が複雑になる。更に製造コス
トも高くつくので実用的ではない。
すなわち、サイリスタを通常時に光点弧する手段
（LED２と光フアイバ３）と、順方向過電圧が印
加された時に光点弧させる手段（LED８と光フ
アイバ９）の両方を設ける必要があり、このため
に、サイリスタ１の受光部と光フアイバ３，９の
結合構造、光フアイバ３，９とサイリスタ１の外
囲器との結合構造等が複雑になる。更に製造コス
トも高くつくので実用的ではない。
本発明の目的は、順方向過電圧が印加された時
にサイリスタ自身が自己保護作用を持つと共に、
外囲器の構造が簡単であるサイリスタを提供する
にある。
にサイリスタ自身が自己保護作用を持つと共に、
外囲器の構造が簡単であるサイリスタを提供する
にある。
以下本発明を具体的な実施例により詳細に説明
する。
する。
第４図は、本発明によるサイリスタの素子構造
の一例を示す縦断面図である。本例のサイリスタ
は、光補助サイリスタATHYと、主サイリスタ
MTHYとから成る。
の一例を示す縦断面図である。本例のサイリスタ
は、光補助サイリスタATHYと、主サイリスタ
MTHYとから成る。
半導体基体１０は、一対の主表面１１，１２間
に、連続して配置されたｐエミツタ層pE，ｎベー
ス層nB，ｐベース層pB及びｎエミツタ層nEの４層
から構成される。図からも明らかなように、pB層
はnE層のところどころに散在する短絡孔１３を貫
通して一方の主表面１２に露出し、この部分でnE
層とpB層とはカソード電極１４によつて短絡され
ている。
に、連続して配置されたｐエミツタ層pE，ｎベー
ス層nB，ｐベース層pB及びｎエミツタ層nEの４層
から構成される。図からも明らかなように、pB層
はnE層のところどころに散在する短絡孔１３を貫
通して一方の主表面１２に露出し、この部分でnE
層とpB層とはカソード電極１４によつて短絡され
ている。
１５はアノード電極、３は光点弧用光フアイ
バ、１４０は光補助サイリスタATHYのカソー
ド電極、１４１はサイリスタ外部の過電圧保護回
路の一方と連結されたゲート電極である。この過
電圧保護回路は、ダイオード２００、ツエナーダ
イオード２０１、過電圧保護素子２０２から成
る。この例では半導体基体１０の中央部が光補助
サイリスタATHYとなり、その外周部が主サイ
リスタMTHYとなる。
バ、１４０は光補助サイリスタATHYのカソー
ド電極、１４１はサイリスタ外部の過電圧保護回
路の一方と連結されたゲート電極である。この過
電圧保護回路は、ダイオード２００、ツエナーダ
イオード２０１、過電圧保護素子２０２から成
る。この例では半導体基体１０の中央部が光補助
サイリスタATHYとなり、その外周部が主サイ
リスタMTHYとなる。
かかるサイリスタを点弧するには、LED２で
発光される制御信号を、光フアイバ３を通してサ
イリスタのnE層に照射する。nE層は、一般に不純
物濃度が高く、光の吸収係数が大きいため、出来
るだけ薄く形成されなければならない。
発光される制御信号を、光フアイバ３を通してサ
イリスタのnE層に照射する。nE層は、一般に不純
物濃度が高く、光の吸収係数が大きいため、出来
るだけ薄く形成されなければならない。
光制御信号を受けることによつて、光補助サイ
リスタATHYのpB，nB，pE各層に、電子あるい
は正孔を生じ、これらによつて光電流が発生す
る。前記光電流はpB内を図面の横方向に流れ、カ
ソード電極１４０のnEとpBが短絡された部分に流
れ込む。
リスタATHYのpB，nB，pE各層に、電子あるい
は正孔を生じ、これらによつて光電流が発生す
る。前記光電流はpB内を図面の横方向に流れ、カ
ソード電極１４０のnEとpBが短絡された部分に流
れ込む。
この横方向電流によつて生じた電圧降下が、pB
のボテンシヤルが最も高い部分である光補助サイ
リスタATHYのnEの中心部において、定められ
た臨界値を越えると点弧が開始され、光補助サイ
リスタがオン状態になる。以後は電気ゲートを有
する増幅ゲート型サイリスタと同様の機構で主サ
イリスタが点弧される。
のボテンシヤルが最も高い部分である光補助サイ
リスタATHYのnEの中心部において、定められ
た臨界値を越えると点弧が開始され、光補助サイ
リスタがオン状態になる。以後は電気ゲートを有
する増幅ゲート型サイリスタと同様の機構で主サ
イリスタが点弧される。
一方、順方向過電圧が印加された場合には、過
電圧保護素子２０２が働き、そこからの電流が電
極１４１を通してpB層に注入される。電極１４１
は通常の電気ゲート型サイリスタのゲート電極と
して動作し、サイリスタを導通させる。このよう
にして、サイリスタに局部的な過電流が流れて破
壊に至るのを防ぐことができる。
電圧保護素子２０２が働き、そこからの電流が電
極１４１を通してpB層に注入される。電極１４１
は通常の電気ゲート型サイリスタのゲート電極と
して動作し、サイリスタを導通させる。このよう
にして、サイリスタに局部的な過電流が流れて破
壊に至るのを防ぐことができる。
ダイオード２００は、通常の光点弧のときに発
生した光電流が、ゲート電極１４１を通つて過電
圧保護素子２０２の方へ流れてしまい、光点弧感
度が低下するのを防ぐために設けてある。それ故
に、過電圧保護素子２０２自体が前記の方向に電
流が流れるのを防ぐ機能を持つたものであれば、
ダイオード２００を設ける必要はない。
生した光電流が、ゲート電極１４１を通つて過電
圧保護素子２０２の方へ流れてしまい、光点弧感
度が低下するのを防ぐために設けてある。それ故
に、過電圧保護素子２０２自体が前記の方向に電
流が流れるのを防ぐ機能を持つたものであれば、
ダイオード２００を設ける必要はない。
また、以上では、光補助サイリスタと主サイリ
スタとからなるサイリスタを示したが、必要なら
ば、ゲート電極１４１と主サイリスタの間にさら
にもう一つの補助サイリスタ領域を付加しても良
く、このような構成は何ら本発明の範囲を逸脱す
るものではない。
スタとからなるサイリスタを示したが、必要なら
ば、ゲート電極１４１と主サイリスタの間にさら
にもう一つの補助サイリスタ領域を付加しても良
く、このような構成は何ら本発明の範囲を逸脱す
るものではない。
また、本実施例のようにカソード電極１４０が
pB層に短絡している構造では、カソード電極１４
０がpBに接触している部分でゲート電極１４１を
兼ねさせることができる。すなわち、第４図にお
いて、電極１４０と１４１を一体に構成すること
ができる。
pB層に短絡している構造では、カソード電極１４
０がpBに接触している部分でゲート電極１４１を
兼ねさせることができる。すなわち、第４図にお
いて、電極１４０と１４１を一体に構成すること
ができる。
一般に、HVDC等、高圧を扱う装置では、多
数個のサイリスタを直列接続して用いるため、過
電圧からの保護は、信頼性の点から特に重要であ
り、本実施例の構造を採用すると効果が大きい。
数個のサイリスタを直列接続して用いるため、過
電圧からの保護は、信頼性の点から特に重要であ
り、本実施例の構造を採用すると効果が大きい。
第５図は、本発明の一実施例の断面図である。
図において、第４図と同一の符号は第４図にお
けると同一部分をあらわす。３０はLED（図示せ
ず）の光を伝送する光フアイバ、３００は光フア
イバ３０から伝送された光を、サイリスタ内部に
導くためのＬ字型ライトガイド、１４２はライト
ガイド３００を図示の位置に固定するための金属
リングで、ライトガイド３００と固着されてい
る。
けると同一部分をあらわす。３０はLED（図示せ
ず）の光を伝送する光フアイバ、３００は光フア
イバ３０から伝送された光を、サイリスタ内部に
導くためのＬ字型ライトガイド、１４２はライト
ガイド３００を図示の位置に固定するための金属
リングで、ライトガイド３００と固着されてい
る。
１６は、前記金属リング１４２およびＬ字型ラ
イトガイド３００をシリコン表面に圧接するため
の絶縁部材、１７は絶縁部材１６を介して金属リ
ング１４２を押圧するコイルバネ、１４３は外部
の過電圧保護回路の一端と連なるリード線で、金
属リング１４２と接続されている。１４４はリー
ド線１４３を通す絶縁パイプである。
イトガイド３００をシリコン表面に圧接するため
の絶縁部材、１７は絶縁部材１６を介して金属リ
ング１４２を押圧するコイルバネ、１４３は外部
の過電圧保護回路の一端と連なるリード線で、金
属リング１４２と接続されている。１４４はリー
ド線１４３を通す絶縁パイプである。
リード線１４３は、点１４５の位置で、セラミ
ツク外囲器１８にろう付けされたスリーブ１４６
と、気密接着されている。同様に、ライトガイド
３００は、セラミツク外囲器１８にろう付けされ
たコネクタ１４７と適当な位置で気密接着されて
いる。なお、１４８はカソード電極１４上に載置
されたインターナルバツフア、１４９はカソード
外部電極、１５１はアノード外部電極である。
ツク外囲器１８にろう付けされたスリーブ１４６
と、気密接着されている。同様に、ライトガイド
３００は、セラミツク外囲器１８にろう付けされ
たコネクタ１４７と適当な位置で気密接着されて
いる。なお、１４８はカソード電極１４上に載置
されたインターナルバツフア、１４９はカソード
外部電極、１５１はアノード外部電極である。
絶縁部材１６をコイルバネ１７で押圧すること
によつてライトガイド３００のシリコン側の端面
が受光部のnE層に密着され得るので光結合効率が
上がる。これと共に、金属リング１４２がカソー
ド電極１４０に圧接されるので、金属リング１４
２に接続されているリード線１４３がカソード電
極１４０と接続される。
によつてライトガイド３００のシリコン側の端面
が受光部のnE層に密着され得るので光結合効率が
上がる。これと共に、金属リング１４２がカソー
ド電極１４０に圧接されるので、金属リング１４
２に接続されているリード線１４３がカソード電
極１４０と接続される。
かかる構成の光駆動型サイリスタにおける通常
の点弧は、前記実施例で述べた場合と全く同じで
ある。順方向過電圧が印加された場合には、過電
圧保護素子２０２を通つて流れた電流が、１４
３，１４２，１４０の経路を通つ郡て主サイリス
タのゲート電流になり、サイリスタを破壊するこ
となく点弧させる。
の点弧は、前記実施例で述べた場合と全く同じで
ある。順方向過電圧が印加された場合には、過電
圧保護素子２０２を通つて流れた電流が、１４
３，１４２，１４０の経路を通つ郡て主サイリス
タのゲート電流になり、サイリスタを破壊するこ
となく点弧させる。
本実施例の特徴的なことは、金属リング１４２
にリード線１４３を接続することによつて、過電
圧保護回路とカソード電極１４０および／または
ゲート電極１４１とを容易に組立て、接続できる
点にある。
にリード線１４３を接続することによつて、過電
圧保護回路とカソード電極１４０および／または
ゲート電極１４１とを容易に組立て、接続できる
点にある。
光補助サイリスタのカソード電極１４０は比較
的小さな面積しか有していないので、この部分に
新たにリード線を取り付けるのは組立上、実際に
は極めて困難であるので、本実施例の取りつけ方
法は効果が大きい。
的小さな面積しか有していないので、この部分に
新たにリード線を取り付けるのは組立上、実際に
は極めて困難であるので、本実施例の取りつけ方
法は効果が大きい。
第６図は、本発明の他の実施例を示す。第６図
において、第５図と同様な部分は第５図と同じ符
号で示す。本実施例の特徴的なことは、第５図に
示した実施例より、さらに過電圧保護回路へ連な
るリード線を容易に取り付けられる構成としたこ
とである。
において、第５図と同様な部分は第５図と同じ符
号で示す。本実施例の特徴的なことは、第５図に
示した実施例より、さらに過電圧保護回路へ連な
るリード線を容易に取り付けられる構成としたこ
とである。
すなわち、図から明らかなように、金属リング
１４２に取りつけたリード線１４３ａを良導電性
のコネクタ１４７に取りつけ、さらに、外囲器１
８の外部へ突出したコネクタ１４７の部分からリ
ード線１４３ｂを取り出し、過電圧保護回路の一
端と結合した構成としている。
１４２に取りつけたリード線１４３ａを良導電性
のコネクタ１４７に取りつけ、さらに、外囲器１
８の外部へ突出したコネクタ１４７の部分からリ
ード線１４３ｂを取り出し、過電圧保護回路の一
端と結合した構成としている。
このような構成とすることによつて、ほとんど
サイリスタの外囲器構造に変更を加えることな
く、リード線を外部に導き出すことが可能とな
り、組立ても極めて容易となる。
サイリスタの外囲器構造に変更を加えることな
く、リード線を外部に導き出すことが可能とな
り、組立ても極めて容易となる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、サイリスタ自身から、外部の過電圧保護回路
の一方と連結できるリード線を容易に取り出すこ
とができるので、特にサイリスタをHVDC用な
どのように多数個直列接続する場合には、
HVDC装置全体の信頼性を高めることが可能で
ある。
ば、サイリスタ自身から、外部の過電圧保護回路
の一方と連結できるリード線を容易に取り出すこ
とができるので、特にサイリスタをHVDC用な
どのように多数個直列接続する場合には、
HVDC装置全体の信頼性を高めることが可能で
ある。
第１図は光駆動型サイリスタを直列接続して使
用する場合の従来例の回路図、第２図は順方向過
電圧が印加された場合のサイリスタａおよび過電
圧保護素子ｂの電流―電圧特性を示す図、第３図
は他の従来例を示す等価回路図、第４図は本発明
の光駆動型サイリスタの一例を示す縦断面図、第
５図及び第６図は、それぞれ本発明光駆動型サイ
リスタを外囲器内に組みたてた場合の実施例を示
す縦断面図である。 １……光駆動型サイリスタ、２……発光ダイオ
ード、３０，３００……光フアイバ、１４０……
光補助サイリスタのカソード電極、１４１……ゲ
ート電極、１４２……金属リング、１４３……リ
ード線、１４７……コネクタ。
用する場合の従来例の回路図、第２図は順方向過
電圧が印加された場合のサイリスタａおよび過電
圧保護素子ｂの電流―電圧特性を示す図、第３図
は他の従来例を示す等価回路図、第４図は本発明
の光駆動型サイリスタの一例を示す縦断面図、第
５図及び第６図は、それぞれ本発明光駆動型サイ
リスタを外囲器内に組みたてた場合の実施例を示
す縦断面図である。 １……光駆動型サイリスタ、２……発光ダイオ
ード、３０，３００……光フアイバ、１４０……
光補助サイリスタのカソード電極、１４１……ゲ
ート電極、１４２……金属リング、１４３……リ
ード線、１４７……コネクタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一対の主表面間にpnpnの４層の積層構造を
有し、各層間にpn接合が形成された半導体基体
と、上記半導体基体の一方の主表面で上記積層構
造の第１外側層とオーミツク接触された第１主電
極と、他方の主表面で上記積層構造の第２外側層
とオーミツク接触された第２主電極とを有する主
サイリスタと、 上記第１主電極および第１外側層を主サイリス
タと共有し、更に他方の主表面において、第２外
側層から、この第２外側層に隣接する第１内側層
によつて隔てられ、第２外側層と同じ導電型を有
する第３外側層と、上記第３外側層および上記第
１内側層の両者にオーミツク接触された補助電極
と、補助電極に隣接した受光領域とを有する光補
助サイリスタと、 上記受光部領域に開口端が配置された光フアイ
バと、 上記補助電極の近傍に設けられ、上記第１内側
層にオーミツク接触されたゲート電極と、 上記光フアイバの開口端が固定されると共に、
上記補助電極および上記ゲート電極の少なくとも
一方に電気的に接触する導電性部材と、 上記主サイリスタの第１および第２主電極間に
主サイリスタの順方向過電圧が印加されたときに
この過電圧よりも低い電圧で導通するスイツチン
グ素子を含み、一端が上記第１主電極に、他方が
上記導電性部材に接続された過電圧保護回路とを
具備したことを特徴とする光駆動型サイリスタ装
置。 ２ 上記過電圧保護回路は上記第１主電極と補助
電極との間に、補助電極に向つて順方向となるよ
うに、ダイオードが直列接続されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光駆動型サ
イリスタ装置。 ３ ゲート電極と補助電極とが一体的に形成され
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光駆動型サイリスタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9226880A JPS5718358A (en) | 1980-07-08 | 1980-07-08 | Photodriven type thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9226880A JPS5718358A (en) | 1980-07-08 | 1980-07-08 | Photodriven type thyristor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5718358A JPS5718358A (en) | 1982-01-30 |
| JPH0117269B2 true JPH0117269B2 (ja) | 1989-03-29 |
Family
ID=14049642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9226880A Granted JPS5718358A (en) | 1980-07-08 | 1980-07-08 | Photodriven type thyristor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5718358A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124160A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 光サイリスタ |
| JPS59132165A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS60177945A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Kubota Ltd | 耐摩耗鋳物の遠心力鋳造法 |
| US4757366A (en) * | 1985-04-12 | 1988-07-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Light-triggerable thyristor having low-loss feed of the trigger energy |
| FR2598043A1 (fr) * | 1986-04-25 | 1987-10-30 | Thomson Csf | Composant semiconducteur de protection contre les surtensions et surintensites |
| JPS63107168A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Fuji Electric Co Ltd | 光サイリスタ |
| JPH01184990A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路形成法 |
| JPH02126677A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4817634U (ja) * | 1971-07-06 | 1973-02-28 | ||
| JPS5076970A (ja) * | 1973-10-01 | 1975-06-24 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54166275U (ja) * | 1978-05-15 | 1979-11-22 |
-
1980
- 1980-07-08 JP JP9226880A patent/JPS5718358A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4817634U (ja) * | 1971-07-06 | 1973-02-28 | ||
| JPS5076970A (ja) * | 1973-10-01 | 1975-06-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5718358A (en) | 1982-01-30 |
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