JPS58121266A - ４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸エステル誘導体 - Google Patents
４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸エステル誘導体Info
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- JPS58121266A JPS58121266A JP252882A JP252882A JPS58121266A JP S58121266 A JPS58121266 A JP S58121266A JP 252882 A JP252882 A JP 252882A JP 252882 A JP252882 A JP 252882A JP S58121266 A JPS58121266 A JP S58121266A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な有機化合物に関し、更に詳しくは誘電異
方性が正の新規な液晶化合物に関するものである。
方性が正の新規な液晶化合物に関するものである。
周知の如く、正の誘電異方性を有する液晶物質は捩れ九
配列を持ったネマチック液晶を用いる液晶表示素子、い
わゆるＴＮ型セルに利用出来る他、適当表色素物質を添
加して、ゲスト・ホスト効果を応用したカラー液晶表示
素子にも使用される。これらの液晶材料扛、単独の化合
物ではその１１％性、即ち液晶温度範囲、動作電圧、応
答性能等で実用的な使用に耐えるものは今のところなく
、実用的には数種の液晶化合物又は非液晶化合物を混合
しである程度の使用に耐え得るものを得ているのが現状
である。
配列を持ったネマチック液晶を用いる液晶表示素子、い
わゆるＴＮ型セルに利用出来る他、適当表色素物質を添
加して、ゲスト・ホスト効果を応用したカラー液晶表示
素子にも使用される。これらの液晶材料扛、単独の化合
物ではその１１％性、即ち液晶温度範囲、動作電圧、応
答性能等で実用的な使用に耐えるものは今のところなく
、実用的には数種の液晶化合物又は非液晶化合物を混合
しである程度の使用に耐え得るものを得ているのが現状
である。
本発明の目的は、この様な実用的な性能のすぐれた、且
つ安定な液晶組成物を構成する一成分として有用な液晶
化合物を提供するととＫあシ、鍔電率の異方性が正で、
かつ大きく液晶温度範囲が広く、且つ透明点（Ｎ−Ｉ点
）の高い、安定性にすぐれた新規な液晶化合物を提供す
るものである。
つ安定な液晶組成物を構成する一成分として有用な液晶
化合物を提供するととＫあシ、鍔電率の異方性が正で、
かつ大きく液晶温度範囲が広く、且つ透明点（Ｎ−Ｉ点
）の高い、安定性にすぐれた新規な液晶化合物を提供す
るものである。
即ち、本発明は一般式
（但し上式中Ｒは炭素数１〜８のアルキル基を示す）で
表わされる４−（トランス−４′−フルキルオキシシク
ロヘキシル）安息香酸８“−クロロ−４Ｎ−シアノフェ
ニルエステルテアル。
表わされる４−（トランス−４′−フルキルオキシシク
ロヘキシル）安息香酸８“−クロロ−４Ｎ−シアノフェ
ニルエステルテアル。
本発明の化合物は広いネマチック温度範囲を持つが融点
（Ｃ−Ｎ点）が高いため、この化合物単独では表示素子
用液晶材料としての実用性は限られる。しかし他の液晶
化合物との相溶性にすぐれ、又その透明点（Ｎ−Ｉ点）
が高いため他の液晶物質、例えばシック塩基系、アゾキ
シｌ 安り香酸フェニルエステル系、シクロヘキサンカ
ルボン酸フェニルエステル系、シクロヘキサンカルボン
酸シクロヘキサンエステル系、ビフェニル系、フェニル
シクロヘキサン系、フェニルピリジン系、フェニルメタ
ジオキサン系などの液晶の一種類、あるいは数種の系の
混合物と混合させることにより、その透明点を上昇せし
めるいわゆる高温液晶成分として有用であシ、更に従来
同じ様な目的で広く用いられているシアノターフェニル
系、シアノビフェニルシクロヘキサン系などの液晶物質
に比べ誘電率異方性、即ちΔεが大きく（外挿法による
推定値は約４８．９）本化合物を含む液晶組成物の駆動
電圧を下げる特徴がある。
（Ｃ−Ｎ点）が高いため、この化合物単独では表示素子
用液晶材料としての実用性は限られる。しかし他の液晶
化合物との相溶性にすぐれ、又その透明点（Ｎ−Ｉ点）
が高いため他の液晶物質、例えばシック塩基系、アゾキ
シｌ 安り香酸フェニルエステル系、シクロヘキサンカ
ルボン酸フェニルエステル系、シクロヘキサンカルボン
酸シクロヘキサンエステル系、ビフェニル系、フェニル
シクロヘキサン系、フェニルピリジン系、フェニルメタ
ジオキサン系などの液晶の一種類、あるいは数種の系の
混合物と混合させることにより、その透明点を上昇せし
めるいわゆる高温液晶成分として有用であシ、更に従来
同じ様な目的で広く用いられているシアノターフェニル
系、シアノビフェニルシクロヘキサン系などの液晶物質
に比べ誘電率異方性、即ちΔεが大きく（外挿法による
推定値は約４８．９）本化合物を含む液晶組成物の駆動
電圧を下げる特徴がある。
（Ｉ）式の化合物は次の様な工程により製造する事がで
きる。
きる。
ＣＨ３０Ｃｎ （１）
１
ａｏａｕｇ（ト○ （至）
第８段階 Ｌ ＲＯＮａＲＯＣＨ２−
＠−Ｑ （Ｖ）第４段階 ↓
Ｉｔｓ ＨＩＯｓＲＯＣ市（〆〉工 （
イ） 第５段階 上 ＣｕＣＮＲＯＣＨ２べＩ
刈ＣトＣＮ ■第６段階 上
ＫＯＨ Ｒｏｃｕｚ（僚−Ｑ−ＣＯＯＨ（Ｖｌ）第７段階
Ｌ ５ＯＣ１ｔＲＯＣＨｚ＋ン℃ＯＣｔ
（１１０まず既知物質であるトランス−４−シ
クロヘキサンカルボン酸メチル（Ｗ、Ｓ、ジョンソン等
Ｊ、Ａ、Ｃ，３６７，１０４６（１９４６））（１）を
水素化アルミニウムリチウム（ＬｉＡｔＨｎ）等の還元
剤によシ還元してトランス−４−フェニルシクロヘキシ
ルメタノール（至）を得る。ｌを乾燥ピリジン中ｐ−）
ルエンスルホニルクロリドと反応すせｐ−トルエンスル
ホン酸トランス−４−フェニルシクロヘキシルメチル０
を得る。この釦とアルコ之−トとの反応でトランス−４
−アルキルオキシメチル−１−フェニルシクロヘキサン
（ｖ）を得る。化合物（Ｖ）は溶媒中ヨウ素及びヨウ素
酸と加熱することにより４−（トランス−４′−アルキ
ルオキシメチルシクロヘキシル）−ヨウドベンゼン（６
）としく至）にシアン化第−鋼等のシアン化剤を反応さ
せると４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシ
クロヘキシル）−ベンゾニトリル（至）を得る。化合物
■を溶媒中でＫ ＯＨ等と加熱すると加水分解して４−
（トランス−４１−アルキルオキシメチルシクロヘキシ
ル）安息香酸（Ｖｌ）となる。（ｖＩＤに塩化チオニル
を反応させて安息香酸酸塩化物を製造し、ついで８−ク
ロロ−４−シアンフェノールとピリジン中で反応させれ
ば目的物である４−（トランス−４′−フルキルオキシ
メチルシクロヘキシル）安息香酸８“−クロロ−４”−
シアノフエ・ニルエステル（１）が得られる。
＠−Ｑ （Ｖ）第４段階 ↓
Ｉｔｓ ＨＩＯｓＲＯＣ市（〆〉工 （
イ） 第５段階 上 ＣｕＣＮＲＯＣＨ２べＩ
刈ＣトＣＮ ■第６段階 上
ＫＯＨ Ｒｏｃｕｚ（僚−Ｑ−ＣＯＯＨ（Ｖｌ）第７段階
Ｌ ５ＯＣ１ｔＲＯＣＨｚ＋ン℃ＯＣｔ
（１１０まず既知物質であるトランス−４−シ
クロヘキサンカルボン酸メチル（Ｗ、Ｓ、ジョンソン等
Ｊ、Ａ、Ｃ，３６７，１０４６（１９４６））（１）を
水素化アルミニウムリチウム（ＬｉＡｔＨｎ）等の還元
剤によシ還元してトランス−４−フェニルシクロヘキシ
ルメタノール（至）を得る。ｌを乾燥ピリジン中ｐ−）
ルエンスルホニルクロリドと反応すせｐ−トルエンスル
ホン酸トランス−４−フェニルシクロヘキシルメチル０
を得る。この釦とアルコ之−トとの反応でトランス−４
−アルキルオキシメチル−１−フェニルシクロヘキサン
（ｖ）を得る。化合物（Ｖ）は溶媒中ヨウ素及びヨウ素
酸と加熱することにより４−（トランス−４′−アルキ
ルオキシメチルシクロヘキシル）−ヨウドベンゼン（６
）としく至）にシアン化第−鋼等のシアン化剤を反応さ
せると４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシ
クロヘキシル）−ベンゾニトリル（至）を得る。化合物
■を溶媒中でＫ ＯＨ等と加熱すると加水分解して４−
（トランス−４１−アルキルオキシメチルシクロヘキシ
ル）安息香酸（Ｖｌ）となる。（ｖＩＤに塩化チオニル
を反応させて安息香酸酸塩化物を製造し、ついで８−ク
ロロ−４−シアンフェノールとピリジン中で反応させれ
ば目的物である４−（トランス−４′−フルキルオキシ
メチルシクロヘキシル）安息香酸８“−クロロ−４”−
シアノフエ・ニルエステル（１）が得られる。
第８段階に於いて化合物（ＩＶ）に、アルコラードとし
てナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナト
リウムプロポキシド、ナトリウムブトキシド、ナトリウ
ムベントキシド、ナトリウムへキシルオキシド、ナトリ
ウムへブチルオキシド、ナトリウムオクチルオキシドを
夫々反応させることにより最終生成物である本発明の化
合物（１）として夫々 ４−（トランス−４′−メチルオキシメチル７クロヘキ
シル）安息香酸８“−クロロ−４＃−シアノフェニルエ
ステル ４−（トランス−４′−エチルオキシメチルシクロヘキ
シル）安息香酸８“−クロロ−４″−シアノフェニルエ
ステル ４−（）ランス−４’−７’ロピルオキシメチルシクロ
ヘキシル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェニ
ルエステル ４−（）ランス−４７−ブチルオキシメチルシクロヘキ
シル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェニルエ
ステル ４−（トランス−４′−ペンチルオキシメチルシクロヘ
キシル）安息香酸８＃−クロロ−４“−シアノフェニル
エステル ４−（）、ｙンスー４１−へキシルオキシメチルシフ四
ヘキシル）安息香酸３”−クロロ−４＃−シアノフェニ
ルエステル ４−（）ランス−４′−へブチルオキシメチルシクロヘ
キシル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェニル
エステル ４−（トランス−４′−オクチルオキシメチルシクロヘ
キシル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェニル
エステル が得られる。
てナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナト
リウムプロポキシド、ナトリウムブトキシド、ナトリウ
ムベントキシド、ナトリウムへキシルオキシド、ナトリ
ウムへブチルオキシド、ナトリウムオクチルオキシドを
夫々反応させることにより最終生成物である本発明の化
合物（１）として夫々 ４−（トランス−４′−メチルオキシメチル７クロヘキ
シル）安息香酸８“−クロロ−４＃−シアノフェニルエ
ステル ４−（トランス−４′−エチルオキシメチルシクロヘキ
シル）安息香酸８“−クロロ−４″−シアノフェニルエ
ステル ４−（）ランス−４’−７’ロピルオキシメチルシクロ
ヘキシル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェニ
ルエステル ４−（）ランス−４７−ブチルオキシメチルシクロヘキ
シル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェニルエ
ステル ４−（トランス−４′−ペンチルオキシメチルシクロヘ
キシル）安息香酸８＃−クロロ−４“−シアノフェニル
エステル ４−（）、ｙンスー４１−へキシルオキシメチルシフ四
ヘキシル）安息香酸３”−クロロ−４＃−シアノフェニ
ルエステル ４−（）ランス−４′−へブチルオキシメチルシクロヘ
キシル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェニル
エステル ４−（トランス−４′−オクチルオキシメチルシクロヘ
キシル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェニル
エステル が得られる。
以下実施例により本発明の化合物の製造法及び性質、更
に液晶材料としての使用の詳細を非限定的に説明する。
に液晶材料としての使用の詳細を非限定的に説明する。
実施例１
（４−（）ランス−４′−メチルオキシメチルシクロヘ
キシル） 安、［香酸８“−クロロ−４“−シアノフェ
ニルエステルの製造〕 第１段階 水素化アルミニウムリチウム１１．１ｇ（０，２９８モ
ル）に乾燥したテトラヒドロフラン（Ｔ）ｉＦ）４２０
璽ｌを加え、激しく攪拌したところへトランス−４−シ
クロヘキサンカルボン酸メチル６４．０ｆ（０，２９８
モル）をＴＨＦ７０ｆｔに溶解した溶液を反応温度２０
″Ｃ以下に保ちながら滴下する。滴下終了後６５°Ｃま
で加温して、２時間反応させ冷却する。次に酢酸エチル
１２ｍ１と水１００ ｍｌを加えたのち１８％硫酸水８
５０ ｗｌを加えるとテトラヒドロフラン層と水層に分
離される。ｎ−へブタン２０（１ｗｌを加え分液漏斗に
移し水５００ ｘｉで水洗したのち２％炭酸す） ＩＪ
ウム水溶液５００耐で洗浄し、更に水層が中性になるま
で水洗する。ｎ−へブタン、Ｔ ＨＦを留去し釜に残っ
た固体をｈ−へブタン２０ｓ／で再結晶し炉別してから
結晶を乾燥スると４−フェニルシクロヘキシルメタノー
ル■５１．４Ｆが得られた。融点４７．８〜４８，５℃
。
キシル） 安、［香酸８“−クロロ−４“−シアノフェ
ニルエステルの製造〕 第１段階 水素化アルミニウムリチウム１１．１ｇ（０，２９８モ
ル）に乾燥したテトラヒドロフラン（Ｔ）ｉＦ）４２０
璽ｌを加え、激しく攪拌したところへトランス−４−シ
クロヘキサンカルボン酸メチル６４．０ｆ（０，２９８
モル）をＴＨＦ７０ｆｔに溶解した溶液を反応温度２０
″Ｃ以下に保ちながら滴下する。滴下終了後６５°Ｃま
で加温して、２時間反応させ冷却する。次に酢酸エチル
１２ｍ１と水１００ ｍｌを加えたのち１８％硫酸水８
５０ ｗｌを加えるとテトラヒドロフラン層と水層に分
離される。ｎ−へブタン２０（１ｗｌを加え分液漏斗に
移し水５００ ｘｉで水洗したのち２％炭酸す） ＩＪ
ウム水溶液５００耐で洗浄し、更に水層が中性になるま
で水洗する。ｎ−へブタン、Ｔ ＨＦを留去し釜に残っ
た固体をｈ−へブタン２０ｓ／で再結晶し炉別してから
結晶を乾燥スると４−フェニルシクロヘキシルメタノー
ル■５１．４Ｆが得られた。融点４７．８〜４８，５℃
。
第２段階
第１段階で得られた化合物［）５０１ （０，２６８モ
ル）を乾燥ピリジン１１０ｇ／に溶解し５°Ｃ以下に冷
却したところへｐ−トルエンスルホン酸クロリド６０．
１ ｆ （０，２６８モル）を乾燥トルエン７０ｓ／に
溶解した溶液を滴下漏斗よシ反応温度が１０℃をこえな
い様に少量づつ滴下する。
ル）を乾燥ピリジン１１０ｇ／に溶解し５°Ｃ以下に冷
却したところへｐ−トルエンスルホン酸クロリド６０．
１ ｆ （０，２６８モル）を乾燥トルエン７０ｓ／に
溶解した溶液を滴下漏斗よシ反応温度が１０℃をこえな
い様に少量づつ滴下する。
滴下が終了したら冷浴を取り除き室温で４時間攪拌した
のち水１００＊ｌとトルエン８００ｇ／を加え攪拌する
。それを分液漏斗に移しトルエ′ン層を６ Ｎ −ＨＣ
１水１（１０ｓ／で２回次に水２００ｇ／で１回、更に
２ Ｎ −ＮａＯＨ水溶液１００ ｗｌで２回洗浄して
から水２ｏｅｓ／で４回洗浄しそのトルエンを減圧下で
留去し生じた結晶をトルエン９０ｇ／から再結晶し、ｐ
別乾燥するとｐ−）ルエンスルホン酸トランス−４−フ
ェニルシクロヘキシルメチル＠７７．０１が得られ九。
のち水１００＊ｌとトルエン８００ｇ／を加え攪拌する
。それを分液漏斗に移しトルエ′ン層を６ Ｎ −ＨＣ
１水１（１０ｓ／で２回次に水２００ｇ／で１回、更に
２ Ｎ −ＮａＯＨ水溶液１００ ｗｌで２回洗浄して
から水２ｏｅｓ／で４回洗浄しそのトルエンを減圧下で
留去し生じた結晶をトルエン９０ｇ／から再結晶し、ｐ
別乾燥するとｐ−）ルエンスルホン酸トランス−４−フ
ェニルシクロヘキシルメチル＠７７．０１が得られ九。
融点１０８．０〜１０８．７℃。
第８段階
メチルアルコール２５０ ｍｌを室温で攪拌しておき、
ここへ金属ナトリウム１７．４１ （０，７５５モル）
を細かく切ったものを少量づつ加えナトリウトメトキシ
ドを作る。金属ナトリウム片がなくなってから先に得ら
れた化合物（１％’）２００．０１０、ｓｓｔモル）を
乾燥トルエン６０ＯＮｌに溶解した溶液を滴下漏斗より
内温が５０〜６０°Ｃの範囲を保つ様に徐々に加える。
ここへ金属ナトリウム１７．４１ （０，７５５モル）
を細かく切ったものを少量づつ加えナトリウトメトキシ
ドを作る。金属ナトリウム片がなくなってから先に得ら
れた化合物（１％’）２００．０１０、ｓｓｔモル）を
乾燥トルエン６０ＯＮｌに溶解した溶液を滴下漏斗より
内温が５０〜６０°Ｃの範囲を保つ様に徐々に加える。
滴下終了後４時間還流してのち冷却し、水２０＊／を加
えて分液漏斗に移し、トルエン層を水で洗浄し水層が中
性になるまで洗浄する。トルエンを減圧下で留去しての
ち減圧蒸留し沸点が１０５〜ｂ ス−４−メチルオキシメチル−１−フェニル７クロヘキ
サン（ｖ）が１００゜ｉられた。
えて分液漏斗に移し、トルエン層を水で洗浄し水層が中
性になるまで洗浄する。トルエンを減圧下で留去しての
ち減圧蒸留し沸点が１０５〜ｂ ス−４−メチルオキシメチル−１−フェニル７クロヘキ
サン（ｖ）が１００゜ｉられた。
第４段階
１７！三口フラスコに第８段階で得られた化合物α）１
００．０ｆ（０，４８９モル）、酢酸８４４−１水９１
ｓ／、ヨウ素＃２０．６ｆ（０，１１７モル）、ヨウ素
５４５Ｎ（０，２ｘｓモル）、四塩化炭素４０ｍ、濃塩
酸１４ｇ／を加え攪拌し、更にマントルヒーターで加熱
し８時間還流する。
００．０ｆ（０，４８９モル）、酢酸８４４−１水９１
ｓ／、ヨウ素＃２０．６ｆ（０，１１７モル）、ヨウ素
５４５Ｎ（０，２ｘｓモル）、四塩化炭素４０ｍ、濃塩
酸１４ｇ／を加え攪拌し、更にマントルヒーターで加熱
し８時間還流する。
冷却後ｌθ％のチオ硫酸ナトリウム水１５＊／を加え過
剰のヨウ素の色を消失させる。ｎ−へブタン２００ｓ／
を加えてから分液漏斗に移しｎ −ヘプタン層を水層が
中性になるまで水洗しｎ −ヘプタンを減圧下で留去し
残留物をｎ−ヘキサン５０ｍ１Ｋ溶解してから−１０〜
−２０℃にて１２時間放置し生じた結晶を戸別し結晶を
乾燥すると４−（トランス−４′−メチルオキシメチル
シクロヘキシル）ヨウドベンゼン（′ｖＤ８１．８Ｆが
得られた。融点４０．８〜４２．８°Ｃｕ第５段階 ８００ｓ／三ロフラスコに第４段階で得られた化合物（
資）２０．０ｆ（０，０６１モル）とシアン化第−鋼６
．８Ｆ（０，０７１モル）、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）６８＊ｌを加え攪拌しマントルヒーター
にて加熱し６時間還流する。
剰のヨウ素の色を消失させる。ｎ−へブタン２００ｓ／
を加えてから分液漏斗に移しｎ −ヘプタン層を水層が
中性になるまで水洗しｎ −ヘプタンを減圧下で留去し
残留物をｎ−ヘキサン５０ｍ１Ｋ溶解してから−１０〜
−２０℃にて１２時間放置し生じた結晶を戸別し結晶を
乾燥すると４−（トランス−４′−メチルオキシメチル
シクロヘキシル）ヨウドベンゼン（′ｖＤ８１．８Ｆが
得られた。融点４０．８〜４２．８°Ｃｕ第５段階 ８００ｓ／三ロフラスコに第４段階で得られた化合物（
資）２０．０ｆ（０，０６１モル）とシアン化第−鋼６
．８Ｆ（０，０７１モル）、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）６８＊ｌを加え攪拌しマントルヒーター
にて加熱し６時間還流する。
反応終了後室温まで冷却し２８％アンモニア水１８ｄを
加え攪拌したのちｎ−へブタン５Ｇ＋１７を加えて抽出
し、次いでｎ−へブタン層中の不溶物を濾過で除去して
から６Ｎ−ＨＣｔ５Ｇ−で、次Ｋ ２ Ｎ −ＮａＯＨ
水溶液５０ｓ／で洗浄したのち更に中性になるまで水洗
する。キれを減圧下で濃縮し生じた粗結晶をエタノール
１０１ｄから再結晶し炉別乾燥することＫよって４−（
トランス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）
ベンゾニトリルＱ１１６．４ｆが得られ之。
加え攪拌したのちｎ−へブタン５Ｇ＋１７を加えて抽出
し、次いでｎ−へブタン層中の不溶物を濾過で除去して
から６Ｎ−ＨＣｔ５Ｇ−で、次Ｋ ２ Ｎ −ＮａＯＨ
水溶液５０ｓ／で洗浄したのち更に中性になるまで水洗
する。キれを減圧下で濃縮し生じた粗結晶をエタノール
１０１ｄから再結晶し炉別乾燥することＫよって４−（
トランス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）
ベンゾニトリルＱ１１６．４ｆが得られ之。
第６段階
２１三ロフラスコに第５段階で得られた化合物ＣＩり２
５ｇ（０，１０９モル）とエチレングリコール７２２
ｒｌを入れておき、更にＫＯＨ１８，８ｑ（０，８８５
モル）を水２６鮮１に溶解したものを加えてからマント
ルヒーターにて加熱し、１２時間還流する。冷却後６Ｎ
−ＨＣｔ２００ ｗｌを加え酸性にすると結晶が生じる
。この結晶を炉別１７乾燥してから２００ ｗｅのエタ
ノールに溶解し再結晶することによって４−（トランス
−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸
（２）が１８．８ｆ得られた。融点（Ｃ−Ｎ点）は１８
Ｌ７℃、透明点（Ｎ−Ｉ点）は２８４．６℃であった。
５ｇ（０，１０９モル）とエチレングリコール７２２
ｒｌを入れておき、更にＫＯＨ１８，８ｑ（０，８８５
モル）を水２６鮮１に溶解したものを加えてからマント
ルヒーターにて加熱し、１２時間還流する。冷却後６Ｎ
−ＨＣｔ２００ ｗｌを加え酸性にすると結晶が生じる
。この結晶を炉別１７乾燥してから２００ ｗｅのエタ
ノールに溶解し再結晶することによって４−（トランス
−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸
（２）が１８．８ｆ得られた。融点（Ｃ−Ｎ点）は１８
Ｌ７℃、透明点（Ｎ−Ｉ点）は２８４．６℃であった。
第７段階
第６段階で得られた化合物（［）１８４ｆ（０，０７６
モル）に塩化チオニル２０ｓ／を加え、ウォーターバス
で６０〜８０℃で４時間加熱する。均一になるので更に
１時間放置してから減圧にして、過剰の塩化チオニルを
完全に留去すると油状物が残る。これが４−（トランス
−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸
酸塩化物■である・ 第８段階 ８−クロロ−４−シアノフェノール０．６ｆ（０，００
４モル）を乾燥ピリジン２ｇ／に溶かしたものに第７段
階セ得られた化合物［）ｌｆ（０，００４モル）を激し
く振りまぜながら加える。この反応液を一晩放置後水１
０ｓ／を加え更にトルエン５０ｆＩｔを加え抽出する。
モル）に塩化チオニル２０ｓ／を加え、ウォーターバス
で６０〜８０℃で４時間加熱する。均一になるので更に
１時間放置してから減圧にして、過剰の塩化チオニルを
完全に留去すると油状物が残る。これが４−（トランス
−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸
酸塩化物■である・ 第８段階 ８−クロロ−４−シアノフェノール０．６ｆ（０，００
４モル）を乾燥ピリジン２ｇ／に溶かしたものに第７段
階セ得られた化合物［）ｌｆ（０，００４モル）を激し
く振りまぜながら加える。この反応液を一晩放置後水１
０ｓ／を加え更にトルエン５０ｆＩｔを加え抽出する。
トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌで、ついで２ Ｎ −ＮａＯ
Ｈ水溶液で洗浄したのち、中性になるまで水洗する。ト
ルエン溶液を減圧下で留去し、生じ九粗結晶をエタノー
ル１０−で再結晶し炉別乾燥すると目的の４−（トラン
ス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）安息香
酸８”−クロロ−４“−シアノフェニルエステル０．６
ｆが得られた。この物の融点（Ｃ−Ｎ点）は９９．４℃
、透明点（Ｎ−Ｉ点）は１８７．０℃であった。又この
化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致してい
る。
Ｈ水溶液で洗浄したのち、中性になるまで水洗する。ト
ルエン溶液を減圧下で留去し、生じ九粗結晶をエタノー
ル１０−で再結晶し炉別乾燥すると目的の４−（トラン
ス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）安息香
酸８”−クロロ−４“−シアノフェニルエステル０．６
ｆが得られた。この物の融点（Ｃ−Ｎ点）は９９．４℃
、透明点（Ｎ−Ｉ点）は１８７．０℃であった。又この
化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致してい
る。
実測値（％） 計算値（％）（ＣｎＨｎＮＣＩＯｓとし
て）０ ６８．８ ６８．８８ Ｈ５，７６，７８ Ｎ ８．６ ８．６５ Ｃ１９，２１９，２４ 実施例２．８ 実施例１に於ける第８段階のメチルアルコールの代すに
エチルアルコール、クロビルアルコールを用いあとは実
施例１と同様にして以下の４−（）ランス−４′−エチ
ルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸８“−クロロ
−４＃−シアノフェニルエステル （Ｃ−Ｎ点）９２．４〜９８．７°Ｃ９（Ｎ−Ｉ点）１
０８．６℃０ ４−（）ランス−４’−ニア’ロピルオキシメチルシク
ロヘキシル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェ
ニルエステル （Ｃ−Ｎ点）７６．８〜７６．８℃。
て）０ ６８．８ ６８．８８ Ｈ５，７６，７８ Ｎ ８．６ ８．６５ Ｃ１９，２１９，２４ 実施例２．８ 実施例１に於ける第８段階のメチルアルコールの代すに
エチルアルコール、クロビルアルコールを用いあとは実
施例１と同様にして以下の４−（）ランス−４′−エチ
ルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸８“−クロロ
−４＃−シアノフェニルエステル （Ｃ−Ｎ点）９２．４〜９８．７°Ｃ９（Ｎ−Ｉ点）１
０８．６℃０ ４−（）ランス−４’−ニア’ロピルオキシメチルシク
ロヘキシル）安息香酸８“−クロロ−４“−シアノフェ
ニルエステル （Ｃ−Ｎ点）７６．８〜７６．８℃。
（Ｎ−Ｉ点）８９．８°Ｃ０
実施例４（使用例）
ＣｓＨｙべ江トＣトＣＮ ２５．５部（重量、以
下同様）ＣｉＨｎぺ沿（ンＣＮ ８４．０部Ｃ’ｙ
ＬｓｌＣＮ ２６．５ 部 からなる液晶組成物のネマチック液晶温度範囲（ＭＲ）
は−８〜５２．５℃、２０℃に於ける粘度η詩は２８
ｅｐ ｓ誘電率異方性Δεは１１．８（す■１６．２．
ｔム冨４．９）でこれをセル厚１ＧｐｍＯＴＮセルに封
入した際のしきい電圧は１．６Ｖ、飽和電圧は！、２Ｖ
であった。
下同様）ＣｉＨｎぺ沿（ンＣＮ ８４．０部Ｃ’ｙ
ＬｓｌＣＮ ２６．５ 部 からなる液晶組成物のネマチック液晶温度範囲（ＭＲ）
は−８〜５２．５℃、２０℃に於ける粘度η詩は２８
ｅｐ ｓ誘電率異方性Δεは１１．８（す■１６．２．
ｔム冨４．９）でこれをセル厚１ＧｐｍＯＴＮセルに封
入した際のしきい電圧は１．６Ｖ、飽和電圧は！、２Ｖ
であった。
この組成物に、本発明の化合物の１つである１５部加え
た液晶組成物のＭＲは−８〜５９．２と高い方に広が９
、η詩は８９．？ｃｐ、Δｔは１ ｆ）、６ （ｔ／／
＝ ２１． Ｏｅ ’Ａ ＝ ６．４ ）であり上記
と同じセルに封入した際のしきい電圧は１．３１Ｖ、飽
和電圧Ｆ′ｉ１．８ Ｖであった。
た液晶組成物のＭＲは−８〜５９．２と高い方に広が９
、η詩は８９．？ｃｐ、Δｔは１ ｆ）、６ （ｔ／／
＝ ２１． Ｏｅ ’Ａ ＝ ６．４ ）であり上記
と同じセルに封入した際のしきい電圧は１．３１Ｖ、飽
和電圧Ｆ′ｉ１．８ Ｖであった。
以上
Claims (1)
- （１）一般式 （上式中Ｒは炭素数１〜８のアルキル基を示す）で表わ
される４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシ
クロヘキシル）安息香酸８”−１０ロー４”−シアノフ
ェニルエステル（２）一般式 （上式中Ｒは炭素数１〜８のアルキル基を示す）で表わ
される４−（）：ｌｙンスー４′−アルキルオキシメチ
ルシクロヘキシル）安息香酸８”−クロロ−４＃−シア
ノフェニルエステルを少くとも１１１含有することを特
徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP252882A JPS58121266A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | ４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸エステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP252882A JPS58121266A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | ４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸エステル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121266A true JPS58121266A (ja) | 1983-07-19 |
| JPH021830B2 JPH021830B2 (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=11531875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP252882A Granted JPS58121266A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | ４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸エステル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121266A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4559161A (en) * | 1982-02-18 | 1985-12-17 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | Liquid crystal composition |
| US4564694A (en) * | 1981-02-25 | 1986-01-14 | Hitachi, Ltd. | Colorless liquid crystalline compounds |
| US4609256A (en) * | 1981-07-24 | 1986-09-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal optical device |
| US4661283A (en) * | 1984-03-02 | 1987-04-28 | Chisso Corporation | Benzoate derivatives having a large positive dielectric anisotropy value and liquid crystal compositions containing same |
| US4710315A (en) * | 1984-04-16 | 1987-12-01 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Anisotropic compounds and liquid crystal mixtures therewith |
-
1982
- 1982-01-11 JP JP252882A patent/JPS58121266A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4564694A (en) * | 1981-02-25 | 1986-01-14 | Hitachi, Ltd. | Colorless liquid crystalline compounds |
| US4694098A (en) * | 1981-02-25 | 1987-09-15 | Hitachi, Ltd. | Colorless liquid crystalline compounds |
| US4609256A (en) * | 1981-07-24 | 1986-09-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal optical device |
| US4559161A (en) * | 1982-02-18 | 1985-12-17 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | Liquid crystal composition |
| US4661283A (en) * | 1984-03-02 | 1987-04-28 | Chisso Corporation | Benzoate derivatives having a large positive dielectric anisotropy value and liquid crystal compositions containing same |
| US4710315A (en) * | 1984-04-16 | 1987-12-01 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Anisotropic compounds and liquid crystal mixtures therewith |
| USRE36849E (en) * | 1984-04-16 | 2000-09-05 | Merck Patent Gmbh | Anisotropic compounds and liquid crystal mixtures therewith |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH021830B2 (ja) | 1990-01-12 |
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