JPS58148875A - 4−(トランス−5−アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸エステル誘導体 - Google Patents

4−(トランス−5−アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸エステル誘導体

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JPS58148875A
JPS58148875A JP3111082A JP3111082A JPS58148875A JP S58148875 A JPS58148875 A JP S58148875A JP 3111082 A JP3111082 A JP 3111082A JP 3111082 A JP3111082 A JP 3111082A JP S58148875 A JPS58148875 A JP S58148875A
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JP
Japan
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liquid crystal
alkyl
trans
point
acid
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Pending
Application number
JP3111082A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Fukui
福井 優博
Yasuyuki Goto
泰行 後藤
Yoshito Furukawa
古川 義人
Hiromichi Inoue
博道 井上
Susumu Tokita
進 時田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
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  • Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な有機化合物に関し更に詳しくは誘電異方
性が正の新規な化合−KIDするものである。
正の誘電異方性を有する原品物質は、捩れ九配列を持っ
たネマチック液晶を用いる液晶表示素子、いわゆるTN
Iiセルに利用できる麹、遍尚な色素物質を添加して、
ゲスト・ホスト効果を応用し九カラー液晶表示素子にも
利用される。
これら○液晶材料は単独の化合物ではそOwi性能即ち
液晶温度範囲、動作電圧、応答性能等で実用的な使用に
耐えb物は少く、実用的には数種の液晶混合物またに非
液晶化合物を混合しである程度の使用に耐え得るものを
得ているのが現状である。本発明の目的社、この様な実
用的な性能のすぐれた且つ安定な液晶組成物を構成する
一成分として有用な化合−を提供することにある。
即ち、本発明は一般式 R(疫C00QCN中 (上式に於て、Rは炭票数1〜9のアルキル基を示し、
n Fil又は2である) で表わされる4−(トランス−6−アルキル−1,8−
ジオキ賃−2−イル)安息香酸エステル誘導体である。
本発明の(1)式の化合物は誘電異方法が正で大きく、
広いネマチックi!度範囲を持ち、特に透明点(N−融
点)の高い、安定性にすぐれ友液晶化合物である。ただ
本化合物は融点が比較的高いため、この化合物単独では
通常の表示素子用として使用できない。しかし他の液晶
化合物との相溶性にすぐれ、他の液晶物質、ガえdシッ
ク塩基系、アゾキシ系、安息香酸フェニールエステル系
、シクロヘキサンカルボン酸フェニールエステル系、シ
クロヘキサンカルボン酸シクロヘキサンエステル系、ビ
フェニル系、フェニルシクロヘキサン系、フェニルピリ
ミジン系、フェニルメタジオキサン系などの液晶の一種
鎖、あるいは数種の系の混合物と混合させることにより
、その透明点を上昇せしめる、いわゆる高温液晶成分と
して有用であり、少量の使用により、所定の機能を発揮
することかで龜る。
次に本発明の化合物の製法を示す、tず化学式でその概
略を示すと 1) HzOH −CH ぎ CH*0H (2) ス体謳合−) 拍(トランス体)(V) (1) 即ち、まずマロン酸ジエチルエステルを無水エチルアル
コール溶媒中ナトリウムエトキシドの存在下にて、臭化
アルキルと反応させて1−アルキルマロン酸ジエチルエ
ステル(1) t−得!。
これをテトラノ・イドロフラン溶媒中にて水素化リチウ
ムアルミニウムを用いて還元し、2−アルキル−L、S
−プロパンジオール圓とする。
またマロン酸エステルの還元は必lIK応じて公知のそ
の他の還元剤(例えば、ボランメチルサルファイド)や
還元方法を用い、ることもできる。
この2−アルキル−1,8−プロノ(ンジオールlとテ
レフタルアルデヒド酸をp−)ルエンスルホン酸、塩化
アルミニウム、塩酸、硫酸等の適轟な触媒を用いベンゼ
ン、トルエン等の不活性有機溶媒中で反応させることK
よ14−Ch−アルキル−1,8−ジオキナ−2−イル
)安息香酸を得る。この方ルM7111はトランス体と
シス体の2種類の混合物として得られる。目的とする化
合物はトランス体であ〉、シス体社再結晶により除去す
ることができる。次にこの4−(トランス−5−アルキ
ル−1,1−ジオキサ−2−イル)安息香酸を塩化チオ
ニル、五塩化燐等の塩素化剤により相当する酸塩化物(
T)とし、これに4−シアンフェノール又は4−ヒドロ
キシ−4′−シアノビフェニルをピリジン、トリエチル
アミン等の塩基性溶媒中で反応させゐことにより目的物
とする化合物4−(トランス−5−アルキル−1,8−
ジオキサ−2−イル)安息香a14’−シアノフェニル
エステル又は4−(トランス−6−アルキル−1,8−
ジオ中す−2−イル)安息香il!4#−シアノー4′
−ビフェニリルエステル(1)を得る。
以下実施例により本発明の化合物の合威例および使用例
を示して更に詳細に説明する。
実施例1(4−()ランス−6−ペンチル−1゜8−ジ
オキサ−2−イル)安息香酸4”−シアノ−4′−ビフ
ェニリルエステルのl1l)ナトリウムエトキッド41
4f(0,61モル)を無水エチルアルコール200s
/に溶解する。
次ニマロン酸ジエチルニス?ル96N(0,60モル)
を加え、加熱攪拌する。そこへ、臭化ノルマルアミル9
0.11(0゜6モル)ヲ徐々に滴下する。滴下終了後
4時間加熱還流させる。しかる後に、常圧にてエチルア
ルコールを留去し反応混合物に冷水200 鱈lを加え
、析出し九臭化ナトリウムを溶解せしめる。次いで水層
と有機層を分離し、水層を200m+7のノルマルヘキ
サンで抽出し、抽出液を上層の有機層と合わせ、ノルマ
ルヘキサン抽出液水洗後、減圧にてノルマルヘキすンを
留去し、残留物を蒸留し、ペンチルマロン酸ジエチルエ
ステルを得た。収得量95.8f(0,41モル)、沸
点は98〜101”C/ 8 W Hgであった。
この様にして得られ九ペンチル!ロン駿ジエチルエステ
ル69.1f(0,8モル)t、水IE化カルシクムを
用いて乾燥したテトラハイドミツラン160s/に溶解
し、これを、水素化リチウム・アルミニウム15f(0
,4モル)をテトラハイドロフラン600Mt中で激し
く攪拌して腸満させている液中に、26℃にて滴下した
0滴下終了後、この混合物を還流下に鵞時間加熱した。
加熱終了後、水浴で反応混合物を冷却し、過剰の水素化
リチウムアル1=ウムを分解するために酢酸エチルエス
テル10sZを添加した。
次いで、この混合物に20%硫酸200dを加え、無機
物が溶解するまで激しく攪拌した。生成物をエーテルl
ong/で抽出し、その抽出液を6%炭酸水素ナトリウ
ム水溶液で2回洗浄し、次いで水洗後無水硫酸す) I
Jウム上で乾燥した。
そのエーテルを留去し、残留物を蒸留して2−ペンチル
ー1.8−7’ロパンジオール81f(041モル)を
得た。沸点Fill!6〜l!6”C/46swHgで
あった。
次に、ベンゼン400s/に上記の2−ペンチル−1,
s−プロパンジオール21.Sl(0,16モル)、テ
レフタルアルデヒド酸!16f(0,16モル)及びP
−)ルエンスルホン酸0.11を加え、反応によって生
成する水が留出しなくなるまで加熱量流下にて反応を行
う0反応終了俵、放冷し析出した結晶を炉遇し、これを
160s/のp−ジオキサンにて再結晶して4−(トラ
ンス−b−ペンテルーt、s−ジ##サー2−イル)安
息香酸21!、6F(0,09モル)を得九。この物は
液晶相を示し、C−N点=207℃、N−I点:211
℃であった。
次に上記で得られた4−置換安息香酸6f(0,018
モル)を塩化チオニル48fに溶解し、還流下で1時間
反応させた後、過剰の塩化チオニルを減圧下にて留去し
酸塩化物を得た。
一方4−ヒドロキシー4′−シアノビフェニル8.7F
(0,019モル)をピリジン6a?に116°Cにて
溶解させ、そこへ先の績クロリドを室温で加え、更に7
0℃にて2時間加熱攪拌した。
反応終了後、室温まで放冷し、反応生成物を一一のベン
ゼンにて抽出し、抽出液を希塩酸、希アルカリ水溶液お
よび水で洗浄後、無水硫酸!グネシクムを用いて乾燥し
、しかる後にペン(ンを留去した。残留物を10sJO
酢酸エチルエステルから再結晶させて、■−的の4−(
トランス−b−ペンチル−1,畠−ジオキサ−雪−イル
)安息香114’−シアノ−4′−ビフェニリルエステ
ル4.1f(0,01モル)を得た。仁の物は液晶相を
示しC−S点16マ、1l−14!8.1’IC1S−
N点! ’67.9〜108.6℃、N−I点280℃
以上であり友。
又この化合物の元素分析値紘次の如くよく一致し友。
分析値(%) 計算値(%)(CnHnNO茸として)
C;  丁16    76.7 H蓼   64     11 実施例j!〜4 実施例1と全く同様な方法で次の化合物を脅威した。
4−(トランス−6−エチル−1,畠−ジオキ?−2−
1ル)安息香酸4“−シアノ−4′−ビフェニリルエス
テル (実jtM2) C−N点 205.6〜206.6℃、N−I点 28
0℃以上 4−(トランス−6−ブロビルー1.8−ジオキサ−2
−イル)安息香酸4#−シアノ−4′−ビフェニリルエ
ステル C実−14例8)C−NA  188.8〜1
84.4℃、N−I点 280″C以上 4−(トランス−b−ブチル−1,s−ジオキサ−2−
イル)安息香酸4”−シアノ−4′−ビフェニリルエス
テル (実m例4) C−S点 167.9〜168.6℃、S−N点 21
69〜217゜6℃、 N−I点 280℃以上 実施例6〜7 実施例1における4−ヒドロキシ−4′−シアノビフェ
ニルに代えて4−シアノフェノールを使用する以外は実
施例1と同様にして下記の化合物を合成した。
4−(トランス−6−プロビル−1,8−ジオ’tt−
2−(ル)安息香酸4′−シアノフェニルエステル (
実施例6) C−NA  1@6J 〜1111S、!I”05N−
I点 !4111〜240.Ji’c4−(トランス−
b−ブチル−L、S−ジオキ21−(ル)安、1香11
4’−シアノフェニルエステル (実施例6) C−N点 I S O,・〜166.7℃、N−I点 
!09〜2094℃ 4−(トランス−6−ベンチルー1.畠−ジオキt−g
−イル)安息香酸4′−シアノフェニルエステル (実
IIA例7) C−NA  189.0−t89.8℃、N−I点 2
!6.1−Si20.8℃実施例8(1v用例1) CyHu<=X≦’5cN  gas CsHts $ンCN     16部上記組成の箪晶
組rLI#IJのN−I点は718℃である。この液晶
組成物98sと本発明の実施例1の化合物2sより間装
した液晶組成物のN−1点は76.0″OK上昇しえ。
この液晶組成物をガラス基板にSiO膜を形成させラビ
ングによる表面配向処理を施したセル厚10μ廓のTN
II液晶セルに封入して82Hzの矩形波を使用して測
定した室温におけるしきい電圧は144V。
飽和電圧ti188Vであった。又Δεは11.6であ
った。
実施例9(使用例2) C7H+s>ンCN     80部 上記組成の液晶組成物のN−I点は62.6℃である。
この液晶組成物96部と実施例7の化合物5sよりなる
液晶組成物のN−I点は68.6℃に上昇し友。この液
晶組成−を使用例1と同様のセルに対人して測定したと
ころ、しきい電圧は1.6V、飽和電圧は1・9vであ
つ友、又、6gは11.71,20℃における粘度は意
・、マepであった。
以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 (上式に於て、Rは縦素数1〜9のアルキル基を示し、
    n Fil又は2である) で表わされる4−(トランス−6−アルキル−1,8−
    ジオキサ−2−イル)安息香酸エステル誘導体。
  2. (2)一般式 (上式に於て、lt炭素数1〜9のアルキル基を示し、
    虱はl又は2である) で表わされる4−()?ンスー6−アルキルー1.8−
    ジオキサ−2−イル)安息香酸エステル誘導体を少くと
    も1m含有することを特徴とする液晶組成物。
JP3111082A 1982-02-27 1982-02-27 4−(トランス−5−アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸エステル誘導体 Pending JPS58148875A (ja)

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US4683078A (en) * 1985-03-12 1987-07-28 Chisso Corporation Dihalogeno-aromatic compound
JP2007223949A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Fujifilm Corp 1,3−ジオキサン基を有するエステル化合物、該化合物を含む組成物、位相差板、及び表示装置

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