JPS58194841A - ４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸のエステル類 - Google Patents
４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸のエステル類Info
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- C09K19/3066—Cyclohexane rings in which the rings are linked by a chain containing carbon and oxygen atoms, e.g. esters or ethers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶相を示す新規な化合物及びそれを含有する
液晶組成物に関する。
液晶組成物に関する。
液晶表示素子は液晶物質の光学異方性、誘電異方性を利
用したものであるが、現在実用化されているものを原理
方式で分けるとＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＤＳ型
（動的散乱型）、ゲストホスト型、ＰＣ型（相転移型）
、ＤＡＰ型等が代表的なものである。夫々の使用に適す
る液晶物質の性質は異るが、いずれの液晶物質も水分、
空気及び物理的影響、たとえば熱、赤外部、可視部、及
び紫外部の照射線および連続および交代電場などに対す
る安定性が必要なことは共通しており、さらに工業的に
使用し得る液晶材料としては少くともＯ℃〜６０℃の温
度範囲で液晶相として存在し得るのが望ましく、更に表
示素子の攬類によって異る最適の物性値（誘電率の異方
性や屈折率の異方性）がある。
用したものであるが、現在実用化されているものを原理
方式で分けるとＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＤＳ型
（動的散乱型）、ゲストホスト型、ＰＣ型（相転移型）
、ＤＡＰ型等が代表的なものである。夫々の使用に適す
る液晶物質の性質は異るが、いずれの液晶物質も水分、
空気及び物理的影響、たとえば熱、赤外部、可視部、及
び紫外部の照射線および連続および交代電場などに対す
る安定性が必要なことは共通しており、さらに工業的に
使用し得る液晶材料としては少くともＯ℃〜６０℃の温
度範囲で液晶相として存在し得るのが望ましく、更に表
示素子の攬類によって異る最適の物性値（誘電率の異方
性や屈折率の異方性）がある。
現状では嚇独でこれらの諸性能をみたすものはなく、実
用的には数種の液晶化合物、或は非液晶化合物を混合し
て得られる液晶組成物が使用されている。本発明は、こ
の様な液晶組成物を構成する成分として有用で、特に透
明点（Ｎ−Ｉ点）が高いため液晶温度範囲を広くするこ
とが可能な化合物を提供するものである。
用的には数種の液晶化合物、或は非液晶化合物を混合し
て得られる液晶組成物が使用されている。本発明は、こ
の様な液晶組成物を構成する成分として有用で、特に透
明点（Ｎ−Ｉ点）が高いため液晶温度範囲を広くするこ
とが可能な化合物を提供するものである。
即ち、本発明は次の一般式で表わされる化合物である。
ＲｌＱＣ）（２惰（林〉−く＝）、ＣＯＯ＄几、（■）
（但し上式中に於いてれはｌ又は２であり、Ｒ３、ｌ′
Ｌ２はいずれも炭素数１〜１０のアルキル基を示す） 本発明の（１）式の化合物は広い液晶相を持ち、安定性
にすぐれた新規な液晶化合物である。この化合物単独で
は、実用的に使用できないが他の液晶化合物との相溶性
にすぐれているので、例えばビフェニル系、エステル系
、アゾキシ系、フェニルメタジオキサン系、シクロヘキ
サンカルボン酸エステル系１フエニルシクロヘキサン系
）フェニルピリミジン系などの液晶の１種類又は数種類
の系の混合させて透明点を上昇させる効果を有する。
（但し上式中に於いてれはｌ又は２であり、Ｒ３、ｌ′
Ｌ２はいずれも炭素数１〜１０のアルキル基を示す） 本発明の（１）式の化合物は広い液晶相を持ち、安定性
にすぐれた新規な液晶化合物である。この化合物単独で
は、実用的に使用できないが他の液晶化合物との相溶性
にすぐれているので、例えばビフェニル系、エステル系
、アゾキシ系、フェニルメタジオキサン系、シクロヘキ
サンカルボン酸エステル系１フエニルシクロヘキサン系
）フェニルピリミジン系などの液晶の１種類又は数種類
の系の混合させて透明点を上昇させる効果を有する。
（夏）式の化合物は次の様な工程により製造する事がで
きる。
きる。
Ｒ，０ＣＨ２（）ＯｆＶｌ
即ち、まず既知物質であるトランス−４−フェニルシク
ロヘキサンカルボン酸メチル（Ｗ、Ｓ。
ロヘキサンカルボン酸メチル（Ｗ、Ｓ。
ジョンソンら、Ｊ、Ａ、Ｃ，Ｓ、、６７．１０４５５−
（１９４５）ＮＩｌを水素化アルミニウムリチウム（Ｔ
、ＩＡＩ！Ｈ４）等の還元剤により還元してトランス−
４−フェニルシクロヘキシルメチルアルコール川を得る
。それを乾燥ピリジン中ｐ−トルエンスルホニルクロリ
）’ト反応り、ｐ−）ルエンスルホン酸（トランス−４
−フェニルシクロへキシルメチル）エステル＋ｆｆ＋を
得る。この＋ｆｆ＋とアルコラードとの反応でトランス
−４−アルキルオキシメチル−１−フェニルシクロヘキ
サンｔｖ＋を得る。化合物ｆＶ）は溶媒中でヨウ素及び
ヨウ素酸と加熱することによりトランス−４−アルキル
オキシメチル−１−（４’−ヨウトフェニル）シクロヘ
キサン（Ｖｌｌとし、（■）にシアン化第−銅等のシア
ン化剤を反応させると４−（トラ、スー４′−アルキル
オキシメチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル（■）が
得られる。この化合物（■）を溶媒中でＫＯＨ等と加熱
することにより加水分解して４−（トランス−４′−ア
ルキルオキシメチルンクロヘキシル）安息香酸（■）を
得る。化合物（■）に塩化チオニルを反応させて安息香
酸酸塩化物−６＝ を製造し、ついでトランス−４−アルキルシクロヘキサ
ノール又はトランス−４−（）ランス−４′−アルキル
シクロヘキシル）シクロヘキサノールとピリジン中で反
応すると目的の化合物（りが得られる。
、ＩＡＩ！Ｈ４）等の還元剤により還元してトランス−
４−フェニルシクロヘキシルメチルアルコール川を得る
。それを乾燥ピリジン中ｐ−トルエンスルホニルクロリ
）’ト反応り、ｐ−）ルエンスルホン酸（トランス−４
−フェニルシクロへキシルメチル）エステル＋ｆｆ＋を
得る。この＋ｆｆ＋とアルコラードとの反応でトランス
−４−アルキルオキシメチル−１−フェニルシクロヘキ
サンｔｖ＋を得る。化合物ｆＶ）は溶媒中でヨウ素及び
ヨウ素酸と加熱することによりトランス−４−アルキル
オキシメチル−１−（４’−ヨウトフェニル）シクロヘ
キサン（Ｖｌｌとし、（■）にシアン化第−銅等のシア
ン化剤を反応させると４−（トラ、スー４′−アルキル
オキシメチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル（■）が
得られる。この化合物（■）を溶媒中でＫＯＨ等と加熱
することにより加水分解して４−（トランス−４′−ア
ルキルオキシメチルンクロヘキシル）安息香酸（■）を
得る。化合物（■）に塩化チオニルを反応させて安息香
酸酸塩化物−６＝ を製造し、ついでトランス−４−アルキルシクロヘキサ
ノール又はトランス−４−（）ランス−４′−アルキル
シクロヘキシル）シクロヘキサノールとピリジン中で反
応すると目的の化合物（りが得られる。
以下実施例により本発明の化合物の製造法及び性質、更
に液晶材料としての使用の詳細を説明する。
に液晶材料としての使用の詳細を説明する。
実施例１
［：４−（）ランス−４′−メチルオキシメチルシクロ
ヘキシル）安息香酸４“−メテルンクロヘキシルエステ
ルの製造〕 第１段階 水素化アルミニウムリチウム１１，１． ｔ（０，２９
３モル）に乾燥したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４２
０−を加え激しく攪拌したところへ、トランス−４−フ
ェニルシクロヘキサンカルボン酸メチル（１） ６４．
Ｏｆ（０，２９３モル）をＴ ＨＦ’ ７０−に溶解し
た溶液を反応温度を２０℃以下に保ちながら滴下する。
ヘキシル）安息香酸４“−メテルンクロヘキシルエステ
ルの製造〕 第１段階 水素化アルミニウムリチウム１１，１． ｔ（０，２９
３モル）に乾燥したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４２
０−を加え激しく攪拌したところへ、トランス−４−フ
ェニルシクロヘキサンカルボン酸メチル（１） ６４．
Ｏｆ（０，２９３モル）をＴ ＨＦ’ ７０−に溶解し
た溶液を反応温度を２０℃以下に保ちながら滴下する。
滴下終了後５５℃まで加温して、２時間反応させ冷却す
る。次に酢酸エテル１２−と水１００−を加えたのち１
８チ硫酸３５〇−を加えるとテトラヒドロフラン層と水
層の２層に分離される。ｎ−へブタン２００ｍ１．を加
え分液ロートに移し水５００−で水洗したのち２％炭酸
ナトリウム水溶液５００ｒ１ｄ！、で洗浄・し、更に水
で水層が中性になるまで洗浄する。ヘプタン、ＴＨＦを
溜去し釜に残った固体をヘプタン２０Ｔｎｅで再結晶し
沢別してから結晶を乾燥すると４−フェニル−シクロヘ
キシルメチルアルコール 融点４７．３〜４８．５℃。
る。次に酢酸エテル１２−と水１００−を加えたのち１
８チ硫酸３５〇−を加えるとテトラヒドロフラン層と水
層の２層に分離される。ｎ−へブタン２００ｍ１．を加
え分液ロートに移し水５００−で水洗したのち２％炭酸
ナトリウム水溶液５００ｒ１ｄ！、で洗浄・し、更に水
で水層が中性になるまで洗浄する。ヘプタン、ＴＨＦを
溜去し釜に残った固体をヘプタン２０Ｔｎｅで再結晶し
沢別してから結晶を乾燥すると４−フェニル−シクロヘ
キシルメチルアルコール 融点４７．３〜４８．５℃。
第２段階
第１段階で得られた化合物ｉｌｌ ５Ｏｆ （ ０．２
６８モル）を乾燥ピリジン１１０Ｃｃ．に溶解し５℃以
下に冷却したところへ，ｐ−）ルエンスルホン酸クロリ
ド５ ０．１ ？ （ ０．２ ６ ３モル）を乾燥ト
ルエン７０−に溶解した溶液を、滴下ロートより小量づ
つ滴下し反応温度が１０℃をこえない様に滴下する。滴
下が終了したら冷浴を取り除き室温で４時間攪拌したの
ち水１００−とトルエン３００ｍｌを加え攪拌する。
６８モル）を乾燥ピリジン１１０Ｃｃ．に溶解し５℃以
下に冷却したところへ，ｐ−）ルエンスルホン酸クロリ
ド５ ０．１ ？ （ ０．２ ６ ３モル）を乾燥ト
ルエン７０−に溶解した溶液を、滴下ロートより小量づ
つ滴下し反応温度が１０℃をこえない様に滴下する。滴
下が終了したら冷浴を取り除き室温で４時間攪拌したの
ち水１００−とトルエン３００ｍｌを加え攪拌する。
分液ロートに移しトルエン層を６Ｎ−ＨＣ．ｅ水１００
−で２回洗浄し次に水２００−で１回洗浄、更に２Ｎ−
ＮａＯＨ水１００ｔｄで２回洗浄してから水２００−で
４回洗浄する。トルエンを減圧下で溜去し、生じた結晶
をトルエン９０ｍ７！から再結晶し、Ｐ別結晶を乾燥す
るとｐ−）ルエンスルホン酸（トランス−４−フェニル
シクロヘキシルメチル）エステル（Ｎ１”／’ｉｆが得
られた。融点１ ０ ８．０ 〜１ ０ ８．７℃。
−で２回洗浄し次に水２００−で１回洗浄、更に２Ｎ−
ＮａＯＨ水１００ｔｄで２回洗浄してから水２００−で
４回洗浄する。トルエンを減圧下で溜去し、生じた結晶
をトルエン９０ｍ７！から再結晶し、Ｐ別結晶を乾燥す
るとｐ−）ルエンスルホン酸（トランス−４−フェニル
シクロヘキシルメチル）エステル（Ｎ１”／’ｉｆが得
られた。融点１ ０ ８．０ 〜１ ０ ８．７℃。
第３段階
メチルアルコール２５０−を室温で攪拌しておき、ここ
へ金属ナトリウム１ ’７，４ ｆ （０．７５５モル
）を細かく切ったものを少量づつ加えてナトリウムメト
キシドを作る。金属ナトリウム片がなくなってから、第
２段で得られた化合物ｆ■）２ ０ Ｏ ｆ （ ０．
５ ８ １モル）を乾燥トルエン５００ｍ７！に溶解し
た溶液を、滴下Ｐ斗より内温か５０〜６０℃の範囲を保
つ様に徐々に加える。滴下終了後４時間還流してから冷
却し、水２０ｍｌを加えて分液ｆ斗に移し、トルエン層
を水で洗浄し水層が中性になるまで洗浄する。トルエン
を減圧下で溜去したのち減圧蓋部し沸点が１０５〜ｂ Ｈｇの留分を集めるとトランス−４−メチルオキシメチ
ル−ｌ−フェニルシクロヘキサンｆｉｌが１ ０ ０．
Ｏ ｆ得られた。
へ金属ナトリウム１ ’７，４ ｆ （０．７５５モル
）を細かく切ったものを少量づつ加えてナトリウムメト
キシドを作る。金属ナトリウム片がなくなってから、第
２段で得られた化合物ｆ■）２ ０ Ｏ ｆ （ ０．
５ ８ １モル）を乾燥トルエン５００ｍ７！に溶解し
た溶液を、滴下Ｐ斗より内温か５０〜６０℃の範囲を保
つ様に徐々に加える。滴下終了後４時間還流してから冷
却し、水２０ｍｌを加えて分液ｆ斗に移し、トルエン層
を水で洗浄し水層が中性になるまで洗浄する。トルエン
を減圧下で溜去したのち減圧蓋部し沸点が１０５〜ｂ Ｈｇの留分を集めるとトランス−４−メチルオキシメチ
ル−ｌ−フェニルシクロヘキサンｆｉｌが１ ０ ０．
Ｏ ｆ得られた。
第４段階
１１三つロフラス壬に第３段で得られた化合物ｆ■）ｌ
００．Ｏ ｆ （ ０．４ ９ ０モル） 、酢酸３
４４ｙｄ、ｙＪ＜ ９ １ ｍｌ、ヨウ素酸２０，６
ｆ（ ０．１ １ ７モル）、ヨウ素５ ４．５ ｆ
（ ０．２１５モル）、四塩化炭素４０ｍ／、濃硫酸１
４ｒｎｌを加え攪拌しマントルヒーターで加熱し３時間
還流する。反応終了後室温に冷却したところへ１０’％
のチオ硫酸ナトリウム水１５−を加え過剰のヨウ素の色
を消失させる。ｎ−へブ１０− タン２００−を加え分岐沢斗に移しｎ−へブタン層を水
層が中性になるまで水洗しｎ−へブタンを減圧下で溶去
し残溜物をｎ−ヘキサン５０−に溶解し、−１０〜−２
０℃にて１２時間放置し、生じた結晶をｆ別し乾燥する
とトランス−４−メチルオキシメチル−１−（４′−ヨ
ウドフェニル）シクロへキチンｆＶ１１８１．３ ｆが
得られた。融点４０．３〜４２．３℃。
００．Ｏ ｆ （ ０．４ ９ ０モル） 、酢酸３
４４ｙｄ、ｙＪ＜ ９ １ ｍｌ、ヨウ素酸２０，６
ｆ（ ０．１ １ ７モル）、ヨウ素５ ４．５ ｆ
（ ０．２１５モル）、四塩化炭素４０ｍ／、濃硫酸１
４ｒｎｌを加え攪拌しマントルヒーターで加熱し３時間
還流する。反応終了後室温に冷却したところへ１０’％
のチオ硫酸ナトリウム水１５−を加え過剰のヨウ素の色
を消失させる。ｎ−へブ１０− タン２００−を加え分岐沢斗に移しｎ−へブタン層を水
層が中性になるまで水洗しｎ−へブタンを減圧下で溶去
し残溜物をｎ−ヘキサン５０−に溶解し、−１０〜−２
０℃にて１２時間放置し、生じた結晶をｆ別し乾燥する
とトランス−４−メチルオキシメチル−１−（４′−ヨ
ウドフェニル）シクロへキチンｆＶ１１８１．３ ｆが
得られた。融点４０．３〜４２．３℃。
第５段階
３００ ｍｌ三つロフラスコに第４段階で得られた化合
物ｆａｌｌ ２ Ｏｒ （０，０６１モル）とシアン化
第−銅６，３ ｒ （０，０’７１ モ／ｌ／ ） 、
Ｎ、Ｎ −ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）６３＋＋＋
／を加え攪拌し・マントルヒーターにて加熱し６時間還
流する。反応終了後室温に冷却し、２８チアンモニア水
１．３ ｍｌを加え攪拌したのちへブタン５０−を加え
抽出し、ヘプタン層中の不溶解物を吸引１過で取り除き
、沢過液を分液ｅ斗に移しへブタン層を６Ｎ−ＨＣＩ！
５０ ｍｌで洗浄し、次に２Ｎ−ＮａＯＨ水５０ｍｅで
洗浄したのち更に中性になるまで水洗する。ヘプタン層
を無水硫酸ナトリウム１０ｆで乾燥したのちカラムに充
填した活性アルミナ層に通す。活性アルミナ層な通過し
たへブタン溶液を減圧下で濃縮し、生じた粗結晶をエタ
ノール１０−から再結晶しＰ別乾燥することによって４
−（トランス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル（■）６゜４ｖが得られた。
物ｆａｌｌ ２ Ｏｒ （０，０６１モル）とシアン化
第−銅６，３ ｒ （０，０’７１ モ／ｌ／ ） 、
Ｎ、Ｎ −ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）６３＋＋＋
／を加え攪拌し・マントルヒーターにて加熱し６時間還
流する。反応終了後室温に冷却し、２８チアンモニア水
１．３ ｍｌを加え攪拌したのちへブタン５０−を加え
抽出し、ヘプタン層中の不溶解物を吸引１過で取り除き
、沢過液を分液ｅ斗に移しへブタン層を６Ｎ−ＨＣＩ！
５０ ｍｌで洗浄し、次に２Ｎ−ＮａＯＨ水５０ｍｅで
洗浄したのち更に中性になるまで水洗する。ヘプタン層
を無水硫酸ナトリウム１０ｆで乾燥したのちカラムに充
填した活性アルミナ層に通す。活性アルミナ層な通過し
たへブタン溶液を減圧下で濃縮し、生じた粗結晶をエタ
ノール１０−から再結晶しＰ別乾燥することによって４
−（トランス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル（■）６゜４ｖが得られた。
第６段階
２Ｉ！三つロフラスコに第５段階で得られた化合物（■
１２５ｒ（０，１０９モル）とエチレングリコール７２
２ ｍｌを入れておき、更にＫＯＨｌ ８．８ ｆ （
０，３３５モル）を水２６ｍ１に溶解し加えマントルヒ
ーターにて加熱し１２時間還流する。冷却後６Ｎ−Ｉｌ
ｃｌ ２００−を加え酸性にすると結晶が生じる。この
結晶をＰ別し乾燥してから２００ ｍｌのエタノールに
溶解し再結晶する。シ４別乾燥することによって４−（
トランス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）
安息香酸（■）が１８．８ Ｆ得られた。融点（Ｃ−Ｎ
点）は１８２．７℃、透明点（Ｎ−Ｉ点）は２３４．６
℃であった。
１２５ｒ（０，１０９モル）とエチレングリコール７２
２ ｍｌを入れておき、更にＫＯＨｌ ８．８ ｆ （
０，３３５モル）を水２６ｍ１に溶解し加えマントルヒ
ーターにて加熱し１２時間還流する。冷却後６Ｎ−Ｉｌ
ｃｌ ２００−を加え酸性にすると結晶が生じる。この
結晶をＰ別し乾燥してから２００ ｍｌのエタノールに
溶解し再結晶する。シ４別乾燥することによって４−（
トランス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）
安息香酸（■）が１８．８ Ｆ得られた。融点（Ｃ−Ｎ
点）は１８２．７℃、透明点（Ｎ−Ｉ点）は２３４．６
℃であった。
第７段階
第６段階で得られた化合物（■） １８．８ ？（０，
０’７６モル）に塩化チオニル２０ ｍｌを加え、ウォ
ーターバス−ヒで６０〜８０℃で４時間加熱する。均一
になるので更に１時間放置してから減圧にして、過剰の
塩化チオニルを完全に留去すると油状物が残る。これが
４−（トランス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキ
シル）安息香酸酸塩化物ｆ［）である。
０’７６モル）に塩化チオニル２０ ｍｌを加え、ウォ
ーターバス−ヒで６０〜８０℃で４時間加熱する。均一
になるので更に１時間放置してから減圧にして、過剰の
塩化チオニルを完全に留去すると油状物が残る。これが
４−（トランス−４′−メチルオキシメチルシクロヘキ
シル）安息香酸酸塩化物ｆ［）である。
第８段階
トランス−４−メチルシクロヘキサノール０．４ Ｆ
（０，００４モル）を乾燥ピリジン２ ｔｎｔに溶かし
たものに第７段階で得られた化合物（１１ｔ （０，０
０４モル）を激しく振りまぜながら加える。この反応液
を一晩放置後、水１０−を加え更にトルエン５０ｍ１を
加える。トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌで、ついで２Ｎ−Ｎ
ａＯＨで洗浄し１３− たのち、中性になるまで水洗する。トルエン溶液を減圧
下で留去し生じた粗結晶をエタノール１０−で再結晶し
ｆ別乾燥すると目的の４−（トランス−４′−メチルオ
キシメチルシクロヘキシル）安息香酸４″−メチルシク
ロヘキシルエステル０，４ ｆが得られた。この物の融
点（Ｃ−Ｎ点）は８９．２℃、透明点（Ｎ−Ｉ点）は１
１３．８℃であった。
（０，００４モル）を乾燥ピリジン２ ｔｎｔに溶かし
たものに第７段階で得られた化合物（１１ｔ （０，０
０４モル）を激しく振りまぜながら加える。この反応液
を一晩放置後、水１０−を加え更にトルエン５０ｍ１を
加える。トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌで、ついで２Ｎ−Ｎ
ａＯＨで洗浄し１３− たのち、中性になるまで水洗する。トルエン溶液を減圧
下で留去し生じた粗結晶をエタノール１０−で再結晶し
ｆ別乾燥すると目的の４−（トランス−４′−メチルオ
キシメチルシクロヘキシル）安息香酸４″−メチルシク
ロヘキシルエステル０，４ ｆが得られた。この物の融
点（Ｃ−Ｎ点）は８９．２℃、透明点（Ｎ−Ｉ点）は１
１３．８℃であった。
この物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致してい
る。
る。
実測値（チ）計算値（％） （Ｃ２２Ｉ（３２０３とし
て）Ｃ７ａ５３ ７ａ７０ Ｈ９，３２９，３６ 実施例２〜２１ 実施例１に於ける４−（トランス−４′−メチルオキシ
メチルシクロへキンル）安息香酸の他に４−（トランス
−４′−エテルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸
、４−（）ランス−４′−プロビルオキンメテルシクロ
ヘキシル）安息１４− 香酸を用い、又第８段階でトランス−４−メテルンクロ
ヘキシルアルコールの他にトランス−・４−エチルシク
ロヘキシルアルコール、トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシルアルコール、トランス−４−ブチルシクロヘキ
シルアルコール、トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルアルコール、トランス−４−へキシルシクロヘキシル
アルコール、トランス−４−へブチルシクロヘキシルア
ルコールとそれぞれ反応する事によって得られた（１）
式の化合物の物性を第１表（一実施例１の結果と共に示
す。
て）Ｃ７ａ５３ ７ａ７０ Ｈ９，３２９，３６ 実施例２〜２１ 実施例１に於ける４−（トランス−４′−メチルオキシ
メチルシクロへキンル）安息香酸の他に４−（トランス
−４′−エテルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸
、４−（）ランス−４′−プロビルオキンメテルシクロ
ヘキシル）安息１４− 香酸を用い、又第８段階でトランス−４−メテルンクロ
ヘキシルアルコールの他にトランス−・４−エチルシク
ロヘキシルアルコール、トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシルアルコール、トランス−４−ブチルシクロヘキ
シルアルコール、トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルアルコール、トランス−４−へキシルシクロヘキシル
アルコール、トランス−４−へブチルシクロヘキシルア
ルコールとそれぞれ反応する事によって得られた（１）
式の化合物の物性を第１表（一実施例１の結果と共に示
す。
第１表
１５一
実施例２２
実施例１の第８段階と同様にしてトランス−４−（トラ
ンス−４′−エテルシクロヘキシル）シクロヘキサノー
ル０．８ ｆ （０，００４モル）を乾燥ピリジン５ｍ
７！に溶かしたものに化合物（■）１ｆ （０，００４
モル）を激しく振りまぜながら加える。この反応液を一
晩放置後、水１０−を加え更にトルエン１００−を加え
る。トルエン層を６Ｎ−ＨＯ２水で、ついで２Ｎ−Ｎａ
ＯＨで洗浄したのち中性になるまで水洗する。トルエン
溶液を減圧下で留去し、生じた粗結晶をエチルアルコー
ル３０−で再結晶し、沢別乾燥すると４−（トランス−
４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸ト
ランス−４“−（トランス−４＃−エテルシクロヘキシ
ルエステル０，３ ｆが４られた。
ンス−４′−エテルシクロヘキシル）シクロヘキサノー
ル０．８ ｆ （０，００４モル）を乾燥ピリジン５ｍ
７！に溶かしたものに化合物（■）１ｆ （０，００４
モル）を激しく振りまぜながら加える。この反応液を一
晩放置後、水１０−を加え更にトルエン１００−を加え
る。トルエン層を６Ｎ−ＨＯ２水で、ついで２Ｎ−Ｎａ
ＯＨで洗浄したのち中性になるまで水洗する。トルエン
溶液を減圧下で留去し、生じた粗結晶をエチルアルコー
ル３０−で再結晶し、沢別乾燥すると４−（トランス−
４′−メチルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸ト
ランス−４“−（トランス−４＃−エテルシクロヘキシ
ルエステル０，３ ｆが４られた。
この物の融点（Ｃ−Ｓ点）は７６．５℃で、Ｓ−Ｎ点は
９６．０℃、透明点（Ｎ−Ｉ点）は２ Ｂ Ｏ，１℃で
あった。
９６．０℃、透明点（Ｎ−Ｉ点）は２ Ｂ Ｏ，１℃で
あった。
又、この物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致し
ている。
ている。
１７−
１６−
実測値（チ） 計算値（チｌ （Ｃ２９Ｈ４４０３とし
て）Ｃ７ａ９０ ’ｉ’！１１０４ Ｈ１α００ １α０６ 実施例２３〜３３ 実施例２２と同様にして４−（トランス−４′−メチル
オキシメチルシクロヘキシル）安息香酸の他に４−（ト
ランス−４′−エチルオキシメチルシクロヘキシル）安
息香酸又は４−（トランス−４′−プロビルオキシメチ
ルンクロー＼キシル）安息香酸な用い、又第８段階でト
ランス−４−＜トランス−４′−エテルシクロヘキシル
）シクロヘキサノールの他にトランス−４−（トランス
−４′−メチルシクロヘキシル）シクロヘキサノール、
トランス−４−（トランス−４′−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキサノール、トランス−４−（）ランス
−４′−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキサノール、
トランス−４−（トランス−４′−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキサノールとそれぞれ反応することに１
８− よって得られた（り式の化合物の物性を第２表に実施例
２２の結果と共に示す。
て）Ｃ７ａ９０ ’ｉ’！１１０４ Ｈ１α００ １α０６ 実施例２３〜３３ 実施例２２と同様にして４−（トランス−４′−メチル
オキシメチルシクロヘキシル）安息香酸の他に４−（ト
ランス−４′−エチルオキシメチルシクロヘキシル）安
息香酸又は４−（トランス−４′−プロビルオキシメチ
ルンクロー＼キシル）安息香酸な用い、又第８段階でト
ランス−４−＜トランス−４′−エテルシクロヘキシル
）シクロヘキサノールの他にトランス−４−（トランス
−４′−メチルシクロヘキシル）シクロヘキサノール、
トランス−４−（トランス−４′−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキサノール、トランス−４−（）ランス
−４′−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキサノール、
トランス−４−（トランス−４′−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキサノールとそれぞれ反応することに１
８− よって得られた（り式の化合物の物性を第２表に実施例
２２の結果と共に示す。
第 ２ 表
実施例３４（使用例１）
Ｃ３Ｈ７ベ戸Σ（ごヒＣＮ２５．５部 （ｆｆＬ以下同
じ）Ｃ５Ｈ１１（→イ）イＮ３４．Ｏ部 Ｃ７Ｈ１５＜→＆Ｎ ２５．５部 からなる液晶組成物のネマチック液晶温度範囲（ＭＲ）
は−３〜５２．５℃、２０℃に於ける粘度η２０は２３
Ｃｐ 、誘電率異方性△６は１１．３（ｇ、〜１６．
２、ε工＝４．９）屈折率異方性△ｎは０．１２０でこ
れをセル厚１０μｍのＴＮセルに封入した際のしきい′
電圧１．５■、飽和電圧は２．２Ｖであった。この組成
物に本発明の化合物の一つである ｃｏ３ｏｃｎ２−（
→（）シ００（→−ＣＨ５（実施例１）を１５部加えた
液晶組成物のＭ Ｒは−３〜５４．９℃と広がり、η２
０は３２ｅｐ、ΔＣは１０．１ （ｉ、＝ １５．１
、 ｅ、＝ ５．０ ）△ｎは０．１１８であり、上記
と同じセルに封入した際のしきい電圧は１．５３ Ｖ
、飽和電圧は２．Ｉ Ｖであった。
じ）Ｃ５Ｈ１１（→イ）イＮ３４．Ｏ部 Ｃ７Ｈ１５＜→＆Ｎ ２５．５部 からなる液晶組成物のネマチック液晶温度範囲（ＭＲ）
は−３〜５２．５℃、２０℃に於ける粘度η２０は２３
Ｃｐ 、誘電率異方性△６は１１．３（ｇ、〜１６．
２、ε工＝４．９）屈折率異方性△ｎは０．１２０でこ
れをセル厚１０μｍのＴＮセルに封入した際のしきい′
電圧１．５■、飽和電圧は２．２Ｖであった。この組成
物に本発明の化合物の一つである ｃｏ３ｏｃｎ２−（
→（）シ００（→−ＣＨ５（実施例１）を１５部加えた
液晶組成物のＭ Ｒは−３〜５４．９℃と広がり、η２
０は３２ｅｐ、ΔＣは１０．１ （ｉ、＝ １５．１
、 ｅ、＝ ５．０ ）△ｎは０．１１８であり、上記
と同じセルに封入した際のしきい電圧は１．５３ Ｖ
、飽和電圧は２．Ｉ Ｖであった。
１９一
実施例３５（使用例２）
Ｃ５Ｈ１，（→伽Ｎ３４．０部
からなる液晶組成物のネマチック液晶温度範囲（ＭＲ）
は−３〜５２．５℃、２０℃に於ける粘度η２Ｇは２３
ｅｐ 、誘電率異方性Δｇは１１．３（ε、＝１６．
２、ε□＝ ４．９ ）屈折率異方性Δｎは０．１２０
でこれをセル厚１０μ雷のＴＮセルに封入した際のしき
い電圧は１．５ Ｖ １飽和電圧は２．２ｖであった。
は−３〜５２．５℃、２０℃に於ける粘度η２Ｇは２３
ｅｐ 、誘電率異方性Δｇは１１．３（ε、＝１６．
２、ε□＝ ４．９ ）屈折率異方性Δｎは０．１２０
でこれをセル厚１０μ雷のＴＮセルに封入した際のしき
い電圧は１．５ Ｖ １飽和電圧は２．２ｖであった。
この組成物に本発明の化合物（実施例２２）を１５部加
えた液晶組成物のＭＲは−２〜７５．２と広がり、η２
０は３４．３ ｃｐ 、 ６ｇは１０．２ （ε、＝１
４．８、ε□＝ ４．６ ’Ｉ△ｎは０．１２２であり
、上記と同じセルに封入した際のしきい電圧は１．７■
、飽和電圧は２．３２ Ｖであった。
えた液晶組成物のＭＲは−２〜７５．２と広がり、η２
０は３４．３ ｃｐ 、 ６ｇは１０．２ （ε、＝１
４．８、ε□＝ ４．６ ’Ｉ△ｎは０．１２２であり
、上記と同じセルに封入した際のしきい電圧は１．７■
、飽和電圧は２．３２ Ｖであった。
２１−
２０−
Claims (2)
- （１）一般式 （但し上式に於いてｎはｌ又は２であり、Ｒ１、Ｒ２は
いずれも炭素数１〜１０のアルキル基を示す） で表わされる４−（トランス−４７−アルキルオキシメ
チルシクロヘキシル）安息香酸のエステル。 - （２）一般式 （但し上式に於いてｎは１又は２であり、ＲＩＳＲ２は
いずれも炭素数１〜１０のアルキル基を示す） で表わされる４−（トランス−４′−アルキルオキシメ
チルシクロヘキシル）安息香酸のエステル類を少くとも
１種含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078737A JPS58194841A (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | ４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸のエステル類 |
| DE8383302510T DE3362256D1 (en) | 1982-05-11 | 1983-05-04 | 4-(trans-4'-alkyloxymethylcyclohexyl) benzoic acid esters |
| EP83302510A EP0094198B1 (en) | 1982-05-11 | 1983-05-04 | 4-(trans-4'-alkyloxymethylcyclohexyl) benzoic acid esters |
| US06/493,288 US4452719A (en) | 1982-05-11 | 1983-05-10 | 4-(Trans-4'-alkyloxymethylcyclohexyl)benzoic acid esters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078737A JPS58194841A (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | ４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸のエステル類 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194841A true JPS58194841A (ja) | 1983-11-12 |
| JPH036133B2 JPH036133B2 (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=13670197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57078737A Granted JPS58194841A (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | ４−（トランス−４′−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）安息香酸のエステル類 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4452719A (ja) |
| EP (1) | EP0094198B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58194841A (ja) |
| DE (1) | DE3362256D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0058981B1 (en) * | 1981-02-25 | 1986-01-22 | Hitachi, Ltd. | Colorless liquid crystalline compounds |
| DE3206269A1 (de) * | 1982-02-20 | 1983-09-01 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Bicyclohexylderivate |
| DE3374415D1 (en) * | 1982-03-26 | 1987-12-17 | Chisso Corp | Liquid-crystalline compounds |
| JPS58219137A (ja) * | 1982-06-12 | 1983-12-20 | Chisso Corp | ４−（トランス−４−アルキルオキシメチルシクロヘキシル）−４′−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）ビフエニル類 |
| US4550981A (en) * | 1982-09-30 | 1985-11-05 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters and mixtures |
| US4661283A (en) * | 1984-03-02 | 1987-04-28 | Chisso Corporation | Benzoate derivatives having a large positive dielectric anisotropy value and liquid crystal compositions containing same |
| GB2162515B (en) * | 1984-07-04 | 1988-05-18 | Secr Defence | Liquid crystal esters |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2800553A1 (de) * | 1978-01-07 | 1979-07-12 | Merck Patent Gmbh | Cyclohexanderivate |
| ATE1993T1 (de) * | 1979-07-20 | 1982-12-15 | Bbc Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Anisotrope carbonsaeure-4-cyclohexylphenylester und sie enthaltende fluessigkristallmischungen. |
| DE3102017C2 (de) * | 1980-01-25 | 1983-04-14 | Chisso Corp., Osaka | Halogenierte Esterderivate und Flüssigkristallzusammensetzungen, welche diese enthalten |
| JPS5721359A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Chisso Corp | 4'''-cyano-4"-biphenylyl 4-(trans-4'-alkylcyclohexyl)benzoate |
| EP0058981B1 (en) * | 1981-02-25 | 1986-01-22 | Hitachi, Ltd. | Colorless liquid crystalline compounds |
-
1982
- 1982-05-11 JP JP57078737A patent/JPS58194841A/ja active Granted
-
1983
- 1983-05-04 EP EP83302510A patent/EP0094198B1/en not_active Expired
- 1983-05-04 DE DE8383302510T patent/DE3362256D1/de not_active Expired
- 1983-05-10 US US06/493,288 patent/US4452719A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3362256D1 (en) | 1986-04-03 |
| EP0094198A3 (en) | 1984-03-21 |
| US4452719A (en) | 1984-06-05 |
| JPH036133B2 (ja) | 1991-01-29 |
| EP0094198A2 (en) | 1983-11-16 |
| EP0094198B1 (en) | 1986-02-26 |
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