JPS58119219A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPS58119219A JPS58119219A JP57001826A JP182682A JPS58119219A JP S58119219 A JPS58119219 A JP S58119219A JP 57001826 A JP57001826 A JP 57001826A JP 182682 A JP182682 A JP 182682A JP S58119219 A JPS58119219 A JP S58119219A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、３０ＭＨｚ以下の低周波数帯で動作する弾性
表面波装置の周波数特性を改善する構造に関する。
表面波装置の周波数特性を改善する構造に関する。
第１図は従来の弾性表面波装置の概念的断面構造図であ
る。３１図において、厚さｄの圧電性基板１０表面士に
Ａｎ属からなるインターディジタル型入力電極２と出力
電極３が配置され、圧電性基板１の伝搬路延長上の端面
に音波吸収材が端面による弾性表面波の反射防止のため
に配置されている。圧電性基板１の裏面は、パッケージ
のグラウンド平面６上に、塗付技術で可能な非常に薄い
厚さの接着層５により、接着されていた。
る。３１図において、厚さｄの圧電性基板１０表面士に
Ａｎ属からなるインターディジタル型入力電極２と出力
電極３が配置され、圧電性基板１の伝搬路延長上の端面
に音波吸収材が端面による弾性表面波の反射防止のため
に配置されている。圧電性基板１の裏面は、パッケージ
のグラウンド平面６上に、塗付技術で可能な非常に薄い
厚さの接着層５により、接着されていた。
かかる構造を有する弾性表面波装置はそのＲ波数特性上
、帯域外の不要波応答に対する対策が重要である。例え
ば現在、最も数多く用いられている周波数３０〜ｄＯＭ
Ｈｚ４Ｄ’Ｉ’Ｖ中間周波数フィルタでは、主帯域の高
周波側トラップ近傍、あるいは、それより高域側の周波
数領域に住するバルク波応答に対する対策が重畳であっ
念、他方、主帯域が、５ＯＭＨｚ以下に適用出来る弾性
表面波装置が考察されるにおよび、主帯域以下の低域側
に生ずるバルク波応答が、顕在化するに到っ念。例えば
、昭和５６年度電子通信学会総合全国大会予稿集分冊１
，６８頁（講演番号６８）には、ＬｉＮｂ０゜単結晶の
１２８°回転Ｙ板Ｘ方向伝搬を基板に用い、１７ＭＨｚ
帯フィル帯フイルム走結果として、次の事項を報告して
いる。
、帯域外の不要波応答に対する対策が重要である。例え
ば現在、最も数多く用いられている周波数３０〜ｄＯＭ
Ｈｚ４Ｄ’Ｉ’Ｖ中間周波数フィルタでは、主帯域の高
周波側トラップ近傍、あるいは、それより高域側の周波
数領域に住するバルク波応答に対する対策が重畳であっ
念、他方、主帯域が、５ＯＭＨｚ以下に適用出来る弾性
表面波装置が考察されるにおよび、主帯域以下の低域側
に生ずるバルク波応答が、顕在化するに到っ念。例えば
、昭和５６年度電子通信学会総合全国大会予稿集分冊１
，６８頁（講演番号６８）には、ＬｉＮｂ０゜単結晶の
１２８°回転Ｙ板Ｘ方向伝搬を基板に用い、１７ＭＨｚ
帯フィル帯フイルム走結果として、次の事項を報告して
いる。
（１）周波数定数５．６ （ＭＨｚ−ｍｍ ）の厚み縦
振動によシ、多くの共振ピーク（周波数ｆ、１＝５−
（Ｓ ｎ ／ ｄ ＃ ｎ ＝１ ？ ３ ｒ ５
ｗ −−−）が失する。
振動によシ、多くの共振ピーク（周波数ｆ、１＝５−
（Ｓ ｎ ／ ｄ ＃ ｎ ＝１ ？ ３ ｒ ５
ｗ −−−）が失する。
（２）主帯域に上記共振ピークの発生を避けるためには
、基板厚さｄは二 ５．６ Ｘ ｎ／ｆ１．＜ｄ＜’Ａ、６ ｘ （ｎ＋２
）／ｆ１１の範囲に選ぶｃｒＬ： 主帯域上端周波数
。
、基板厚さｄは二 ５．６ Ｘ ｎ／ｆ１．＜ｄ＜’Ａ、６ ｘ （ｎ＋２
）／ｆ１１の範囲に選ぶｃｒＬ： 主帯域上端周波数
。
ｆｕ： 主帯域上端周波数）。
（３） 基板厚さｄは、弾性表面波波長の３倍Ｓ度、
ないし以上は必要とされ、それ以下では表面波伝搬に悪
影−をも九らす。
ないし以上は必要とされ、それ以下では表面波伝搬に悪
影−をも九らす。
一般に不要バルク波の抑圧法として従来から知られる公
知技術として、以下が知られている。
知技術として、以下が知られている。
（１） 弾性表面波基板裏面への周期的溝加工Ｃ特開
昭４９−９８５５２） （２）弾性表面波基板裏面への凹凸加工（ＵＳＰＮｏ、
４２９，４７６；％開昭５５−１０５４２７）（３）
弾性表面波基板裏面に伝搬路を横断する一本溝の形成
（４１開昭５５−１０５４２７）（４）弾性表面波伝搬
用圧電単結晶のカット面。
昭４９−９８５５２） （２）弾性表面波基板裏面への凹凸加工（ＵＳＰＮｏ、
４２９，４７６；％開昭５５−１０５４２７）（３）
弾性表面波基板裏面に伝搬路を横断する一本溝の形成
（４１開昭５５−１０５４２７）（４）弾性表面波伝搬
用圧電単結晶のカット面。
伝搬方位の適切な選択
しかしながら、上記対策で、（１）弾性表面波基板裏面
への周期的溝加工、（Ｓ）弾性表面波裏面への伝搬路を
横断する一本溝の形成９等は主帯域が３０ＭＨｚ以下の
弾性表面波装置に対しても確かに効果が有るが、工数、
コストの点で問題が多い。
への周期的溝加工、（Ｓ）弾性表面波裏面への伝搬路を
横断する一本溝の形成９等は主帯域が３０ＭＨｚ以下の
弾性表面波装置に対しても確かに効果が有るが、工数、
コストの点で問題が多い。
また（２）弾性表ＷｊＪＲ基板裏面への凹凸加工は低周
波の場合、その凹凸の幅および深さは１００〜２００μ
ｍ以上必要で、砥粒研磨加工等では実現困難である。さ
らに（４）の弾性表面波用圧電単結晶のカット面、伝搬
方位の選択は、ＴＶ中間周波数フィルタ用弾性表面波フ
ィルタにおいては９例えば、ＬｉＮｂＯ５−１２８”回
転Ｙ板Ｘ方向伝搬、アルイハ。
波の場合、その凹凸の幅および深さは１００〜２００μ
ｍ以上必要で、砥粒研磨加工等では実現困難である。さ
らに（４）の弾性表面波用圧電単結晶のカット面、伝搬
方位の選択は、ＴＶ中間周波数フィルタ用弾性表面波フ
ィルタにおいては９例えば、ＬｉＮｂＯ５−１２８”回
転Ｙ板Ｘ方向伝搬、アルイハ。
Ｌｉ？’ａＯ，−Ｘ ［ｆ １２’ Ｙ方向伝搬等ニョ
シ、前記した主帯域の高周波側トラップ近傍、あるいは
、それよシ高域側の領域に生ずるバルク波応答を低減し
て騒る。しかしながら本願に係わる、主帯域３０ＭＨｚ
以下の応用デバイスの上記厚み縦振動等による不要バル
ク波に対［７てこれらの技術は筆者等の実験で１、オ九
上記引用論文の結果から見る如く無力であった。
シ、前記した主帯域の高周波側トラップ近傍、あるいは
、それよシ高域側の領域に生ずるバルク波応答を低減し
て騒る。しかしながら本願に係わる、主帯域３０ＭＨｚ
以下の応用デバイスの上記厚み縦振動等による不要バル
ク波に対［７てこれらの技術は筆者等の実験で１、オ九
上記引用論文の結果から見る如く無力であった。
この様に、主帯域３０ＭＨｚ以下への応用を目的とし次
弾性表面波装置の不要バルク波抑圧技術で実際的なもの
はまだ知られていない、なお補足するならば、上記引用
論文の結果によって、弾性表面波装置の基板厚さを厚＜
（＞５２１）せざるを得ないことは、基板価格を上昇さ
せ、主帯域 ３０ＭＨ２以下の弾性表面波装置を安価に
供給せざるを得ない民生用でバイスの技術としては展望
のもてないものであった。
弾性表面波装置の不要バルク波抑圧技術で実際的なもの
はまだ知られていない、なお補足するならば、上記引用
論文の結果によって、弾性表面波装置の基板厚さを厚＜
（＞５２１）せざるを得ないことは、基板価格を上昇さ
せ、主帯域 ３０ＭＨ２以下の弾性表面波装置を安価に
供給せざるを得ない民生用でバイスの技術としては展望
のもてないものであった。
本発明の目的砿、上記し九圧−性基板に発生する寺に厚
みＭＩＲ動による共振ピークを抑圧し九主帯域３０ＭＨ
ｚ以下で使用するための弾性表面波装置を供給すること
にある。
みＭＩＲ動による共振ピークを抑圧し九主帯域３０ＭＨ
ｚ以下で使用するための弾性表面波装置を供給すること
にある。
本発明のｌ！点は、不要バルク波抑圧に関して、従来顧
慮されることの無かった弾性表面波伝播媒体となる圧電
性基板とパッケージ・グラウンド平面との間の固定層に
よる音響波動の吸収作用、乃至、音響振動の減衰作用に
着目した技術であシ、低周波の弾性表面波長λ鳳に対し
て、接着層の厚さｔを圧電性基板の厚さｄとの関係で、
実験的に検討し九つぎの関係式を満すごとく、決定Ｌ５
た点にある。すなわち、 ｈ＝ｄ／λ。
慮されることの無かった弾性表面波伝播媒体となる圧電
性基板とパッケージ・グラウンド平面との間の固定層に
よる音響波動の吸収作用、乃至、音響振動の減衰作用に
着目した技術であシ、低周波の弾性表面波長λ鳳に対し
て、接着層の厚さｔを圧電性基板の厚さｄとの関係で、
実験的に検討し九つぎの関係式を満すごとく、決定Ｌ５
た点にある。すなわち、 ｈ＝ｄ／λ。
で定まるデバイス定数りに対して、
（１）ｈ≦２ ならば、 ｔ≧λＲ７２，６（２１ｈ＞
２ ならば、 ｔ≧λｌ／１？３ｈとすることを特徴
とするものである。
２ ならば、 ｔ≧λｌ／１？３ｈとすることを特徴
とするものである。
この固定層の厚さ効果が、特に厚み縦振動によるものと
見られる不要バルク波応答の抑圧に対して、顕著である
ことを実験的に確認した。
見られる不要バルク波応答の抑圧に対して、顕著である
ことを実験的に確認した。
以下１本発明による弾性表面波装置の実施例を図面を用
いて説明する。５１２図は本発明に係わる弾性表面波装
置の概念的断面構造図である。ｔＪＥ２図におｈで、厚
さｄの圧電性基板１の表面上にＡＩｌ膜からなるインタ
ーディジタル型入力電極２と出力電極３が配置され、圧
電性基板１の伝搬路延長上の端面に音波吸収材が端面に
よる弾性表面波の反射防止のために配置されている。圧
電性基板１の裏面は、パッケージングのグラウンド平面
６上に固定層である膜厚ｔの接着層５によシ、接着され
ている。本実施例においては、圧電性基板１として厚さ
０．５ ｍｍのＬｉＮｂ０．単結晶１２８°回転Ｙ板を
使用し、伝搬方向をＸ軸方向とした。入力電極２．出力
電極２．出力電極３は、ともに正規型とし、そのピッチ
は１！５１．５μｍ、電極細幅は６５．８μｍで、弾性
表面波フィルタの中心周波数は１４１４ＭＨｚである。
いて説明する。５１２図は本発明に係わる弾性表面波装
置の概念的断面構造図である。ｔＪＥ２図におｈで、厚
さｄの圧電性基板１の表面上にＡＩｌ膜からなるインタ
ーディジタル型入力電極２と出力電極３が配置され、圧
電性基板１の伝搬路延長上の端面に音波吸収材が端面に
よる弾性表面波の反射防止のために配置されている。圧
電性基板１の裏面は、パッケージングのグラウンド平面
６上に固定層である膜厚ｔの接着層５によシ、接着され
ている。本実施例においては、圧電性基板１として厚さ
０．５ ｍｍのＬｉＮｂ０．単結晶１２８°回転Ｙ板を
使用し、伝搬方向をＸ軸方向とした。入力電極２．出力
電極２．出力電極３は、ともに正規型とし、そのピッチ
は１！５１．５μｍ、電極細幅は６５．８μｍで、弾性
表面波フィルタの中心周波数は１４１４ＭＨｚである。
この中心周波数での弾性表面波波長２Ｒは２６５．２μ
ｍとなる。し虎がって、前記引用論文で報告された結果
の（５）項を利用すれば、基板厚さｄ＞７８９．６μｍ
でなければならないが、本願発明によって圧電性基板の
厚さｄ ＝ ０．５ ｍｍでよく、これはデバイス定数
りに換算して、ｈＮｌ、９であシ、弾性表面波波長λＲ
の約１．９倍に過ぎない、それ故、接着層の厚さｔは、
上記の本発明の要点の（１）にしたがえば、０．１ ｍ
ｍ以上となるので、本実施例では０．１５ｍｍとした。
ｍとなる。し虎がって、前記引用論文で報告された結果
の（５）項を利用すれば、基板厚さｄ＞７８９．６μｍ
でなければならないが、本願発明によって圧電性基板の
厚さｄ ＝ ０．５ ｍｍでよく、これはデバイス定数
りに換算して、ｈＮｌ、９であシ、弾性表面波波長λＲ
の約１．９倍に過ぎない、それ故、接着層の厚さｔは、
上記の本発明の要点の（１）にしたがえば、０．１ ｍ
ｍ以上となるので、本実施例では０．１５ｍｍとした。
ちなみに、接着層は銀粒子を分散させた導電性エポキシ
樹脂を用いた。
樹脂を用いた。
かかる本発明による弾性表面波装置の周波数特性を示す
と、第３図は上記実施例による弾性表面波フィルタの損
失周波数特性の実測図で、横軸に周波数（ＭＨｚ）、縦
軸に損失（ｄＢ）である。参考までに、第４図に従来技
術による厚さ０．０４７１１１１７１の接着層を有し、
他の寸法は全く同じく構成した弾性表面ｔＩＩｌフィル
タの損失周波数特性を示す。第４図にお込て、厚み縦振
動に起因すると見られる約７ ＭＨｚのピーク、および
約１０ＭＨｚのピーク、約２０ＭＨｚのピークなどの不
要波ピークが多く発生しているが、本実施例による弾性
表面波装置の損失周波数特性を示すｊＩ３ｒｌｌＪでは
、釣１０ Ｍｆ（ｚのピークと、約２０ＭＨｚのピーク
は消失しておシ。
と、第３図は上記実施例による弾性表面波フィルタの損
失周波数特性の実測図で、横軸に周波数（ＭＨｚ）、縦
軸に損失（ｄＢ）である。参考までに、第４図に従来技
術による厚さ０．０４７１１１１７１の接着層を有し、
他の寸法は全く同じく構成した弾性表面ｔＩＩｌフィル
タの損失周波数特性を示す。第４図にお込て、厚み縦振
動に起因すると見られる約７ ＭＨｚのピーク、および
約１０ＭＨｚのピーク、約２０ＭＨｚのピークなどの不
要波ピークが多く発生しているが、本実施例による弾性
表面波装置の損失周波数特性を示すｊＩ３ｒｌｌＪでは
、釣１０ Ｍｆ（ｚのピークと、約２０ＭＨｚのピーク
は消失しておシ。
かつ、約７ＭＨｚのピークも２０ｄＢ８に低下している
。また、接着層厚さを本実施例の場合よシも。
。また、接着層厚さを本実施例の場合よシも。
さらに厚い０．２５６ｍｍとした場合には、正規型フィ
ルタの低域側の＠２次５ｉｄｅ １ｏｂｅも明瞭になる
ことがわかった。
ルタの低域側の＠２次５ｉｄｅ １ｏｂｅも明瞭になる
ことがわかった。
このように、本発明では圧電性基板の厚さとして、従来
前えられなかった、弾性表面波の２波長分をもって不要
バルク波の影響を受けることなく良好なＲａ７１ｅｉｇ
ｈ波によるフィルタ特性を得ることが出来た。
前えられなかった、弾性表面波の２波長分をもって不要
バルク波の影響を受けることなく良好なＲａ７１ｅｉｇ
ｈ波によるフィルタ特性を得ることが出来た。
本発明に係る弾性表面波装置の接着層の厚さ効果を、さ
らに詳細に上記実施例と同じ構成の弾性表面波装置、同
種接着剤につき、検討した。第５図は、その結果を示す
実測図で、縦軸にはＭａｉｎＬｏｂｅ （主帯域）と
厚み縦振動によると見られる７、２ ＭＨｚ近傍の不要
波ピークとの間のレベル差（ｄＢ単位）を示し、横軸は
接着層の厚さである。
らに詳細に上記実施例と同じ構成の弾性表面波装置、同
種接着剤につき、検討した。第５図は、その結果を示す
実測図で、縦軸にはＭａｉｎＬｏｂｅ （主帯域）と
厚み縦振動によると見られる７、２ ＭＨｚ近傍の不要
波ピークとの間のレベル差（ｄＢ単位）を示し、横軸は
接着層の厚さである。
−５図によれば、不要波ピークめＭａｉｎ Ｌｏｂｅに
対するレベル差は接着層厚の増大につれて急に増大し約
０．１５＋ｎｍ以上の膜厚でレベル差がはソ２６ｄＢに
、飽和することを示している。この結果から、接着層の
厚さ０．１ｍｍ弱を有すれば、すなわち。
対するレベル差は接着層厚の増大につれて急に増大し約
０．１５＋ｎｍ以上の膜厚でレベル差がはソ２６ｄＢに
、飽和することを示している。この結果から、接着層の
厚さ０．１ｍｍ弱を有すれば、すなわち。
弾性表面波波長λ８の０．３８倍（＝ Ｖ２．６ ’Ｉ
Ｏ厚さでＭａｉｎ Ｌｏｂｅと７゜２ＭＨｚ近傍の不要
波ピーク間のレベル差が２０ｄＢを超すことがわかる。
Ｏ厚さでＭａｉｎ Ｌｏｂｅと７゜２ＭＨｚ近傍の不要
波ピーク間のレベル差が２０ｄＢを超すことがわかる。
即ち、この２０ｄＢは電圧にして１桁、電力として２桁
減少Ｔるので、実用的に使用し得るレベルである。
減少Ｔるので、実用的に使用し得るレベルである。
他の実施例として、上記実施例と同一の電極構成、 Ｉ
ＨＪ−材料ながら、圧電性基板の厚さｄを１ｍｍの場合
、丁なわち、弾性表面波波長λＨ＝ Ｏ−２６ｍｍの約
３．８倍、デバイス定数りとして５．８とした場合には
、接着層厚さｔ ”＝ ０．０５ ｍ ｍで、Ｍａｉｎ
Ｌｏｂｅと約！ｉ、６ＭＨｚにおける厚み縦振動によ
ると見られる不要波ピークの間に２０ｄＢを超えるレベ
ル差が住する。同時に、その他のＭａｉｎ Ｌｏｂｅ近
傍の主要な不要波ピークも充分に消失させることが出来
る。
ＨＪ−材料ながら、圧電性基板の厚さｄを１ｍｍの場合
、丁なわち、弾性表面波波長λＨ＝ Ｏ−２６ｍｍの約
３．８倍、デバイス定数りとして５．８とした場合には
、接着層厚さｔ ”＝ ０．０５ ｍ ｍで、Ｍａｉｎ
Ｌｏｂｅと約！ｉ、６ＭＨｚにおける厚み縦振動によ
ると見られる不要波ピークの間に２０ｄＢを超えるレベ
ル差が住する。同時に、その他のＭａｉｎ Ｌｏｂｅ近
傍の主要な不要波ピークも充分に消失させることが出来
る。
なお、接着層として銀粒子をエポキシ系樹脂中に分散さ
せた半導体ＩＣで多用されているダイボンディング剤を
用い念が、これを他の導電性樹脂、例えば、上記銀粒子
の代りに微小径ガラスと−ズに銀を皮種したもの、ある
いは、他の金属粉に銀を支援したものや、鋼粒子、Ｎｉ
粒子、Ａ１粒子。
せた半導体ＩＣで多用されているダイボンディング剤を
用い念が、これを他の導電性樹脂、例えば、上記銀粒子
の代りに微小径ガラスと−ズに銀を皮種したもの、ある
いは、他の金属粉に銀を支援したものや、鋼粒子、Ｎｉ
粒子、Ａ１粒子。
炭素粒子、炭素繊維等を分散させ九樹脂を用いても目的
を達し得る。また導電性樹脂として、分子間化合物系の
有機導電体を用いても良す。
を達し得る。また導電性樹脂として、分子間化合物系の
有機導電体を用いても良す。
さらに、接着層として、パッケージグラウンド平面側に
エポキシ樹脂を厚さ０．１ｍｍ、圧電性基板裏面側に銀
粒子を分散した導電性樹脂を厚さ０．０１ｍｍを塗付し
て合体した二層構造のものを用いても、上記実施例と劣
らぬ効果を示すことを確めた。
エポキシ樹脂を厚さ０．１ｍｍ、圧電性基板裏面側に銀
粒子を分散した導電性樹脂を厚さ０．０１ｍｍを塗付し
て合体した二層構造のものを用いても、上記実施例と劣
らぬ効果を示すことを確めた。
また、導電性樹脂の一部が、パッケージグラウンド平面
に接触していると、直達波伝搬も減少することも確めた
。接着層として、非導電性材料のみの場合例えば、エポ
キシ系樹脂、シリコン系樹脂のみを用いた場合には、不
要波ピークが抑圧できず、直達波が多く発生したので好
しくないことに対する対策である。
に接触していると、直達波伝搬も減少することも確めた
。接着層として、非導電性材料のみの場合例えば、エポ
キシ系樹脂、シリコン系樹脂のみを用いた場合には、不
要波ピークが抑圧できず、直達波が多く発生したので好
しくないことに対する対策である。
さらにまた該圧電性基板裏面をメタライズ（例えば、Ａ
ｉ蒸着、Ａｕ／Ｃｒ二層膜Ｍ着）し、接着層として低温
ハンダを用いても良い。
ｉ蒸着、Ａｕ／Ｃｒ二層膜Ｍ着）し、接着層として低温
ハンダを用いても良い。
さらに、詳細な説明は省略するが、第６図に示すごとき
、銀糸粒子を分散させたエポキシ樹脂に層厚程度の径を
有する粒子７、例えば石英粉を混入した導電性樹脂を用
いても良好な結果が得られる。この場合には電極を形成
した圧電性基板を層厚程度の粒径の粒子７を混入した銀
系エポキシ樹脂で接着している。このため、本実施例で
は、接着層の厚さの制御が極めて容易になシ、自動ダイ
ボンダがそのまま適用出来ることになシ、量産性に優れ
、実用性が高くなる副次効果もある。本実施例の変形と
して、粒子でなく、ガラス、ガーボン等の繊維を混入し
た接着層や、例えば、ガラス繊維の布に銀系エポキシ樹
脂を含浸させたフィルム状導電性接着剤を用すても嵐好
な結果が得られる。
、銀糸粒子を分散させたエポキシ樹脂に層厚程度の径を
有する粒子７、例えば石英粉を混入した導電性樹脂を用
いても良好な結果が得られる。この場合には電極を形成
した圧電性基板を層厚程度の粒径の粒子７を混入した銀
系エポキシ樹脂で接着している。このため、本実施例で
は、接着層の厚さの制御が極めて容易になシ、自動ダイ
ボンダがそのまま適用出来ることになシ、量産性に優れ
、実用性が高くなる副次効果もある。本実施例の変形と
して、粒子でなく、ガラス、ガーボン等の繊維を混入し
た接着層や、例えば、ガラス繊維の布に銀系エポキシ樹
脂を含浸させたフィルム状導電性接着剤を用すても嵐好
な結果が得られる。
また、第７図の、概念的な一部切開断面構造斜視図に示
すごとく、圧電性基板をパッケージ・グラウンド平面に
接着するに際して、必要な接着層厚さを確保するために
、スペーサ８を送受波電極。
すごとく、圧電性基板をパッケージ・グラウンド平面に
接着するに際して、必要な接着層厚さを確保するために
、スペーサ８を送受波電極。
およびその間の伝搬路に対応する裏面領域から外して設
けておく構造でも良い。このスペーサとしては繊維、フ
ィルム、ワイヤ等が良く、特に中央部を矩形状に打ち抜
いたフィルム状接着剤が有効である。特にこのスペーサ
を有する構造は送受波電極、およびその間の伝搬路に対
応する裏面領域をはずしさえすれば良いので、その平面
形状の自由度は大きく、かつ、接着層の厚さ制御も容易
である。
けておく構造でも良い。このスペーサとしては繊維、フ
ィルム、ワイヤ等が良く、特に中央部を矩形状に打ち抜
いたフィルム状接着剤が有効である。特にこのスペーサ
を有する構造は送受波電極、およびその間の伝搬路に対
応する裏面領域をはずしさえすれば良いので、その平面
形状の自由度は大きく、かつ、接着層の厚さ制御も容易
である。
以上述べたごとく、本発明によれば、５０ＭＨｚ以下の
低い周波数に主帯斌を要する弾性表面波装置の不要バル
ク波応答を実用的なレベルで簡単に充分抑圧することが
できる。したがって、従来は基板厚さとしては少くとも
、弾性表面波波長λＲの３倍程度必要であったのが、本
発明により弾性表面波波長λ８の２倍程度の基板厚さで
充分実用的な弾性表面波装置が得られるようになった。
低い周波数に主帯斌を要する弾性表面波装置の不要バル
ク波応答を実用的なレベルで簡単に充分抑圧することが
できる。したがって、従来は基板厚さとしては少くとも
、弾性表面波波長λＲの３倍程度必要であったのが、本
発明により弾性表面波波長λ８の２倍程度の基板厚さで
充分実用的な弾性表面波装置が得られるようになった。
上記の事実は、３０ ＭＨｚ以下の低い周波数領塚で動
作させる弾性表面波装置のニーズに対して、十分に対応
出来る技術であることを示しており、この技術分野の、
よシ拡大するニーズに対して。
作させる弾性表面波装置のニーズに対して、十分に対応
出来る技術であることを示しており、この技術分野の、
よシ拡大するニーズに対して。
極めて大きな寄与をなしうるものであるといえる。
第１図は従来の弾性表面波装置の説明のための概念的断
面構造図、第２図は本発明による弾性表面波装置の説明
のための概念的な断面構造図、第３図は、本発明に係る
弾性表面波装置構造の実施例としての弾性表面波フィル
タの損失周波数特性実測図、第４図は第５図と対照する
ための従来構造の弾性表面波フィルタの損失周波数特性
実測図。 第５図は１本発明の要旨となる接着層の厚さ効果を示す
実測図、第６図は本発明の他の実施例としての弾性表面
波装置の概念的断面構造図、第７図は、本発明のさらに
他の実施例としての弾性表面波装置の説明のための概念
的一部切開断面構造の斜視図である。 １・・・圧電性基板、 ２・・・入力送受波電極。 ５・・・出力送受波電極、 ４・・・端面反射防止用音
波吸収剤、 ５・・・Ｗ１着層。 ６・・・パッケージング・グラウンド平面。 ７・・・接着層厚と同程度の粒径を有する粒子。 ８・・・スペーサ 代理人弁理士 薄 １）利 幸 才 ｌ 国 才２ｒ：ＫＪ ｉ３ 図 才 ４ 面 捲Ｓ層に：ｒｔ（＊鷹） 才 ｔ 図 才 ７ 圀
面構造図、第２図は本発明による弾性表面波装置の説明
のための概念的な断面構造図、第３図は、本発明に係る
弾性表面波装置構造の実施例としての弾性表面波フィル
タの損失周波数特性実測図、第４図は第５図と対照する
ための従来構造の弾性表面波フィルタの損失周波数特性
実測図。 第５図は１本発明の要旨となる接着層の厚さ効果を示す
実測図、第６図は本発明の他の実施例としての弾性表面
波装置の概念的断面構造図、第７図は、本発明のさらに
他の実施例としての弾性表面波装置の説明のための概念
的一部切開断面構造の斜視図である。 １・・・圧電性基板、 ２・・・入力送受波電極。 ５・・・出力送受波電極、 ４・・・端面反射防止用音
波吸収剤、 ５・・・Ｗ１着層。 ６・・・パッケージング・グラウンド平面。 ７・・・接着層厚と同程度の粒径を有する粒子。 ８・・・スペーサ 代理人弁理士 薄 １）利 幸 才 ｌ 国 才２ｒ：ＫＪ ｉ３ 図 才 ４ 面 捲Ｓ層に：ｒｔ（＊鷹） 才 ｔ 図 才 ７ 圀
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、その第１の主面上に動作周波数主帯域が３０ＭＨｚ
以下である弾性表面波の送受波電極が少くと４１対以干
設けられ、その第２の主面とそのパッケージングのグラ
ウンド平面の間に、一定の厚さを有する固定層を設けて
構成される圧電性基板からなる弾性表面波装置において
、次式を満たすデバイス定数りについて ｈ＝ｄ／λ８ （１）ｈ≦２ ならば、 ｔ≧λＲ７２，６（２）ｈ＞
２ ならば、 ｔ≧λＲ／１．３ ｈなる固定層厚さ
ｔを有したことを特徴とする弾性表面波装置。 ここで、 ｄ：圧電性基板厚さ λＲ；動作周波数主帯域における弾性 表面波波長 ２、 固定層が、導電性樹脂である特許請求の範囲第１
項記載の弾性表面波装置。 五 固定層が、導電性粒子を樹脂中に分散させた導電性
樹脂である特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波装置
。 ４、固定層が、パッケージ・グラウンド平面側に非導電
性樹脂を用い、圧電性基板裏面側に導電性樹脂を用いて
合体した二層構造である特許請求の範囲第１項記載の弾
性表面波装置。 ＆ 固定層が、低温ハンダである特許請求の範囲第１項
記載の弾性表面波装置。 ＆ 固定層が、層厚程度の径を有Ｔる粒子、又は繊維を
混入した導電性樹脂である特許請求の範囲第１項記載の
弾性表面波装置。 Ｚ 固定層が、送受波電極および、その間の伝搬路に対
する裏面の範囲に接着層を設け、それをはずした範囲に
は接着層と同程度の厚さを有するスペーサを設けた構造
である特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001826A JPS58119219A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | 弾性表面波装置 |
| US06/455,280 US4500807A (en) | 1982-01-11 | 1983-01-03 | Surface acoustic wave transmission device for a low frequency signal below 30 MHz |
| DE8383100068T DE3373600D1 (en) | 1982-01-11 | 1983-01-05 | Surface acoustic wave transmission device |
| EP83100068A EP0088204B2 (en) | 1982-01-11 | 1983-01-05 | Surface acoustic wave transmission device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001826A JPS58119219A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119219A true JPS58119219A (ja) | 1983-07-15 |
Family
ID=11512362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57001826A Pending JPS58119219A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | 弾性表面波装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4500807A (ja) |
| EP (1) | EP0088204B2 (ja) |
| JP (1) | JPS58119219A (ja) |
| DE (1) | DE3373600D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5837332A (en) * | 1989-11-19 | 1998-11-17 | Nihon Victor Kabushiki-Kaisha | Method and apparatus for preparing crystal thin films by using a surface acoustic wave |
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Family Cites Families (7)
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| JPS5469048A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-02 | Victor Co Of Japan Ltd | Elastic surface wave element |
| JPS54108551A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elastic surface wave device |
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-
1982
- 1982-01-11 JP JP57001826A patent/JPS58119219A/ja active Pending
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1983
- 1983-01-03 US US06/455,280 patent/US4500807A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-01-05 EP EP83100068A patent/EP0088204B2/en not_active Expired
- 1983-01-05 DE DE8383100068T patent/DE3373600D1/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS54143091A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elastic surface wave device |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3373600D1 (en) | 1987-10-15 |
| EP0088204B2 (en) | 1992-01-15 |
| US4500807A (en) | 1985-02-19 |
| EP0088204A3 (en) | 1984-07-11 |
| EP0088204B1 (en) | 1987-09-09 |
| EP0088204A2 (en) | 1983-09-14 |
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