JPS58117730A - 集積ｅｃｌ回路用出力段 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は集積ＥＣＬ回路用出力段であって、二点ツタを
相互接続して差動増幅器を形成する第一および第二トラ
ンジスタを具え、該差動増幅器を第一電力供給線路に接
続すると共に第一電流源と直列に接続し、該第−電流源
には前記第一および第二トランジスタのエミッタを夫々
接続すると共に該第−電流源を第二電力供給線路に接続
し、さらに前記第一トランジスタのコレクタを第一抵抗
を経て前記第一電力供給線路に接続してあ′す、さらに
Ｅ（３Ｌ回路の出力部を形成するエミッタと、前記第一
抵抗および前記第一トランジスタのコレクタに接続した
ベースとを有する第三トランジスタを具え、 さらに前記第一トランジスタのベースおよびコレクタの
夫々に並列接続したベースおよびコレクタと、前記第二
電力供給線路に接続した第二電流源を具えるエミッタ回
路とを有する第四トランジスタを具える集積ＫＯＬ回路
用出力段に関する。

ここにおいて、「Ｅ　ＯＬＪとは論理集積回路分野では
吐知の技術であって「３−ｍ１ｔｔｅｒ　（３ｏｕｐｌ
ｅｄＬｏｇｉｃ　Ｊの頭文字を取った略称である。

〔従　来　技　術〕

論理回路では出力レベル０（低論理値レベル）および１
（高論理値レベル）は正確であると井に出来るだけこれ
ら電圧レベルは安定していることが必要である。しかし
ながら・回路の構成素子の動作温度特にこれら回路のト
ランジスタのｐ−ｎ接合の温度が変動すると必然的に出
力電圧レベルも変動してしまう。これがため、このよう
な出力電圧の変動を制限するため論理回路の「温度補償
」を行なうのが通例となっている。

このような目的のため設計されかつＫＯＬ回路の出力段
に用いるように意図された回路が文献刊行物「ＩＥＩＪ
　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　５ｏｌｉｄ　ｓｔａｇｅ　Ｃ
１ｒｃｕｉｔｓＪ（ＶＯｌ、　Ｓ　Ｏ１４、Ａ　５　、
　ｏｃｔｏｂｅｒ　１９７９　）　ＧＣ記載された論文
の第４図に示されている。この既知回路は前述した「第
二電流源」に対応する電流源を使用し、この電流源から
前述の「第一抵抗」に対応する抵抗を経て補助電流工。

を流し、この抵抗間に、前述の第三トランジスタに対応
する出７Ｊ）ランジスタのベース−エミッタ電圧ｖＢ１
ｃノ変動に対して反対極性で変動する電圧降下を、生ぜ
しめる構成となっている。全体の基準電位（前述のトラ
ンジスタが接続されている電力供給ラインの電位）の点
から考えると、出力レベルはこの抵抗の端子間での電圧
降下分と、この出力トランジスタのｖＢＫとの和電圧に
等しくおよびこれら二つのパラメータは温度の関数とし
て反対方向に変化するので、所定の補償を行なうことが
出来る。実際には、これらトランジスタのｐ−ｎ接合で
の温度が所、定の温度（約６０°Ｃ）を越えると、過補
償状態が起り、その場合にはトランジスタにおける電圧
降下の増大量が出力トランジスタのＶ□が減少する量よ
りも大であり、従って、温度の上昇につれて高および低
出力レベルの電圧レベルが低下するＯ 〔発明の概要〕 本発明の目的は「過補償」を抑制する集積論理回路用の
出力段を提供することにある。

この目的の達成な図るため本発明による集積ＥＣＬ回路
用出力段によれば、 第二抵抗を前記第二電流源と前記第四トランジスタのエ
ミッタとの間に接続し、前記第二電流源と前記第一電力
供給線路との間において第三抵抗を第五トランジスタの
エミッターコレクタ回路と直列に接続し、該第五トラン
ジスタのコレクタを前記第一電力供給線路に直接接続す
る一方そのベースを前記第四トランジスタのエミッタに
結合して成ることを特徴とする。

本発明による装置は所定以上の温度となった時この抵抗
の端子間での電圧降下が極端に大きくなってしまうので
この温度からこの抵抗を経て流れる電流工。の一部分を
分流させるすなわちブランチ・オフさせる必要があると
いう簡単な着想に基づくものである。

温度補償回路の動作につき要約すると次の通り、である
。

第二電流源の電流路すなわち一方においては第五トラン
ジスタのベース−エミツタ路（ＩＢ路）と直列の第三抵
抗によって形成されている電流路と、他方においては第
一抵抗と直列に接続されている第四トランジスタのＥＢ
路と直列の第二抵抗によって形成されている電流路とを
並列に接続する。電流は両電流路のうち後者の電流路を
経て永久に流れるが、この電流は第五トランジスタのベ
ース−エミッタ電圧ｖ］３ＩＣが十分高い場合にのみ他
方の電流路（第三抵抗子第五トランジスタ）を経て流れ
ることが出来る。この電圧ｖＢＩＩ、の値は特に第二抵
抗の端子間における電圧降下の値に依存し、この電圧降
下は第二電流源から供給される電流値によって決まると
井に動作温度の上昇に従って増大する。低動作温度の場
合には、第二抵抗の端子間電圧降下は第五トランジスタ
のベース−エミッタ電圧ｖＢｌをそのスレッショルド値
にする程十分大きい値ではないので、このトランジスタ
を経て電流は流れない。動作温度が上昇し第二電流源の
電流値が十分高くなり第二抵抗における電圧降下の増大
に起因して第五トランジスタの電圧ＶＢＩＣがスレショ
ルド値に達するようになると、この第五トランジスタを
経て電流が流れ始める。この電流は第一抵抗が含まれる
１流路を経て流れている電流から引き出され温度が上昇
するにつれてその量が増大する。従って、この温度の関
数として第一抵抗の端子間電圧降下が増大する割合を制
限することが出来この増大を符号を除き第三トランジス
タの電圧ＶＢＩＣの増大とほぼ等しくすることが出来る
。従って、出力段の出力電位の取り得る高レベルおよび
低レベルを安定化することが出来る一０第三抵抗は第五
トランジスタと直列に接続されていて、この第三抵抗に
より第五トランジスタが導通状態になると直ちに電流源
の電流がこの第五トランジスタを経てほぼ完全には流れ
ることが出来ないよう確実になすために必要とされるイ
ンピーダンスを与える。さもなければ制御システムが無
効となって動かなくなるばかりか高および低出力レベル
間の電圧差が大きくなることが妨げられてしまう。

上述したようなタイプの温度制御装置を具えるＸＯＬ出
力段によれば、これにより生ずる出方電圧はｐ−ｎ接合
に関する限りにおいては８０℃〜１５０℃という広い温
度範囲内で著しく安定であるという利点がある。この装
置の構成素子を適切に選択することにより、前述の接合
における温度の両限界温度間では出方電圧は±５　ｍＶ
の変動以上に変動することはない。制御システムはこの
出力段の両（高および低ン出カレベルに対し同一に動作
する。

本発明が極めて有効的であることを考慮すると、この装
置は簡単であるという利点がある。

本発明による装置の第一実施例によれば、第五トランジ
スタのベースを第四トランジスタのエミッタに直接接続
する。この装置は第三抵抗と直列の第五トランジスタの
ベース−エミツタ路が並列に接続されている制御抵抗（
第二抵抗）のみから成ッテイル。この場合、第五トラン
ジスタの１！圧ＶＢ］Ｈの値はこの第二抵抗の端子間電
圧降下に完全に依存している。使用電減が微小電流であ
るこ七を考えると、この第二抵抗はやや大きくなる（平
均で約１ｋｇ）０ 本発明によるやや複雑な第二実施例によれば、第五トラ
ンジスタのベースを、第二電流源と１第一および第四ト
ランジスタの夫々のベースとの間に接続した抵抗ブリッ
ジの中心点に、接続する。

この場合、本発明による、第五トランジスタの前記ベー
スと、第四）ランジスタのエミッタとの間の接続は間接
的である。その理由は前述の抵抗ブυツジの第一抵抗お
よび第四トランジスタのベース−エミツタ路中の第二抵
抗がこの接続中に含まれているからである。

この第二実施例においては、第五トランジスタの電圧Ｖ
ＢＩＣの値は第二抵抗の端子間における電圧降下だけに
依存するものではない。この後者の電圧降下の変動は前
述した抵抗ブリッジから導出される予備分極電圧（ｐｒ
ｅｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ　ｖｏｌｔａｇｅ　）に加
えられる。しかしながら、第五トランジスタの段は依然
として第二抵抗の端子間電圧降下によって制御される。

この実ｊ１例によれば、一方においては前述のケースに
おける場合よりも８〜４分の−の値の第二抵抗を使用し
よってこの抵抗の端子間電圧降下を制限することが可能
となり、他方においては第二抵抗の、第二電流源に接続
されている傭の電位レベルを増大せしめることが出来る
。

このように第二電流源はさらに好ましい状況下で動作す
る。

本発明は上述した実施例とは無関係に１最適な結果を得
るため・所定の抵抗値を有する抵抗を使用することはも
とよりこれら抵抗の抵抗値の比を所定の比のものとする
ことが必要であること明らかである。

以下図面により本発明の詳細な説明する。

第１図および第８図はＥＯＬ技術によるゲート回路網に
対する出力段の基本素子を明確に示す図で、これら素子
として先ず第一に以下第一および第二（ランジスタと称
するｎｐｎ型トランジスタ！、およびＴ、がある。これ
ら両トランジスタは差動回路を形成するものである。こ
れらトランジスタの二つのエミッタを第一電流源と称す
る電圧源１０と直列に接続し、この第一電流源を第二電
力供給線路と称する電力供給線路り、に接続する。

さらにトランジスタテ工のコレクタを第〒抵抗と称する
抵抗Ｒ１を経て第一電力供給線路と称する電力供給線路
Ｌ０に接続すると共にトランジスタＴ、のコレクタをこ
の線路Ｌ０に接続する。この線路Ｌ１は一般には接地し
てあってその電位を基準電位として使用する。入力信号
は例えばトランジスタＴ、のベースに供給し、トランジ
スタテ工のベースを図中白丸印で示した固定補助電源１
１に接続する。トランジスタＴ０に関してエミッタホロ
ワとして接続されている、ｎｐｎ？Ｊの第三トランジス
タテ８は出力段の出力素子を形成している。

このトランジスタＴ、のベースをトランジスタＴ０のコ
レクタに接続し、そのコレクタを個別の電力供給線路Ｌ
８に接続し、そのエミッタすなわち端子Ｓから出力電圧
を生じる。或いはまた、このトランジスタＴ８のコレク
タを第−電力供給線路Ｌ工に接続することも可能である
。これらの点は既知、である。尚・説明の便宜のため第
２図にはこの個別の電力供給線路Ｌ８を省略しである。

出力段の動作温度の変動に基づき出力電圧の変化を補償
するための相補回路には、ｎｐｎ型第四トランジスタを
含んでおり、このトランジスタのベースおよびコレクタ
をトランジスタＴ１のベースおよびコレクタに夫々接続
し、エミッタを特に第二電流源２０を介して電力供給線
路り、に接続する。この第二電流源２０はｎｐｎ型のト
ランジスタＴ６を以って既知のように構成し、その場合
このトランジスタのベースに一定電圧Ｖを供給し、その
エミッタ回路に抵抗Ｒ４を接続するようになしている。

図示の＠＃化を図るためｔ電流源１０を含む既知の回路
部分を簡単に示してあり、温度補償装置の動作に含まれ
ない電流源ｌＯを図中単に図式的に示しているにすぎな
い。

本発明による装置はトランジスタＴ、および電流ａｇｏ
と相俟って端子Ｓに生ずる出力電圧を広い動作温度範囲
にわたり実質的に安定な状態に維持する。この装置を図
中破１ｉ８０で示す。第１図および第２図に示すように
、本発明の二つの実施例の各々に適用出来る回路図によ
れば１これら実施例の特色は次の点にあると云える。す
なわち、「第二電流源２０と第四トランジスタＴ、のエ
ミッタとの間に第二抵抗Ｒ２を接続し、この第二電流源
２０と第一電力供給線路Ｌｏとの間における第五トラン
ジスタＴ、のエミッターコレクタ路と直列に第三抵抗Ｒ
８を接続し、この第五トランジスタのコレクタを前述の
第一電力供給線路Ｌ□に直ＳＳ続しそのベースを第四ト
ランジスタＴ４のエミッタに少なくとも間接的に接続す
ること」。

次に本発明による装置の動作を説明する前に、電流源２
０およびトランジスタＴ４によって形成した既知の基本
制御回路の動作の説明につき説明する。この説明を第１
図および第８図を参照して行なうこととし、この説明に
際しては８０で示す回路については無視するものとする
。

端子Ｓにおける出力電圧は全体の基準電圧として供する
線路り、の電圧に対し測定して二つのレベルすなわち−
（高しベルノおよびｖＢ（低レベル）奢有し得る。これ
らレベルは電源１０によって供給され差動回路の二つの
トランジスタＴ、およびＴｏを夫々経る電流の流れに対
応する。電流源ＢＯはトランジスタＴ４を経て抵抗Ｒ１
に流れる電流Ｉ！Ｉｔ生ずる。ということは Ｖ　　−Ｖ　　　＋　Ｒ１−Ｉ２−　ＶＨ＋　Ｒ１−Ｉ
ＩＢ　　　　　Ｂｌｔｌｌ であることを意味する。

ここにおいて”ＢＫＩＩはトランジスタＴ、のベース−
エミッタ電圧である。

電圧Ｒ１・工１を温度に対し著しく一定となるように維
持する場合には（これはＥＯＬ回路の場合には既知の手
段によって達成し得るのでここでは確立した事実として
考える）、ｖＥおよびｖＥの値に対しても同一パラメー
タを適用出来ること明らかである。（１）式において、
大電圧ＶＢＩＣ８およびＲ１・工ｌは温度の関数として
反対方向に変化する。すなわち電圧ＶＢＩＣ８は減少し
電圧Ｒ１・工１は増大するので・所定の補償を達成し得
る。その結果、ｖＥ従ってＶＢの安定性を補助電流工２
を使用することによって改善することが出来る。しかし
ながら・温度が上昇すると電圧Ｒ１・工２はＶゆ、の減
少より以上に増大するため・この補償は完全ではない。

この平衡性を欠く要因は次の計算から知ることが出来る
。すなわち、 であって・ここにおいてＶは線路り、に関してち走化さ
れているトランジスタＴ６のベース電位であり−Ｒ４は
抵抗会の値であり’　ｖＢＩＧはトランジスタＴ６のベ
ース−エミッタ電圧である。また、ＲＩ　　　　　　　
　ＲＩ Ｒｈ−１２−−−Ｖ　−−−ＶＢＩｃ６Ｒ４Ｒ４ であり、このＲ１・工２に対する式を（１）式に代入す
ると、 ＲＩ　　　　Ｒ１ ｖＨ”　ｖＢＩＩｉ８　”　Ｒ４”　ｖ−Ｒ４”　ｖＢ
Ｋ６　　　（２）となり、ここにおいて旦・ｖは一定で
あり・こ４ Ｒ１ れはＶを一定であるとみなしまた−１４の比は抵抗Ｒ１
およびＲ４の値が温度の関数としてそれぞれ比例して変
化するので一定であるとみなし得るからである。従って
電圧ｖＨの変化は（２）式における他の二つの項の変化
に依存する。ｖＨを安定に保持するためには、 ０　　／’ （但しＴ悌・′動作温度である） である、：履が必要、ある。今、−ｆｆ［！ｔ）？ア。

このトランジスタの温度係数（単位温度当りのｍｖ単位
でのベース−エミッタ電圧変化ンは動作温度にかかわら
ず一定状態を極めて良好に維持する。

しかしながらトランジスタＴ６の温度係数はこのトラン
ジスタによって生ぜしめられる電流工２と一緒に変化す
るので、上述したことはｄｖＢ］Ｃ６ ｄＴ。

には適用出来ない。

これがため、Ｒ１・工３がＶＢｌＢの減少よりも速く増
大するのを回避することが出来ず、温度が上昇すると出
力レベルｖＨおよびＶＢ（（１）式）は低下する傾向に
ある。実際に、電圧ｖＢＥ８の低下すなわち減少がＲ１
・工２の増大によって過補償されてしまう。

本発明による装置を追加して使用することにより、この
ような過補償の現象を抑制することが出来ると共にこの
出力レベルを督しく安定なものとすることが出来る。本
発明によるこの追加の装置の実施例すなわち第１図およ
び第２図に示す各実施例によれば、温度上昇につれて増
大する電流工２の部分を、この電流部分が抵抗Ｒ１を経
て流れることが出来ないように、確実に線路Ｌ０に分流
させることが出来る。従って第一抵抗の端子間における
電圧降下の増大をＶＢｌＢの減少に適合させることが出
来る。

第１図に８０で示す、本発明による装置の第一実施例に
おいては、トランジスタＴ、のベースをトランジスタＴ
、のエミッタに直接接続する。従って・この装置は抵抗
Ｒ２と、この抵抗の端子間に接続したトランジスタＴ、
のベース−エミツタ路および抵抗Ｒ８の直列回路とを以
って構成する。

次にこの実施例の装置の動作を説明する。トランジスタ
Ｔ、の電圧ｖＢｌｃは抵抗Ｒ２の端子間電圧に依存する
。約６０℃までの低温であって電流工２が低レベルであ
る場合には、電圧Ｒ２・工２はトランジスタＴ、のスレ
ッショルド電圧ＶＢＩＣよりも低いのでこのトランジス
タはターン・オフの状態にある。従って電流工２は全て
抵抗Ｒ１を経てトランジスタＴ４を介して流れる。電圧
Ｒ２・工２がトランジスタＴのスレッショルド電圧ＶＢ
ＩＣに達すると、このトランジスタがターン・オントな
り・その屏時から電流工２の一部分はトランジスタＴ、
および抵抗Ｒδを経て分流し、この電流部分は抵抗Ｒ１
を経て前に流れていた電流から差し引かれる。、従って
、電圧降下Ｒ１・Ｒ２が制限されて目的が達成される。

温度の上昇に伴ない電流工２が増大するため、抵抗Ｒ２
の端子間電圧が増大しトランジスタＴ５の電圧ＶＢＩＣ
が増大し、よってこのトランジスタを経て流れる電流が
増大する。

醍に説明したように、トランジスタＴ、の工之ツターフ
レクタ路を直列に抵抗Ｒ８が存在することにより、全電
流工２はトランジスタＴｓがターン・オンとなっても直
ちにトランジスタＴ、を経て流れないようになされてい
る。

端子Ｓに生ずる出力レベルに対して得られるこのような
制御精度は温度に従って各抵抗Ｒ１゜Ｒ５ａ　、Ｒ８お
よびＲ４に対し使用される値に依存するがこれら抵抗の
値の比にも依存する。本発明による上述した実施例に対
する計算およびテストによって、これら抵抗は次の式を
満足するように選定すべきであることが実証された。す
なわちＲＩ　　　　　　　　　　Ｒ８ 一−Ｌ８〜８．２およびπ−；−１，４〜１．８４ 第２図に８０で示す本発明の第２実施例においては、ト
ランジスタＴ、のベースを抵抗ブリッジの抵抗Ｒ５およ
びＲ６の接続中点ムに接続し、この抵抗ブリッジを第二
電流源２ｏとトランジスタＴ０およびＴ４のベース（ま
たは第２図の実施例では固定補助電源１１）とに接続す
る。このトランジスタＴ、のベースをトランジスタＴ、
に間接的にすなわちこの抵抗ブリッジの抵抗Ｒ６および
トランジスタＴ４のベース−エミツタ路を介してトラン
ジスタＴ、のエミッタに接続する。この第二実施例では
トランジスタＴ、の電圧ｖＢＸの値に抵抗Ｒｓの端子間
での電圧降下の髄にのみには最早依存しない。この抵抗
Ｒ２の端子間における電圧降下の縦動に依存する成分は
抵抗ブリッジＲ５−Ｒ６によって決まるｖＢｘｓの成分
に加えられる。

これらの変化は電流工２の変化に依存しており、ｌＩ中
Ｂで示す点であるトランジスタＴ６のコ・レクタの電位
レベルに変化を生ぜしめ、これがＬランジスタテ、のエ
ミッタに影響を与えてｖＢＩ５の変化を生ぜしめる。こ
こで留意すべきことは、点ムにおける電位は点Ｂにおけ
る電位と同じ方向に変化するがその撮輻はより小さいと
いうことである。

この種の回路においては、抵抗Ｒ２の端子間電圧は最早
前者の実施例におけるように電圧ＶＢ□の値を決定する
唯一の要因ではなく、この回路においてはこの抵抗Ｒ２
の値を後者の場合におけるよりも小さく選定する。抵抗
Ｒ２の端子間における電圧降下はより小さいので、トラ
ンジスタＴ６のコレクタにおける電位は第１図の場合に
おけるよりも高く、よって特にこのトランジスタＴ６が
飽和状態となる愈険を低減し得る。その理由はトランジ
スタＴ６が非飽和状態で動作する時にのみ所望の温度補
償を達成することが出来るからである。

第２図に示す回路を適切に動作させるためには、この回
路の夫々の抵抗の比を所定の比として使用する必要があ
る。特に とする必要がある。

上述した本発明による装置の動作例では、入力信号を差
動回路のトランジスタＴ、に供給し、一方この差動回路
のトランジスタで００ベース（従つてトランジスタＴ、
のベース）を固定電流源１１に！１ＩＩＲするとした。

ここで留意すべきことは、これとは反対に入力信号をト
ランジスタＴ００ベース（従ってトランジスタＴ４のベ
ース）に供給し、一方トランジスタＴ８のベースを電流
源１１に接続するようにしてもよいということである。

半導体構造におけるＫＯＬ段の製造に関しては、第１図
および第２図を二個別的に示したトランジスタＴ□およ
びＴ、を組合わせて二重エミッタを有する単一トランジ
スタを形成するようにしてもよいこと明らかである。

Ｈａ図は第１図に示すようなＥＯＬ回路の出力段の出力
電圧ｖＨの変化を表わす４個の曲線を示す特性ａｍ図で
あり、この出力電圧はミリボルト単位で測定されており
、基準線路Ｌ００電位を零電位とし、電力供給線路り、
を同じ電位としてこの零電位に対する負の値で与えられ
ている。そしてこの出力電圧はこのＥＯＬ回路の出力段
が取り付けられている半導体結晶の温度の関数として与
えられており、この場合次の各場合につきその温度範囲
を８０℃〜１５０℃として示しである。すなわち 曲線ムの場合：補正装置８０を有しない出力段。

なる値とする。

曲線ムは低動作温度（約８０°Ｃ〜６０℃）における短
かい平らな部分の経過後に出力電圧が一様に低減してい
く仕方すなわち温度の増大に従がって曲線が低下する割
合が一層大きくなることを示している。

本発明による装置８０を具える出力段の場合には、曲線
Ｂ、（３およびＤで示すように、約８０℃〜７０℃の温
度範囲で電圧レベルｖＨは適切な安定状態となる。７０
℃以上の温度となると、これら三つの曲線はそれぞれ分
かれ、各曲線は抵抗Ｒ８の所定値に関係した異なる傾斜
を夫々有している。曲ＩｓＢおよびＤが夫々坩応してい
る抵抗Ｒ８の大きい方の値と小さい方の値との間にある
抵抗Ｒ８の中間値に対する曲！ＩＣは、本発明による装
置によって関連する温度範囲では出力電圧は実質的に安
定化され得ることを示している。

抵抗Ｒδの値をあまり大きく選定すると（曲線Ｂ）、ト
ランジスタＴ、を経て分流する電流工２の部分が小さす
ぎ、抵抗Ｒ１の電流の増大は、この抵抗Ｒ１の端子間で
の電圧降下の増大を電圧Ｖ□、の減少よりも大きくせし
めるほど十分に高くない。これがため、出力電圧顔は減
少する。

抵抗Ｒ８の値をあまり小さく選定すると（曲線Ｄ）１電
流工２のうち極端に大きな電流部分がトランジスタＴ、
を流れ・電圧ｖＢｉｌＢの変化は抵抗Ｒ１の端子間での
電圧降下の変化よりも大きくなる。

従って出力電圧ｖＨは温度が増大するに従って増大する
。

本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく
、多くの変形または変更をなし得ること明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１ｇは本発明による制御装置の第一実施例な具えるＥ
ＯＬ出力段を示す回路図、 第２図は本発明による制御装置の第二実施例を具える同
じＫＯＬ出力段を示す回路図・第８図は動作温度の関数
としてＥＣＬ出方段の出力電圧の変化を示す特性曲線図
である。 １０・・・第一電流源　　　　１１・・・補助電源２０
・・・第二電流源　　　　８ｏ・・・補正装置Ｔ０〜Ｔ
６・・・トランジスタ ＲＩ　ＮＲ６・・・抵抗　　　　Ｌ□〜Ｌ８・・・電力
供給線路Ｓ・・・端子。 特許出願人　　　エヌ・ペー・フィリップス・フルーイ
ランペン７アプリクン − Ｃフ − ５ −

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　集積Ｅ（３１回路用出力段であって、エミッタを相
   互接続して差動増幅器を形成する第一および第二トラン
   ジスタを具え、該差動増幅器を第一電力供給線路に接続
   すると井に第一電流源と直列に接続し、該第−電流源に
   は前記第一および第二トランジスタのエミッタを夫々接
   続すると共に該第−電流源を第二電力供給線路に接続し
   、さらに前記第一トランジスタのコレクタを第一抵抗を
   経て前記第一電力供給線路に接続してあり１ ざらにＥＯＬ回路の出力部を形成するエミッタと、前記
   第一抵抗および前記第一トランジスタのコレクタに接続
   したベースとを有する第三トランジスタを具え、 さらに前記第一トランジスタのベースオヨびコレクタの
   夫々に並列接続したベースおよびコレクタと・前記第二
   電力供給線路に接続した第二電流源を具えるエミッタ回
   路とを有する第四トランジスタを具える集積ＥＯＬ回路
   用出力段において、 第二抵抗を前記第二電流源と前記第四トランジスタのエ
   ミッタとの間に接続し・前記第二電流源と前記第一電力
   供給線路との間において第三紙・抗を第五トランジスタ
   のエミッターコレクタ回路と直列に接続し、該第五トラ
   ンジスタのコレクタを前記第一電力供給線路に直接接続
   する一方そのベースを前記第四トランジスタのエミッタ
   に結合して成ることを特徴とする集積ＥＣＬ回路用出力
   段。 ｉ　前記第五トランジスタのベースを前記第四）ランジ
   スタのエミッタに直接接続して成ることを特徴とする特
   許請求の範囲１記載の集積ＥＯＬ回路用出力段。 ＆　前記第一、第二、第三および第四抵抗の夫々の値Ｒ
   １，Ｒ２，Ｒ８およびＲ４を ＲＩ　　　　　　　　　　Ｒδ １７−２・８〜３・２および１丁−１・４〜ｌ・８であ
   るように選定して成ることを特徴とする特許請求の範囲
   ２記載の集積ＥＯＬ回路用出力段。 表　前記第五トランジスタのベースを第五および第六抵
   抗の接続点に接続し、これら第五および第六抵抗を前記
   第二電流源および前記第一オよび第四トランジスタの夫
   々のベースに夫々接続して成ることを特徴とする特許請
   求の範囲１記載の集積Ｋ（３Ｌ回路用出力段。 ム　前記第二および第三抵抗の値Ｒ２およびＲ８を Ｒ８、ｉ、ｏ〜１．８ ４ であるように１定し、前記第五および第六抵抗のＲ５お
   よびＲ６の値を ！−１，８〜２．２ ６ であるように選定して成ることを特徴とする特許請求の
   範囲４記載の集積ＫＯＬ回路用出力段。 ＩＬ　　前記第一）ランジスタのベースを固定電源に接
   続する一方前記第二トランジスタのベースを以って前記
   出力段の入力部を形成して成ることを特徴とする特許請
   求の範囲１〜５のいずれか一つに記載の集積ＫＯＬ回路
   用出力段Ｏ ｉ　前記第二トランジスタのベースを固定電源に接続し
   ・前記第一トランジスタのベースを以って前記出力段の
   入力部を形成して成ることを特徴とする特許請求の範囲
   １〜５のいずれか一つに記載の集積Ｅ（、Ｌ回路用出力
   段。